【課題】坩堝同士の汚染を防止する。
【解決手段】
蒸発材料３が収められた複数の坩堝を備え回転軸を中心に回転する回転テーブル２と、電子ビーム照射位置に位置する一つの坩堝７に対して電子ビームを照射して坩堝７の蒸発材料３を蒸発させる電子銃１と、回転テーブル２の上側に複数の坩堝７を覆い、かつ電子銃１に対向する電子ビームの照射領域の全てが開口したカバー６とを備えた多点蒸発源装置において、回転テーブル２の上面に坩堝７を仕切るように形成された溝２４と、この溝２４に嵌り込みこんで各坩堝を仕切り、回転テーブル２の回転と共に回転する遮蔽体２０と、各坩堝が電子ビームの照射位置に来たとき、遮蔽体２０を上昇させ、遮蔽体２０とカバー６との間隔を狭める遮蔽体昇降手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は薄膜形成用蒸着装置に関する。
【解決手段】本発明は、基板上に蒸着される原料物質が固体又は液体状態で収容される原料容器と、前記原料容器の上方に前記原料容器と連通されるように結合され、前記原料容器から気化した原料物質が通過する気化チャンバーと、前記気化チャンバーの上部に形成され、前記気化チャンバーを通過した気化した原料物質を上側に噴射する噴射口と、前記気化チャンバーの内部又は前記原料容器の内部で前記原料物質の上方に設けられ、前記原料容器に収容された原料物質を気化させるために前記原料物質に熱を供給する第１のヒーターと、前記気化チャンバーの内部で前記第１のヒーターの上方に配置され、前記第１のヒーターにより前記原料物質に熱が供給される間、前記原料容器に収容された原料物質又は不純物が飛散して前記噴射口に付着するのを遮断する遮断板と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】誘電体フィルム上の金属蒸着電極中の各金属成分の比率を制御し、優れた特性を有する金属化フィルムを提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、上部が開口した蒸着室８と、蒸着室内に設けられ、金属材料を加熱して金属蒸気を発生させる複数の蒸発源１６と、蒸着室内において、複数の蒸発源どうしを仕切る隔壁１８を備え、隔壁は、水平方向に可動な板状の基部２４と、基部の上部に設けられ、鉛直方向に可動な仕切り板２５を有する構成とした。この構成により、各金属蒸気が放出される開口部の面積を自由に変更できるようになり、さらに夫々の蒸発源からの金属蒸気どうしが重なり合う量を制御することができる。この結果、金属蒸気の蒸着量やその状態の制御が可能となり、金属蒸着電極中の各金属成分の比率や分布状態を制御できる。そして、優れた特性を有する金属化フィルムを作製できる。 （もっと読む）

【課題】長時間連続して基材上に蒸着材料を蒸着させることができるとともに、品質の高い薄膜を基材上に形成することが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置が、真空容器１０と、真空容器内に、被成膜面を下向きにして配設される基材１１と、真空容器内の基材の下方に配置され、上記被成膜面に略対向する位置に設けられる蒸着材料収納容器開口部１７２を上面に有する蒸着材料収納容器１８と、アノード電極３１を有し、真空容器内にプラズマを照射するプラズマガン３と、蒸着材料収納容器を加熱し、蒸着材料を蒸発させる加熱部４と、蒸着材料収納容器に正電位を印加する、電位印加部５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高い生産性で多段蒸着フィルムを製造する方法を提供する。さらに、多段蒸着フィルムの厚みの増加を小さい範囲に抑えつつ、水蒸気バリア性を大幅に高める技術を提供する。
【解決手段】アノード電極を有するプラズマガンを備えた真空成膜装置を用いて、該真空成膜装置内の蒸着材料収納容器に保持された蒸着材料を蒸発させ、基材の被成膜面に薄膜を形成する第一薄膜形成工程と、第一薄膜形成工程と同様にして、上記薄膜上にさらに薄膜を形成する第二薄膜形成工程と、を備える多段蒸着フィルムの製造方法を採用し、薄膜の形成を、蒸着材料収納容器を上記蒸着材料が蒸発する温度以上に加熱するとともに、蒸着材料収納容器に正電位を印加してプラズマガンから放出される電子を蒸着材料に照射しながら行なう。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、材料の損出の少なくできる、あるいは安定した蒸着の妨げとなる内圧の変化を防ぐ蒸発源を提供することである。また、前記蒸発源に適した有機ＥＬデバイス製造装置及び有機ＥＬデバイス製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、内部に蒸着材料を内在する坩堝と、前記蒸着材料を加熱し蒸発・昇華させる加熱手段と、前記蒸発・昇華した前記蒸着材料を噴射する蒸着物噴射口をライン状に複数並ぶ蒸着物噴射口部を有する蒸発源において、前記蒸着物噴射口部を複数設け、各前記蒸着物噴射口部毎に開閉する開閉手段を有することを第1の特徴とする。また、本発明は、複数ある前記蒸着物噴射口部のうち少なくとも一つの前記蒸着物噴射口部を開き、そのときに他の前記蒸着物噴射口部の全ての前記蒸着物噴射口部を閉じるように前記開閉手段を制御する制御手段を有することを第２の特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石からの磁場がプラズマ発生空間で互いに干渉し難い成膜装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽のなかに設けられ、基板を載置することが可能な支持台と、前記真空槽のなかに設けられ、前記支持台の主面に、放電空間を介して、表面を対向させた複数のターゲットと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石と、前記磁石のうちの少なくとも１つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において低減させる低減手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】前照射工程、第１の成膜工程、後照射工程及び第２の成膜工程を順次有する。前照射工程では、基板１０１の表面にエネルギーを持つ粒子を３００〜６００秒の照射時間で照射する。第１の成膜工程では、前照射工程後の基板１０１の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第１の膜１０３を３ｎｍ以上の厚みで成膜する。後照射工程では、基板１０１に成膜された第１の膜１０３にエネルギーを持つ粒子を照射する。これにより第１の膜１０３の厚みを０．１〜５００ｎｍとし、かつ第１の膜１０３の表面に特定の表面特性を満足する凹凸を形成させる。第２の成膜工程では、後照射工程後の第１の膜１０３の凹凸面に撥油性を有する第２の膜１０５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で蒸着物質の収率を向上できる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】
プラスチックレンズ上に蒸着物質を蒸着する蒸着装置であって、上面に開口した凹部９１２を備える筐体と、凹部９１２に設けられた蒸着源９２と、筐体の上面９１１Ａ，９１３Ａに接触するとともに、スライド可能に取り付けられ、かつ蒸着源９２を覆う補正板９３とを、備え、筐体は、蒸着源９２とともに補正板９３を加熱するハロゲンランプ９４を内部に設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の内部に設けられる治具、及び成膜装置の内壁に付着した蒸着材料を大気解放しないで除去するためのクリーニング方法およびそのクリーニング方法
を行うための機構を備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】このクリーニングの際には、蒸着マスク１３０２ａと対向する位置に電極１３０２ｂを移動させる。さらに、成膜室１３０３にガスを導入する。成膜室１３０３に導入するガスとしては、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯから選ばれた一種または複数種のガスを用いればよい。次いで、高周波電源１３００ａから蒸着マスク１３０２ａに高周波電界を印加してガス（Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯ）を励起してプラズマ１３０１を発生させる。こうして、成膜室１３０３内にプラズマ１３０１を発生させ、成膜室内壁、防着シールド１３０５、または蒸着マスク１３０２ａに付着した蒸着物を気化させて成膜室外に排気する。 （もっと読む）

【課題】蒸着法における効率的な成膜条件の評価方法と、そのための蒸着装置とを提供する。
【解決手段】真空容器５０内に収められた基板２００の主面の第１の領域を蒸着源６０へ露出しかつ第２の領域を遮蔽するように第１のシャッター１０Ａを配置しながら、第１の成膜条件によって第１の領域の上に第１の薄膜が成膜される。次に、基板２００の主面の第２の領域の少なくとも一部を蒸着源６０へ露出しかつ第１の領域の少なくとも一部を遮蔽するように第２のシャッター１０Ｂを配置しながら、第２の成膜条件によって第２の領域の上に第２の薄膜が成膜される。第１および第２の薄膜の特性が評価される。 （もっと読む）

【課題】ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を精度良く蒸着させるとともに、蒸着材料のロスを抑制する。
【解決手段】真空処理室２０１内において、基板１００に対して蒸着材料を蒸着させて薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、内部に収容された蒸着材料を加熱し、発生した蒸着材料の蒸気を放出口２０４ａから基板１００へ向けて放出する第２蒸着源２０４と、第２蒸着源２０４に連結され、第２蒸着源２０４の内部で発生した蒸着材料の蒸気を導く導管２２０と、導管２２０を流れる蒸着材料の蒸気の流量を制御する流量制御バルブ２２１と、導管２２０を介して第２蒸着源２０４に連結されて、第２蒸着源２０４の内部で発生した蒸着材料の蒸気を回収する回収容器２３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール方式の成膜装置において、基板幅方向全幅にわたって蒸着膜を形成することができる、量産性に優れた成膜装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面を有する帯状の基板の表面上に、薄膜を形成する成膜装置１００が、基板を搬送するための、２つのロール３、８を含む搬送機構と、２つのロールに巻き付けられ直線状に保持されている基板４の表面上に、薄膜形成領域内で薄膜を形成するため、薄膜形成領域と対向して配置され薄膜原料を収容する原料容器９を含む薄膜形成手段と、基板の表面の幅方向全幅にわたって薄膜が形成されるように薄膜形成領域を確定する遮蔽部材と、拡散防止部材７０とを含む。拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍと波長５００ｎｍとピーク波長のいずれかの光の透過率が７０％以上である。波長７００ｎｍおよび８００ｎｍの少なくとも一方の光の透過率が６０％以上であるのが好ましく、ピーク波長の光の透過率が８０％以上であるのが好ましい。金属薄膜は、銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上を含むのが好ましく、金属薄膜中の銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上の含有量が１０体積％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ターゲットクリーニングを行う際のシャッタ板のアースを安定させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】可動シャッタ装置２は、真空容器内に回転力を導入するモータの回転軸２７に当接させて回転軸２７に連結されているシャッタ板２１をアースするアース部材４３を、回転軸２７に向けて移動させる進退動装置４５を備えており、シャッタ板２１をダミー基板としてターゲットクリーニングを行う際にアース部材４３を回転軸２７に当接させてシャッタ板２１のアースを強化することができる。 （もっと読む）

【課題】精度よく、成膜対象物に均一な膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出させるための成膜源と、前記成膜源を、所定の成膜待機位置と成膜位置との間で成膜対象物に対して相対的に移動させる移動手段と、前記成膜源から放出される前記成膜材料の放出量を測定するための測定用水晶振動子と、前記測定用水晶振動子を校正するための前記校正用水晶振動子と、を備える成膜装置であって、前記測定用水晶振動子は、前記移動手段内に設けられ、前記校正用水晶振動子は、前記移動手段が前記成膜待機位置にあるときの前記移動手段の上方に設けられることを特徴とする成膜装置、及びこの成膜装置を用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】成膜に適さない巨大粒子の発生を抑制またはその除去をすることのできる装置を提供する。
【解決手段】粒子生成室１から伸びた搬送管２の第一分岐点に設けられた巨大粒子トラップ１７と、第一分岐点から分岐された搬送管２の第二分岐点に設けられた、成膜室３内の基板８に向かう搬送管２の成膜用バルブ１８Ａ及び成膜室３内の余分粒子トラップ１９に向かう搬送管２の捕集用バルブ１８Ｂとを備え、巨大粒子トラップ１７は、粒子生成室１から搬送管２の第一分岐点を越えて流れてきた巨大粒子を捕集し、成膜用バルブ１８Ａ及び捕集用バルブ１８Ｂは、成膜時にそれぞれ開及び閉とされて第二分岐点に流れてきたナノ粒子を基板８に送り、成膜停止時にそれぞれ閉及び開とされて第二分岐点に流れてきたナノ粒子を余分粒子トラップ１８に送る。 （もっと読む）

【課題】蒸発材料を劣化させずに長時間放出を継続できる技術を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内に加熱側筒体２３と冷却側筒体２４とを、加熱側筒体２３が上になるように配置して、それらの内部に蒸発材料１５が配置された蒸発材料容器２６を挿入し、蒸発材料１５の上部の所定量が、加熱側筒体２３の内側に配置されて、加熱側筒体２３から加熱されて蒸気が放出されるようにする。このとき、蒸発材料１５の下部は、冷却側筒体２４によって冷却され、不必要に加熱されず、劣化しないようになる。 （もっと読む）