【課題】高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。
【解決手段】基板電位を調整することで基板に対する自己バイアスの制御を行うために、本発明に従った高周波スパッタリング装置は、チャンバと、チャンバの内部を排気する排気手段と、チャンバ内にガスを供給するガス導入手段と、基板載置台を備える基板ホルダと、基板ホルダを回転させることが可能な回転駆動手段と、ターゲット載置台を備えるスパッタリングカソードであって、基板載置台の表面とターゲット載置台の表面とが非平行となるように配置されることを特徴とするスパッタリングカソードと、基板ホルダ内部に設けられた電極と、電極と電気的に接続されており基板ホルダ上の基板電位を調整する可変インピーダンス機構と、を有する。 （もっと読む）

【課題】蒸発源から蒸発させた蒸着粒子の流れを乱すことなく、効率よくガスを供給し、連続斜め蒸着可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバーの外部からガスを供給するノズル部３１ａ１，３１ａ２，３１ｂ１，３１ｂ２を、基板の表面に垂直で、かつ、基板を搬送する方向に平行な面に配置し、基板が第１および第２の蒸着領域６０ａ，６０ｂを通過する間に、蒸着方向の異なる２段の蒸着工程を連続して行い、量産性に優れたプロセスで、成長方向の異なる複数の層からなる蒸着膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】電子ビームシステム１００を用いて、ターゲットソースが斜め堆積法により蒸着される。複数の調整可能な試料ステージ１０４上に蒸着基板１１４が配置される。プロセスチャンバー１０１内でガスの流量および温度を制御するため、熱源と複数のガス制御弁１０７および１０８が備えられる。蒸着後、薄膜構造と光電子特性を向上させるため、アニール工程が行われる。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロール方式を用い、製品面内の光学特性にばらつきが小さいワイヤグリッド偏光板を得ることができるワイヤグリッド偏光板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法は、表面に格子状凸部を有する基材フィルムがロール状に巻かれてなる原反ロールから、搬送用ロールを介して前記基材フィルムを巻取ロールに搬送する間に前記基材フィルム内の有効製品部に金属を被着するロール・ツー・ロール方式のワイヤグリッド偏光板の製造方法であって、前記基材フィルム内の有効製品部に金属が最も多く被着されている部分の金属被着量をｄＭＡＸとし、前記基材フィルム内の有効製品部に金属が最も少なく被着されている部分の金属被着量をｄＭＩＮとしたときに、（ｄＭＡＸ−ｄＭＩＮ）／（ｄＭＡＸ＋ｄＭＩＮ）で定義される数値δが、δ＜０．１５を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＮ結晶を分子線エピタキシャル成長法で成長させようとする場合、基板温度が低いと結晶品質が悪く基板温度が高いと窒素が解離してしまう。窒素解離を抑制して基板温度をより高くして成長させるようにする。
【解決手段】基板面にガスを吹き付けることにより窒素解離を防ぎ基板温度を高めて成長させる。ガスは分子線の経路を遮らないようなガスノズルから吹き出させる。ガスを真空チャンバの外側或いは内側において加熱して基板に吹き付けるようにすると、部品表面での組成原子の脱離の防止やマイグレーション距離を制御することもできる。 （もっと読む）

【課題】外光の反射による影響を低減して投射光をコントラストのより改善された画像品質の安定した投影ができるスクリーンを提供するとともに、当該スクリーンを比較的省スペースで簡易に製造できるスクリーンの製造方法及びスクリーンの製造装置を提供すること。
【解決手段】スクリーンの製造装置１００において、スクリーン基板１は、ホルダＨＤにより内壁面１３０ａに沿って所定の位置で固定される。蒸発源装置１２０により成膜物質Ｗを加熱して、蒸発させる。チャンバ１３０内は、所望の真空状態となっているため、成膜物質Ｗの射出軌道ＥＶは、蒸発源装置１２０から放射状に射出するものとなり、スクリーン基板１上に堆積する。これにより、スクリーン基板１上に成膜物質Ｗによる反射膜が形成され、スクリーンが製造される。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロール方式において、膜厚の安定化及び金属の光学特性の高いワイヤグリッド偏光板を得るための真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置は、表面に格子状凸部を有する基材フィルム５がロール状に巻かれてなる原反ロール６から、搬送用ロール７を介して前記基材フィルム５を巻取ロール８に搬送する間に前記基材フィルム５に金属を蒸着するロール・ツー・ロール方式のワイヤグリッド偏光板の製造に用いる真空蒸着装置であって、前記原反ロール６、前記搬送用ロール７及び前記巻取ロール８を収容する真空槽と、前記真空槽内に配置され、蒸着材９を加熱・蒸発させる加熱部１０と、前記真空槽内の気体を捕集する冷凍トラップ１１と、前記加熱部１０と前記冷凍トラップ１１との間に配置された遮熱板１２と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な液晶装置を効率よく製造可能な製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の基板と液晶等との間に無機配向膜が形成された液晶装置の製造装置である。成膜室と、成膜室内にて一方の基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置と、を備えている。スパッタ装置は、成膜室に通じる開口を有しターゲットを収容する収容室３１と、収容室内３１に含まれる電子を捕捉する電子捕捉装置３６ａと、を有している。電子捕捉装置３６ａは、収容室内３１に部分的に露出した導電部材３６２ａと、導電部材３６２ａを変位させることにより導電部材３６２ａの収容室内３１に露出する露出部を変化させる変位装置３６０ａと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】テクスチャを設けることなしに磁気記録層に磁気異方性を付与することができる新規な構成を提供する。
【解決手段】 基板９上に形成された磁気記録層９１より成る磁気記録ディスクは、基板９と磁気記録層９１の間に磁気記録層９１に磁気異方性を付与する異方性付与層９２を有する。異方性付与層９２は、タンタル、ニオブ合金又はタンタル合金であって窒化されたもの又は窒素を含む薄膜であり、表面が大気ガス、窒素ガス又は酸素ガスに晒されて変性されている。異方性付与層９２は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に０．５〜１０Ｐａ程度の圧力の酸素ガスに晒す。ターゲットからのスパッタ粒子のうち、付与すべき異方性の方向に方向成分を持って飛行するスパッタ粒子を相対的多く基板９に入射させる方向制御が行われる。 （もっと読む）

【課題】良好でかつ要求された特性を維持することができ、膜堆積の間停止状態にある温度制御性の良好なウェハーホルダを有するプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成からなる。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器１と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極２と、ドーナツ型電極の上方の円の上を移動しながらその中心軸で回転する回転プレートであって、その下面に取付けられかつドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列４を含む回転プレート３と、ドーナツ型電極に接続された電力源１０と、そして膜堆積のためウェハー９を配置するためのウェハーホルダ５であって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を蒸発材料とする金属酸化膜の蒸着方法に関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の保護膜の形成に関するもので、保護膜としての＜１１１＞配向したＭｇＯ膜の成膜速度を早くして、生産性の向上とパネル特性の向上を図る。
【解決手段】金属酸化物を蒸発材料とする蒸着方法において、前記蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、該電子銃からの電子ビームを絞り、該電子ビームの直径をもとに蒸発材料への電子ビームの照射面積に合わせて、電子ビームの揺動波形を制御することを特徴とする金属酸化膜の蒸着方法であり、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護膜から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの保護膜であるＭｇＯ膜の成膜速度が速くなり、かつ良好なパネル特性が得られた。 （もっと読む）

【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を１００度から１２００度の範囲とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 例えば、三次元微細構造体やμｍオーダ以下のパターンやバイナリー立体光学素子等の微細構造体を真空蒸着とエッチングのみで容易に形成することができる微細構造体製造方法を提供することにある。
【解決手段】 微細凹凸パターンを備えた構造体を該微細凹凸パターン側を真空蒸着源に指向させた状態で対向・配置させ、その際微細凹凸パターンの凹部の一部が蒸着されないように上記構造体を上記真空蒸着源に対して所定角度だけ傾斜させ、その状態で真空斜め蒸着を施して上記構造体の微細凹凸パターン側にエッチングマスクを堆積・設置させ、次いで、エッチングを行うことにより上記微細凹凸パターンよりもさらに細かな微細凹凸パターンを形成するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対してターゲット表面を任意の角度で傾斜することができ、材料に適した傾斜角度を見出し、良質の薄膜を再現性良く作製し、生産に結びつけることができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１内に配置されたターゲット電極１２及び基板ホルダ１３と、ターゲット電極１２に保持されたターゲット１４と、基板ホルダ１３に保持された基板１５と、真空チャンバ１１の内外に跨り且つ軸線Ｏ１を中心として回転可能な導入パイプ１６と、導入パイプ１６の先端とターゲット電極１２とを接続すると共にターゲット１４を基板１５に対して傾斜状態で対向させるエルボパイプ１７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】任意の基材の表面に、水に対する高い濡れ性を付与する方法を提供する。
【解決手段】本発明の基材表面の超親水化方法は、基材の表面を超親水化させる方法であって、斜め蒸着法によって、該基材の表面に該表面からの仰角が９０度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を形成させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止できる多結晶薄膜の提供と、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な酸化物超電導導体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材２１上に順に、第一層２３と第二層２４を積層してなる中間層２５をなし、前記第一層２３と前記第二層２４の結晶構造はそれぞれ、岩塩構造と蛍石構造であり、前記第一層２３と前記第二層２４の配向軸が同じであり何れも＜１００＞配向していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高容量電極活物質であるケイ素またはその化合物を、生産性の高い薄膜形成法で形成し、充放電特性劣化を起こさない電極とし、かつ蒸発原料の蒸気領域で、高角度入射近傍領域の成膜を行うこと。
【解決手段】 円柱状に形成した冷却キャン（１６）の周面に基板（２２）を螺旋状に複数回巻付けて走行させつつ、薄膜形成部（２３a）及び薄膜形成部（２３b）を通過する際の基板（２２）に対して、薄膜形成源（１９）から原料粒子が、入射角４５°〜７５°の範囲で飛来するように、遮蔽板（２０）を配置する。 （もっと読む）

【課題】直接粒子ビーム蒸着によって得られる液晶用配向フィルムを提供する。
【解決手段】本発明は、直接粒子ビーム蒸着法により液晶（ＬＣ）または反応性メソゲン（ＲＭ）を配向するための配向フィルムを調製するための方法と、前記方法により得られる配向フィルムと、ＬＣまたはＲＭを配向するための特に薄層の形態での前記配向フィルムの使用と、前記配向フィルムおよび１つ以上のＬＣおよび／またはＲＭ層を含む多重層と、光学的、電子的および電気光学的用途における配向フィルムおよび多重層の使用とに関する。 （もっと読む）

【課題】 蒸着材料を蒸着している領域に供給すると、蒸着源の温度が下がり、蒸着速度が安定せず、蒸着速度を長時間安定に行うことができない。
【解決手段】蒸着材料１０４に電子ビームを照射して溶解した材料を、電子ビームを照射して蒸発する少なくとも２つの領域１０１，１０３とつながり、蒸発せずに溶解した部分１０２に供給することで、急激な温度差が発生しにくいため、材料供給時にスプラッシュが発生しにくく、また料供給時に、蒸発源温度の低下が抑制でき、２つの蒸発領域１０１，１０３の蒸発面高さを一定にすることができるので、蒸着レートの変動を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。
結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕
結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕
供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）