【課題】基体の全幅に均一な膜を成膜できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１０１）の幅よりも狭い幅の基体搬送体（２０２）を基体（１０１）の裏面側に当接して搬送するとともに、基体搬送体（２０２）を通過する基体（１０１）の表面に、基体（１０１）よりも幅広の窓（１０６ａ）を有するシャッター（１０６）を介して基体（１０１）の表面に成膜することで、基体（１０１）の全幅に均一な膜を成膜できる成膜装置（２００）を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲッター作用を有する蒸着材料中の不純物の基板及び堆積膜中への付着を防止すると共に、成膜チャンバー内を短時間で高真空に到達させ、真空排気後短時間で蒸着の成膜速度安定性を実現した蒸着方法、及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】少なくとも蒸着源４ａ、４ｂに対向する面を備えたダミー部材７を、成膜チャンバー１の真空排気の過程で該成膜チャンバー１内に搬入し、該ダミー部材７に所定の厚さの蒸着膜を形成した後、実基板２への蒸着を行うことにより、ダミー部材７に堆積する蒸着膜に、蒸着源４ａ、４ｂから放出される不純物や成膜チャンバー１内に残留する水分が取り込まれ、実基板２に堆積する膜に混入する不純物が低減され、実基板２へ蒸着を行う際の圧力に達するまでの時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】真空装置内に蒸発材料が堆積する量を抑制し、かつ、真空装置内のクリーン化のための時間を短縮する。
【解決手段】蒸着マスクの上に素子基板が配置され、蒸着マスクの下方に蒸発源４１、４２が配置された真空蒸着装置において、蒸発源４１、４２を覆って、シートシャッター６０を配置し、シートシャッター６０の開口部６１を通して素子基板に真空蒸着する。シートシャッター６０は素子基板に蒸着しないときは、蒸発源４１、４２の開口部を覆っている。したがって、蒸発源４１、４２からの蒸発物質は主にシートシャッター６０に堆積する。シートシャッター６０は、巻き取り機構６２に巻き取ることが出来、シートシャッター６０に蒸発材料が所定の量以上堆積したときに、シートシャッター６０を交換する。これによって、短時間でシートシャッター６０の交換が出来、かつ、真空装置内に蒸発材料が堆積する量を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板をｙ方向に搬送しつつ蒸着によって成膜を行う際に、光源や受光器を成膜材料で汚染することなく、原子吸光法によって、ｙ方向と直交するｘ方向の蒸着フラックスを測定する。
【解決手段】測定光をｙ方向と直交するｘ方向に通過させ、かつ、測定光の光路より蒸発源側に配置される蒸着フラックスを遮蔽する遮蔽板を用い、測定光の光路と遮蔽板とを相対的に移動することにより、遮蔽板によって遮蔽されない蒸着フラックスに対する、測定光のｘ方向の通過位置を変更することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜した基板の膜厚寸法のばらつきを防止することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１４を成膜するための成膜源と、基板１４の中心を中心軸として回転させる基板回転手段２０と、基板１４の回転座標を検出する回転座標検出手段２２と、基板１４の成膜領域から外側にある位置を回転軸として回転することにより、成膜源と基板１４との間を開放又は遮断するシャッタ３０と、シャッタ３０を回転軸の軸回りに回転させるシャッタ駆動手段２８と、シャッタ３０が成膜源と基板との間を開放開始するときの基板１４の回転座標を記憶する記憶手段３８Ａと、記憶手段３８Ａに記憶された基板１４の回転座標と同じ回転座標のときにシャッタ３０が成膜源と基板１４との間を遮断開始するようにシャッタ駆動手段２８を制御する制御手段３８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ロール状の基板にパターニングしながら金属層を継続してマスク蒸着する。
【解決手段】 本発明のある態様において、基板１０を長手方向に送るための基板給送機構１２０と、基板１０の一方の面に向かう位置に配置される蒸着源１３０と、メタルマスク１２を長手方向に送るためのマスク移動機構１４０とを備える薄膜を形成する真空蒸着装置１００が提供される。マスク移動機構１４０は、帯状のメタルマスク１２の展開された部分を、基板１０と蒸着源１３０との間の空間を仕切るように渡して基板１から離間した状態を保って送る。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料を連続的に供給でき、長時間連続成膜が行える蒸着装置を提供する。
【解決手段】
ガラス基板８を設置可能な真空室２と、薄膜材料１９を蒸発させる発熱部２０を備えた蒸発装置３とを有し、真空室２内にガラス基板８を設置し、蒸発装置３によって蒸発された薄膜材料１９を蒸散させて前記ガラス基板８に所定成分の膜を蒸着する真空蒸着装置１において、
前記発熱部２０は真空室２内又は真空室２と連通する位置にあって薄膜を蒸着する際には真空雰囲気下に配されるものであり、真空室２の外部から前記発熱部２０に薄膜材料１９を送る薄膜材料送り装置１４を有する構成となっている。 （もっと読む）

【課題】従来と同様な装置寸法で、低ダメージと高速成膜の両立を可能とするスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット材料１１側が開口で、基板側が閉止面内にスパッタリング粒子を通過させるスリットを有する可動式シールド電極１３内にマグネトロンプラズマ２０を閉じ込め、可動式シールド電極１３とマグネトロン１７を同時に走査して、下層膜に対するダメージの少ない成膜を行い、その後、マグネトロン１７のみ走査してマグネトロンプラズマによる高速の成膜を行う。これによって、下層膜に対してダメージが少なく、かつ、高速の成膜を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】形成した薄膜のひび割れ耐性、可撓性に優れ、低抵抗で高光透過性の積層型透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルムの上に、第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）、金属膜（Ｍ）、第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）をこの順で積層した積層膜ユニットを有する積層型透明導電性フィルムであって、該透明プラスチックフィルムの厚さが、１００μｍ以上、１５０μｍ以下であり、該第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）の膜厚をｈ_Ａ１とし、該第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）の膜厚をｈ_Ａ２としたとき、ｈ_Ａ１＞ｈ_Ａ２の関係を満たし、かつ該積層膜ユニットの総膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする積層型透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】簡易な手法を用いて短時間でチャンバ内を真空排気してから基板へのスパッタリングを行なうことができるスパッタリング方法、スパッタターゲット、スパッタリング装置およびターゲット作製方法を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するにあたり、経時変化による屈折率の変化を抑えることのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】酸素及び窒素の少なくとも一方を含むガスを導入しながら、表面の温度を６５０°Ｃ〜１１００°Ｃの間に保持したＭｇＦ_２１３１をイオンでスパッタリングすることにより、ＭｇＦ_２の少なくとも一部を分子状態で跳び出させ、分子状態のＭｇＦ_２で基板１０２上へ膜を形成する第１成膜工程と、基板上に酸化物を成膜する第２成膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスを抑制し、基板品質を劣化させない両面スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】被処理物を固定し、スパッタリング装置１００内で往復移動する搬送装置と、前記被処理物を搬送する方向に交わる方向に対向配置される皮膜の基本組成物からなるスパッタ用ターゲット６０を、前記被処理物の搬送方向に複数配置した第１ターゲット群および第２ターゲット群と、前記スパッタ用ターゲットと前記被処理物との間に、開閉可能なシャッター７１と、を備え、対向配置される前記スパッタ用ターゲットに対応する前記シャッターのどちらか一方が開口し、他の一方が閉口する搬送式両面スパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】搬送式両面スパッタリング装置による基板への熱ストレスを抑制し、基板品質を劣化させない搬送式両面スパッタリング装置に用いる被処理物保持装置、いわゆる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】複数の開口を備え、対向配置される第１遮蔽板と第２遮蔽板と、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに対向し、前記第１遮蔽板と前記第２遮蔽板とに挟まれ配置され、前記被処理物を保持し処理面を開放する開口部を有する保持部を備える保持部材と、を備え前記保持部材は、前記第１遮蔽板および第２遮蔽板とは相対的に移動可能に保持され、前記保持部材の前記保持部と前記第１遮蔽板の前記開口部が、平面視で重なる第１処理位置と、前記保持部材が前記第１および第２遮蔽板に対して相対的に移動し、前記保持部材の前記保持部と前記第２遮蔽板の前記開口部とが平面視で重なる第２処理位置と、を備える搬送式両面スパッタリング装置用の被処理物保持装置。 （もっと読む）

【課題】蒸着する微粒子の粒径を所望の大きさにコントロールするため、基材の高精度温度制御可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】温度制御ユニット３２は、温度制御された液体または固体の熱媒体が供給される伝熱ブロック３４と、この伝熱ブロックの基材との対向面側に保持された伝熱ローラー３６と、基材と伝熱ブロックの間の空間にガスを供給するガス導入路３７と、を備え、この伝熱ローラーは、降下移動して基材の裏面に当接し、基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、基材からの力で上昇移動が可能であって、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックは、基材と熱媒体との間を、ガス、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックを介して熱が伝播することにより、基材の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗値の低いＬｉ−Ｌａ−Ｔｉ−Ｏ系固体電解質材料を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、一般式Ｌｉ_３ｘ（Ｌａ_{（２／３−ｘ）−ａ}Ｍ１_ａ）（Ｔｉ_１−ｂＭ２_ｂ）Ｏ_３で表され、上記ｘは０＜ｘ＜２／３を満たし、上記ａは０≦ａ≦０．５を満たし、上記ｂは０≦ｂ≦０．５を満たし、上記Ｍ１は、Ｓｒ、Ｎａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｙ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｂａからなる群から選択される少なくとも一種であり、上記Ｍ２は、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａからなる群から選択される少なくとも一種であり、結晶質であり、薄膜状であることを特徴とする固体電解質材料を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】多層物品及びアークプラズマ堆積による製造方法を提供する。
【解決手段】物品上に複数の層を形成する方法は、陰極と陽極との間でアークを形成することによりプラズマを発生させる段階と、有機化合物からなる第一の材料をプラズマ中に注入して物品上に第一の層を堆積させる段階と、有機金属物質からなる第二の材料をプラズマ中に注入して第一の層の上に第二の層を形成する段階と、ケイ素含有有機化合物からなる第三の材料をプラズマ中に注入して第二の層の上に第三の層を堆積させる段階とからなる。また、基材１１０と、基材上に配置された中間層１２０と、中間層上に配置された紫外線吸収性無機物質からなる第二の層と、第二の層上に配置された耐摩耗性物質からなる第三の層とからなる製品にも関する。中間層を重合有機ケイ素物質又は重合炭化水素物質、第二の層を金属酸化物又は硫化亜鉛、第三の層を酸化した有機ケイ素物質とする。 （もっと読む）

【課題】コリメーター交換に伴うメンテナンス時間減少や生産効率の向上が可能な機能を備えたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置において、スパッタチャンバーと搬送チャンバーにおのおのコリメーターを設置する場所を備えてチャンバー間でコリメーターを移動可能とする。コリメーターの移動には試料搬送に用いる搬送機器を利用する。コリメーション方式と通常スパッタリング方式の成膜が単一チャンバーでも共用可能なスパッタリング装置とすることでメンテナンスの減少や生産性向上が可能となる。またシャッター板の設置も可能である。 （もっと読む）