【課題】蒸発粒子を量的に安定発生させつつ、被成膜対象に低成膜レートで成膜する成膜レート制御方法、成膜レート制御機構、およびＥＢ−ＰＶＤ装置を提供する。
【解決手段】蒸発源５と被成膜対象との間の経路内に複数の蒸発粒子通過口１３ａを有しかつその通過口のサイズが大小に可変制御することが可能となっている制御プレートを配置するステップと、この制御プレートにおける上記通過口のサイズ制御により蒸発源から被成膜対象への単位時間当たりの蒸発粒子通過量を制御して、被成膜対象に対する成膜レートを制御するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成を制御する。
【解決手段】基板２上に第ＩＩＩＢ族元素（Ｙ）、第ＶＩＢ族元素（Ｚ）を蒸着する製膜ゾーン１１とこのゾーン１１で形成された薄膜に第ＩＢ族元素（Ｘ）、第ＶＩＢ族元素を蒸着する製膜ゾーン１２を経た薄膜に第ＩＩＩＢ族元素、第ＶＩＢ族元素を蒸着させる製膜ゾーン１３を有する製膜方法及びその装置において、製膜ゾーン１２にて検出したＸＹＺ₂が化学量論的組成比となるゾーン１２における基板２の位置に基づきゾーン１２の終点における薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の予測値を算出する。製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 （もっと読む）

【課題】蒸着源の加熱初期時に蒸着源からの輻射熱によりシャッターが加熱され、シャッター表面に吸着した水分等を不純ガスとして放出するのを抑制して、高純度の金属膜形成ができる真空蒸着装置を得る。
【解決手段】真空槽と、真空槽の内部に設けられた蒸着源と、蒸着源を加熱する加熱手段と、蒸着源に対向配置され、基板を保持する基板ホルダーと、蒸着源と基板との間を開閉するシャッターを備え、このシャッター表面のうち、少なくとも基板側の表面をＡｕ又はＰｔの層で覆う。 （もっと読む）

【課題】Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。
【解決手段】極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。この前駆体を450℃以下で熱処理することで、Ti系バリア膜を有するCu系電極を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板に良好に薄膜を成膜する。
【解決手段】第１の電流検出部１５及び第２の電流検出部１６のいずれか一方の電流検出部により先に検出された正常放電タイミングをトリガとして計時を開始する。他方の電流検出部により正常放電タイミングが検出されたカソードに対しては、一方の電流検出部により検出された正常放電タイミングと、他方の電流検出部により検出された正常放電タイミングとの時間差を求める。そして、所定時間に時間差を加えた時間を計時した時点で放電が終了するように印加電圧を設定する。 （もっと読む）

【課題】現状のＬＣＤ製造プロセスにおけるＩＴＯ透明電極形成技術をＺｎＯ系に適用した場合の膜厚が２００ｎｍ程度より薄くなるに伴って、電気的特性が膜厚に大きく依存する（膜厚の減少に伴って抵抗率が大幅に増加する）こと解決する酸化亜鉛系透明導電膜製造技術並びに成膜に使用する焼結体ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化亜鉛系透明導電膜の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスにおいて、成膜の開始（初期）段階は、その後に続く通常の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスとは異なる条件下で成膜を開始することにより、膜の最低抵抗率特性が大幅に改善できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用でき、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向して配され、第１方向に沿って複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、蒸着源ノズル部とパターニングスリットシートとの間に第１方向に沿って配されて、蒸着源ノズル部とパターニングスリットシートとの間の空間を複数の蒸着空間に区切る複数の遮断板を備える遮断板アセンブリと、基板と蒸着源との間に配される遮断部材と、を備え、薄膜蒸着装置は、基板と所定程度離隔するように形成され、基板は、薄膜蒸着装置に対して相対的に移動自在に形成され、遮断部材は、基板の少なくとも一部を遮蔽するように基板と共に移動することを特徴とする薄膜蒸着装置。 （もっと読む）

蒸着源、処理ドラム、駆動ローラー、およびシャドウマスクを備える、連続ロールツーロール蒸気ベース蒸着プロセスにおいてパターン形成コーティングをＯＬＥＤ基材に施すための装置が形成され、シャドウマスクは、基材上へのコーティングの蒸着を選択的に妨げるマスクライン特徴体を備える。コーティングを施すための方法も提示される。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の量産工程に容易に適用でき、製造収率が向上した薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法。蒸着源１１０から放出された蒸着物質１１５を、蒸着源ノズル部１２０及びパターニングスリットシート１５０を通過させて基板４００に所望のパターンで蒸着させる。遮断板アセンブリ１３０とパターニングスリットシート１５０との温度が十分に低ければ、所望しない方向に放射される蒸着物質１１５は、いずれも遮断板アセンブリ１３０面に吸着されて高真空を維持できるため、蒸着物質間の衝突が発生せずに、蒸着物質の直進性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜厚が均一な薄膜を形成可能な有機ELデバイス製造装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬデバイスの製造装置において、蒸発させた蒸着材料を線上に配置した複数のノズルを介して真空槽の内部に放出させる蒸発源の各ノズルからの有機ＥＬ材料の蒸発量を、蒸発量モニタ手段で各ノズルにモニタし、このモニタした各ノズルの有機ＥＬ材料の蒸発量の情報を用いて制御手段で蒸発源を制御するようにした。 （もっと読む）

高真空処理チャンバー、高真空処理チャンバーと連結されたトランスフォーマー型プラズマトロン、及び、トランスフォーマー型プラズマトロンに少なくとも１つのガスを導入するための、トランスフォーマー型プラズマトロンに連結された少なくとも１つのガス源とを具備するプラズマ発生装置であって、前記高真空処理チャンバーは少なくとも１つのエントリーポートを有し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、交流電流を発生させるためのラジオ周波数電力源と、該ラジオ周波数電力源と接続された複数の導体と、前記ガスを閉じ込める閉ループ・ディスチャージチャンバーと、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの周りに取り付けられ前記導体と接続された複数の透磁性の高い磁気鉄心と、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの内側に沿って配置した複数の開口と、内側部分と外側部分とを連結する少なくとも２つの絶縁ガスケットを具備し、前記エントリーポートは、前記内側部分が前記高真空処理チャンバーに物理的に貫通するよう該内側部分を受け取るように構成され、前記導体は前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに１次巻き線を形成し、前記閉ループ・ディスチャージチャンバー中のガスは前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに２次巻き線を形成し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、前記導体に前記交流電流が供給されたとき、それぞれのプラズマの少なくとも１つのガスに点火し、前記開口は、前記内側部分から該それぞれのプラズマを前記高真空処理チャンバーに放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用され、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数個の蒸着アセンブリ１００、２００、３００を含み、蒸着アセンブリそれぞれは、蒸着物質を放射する蒸着源１１０と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数個の蒸着源ノズル１２１が形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向するように配され、第１方向に沿って複数個のパターニングスリットが形成されるパターニングスリット・シート１５１と、蒸着源ノズル部とパターニングスリット・シートとの間に、第１方向に沿って配され、蒸着源ノズル部とパターニングスリット・シートとの間の空間を複数個の蒸着空間に区画する複数枚の遮断板１３１を具備する遮断板アセンブリとを含み、該薄膜蒸着装置は、基板４００と所定距離離隔されるように形成され、薄膜蒸着装置と基板は、いずれか一側が他側に対して、相対的に移動自在に形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって薄膜を形成するにあたり、より生産性の高い成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成する成膜方法は、基板上に薄膜を形成する成膜工程Ｓ３と、成膜工程Ｓ３の終了後にターゲットを所定の温度に冷却する待機工程Ｓ４とを備え、成膜工程Ｓ３及び待機工程Ｓ４において、第１冷媒と、第１冷媒より低温の第２冷媒とを用いてターゲットの温度が調節されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置および光学素子成形型の製造方法において、プラズマ放出方向を均等化しつつ、ドロップレットや飛散粒子を容易に除去することができ、表面処理の品質を向上することができるようにする。
【解決手段】ターゲット６とアノード電極とを有し、アーク放電によるプラズマ８を放出するプラズマ放出部１０と、プラズマ８を偏向させて光学素子成形用型母材１１の表面に輸送する偏向部１３と、ターゲット６の表面から光学素子成形用型母材１１に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽板２０とを備え、アノード電極は、複数の円弧状導電体が、ターゲット６の軸方向回りに周回するように配置され、ターゲット６を挟んで光学素子成形用型母材１１と反対側に円弧状導電体の各開口が配置された周回電極部と、周回電極部に電流を供給する配線部と、を備えるプラズマ処理装置１を用いる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度検出器のメンテナンスの頻度を低減すると共にこの成膜検出器に筒状加熱体からの熱による不具合が発生することを抑制することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、蒸着源１、筒状加熱体２、成膜速度検出器３及び遮蔽体４を備える。前記筒状加熱体２は前記蒸着源１と被蒸着基材５との間の空間を取り囲むように配設されている。前記遮蔽体４は前記筒状加熱体２の被蒸着基材５側の開口を臨む位置を通過するように連続的に移動するように設けられている。前記成膜速度検出器３は、前記遮蔽体４に対して筒状加熱体２側とは反対側の位置に配設されている。前記遮蔽体４には筒状加熱体２側から成膜速度検出器３側へ貫通する複数の孔６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】生体分子の微量検出に表面プラズモン共鳴が利用されている。この測定には、プリズムに金属膜を成膜した、いわゆるクレッチマン配置を用いている。このプリズムとして、基材上に密着性の良い金属膜を直接設ける製造方法及びその製造方法によって作製される素子を提供する。
【解決手段】基材２０上に遷移金属又はその合金からなる薄膜が形成された素子の製造方法において、成膜前に基材２０の成膜面を、成膜する金属のイオン雰囲気に晒す工程を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】大型基板量産工程に容易に適用でき、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の第１スリットが形成される第１ノズルと、第１ノズルと対向するように配され、第１方向に沿って複数の第２スリットが形成される第２ノズルと、第１ノズルと第２ノズルとの間に第１方向に沿って配されて、第１ノズルと第２ノズルとの間の空間を複数の蒸着空間に区画する複数の遮断壁を備える遮断壁アセンブリーとを備える薄膜蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に、真空槽内の圧力や電極への投入電力を変化させる必要がなく、基板上の有機薄膜などへのダメージを最小限に抑えつつ効率的な成膜を可能とする。
【解決手段】ソフト成膜時、シャッター５をターゲット８に対向して配設し、かつ基板搬送機構４により基板３をシャッター５の脇部分に搬送させ、この状態でシャッター５の脇から僅かに漏れるターゲット粒子を基板３に衝突させることによりソフト成膜を行う。ソフト成膜後、基板搬送機構４により基板３をシャッター５の背後に搬送させ、かつシャッター５を移動させて高レート成膜を行う。この状態ではターゲット電極２に対向する放電空間が基板３の下方に広がり、高エネルギー状態のターゲット粒子や反跳イオンおよびγ電子が大量に基板３に衝突することになる。 （もっと読む）

【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における膜厚を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１を用いて基板１００の表面に成膜を行う成膜装置１は、ターゲット１０１が載置される載置面を有する材料設置部４と、基板１００を材料設置部４に載置されたターゲット１０１に対向させて支持する基板ホルダ６と、基板ホルダ６の材料設置部４に対向する面の第一の領域及び第二の領域の成膜環境を測定可能に配置されたセンサ部８と、センサ部８の測定結果に基づいて第一の領域及び第二の領域の成膜環境を比較し、両者の差が所定値以上であるときに材料設置部４と基板ホルダ６との位置関係を変化させるよう制御する制御部１０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚が異なる複数種類の薄膜を同一バッチで成膜可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１、１０２を用いて基板１００の表面に成膜を行う成膜装置１は、ターゲット１０１、１０２が載置される材料設置部２０と、基板１００を材料設置部２０に載置されたターゲット１０１、１０２に対向させて支持する基板ホルダ１１Ａ、１１Ｂと、材料設置部２０と基板ホルダ１１Ａ、１１Ｂとの間を退避可能に遮蔽するシャッタ部１３Ａ、１３Ｂとを有する複数の基板支持部１０Ａ、１０Ｂと、シャッタ部１３Ａ、１３Ｂと接続された制御部とを備え、制御部は、各々の複数の基板支持部１０Ａ、１０Ｂのシャッタ部１３Ａ、１３Ｂをそれぞれ異なるタイミングで動作させることを特徴とする。 （もっと読む）