【課題】成膜室内の部品に付着した蒸着材料を大気解放することなく除去するためのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 成膜室１０１内に設けられた基板ホルダ１０２、蒸着マスク１０４、マスクホルダ１０５もしくは防着シールド１０６といった部品に付着した蒸着材料１１１に対して加熱処理を行う。これにより付着した蒸着材料１１１を再び昇華させ、真空ポンプにより排気して除去する。このようなクリーニング方法を電気光学装置の作製工程に含めることで、作製工程の短縮化と信頼性の高い電気光学装置の実現を図る。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを形成するための成膜方法、およびこれらの成膜方法を用いて形成されたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、所定の真空度のチャンバ内で基板の表面に無機膜を形成する方法であり、チャンバ内に基板の表面に無機膜を形成する成膜部と、水分を吸着する機能を有する金属を基板以外のものに蒸着する蒸着部とが設けられており、成膜部により基板の表面に無機膜を形成する前、および無機膜の形成中の少なくとも一方のタイミングで蒸着部による蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】樹脂製の光学部品に反射防止膜を形成してなる光学素子であって、ハンダ付け等によって熱履歴を受けても、反射防止膜にクラックや剥離や生じることを防止できる光学部品を提供する。
【解決手段】樹脂製光学部品の表面に、樹脂製の低屈折率層と樹脂に金属を分散してなる高屈折率層とを交互積層してなる反射防止膜を形成すること、および、低屈折率層を有機材料の蒸着で、高屈折率層を有機材料と金属との共蒸着で、それぞれ成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明における課題は、開閉動作時の遮蔽範囲の偏りを低減できるＩＢＥのシャッター装置を提供することにある。
【解決手段】本発明における解決手段として、ＩＢＥ１と基板Ｗとの間を遮蔽するシャッター板１１を備えるシャッター装置９は、ＩＢＳ５を囲んで回転可能に配置された回転リンク部材の回転に同期して、ＩＢＥ５を挟んで対称位置に配置された２枚のシャッター板１１が開閉動作することができるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、形成された膜の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて被処理物に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記被処理物とターゲットとが平面視において重ならない第１の位置において、前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子により、前記被処理物に第１の膜を形成する工程と、前記被処理物と前記ターゲットとの少なくとも一部が平面視において重なる第２の位置において、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子により、前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、を備え、前記第１の膜が形成されていない前記被処理物が前記第２の位置にある場合には、前記第２のスパッタ粒子が遮蔽されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜する。
【解決手段】成膜容器と、基板を保持する基板保持部と、基板と対向する位置に配置された成膜源と、基板保持部と成膜源との間に配置された開閉可能なシャッターとを有する成膜装置において、シャッター20を、成膜源やプラズマから発生される熱を基板側に放射する材料で構成する。シャッター材料は、成膜温度における放射率が０．７０以上のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成膜される薄膜の面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板保持部と、スパッタ粒子の基板上への入射を規制する規制部材を複数保持し、所定のターゲットに応じた所定の規制部材を基板と所定のターゲットとの間に挿入させる規制部材保持部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成膜される薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板を保持する基板保持部と、ターゲット保持部に保持され、各ターゲットに対向する部位に第１開口部がそれぞれ形成されると共に、隣接する各ターゲット間を仕切る隔壁を複数有し、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに飛散することを抑制する飛散抑制部と、飛散抑制部と基板との間に設けられ、所定のターゲットを露出させるように第２開口部が形成されると共に、他のターゲットに対向する第１開口部を覆うように構成され、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに入射することを抑制する入射抑制部と、を備える。 （もっと読む）

基板を取り扱う特にコーティングする装置において、プロセスチャンバ1と、その中で処理される基板12を格納するべく搭載開口6,7を介してプロセスチャンバ1に接続された、又は、処理プロセスで用いるマスク10,10'、10"、10'"を格納する少なくとも１つの格納チャンバ2,3と、搭載開口6,7を通して基板又はマスクをプロセスチャンバ1に搭載し又は取り出す搬送装置13と、開始物質をキャリアガスとともにプロセスチャンバ1に導入するべく温度制御可能なガス入口要素4と、処理される基板12を受容するべくガス入口要素4に対向して位置するサセプタ5と、遮蔽位置にあるときガス入口要素4とサセプタ5又はマスク10の間に位置して基板12又はマスク10をガス入口要素4からの熱の影響から遮蔽する遮蔽プレート11と、遮蔽プレート11を基板12の処理前にガス入口要素4に相対する遮蔽位置から格納位置へ移動させ基板12の処理後に格納位置から遮蔽位置に戻す遮蔽プレート移動装置15,16と、を有する。格納位置では遮蔽プレート11が格納チャンバの内部にある。
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【課題】大型基板の量産工程に容易に適用され、製造収率が向上した薄膜蒸着装置、それを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法及び有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】蒸着物質を放射する蒸着源１１０と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って、複数個の蒸着源ノズル１２１が形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向するように配され、一側には、共通蒸着領域が形成され、他側には、第１方向に沿って互いに長さが異なる複数個のパターニングスリットが形成されるパターニングスリット・シート１５０と、蒸着源ノズル部とパターニングスリット・シートとの間に、第１方向に沿って配され、蒸着源ノズル部とパターニングスリット・シートとの間の空間を、複数個の蒸着空間に区画する複数枚の遮断板を具備する遮断板アセンブリ１３０と、を含み、薄膜蒸着装置１００と基板６００は、いずれかが一側が他側に対して相対移動する。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際、同時にアルミニウム（Ａｌ）をドープする。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、所定時間サイクルでカソード部に電力供給を行う電源の状態の読み出しを行う電源状態読み出し信号と、所定のタイミングで前記カソード部への電力供給を停止する電力印加停止信号とを電源に対してシリアル通信によって送信する機能を有する電源制御部を備えて構成されており、電源制御部は、電源状態読出しの信号の送信を停止する読出し停止信号を送信して電源の状態の読み出し処理を停止させた後に電力印加停止信号を送信する。 （もっと読む）

【課題】高純度な有機化合物層を形成するための蒸着源を提供する。
【解決手段】固相の有機化合物の入った複数のるつぼを連結し、有機化合物を加熱し、融解帯を発生させ、融解帯を移動させることで不純物を移動させ、複数のるつぼのうち、精製された有機化合物の入ったるつぼを用いる有機化合物の精製方法。 （もっと読む）

【課題】遮蔽機構の退避のためのスペースを小さくしてコンパクトなスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板ホルダー表面の基板１８が載置される基板載置面を遮蔽可能な遮蔽部材を備える。前記基板載置面は第１領域と第２領域とを含む。前記遮蔽部材は、少なくとも前記第１領域を遮蔽可能な第１遮蔽部材１４と、少なくとも前記第２領域を遮蔽可能な第２遮蔽部材１５と、前記第１遮蔽部材１４及び前記第２遮蔽部材１５を回転させる回転機構３０と、を備える。前記第１遮蔽部材１４及び前記第２遮蔽部材１５は、前記回転機構３０による回転によって、前記第１遮蔽部材１４が少なくとも前記第１領域を遮蔽し、かつ、前記第２遮蔽部材１５が少なくとも前記第２領域を遮蔽する遮蔽位置と、前記第１遮蔽部材１４及び前記第２遮蔽部材１５が前記基板載置面の上方の領域から退避して互いに重なり合う退避位置と、の間で移動可能である。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内の雰囲気を維持しつつ順次複数のターゲットによる成膜が可能であるとともに、構造がシンプルで小型化、低コスト化に優れたマルチターゲットスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に配置された基板２０の下方に配置される導電性の板体であって、略水平に回転可能に支持され、回転中心から一定の距離の円周に沿って開口した複数の貫通孔を有する回転板体３２と、回転板体に設けられ、貫通孔の略真下にターゲット板２３を略水平に支持するターゲット支持部４０と、ターゲット支持部に設けられ、ターゲット板の裏面に当接する導電性のプレートであって、回転板体から絶縁されたバッキングプレートと、バッキングプレートを介してターゲット板を所定の電位とするターゲット電極７０と、ターゲット電極を昇降させる昇降部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産（成膜）開始前のターゲットクリーニングを、ダミー基板を使用することなく実施できる、生産性を向上させたインラインスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板が通過する排気可能なチャンバー１０内に成膜手段が配置され、チャンバーを少なくとも一基連通して配置する基板通過型であり、チャンバー内で基板が通過する搬送路と成膜手段の間を進退できる、巻き取り可能な遮蔽部材であるロールシャッター２０を設けた。 （もっと読む）

【課題】オーバーシュートが小さく蒸着レートコントロールが容易で、蒸着材料を短い加熱時間で所定温度に到達させることができ、また基板全体に短時間に蒸着しタクトタイムを短縮する事が可能な実用性に秀れた蒸着装置における蒸発源の提供。
【解決手段】基板３と対向状態に設ける容器２に蒸着材料１を収納し、この容器２内の蒸着材料１を加熱して蒸発させることで基板３の成膜面４に蒸着材料１を付着させて成膜を行う蒸着装置における蒸発源であって、容器２は、基板３の成膜面４と対向する上面部７と蒸着材料収納本体部５とから成る箱状に構成し、この上面部７に、蒸発した蒸着材料１が通過可能な蒸着材料通過孔６を複数並設状態に設け、容器２にマイクロ波吸収体を設け、容器２にマイクロ波を照射してマイクロ波吸収体を発熱させるマイクロ波照射部８を備える。 （もっと読む）

【課題】シャッターに付着し堆積した蒸着材料を、チャンバー（蒸着室）内を大気圧に戻すことなく真空雰囲気を維持したままで、坩堝に戻すことなく除去するようにした、蒸着装置とこれを備えた有機ＥＬ装置の製造装置を提供する。
【解決手段】蒸着室２内に配置されて蒸着材料３を収容する坩堝４と、坩堝４内の蒸着材料３を加熱する蒸着用加熱装置５と、坩堝４の開口部４ａを覆う状態と開放した状態とに切り換えられるように移動可能に設けられたシャッター６と、シャッター６が坩堝４の開口部４ａを開放した状態にするように移動した位置に、配置された回収容器７と、シャッター６を加熱するシャッター加熱装置８と、を含む蒸着装置１である。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。基板サセプタ１３に内蔵された加熱源１３ａにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成を制御する。
【解決手段】基板２上に第ＩＩＩＢ族元素（Ｙ）、第ＶＩＢ族元素（Ｚ）を蒸着する製膜ゾーン１１とこのゾーン１１で形成された薄膜に第ＩＢ族元素（Ｘ）、第ＶＩＢ族元素を蒸着する製膜ゾーン１２を経た薄膜に第ＩＩＩＢ族元素、第ＶＩＢ族元素を蒸着させる製膜ゾーン１３を有する製膜方法及びその装置において、製膜ゾーン１２にて検出したＸＹＺ₂が化学量論的組成比となるゾーン１２における基板２の位置に基づきゾーン１２の終点における薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の予測値を算出する。製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 （もっと読む）