【課題】成膜の停止時の機械的なシャッタ８動作のための遅延時間を抑制でき、再現性良く成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させるプラズマ源４と、プラズマ源４と被処理体１２との間に配置されたシャッタ８と、被処理体１２の表面方向に誘導するようにプラズマに含まれる荷電粒子の進行方向を屈曲させる磁場フィルタ１５と、シャッタ８が開いた状態において磁場フィルタ１５を通過した荷電粒子により被処理体１２上に成膜された膜の膜厚を検知する検知部１４と、検知結果から成膜を停止するか否か判断する判断部１０１と、成膜を停止すると判断したときに、磁場フィルタ１５をオフするように制御するフィルタ制御部１０２とを備える。 （もっと読む）

本発明は、開放位置と、放射束に表面を意図せず曝すことを防止するように作動可能な閉鎖位置との間で作動可能なシャッターシステムに関する。このシャッターシステムは、少なくとも１対のシールドと、各シールド用の軸と、を備え、第１軸は、第１シールドの端部に連結されて、第１シールドの回転軸線に一致し、ある角度に折り曲げられたアーム形状の第２軸は第２シールドの端部に連結されて、第２シールドの回転軸線は第１シールドの回転軸線に平行であって第２シールドから距離を隔てられる。
（もっと読む）

【課題】 スパッタ熱を充分に抑制することができ、連続膜形成における被処理体に形成される膜質の変化およびターゲットの表面荒れを抑制し、安定した膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット５を冷却するターゲット冷却手段１５２と、被処理体４を冷却する被処理体冷却手段１２４と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に設けられ、被処理体４の膜形成部分を除く残余の部分への膜の形成を阻止するシールド２と、シールド２を冷却するシールド冷却手段１５０と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に介在され、被処理体保持手段に保持される被処理体４の膜形成部分への膜の形成を阻止する阻止位置と、阻止位置から退避した退避位置とにわたって変位可能に設けられるシャッタ３と、シャッタ３を冷却するシャッタ冷却手段１５１とを含むスパッタリング装置１で、被処理体４に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】効果的な修飾微粒子の形成方法の提供。
【解決手段】微粒子を単層固定させる基板表面に金を所定の厚さで蒸着する。一方、1-ethyl-3(3-dimethylaminopropyl)carbodiimidehydrochloride（通称ＥＤＣ）、ＮａＣｌ、あるいは、ＫＣｌ等の微粒子間の静電反発力を抑制するための材料を利用した粒子固定液を作製し、これに微粒子を混合した粒子懸濁液として上記基板上に塗布することにより、金を所定の厚さで蒸着された基板表面に微粒子を単層固定させる。また、単層固定された微粒子表面に遷移金属、金属または半導体を蒸着させて修飾微粒子を形成する。基板から修飾微粒子剥離させるには、超音波洗浄装置等を利用して、基板に超音波を作用させて、剥離を促進する。修飾微粒子を生体機能分子によって修飾して生体物質の検査のための標識として利用する場合、修飾微粒子からの反射電子を利用する。 （もっと読む）

【課題】ワークに均一に成膜を行う。
【解決手段】ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。バイアス電源２６に流れる電流は、付着したスパッタ粒子が直ちに電気的に中性とならないように制限される。 （もっと読む）

【課題】膜材料の利用効率を向上させることが可能な蒸着装置、蒸着方法、および有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】蒸着装置１００は、膜材料を蒸発させて基板表面に成膜する蒸着装置であって、蒸着槽２０と、蒸着槽２０内に配置され、基板３６を保持する保持部３０と、蒸着槽２０内に保持部３０の基板保持面３４ａに対向して配置され、膜材料を蒸発させる蒸着源４０と、保持部３０を冷却する冷却機構５０と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒素化合物膜の平坦性及び成膜速度を有効に高めることができるとともに結晶性が良好である立方晶または六方晶窒素化合物半導体膜を安定して容易にかつ安価に製造することができる活性度制御式窒素化合物ＭＢＥ成膜方法及び装置を提供すること。
【解決手段】第1分子線セルから第１シャッターを介して基板への第1（III族）分子線の照射量を制御するとともに、第1シャッターの閉期間Ｔ₂、ＬＢ励起状態からＨＢ励起状態に切替えられた窒素励起セルから上記基板に向けて照射される窒素活性種のうち、生成膜の窒素化合物の化学結合に直接的に関与する励起窒素原子および基底窒素原子の照射量を制御しながら上記基板に付与されたIII族分子と共有結合させる。 （もっと読む）

【課題】ワークの移動にともなう異物の付着や膜の変質等を防止する。
【解決手段】真空槽３内の第１成膜ステージ８には、スパッタリング装置を構成するスパッタリング装置１０が配置され、第２成膜ステージ９には、蒸着装置１１が配置されている。カルーセル４を回転させながらスパッタリング装置１０を作動させて薄膜を形成するスパッタリング工程を行う。このスパッタリング工程の後に、蒸着装置１１を作動させてさらに薄膜を形成する。スパッタリング工程では、蒸着材料が蒸発ないし昇華しないように蒸着装置１１を冷却する。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく多数のワークに一括して成膜処理を行える装置を提供する。
【解決手段】主軸１３を中心に回転する主回転部１５には、複数の副回転部１６を設けてあり、各副回転部１６には、それぞれ複数のワークホルダ１７を設けてある。ワークホルダ１７に保持されるワークＷは、主回転部１５，副回転部１６の回転により、主軸１３を中心にした回転と副軸３６を中心にした回転をしながら、回転軸４６を中心に自転し、各ワークＷの各面がターゲットに順次に対面されて成膜が行われる。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置内で発生するパーティクルによる被蒸着物の汚染を確実に抑えること。
【解決手段】被蒸着物２００が載置されて真空蒸着装置１００内に配置される基板ドーム１０４に装着されるドームカバー１１８であって、被蒸着物２００が載置された基板ドーム１０４の上部を覆うように構成される。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発散角やビームの傾きが変化しても、イオン注入量を高精度で制御するイオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン源部と、加減速部と、イオンビーム遮断部と、イオンビームの発散角とビームの傾きの少なくともいずれかを測定する測定部と、基板を保持する基板保持部と、制御部と、を備え、制御部は、測定部により測定された発散角とビームの傾きの少なくともいずれかの測定値に基づいて、基板へのイオン注入量が所定の範囲内に管理されるように、イオン注入の処理条件を補正して、イオン源部、加減速部、イオンビーム遮断部及び基板保持部のうちの少なくとも１つの動作を制御することを特徴とするイオン注入装置、イオン注入方法、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 放電初期状態のバッチ間差を保証して、所定の組成の膜を効率よく形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。ターゲット保持部には、金属ターゲットが基板と対向する側の反対側にマグネットが移動可能に設けられている。マグネットは基板と金属ターゲットとが対向する方向に移動手段により移動される。チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 （もっと読む）

【課題】より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。
【解決手段】被装着体である細線（細管を含む）の表面に装着することで細線を屈曲可能な能動細線に構成させる形状記憶合金製マイクロアクチュエータ１の製造方法であって、被装着体の代わりとなるダミー細線１０を用い、ダミー細線の外側周面に対して拡散防止用金属薄膜２０を積層する工程、拡散防止用金属薄膜の上から形状記憶合金組成薄膜３０を積層する工程、形状記憶合金組成薄膜に対して形状記憶熱処理を施す工程、形状記憶合金組成薄膜に対して所定のレジストパターンＰを形成する工程、形状記憶合金組成薄膜と拡散防止用金属薄膜をエッチングする工程、ダミー細線を溶解除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において、基板の回転の中心位置であっても膜厚分布を容易に制御可能な装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料を蒸発させる蒸発源、第１の回転軸に対して回転され蒸発源に対して対向配置される回転基板、及び第２の回転軸に対して回転され回転基板を蒸発源から部分的に遮蔽する回転膜厚補正板を備えた真空蒸着装置において、第２の回転軸が、回転基板の周縁内に第１の回転軸と離隔してかつ平行に規定される構成とした。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】シャッタ板１５は、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間にターゲット１８を遮蔽するための遮蔽面１５Ｕを有し、また、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間に基板Ｓ側に向かって凹設された凹部１５Ｂとを有する。そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 （もっと読む）

【課題】分子線エピタキシ装置のための粒子線供給装置を提供する。
【解決手段】粒子線供給装置１７では、粒子線生成器３１は、分子線エピタキシ成長のための原料を提供する開口３１ａを有する。シャッタ装置３３では、シャッタ３５は粒子線生成器３１の開口３１ａの前方に位置し、回転軸３７は、シャッタ３５を支持しており所定の軸Ａｘに沿って延び、駆動機構３９は、回転軸３７を所定の軸Ａｘの回りに回転駆動する。シャッタ３５は、開口３１ａの位置に合わせて設けられた窓３５ａを有する。粒子線生成器３１からの粒子線は、窓３５ａを通して進み、或いは、シャッタ３５の遮蔽部３５ｂによって遮断される。矢印Ａｒｒｏｗの一方向のみにシャッタ３５を等角速度で回転させたとき、シャッタ３５の移動と停止を成長中に繰り返すことなく、一定の周期で、粒子線が窓３５ａを介して軸Ｂｘに沿って供給される。 （もっと読む）

【課題】あらかじめ決められた化合物、たとえば蛍光体の薄膜を基板上に成膜する方法。
【解決手段】その化合物は、３元、４元またはより高次の化合物、特に周期表のグループIIAおよびIIBの少なくとも１つの元素のチオアルミン酸塩、チオ没食子酸塩およびチオインデートからなるグループから選ばれた化合物である。実施例において、この方法は、少なくとも１つの硫化物のペレットを第１のソースの上に置き、少なくとも１つの硫化物のペレットを第２のソースの上に置き、１つのペレットに不純物が含まれているものである。基板への蒸着は各々別の電子ビームを使って実施する。硫化物の蒸発率は各々別に遮断された膜率モニタで監視する。基板上に化合物を生成するためにソースの温度を制御する。この方法は、とくにエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、ほぼ不透明の基板上に３元または４元の蛍光体を成膜するために使用される。 （もっと読む）

【課題】表示素子を構成する薄膜の膜厚分布を定常的に安定化し、表示品位良好な表示装置を製造することが可能な製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 一対の電極間に有機活性層を保持した構成の表示素子を備えた表示装置を製造する製造装置であって、
処理基板ＳＵＢに向けて表示素子を構成する薄膜を形成するための材料源を放射する蒸着源４１０と、
処理基板ＳＵＢと蒸着源４１０との間に配置され、蒸着源４１０からの材料源の処理基板ＳＵＢへの蒸着量を制御するシャッター４５０と、
シャッター４５０の蒸着源側に接触するように配置され、シャッター４５０への材料源の付着を防止する防着板４６０と、を備え、
シャッター４５０は、防着板側の熱吸収率が処理基板側よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の薄膜を安定して形成可能であり、かつ、量産性にも優れた蒸着装置を提供する。
【解決手段】この蒸着装置は、蒸着処理槽２の内部に、加熱により気相状態の蒸着物質３２Ａ，３２Ｂを放出する蒸発源３Ａ，３Ｂと、気相の蒸着物質３２Ａ，３２Ｂが付着して堆積することとなる被蒸着物１を保持するキャンロール４Ａ，４Ｂとを備える。蒸発源３Ａ，３Ｂとキャンロール４Ａ，４Ｂとの間には、蒸発源３Ａ，３Ｂの近傍に、銅などの金属材料からなる熱遮蔽板５Ａ，５Ｂが配置されている。これにより、被蒸着物１への蒸着処理を行う際に、被蒸着物１に対する蒸発源３Ａ，３Ｂからの輻射熱を低減することができ、被蒸着物１自体の温度上昇が抑制される。 （もっと読む）

組み合わせ処理チャンバが提供される。組み合わせ処理チャンバは、基板を支持するよう構成された回転可能な基板支持部の動径部分を隔離するよう構成される。一実施例では、チャンバは、複数の一群のプロセスヘッドを有している。一実施例では、基板支持部とプロセスヘッドとの間に配置されたベースプレートを有する挿入物が、蒸着処理のための閉じ込め領域を規定する。ベースプレートは、蒸着材料が基板にアクセスし得る穴部を有している。基板の回転及び穴部の移動を通して、基板の複数の領域が、１つの基板上に組み合わせ処理を実行するためにアクセス可能である。 （もっと読む）