【課題】
本発明は、高い層厚の均一性及び原料歩留まりにおいて非常に高い堆積速度を持つ真空コーティング方法、並びに斯かるコーティングを実現する装置に関するものである。
【解決手段】
古典的な真空蒸着を縮退させる、一方における層厚の均一性と他方における原料歩留まり及びコーティング速度との間の既存の矛盾を克服するために、基板は、蒸発源により供給される実質的に閉じられたコーティングチェンバの境界を形成する。このコーティングチェンバの壁及びコーティングされるべきでない全ての表面は、蒸気が凝縮することができずに上記コーティングチェンバに散乱して戻されるように、或る温度に維持されるか又は非粘着性コーティングを備える。これにより、上記コーティングチェンバ内には非常に高い蒸気圧が生成され、その結果、基板上での非常に高い凝縮速度及び層厚の均一性が得られる。該基板は、蒸気が凝縮し得る唯一の表面となるので、失われる材料の量は非常に少なく、歩留まりは極めて高くなる。蒸発源のパルス的動作の使用により、短いサイクルのコーティングを実現することができる。
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【課題】基板を搬送しながら行う蒸着において、蒸着位置精度を向上して緻密なパターンの形成を可能にする。
【解決手段】蒸着マスク１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂによる蒸着位置の基板の搬送方向手前側の位置を撮像可能に設けられた撮像手段４により、蒸着マスク１６Ｂに形成されたアライメントマークと有機ＥＬ表示用基板９表面に予め形成されたピクセルとを撮像し、該撮像画像に基づいてアライメントマークの基準位置とピクセルの基準位置との間の位置ずれ量を検出し、該位置ずれ量が所定値となるようにアライメント手段５により蒸着マスク１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを上記基板面に平行な面内にて搬送方向と略直交する方向に移動して位置合わせしながら、搬送中の有機ＥＬ表示用基板９のピクセル上に所定のパターンを蒸着して形成するものである。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送速度にムラがあっても成膜ムラを発生させない。アークが生じても当該基板をＮＧ基板にしない。
【解決手段】エンコーダ（６）で基板（３）の移動を検出し、基板（３）の移動に応じたスパッタ・トリガ信号（１２）を発生させて、直流パルス電力によるスパッタリングを行う。アークの発生を検出すると、基板（３）の移動を止めて、スパッタリングをやり直す。
【効果】基板（３）の移動に同期してスパッタリングを行うので、基板（３）の搬送速度ムラがあっても成膜ムラを生じない。アークが発生しても当該基板（３）がただちにＮＧ基板となることを回避できる。 （もっと読む）

【課題】大気に開放されることなく、かつ蒸発温度を超える温度への一度の加熱で、低温及び高温に属する不純物（中温材料、高温材料）を除去し、成膜の対象である中温材料のみからなる高純度な膜を得ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】第１の温度Ｔ１に制御することにより第１の蒸発源１１に備えられた第１の有機材料２０から低温材料ＬＭ、中温材料ＭＭを気化させる。生成された気体状態の低温材料ＬＭ、中温材料ＭＭを、第２の蒸発源１２系に移動させ、収集パネル１９で冷却し、固体状態または液体状態の第２の有機材料２１を生成させる。次に、第２の有機材料２１を第２の温度Ｔ_２に制御して、低温材料ＬＭを気化させる。残留した中温材料ＭＭからなる第３の有機材料２２を、第３の温度Ｔ_３に制御することにより気化させ、気化された中温材料ＭＭを用いて基板３０に成膜する。 （もっと読む）

【課題】高精度で成膜速度及び形成される薄膜の成膜厚の再現性を向上することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１を用いて基板１００に成膜を行う成膜装置１は、ターゲット１０１を載置する材料設置部４と、基板１００をターゲット１０１に対向させる基板ホルダ３と、材料設置部４と基板ホルダ３との間に設けられたシャッタ５と、基板ホルダ３の近傍に配置され、基板１００に成膜される薄膜の成膜速度及び成膜厚を測定可能な第１センサ６Ａと、材料設置部４とシャッタ５との間に配置された第２センサ６Ｂとを含むセンサ部６と、薄膜の成膜速度及び成膜厚を制御する制御部７とを備え、制御部７は、シャッタ５を退避させた直後は第２センサ６Ｂに基づいて制御を行い、第１センサ６Ａが安定してから第１センサ６Ａに基づく制御を行う。 （もっと読む）

【課題】内容器の内壁に付着した不純物が脱離することに起因する薄膜の品質の低下を抑制する。
【解決手段】真空チャンバー１内にエンクロージャー１１を配置する。このエンクロージャー１１は、フッ化物からなるターゲット４と基板６とを囲っており、このエンクロージャー１１内にスパッタ用ガスが導入される。エンクロージャー１１の外部には、加熱装置１５が設けられており、エンクロージャー１１を真空チャンバー１に装着した後、加熱装置１５を動作させることにより、エンクロージャー１１に付着した水分子等の不純物が脱離される。この脱離した不純物を排気した後、スパッタにより基板６にフッ化物からなる薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い有機ＥＬ装置の蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、第１電極２３Ｒ等と、発光機能層と、第２電極とを基板２０上に備える有機ＥＬ装置１の蒸着装置５である。有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、基板２０を収容し、内部が真空状態であるチャンバ４０と、チャンバ４０内で発光機能層を基板２０上に成膜するために蒸着材料を加熱蒸発する蒸着源４２と、蒸着源４２より基板２０に近い位置における不活性ガスの濃度が、基板２０より蒸着源４２に近い位置における不活性ガスの濃度と比較して濃くなるようにチャンバ４０内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段４５とを備える。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ粒子による捕捉部材の目詰まりを防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１００は、物理気相成膜法によって基板Ｗ上に成膜材料Ｍを成膜する成膜装置であって、基板Ｗを装着する基板装着部１２１を有する真空チャンバー１０１と、真空チャンバー１０１内に設けられた成膜材料Ｍを収容する成膜源１０４と、成膜源１０４と基板装着部１２１との間に設けられ、成膜源１０４からスプラッシュによって飛散したスプラッシュ粒子を捕捉する、複数の開口部を有する捕捉部材１３０と、捕捉部材１３０を成膜材料Ｍの沸点以上の温度に加熱する加熱装置Ｈと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べ材料使用効率が高く、また、多数の基板に対して連続して成膜することができ、スループットの高い製造装置を提供することを課題とする。
【解決手段】予備加熱された有機材料を供給管を通して成膜室に導入し、さらに供給管の先端に設けられたノズルから加熱された容器に導入し、容器の加熱温度によって有機材料が蒸発し、容器と重なる位置に配置された基板に成膜が行われる成膜装置とする。有機材料を予備加熱することによって、基板への蒸着が開始できるまでに要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス時においても装置全体の稼働を停止する必要のないインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、少なくとも一の成膜処理室を含む複数の処理室を直列に接続してなり、成膜処理室は、基板が設置される基板設置部１４１と、設置された前記基板に対して所定の成膜処理を行う成膜手段が設置された成膜手段設置部１４２とからなり、これらの基板設置部と成膜手段設置部とは分離可能に構成されている成膜装置であって、基板設置部と成膜処理室とを隔絶し基板設置部内の真空を保持するシャッター３を備えている。 （もっと読む）

【課題】制御用膜厚センサーによる計測データを補正し、高精度な膜厚制御を行う。
【解決手段】基板３１に蒸着させる蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源１０と、蒸着材料の蒸気をモニターして蒸着源１０を温度制御するための、水晶振動子を用いた制御用膜厚センサー２０と、水晶振動子を用いた補正用膜厚センサー４０と、を設ける。不連続的に蒸着レートを計測する補正用膜厚センサー４０による補正値に基づいて、制御用膜厚センサー２０の計測データを補正することで、膜厚制御の精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、基板フィルムと蒸着ドラムの密着性を高め、蒸着熱による基板フィルムのダメージも防止できる蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３を使用して、蒸着ドラム５上を搬送させているフィルム基板９にプラズマアシスト蒸着を行う方法は、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段に電子加速電極２によりプラズマ中から電子を取出し、該電子でフィルム基板９を帯電させることを特徴とする。装置としては、プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、フィルム基板９を搬送する蒸着ドラム５と、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段にプラズマ中から電子を取出し該電子でフィルム基板９を帯電させるための電子加速電極２を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と蒸着マスクとの重ね合わせ構造を改良して、蒸着マスクの軽量化や成膜精度の向上を図ることのできるマスク蒸着装置、蒸着マスク、およびマスク蒸着法を提供すること。
【解決手段】マスク蒸着装置においては、被処理基板２００の被成膜面２００ａとは反対側の面２００ｂが重ねて配置される基板支持面５５、および磁石５２を備えた磁石ユニット５０を用いる。磁石ユニット５０の基板支持面５５に対して被処理基板２００の被成膜面２００ａとは反対側の面２００ｂを重ねて配置した後、被処理基板２００の被成膜面２００ａに金属製の蒸着マスク４０を重ねて配置すると、磁石ユニット５０に設けた磁石５２による磁気吸引力によって、蒸着マスク４０と基板支持面５５との間に被処理基板２００を挟持するように蒸着マスク４０が磁石ユニット５０に吸着される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法における膜質のばらつきを改善し、結晶性の良い硼化物膜を製造する。大面積の基板上に均質な膜質（結晶性）の硼化物膜を形成する。電子放出特性（特に電子放出の安定性）に優れた電子放出素子の製造方法を提供する。遮蔽部材の設置による成膜エネルギーの低下を簡易な構成で改善する。
【解決手段】基板と硼化物のターゲットと開口部を有する遮蔽部材とを、前記基板と前記ターゲットとが対向し、且つ、前記基板と前記ターゲットとの間に前記遮蔽部材が位置するように、配置した状態で、スパッタ法により前記開口部を介して前記基板上に硼化物膜を成膜する。ここで、前記遮蔽部材は、前記ターゲットのエロージョン領域と前記基板との間を遮るように配置され、前記開口部が位置する領域のプラズマ密度が前記遮蔽部材で遮られている領域のプラズマ密度よりも高くなるように、前記基板と前記ターゲットの間の空間のプラズマ密度分布が設定される。 （もっと読む）

【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることを目的とする。
【解決手段】チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットをチャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットをチャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第１のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に第２のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備える。 （もっと読む）

【課題】 真空槽内で被処理物を移動させるための移動手段と、この移動手段を覆う防着カバーと、を備え、移動手段を介して被処理物にバイアス電力が供給されると共に、このバイアス電力の電圧成分が所定の範囲内で任意に調整可能な成膜装置において、防着カバーと移動手段との間に放電現象が生じるのを防止しつつ、当該防着カバーによる防着機能が確実に維持されるようにする。
【解決手段】 移動手段としての自公転ユニット３０は、防着カバーとしての防着板６６および防着壁６８によって覆われている。特に、自公転ユニット３０内の公転板７２と防着板６６との間隔ｄは小さい。従って、これら両者間に不本意な放電現象が生じることが懸念される。本発明では、この間隔ｄが３［ｍｍ］〜１０［ｍｍ］とされる。これにより、当該放電現象の発生が防止される。併せて、防着板６６による防着機能も維持される。 （もっと読む）

【課題】基体との密着性、皮膜の異層間の密着性に優れた特性を有する硬質被覆層を得るための皮膜形成方法と、この皮膜形成方法により被覆した被覆部材を提供する。
【解決手段】複数の蒸発源に複数の陰極物質を装着し、該蒸発源の前面に遮蔽板を設け、減圧容器内でプラズマを発生させて基体の表面に陰極物質材料の皮膜を形成する物理蒸着装置を用いて、少なくとも該基体表面にボンバードメント処理を行うボンバードメント工程と、皮膜を形成する被覆工程とから構成され、該ボンバードメント工程は該遮蔽板により該蒸発源の放電による放出物質を該基体から遮蔽した状態で、少なくとも非金属イオンによる該基体のボンバードメント処理を行うことにより、前記基体及び前記減圧容器内に残存する不純物成分を前記放出物質とともに前記遮蔽板に吸着するようにしたことを特徴とする皮膜形成方法である。 （もっと読む）

【課題】磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット８０３ａから発生したスパッタ粒子のうち、基板８０４の法線との成す角度が０°以上５０°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板８０４に入射させるように、カソード８０２、ステージ８０１、および遮蔽板８０５の少なくとも１つの回転を制御する。 （もっと読む）

【課題】 例えば大曲率、大口径の部材に対しても均一の膜厚の膜を形成しうる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】 本発明の真空蒸着装置であって、部材１０を支持するとともに、前記部材１０をその中心を通る第１軸１４の回りに自転させ、かつ前記第1軸１４とは異なる第２軸１５の回りに公転させる機構２０と、前記第２軸１５から距離をおいて配置され、膜を形成するための蒸着粒子を発生する蒸発源１２と、前記機構２０により自転及び公転される部材１０と前記蒸発源１２との間に配置され、当該自転及び公転されている部材１０に対する蒸着粒子の付着を遮蔽するｎ個（ただし、ｎは２以上の整数）の遮蔽板１７と、を備え、前記ｎ個の遮蔽板１７のそれぞれが前記自転及び公転されている部材１０に対する蒸着粒子の付着を遮蔽する量をＡｉ（ただし、ｉ＝１〜ｎ）とするとき、Ａｉのそれぞれが式Ａｉ＝（Ａ１＋Ａ２＋・・・＋Ａｎ）×（１／ｎ±１／５ｎ）を満たす。 （もっと読む）