【課題】高温高湿の環境下に長期間曝された際や、レトルト処理後であっても、ガスバリア性の低下が少なく層間剥離が起こらない、優れたガスバリア性及び層間密着性を有するガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムの少なくとも一方の表面に、（Ａ）第１無機薄膜層、（Ｃ）ガスバリア性樹脂組成物層及び（Ｄ）第２無機薄膜層が、他の層を介して又は介さずにこの順に積層されており、（Ｃ）ガスバリア性樹脂組成物層が、エチレン−ビニルアルコール系共重合体からなるガスバリア性樹脂（ａ）と無機層状化合物（ｂ）とカップリング剤及び架橋剤から選ばれる少なくとも１種の添加剤(ｃ)とを含んでなるガスバリア性樹脂組成物から形成され、無機層状化合物（ｂ）の含有量が、ガスバリア性樹脂（ａ）、無機層状化合物（ｂ）及び前記添加剤(ｃ)の合計１００質量％中０．１質量％〜２０質量％である。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の稼働率と被処理物の処理効率を向上させることができるハースライナーカバー交換機構を提供する。
【解決手段】小径孔１６Ｂと大径孔１６Ａとで構成された鍵穴状の穴１６が形成された鍔部１０Ｂを有し成膜装置のハース１４の上部に設けられるハースライナーカバー１０を交換するハースライナーカバー交換機構であって、垂直方向に移動可能となり、かつ垂直方向に延びる軸３０の軸回りに回転可能になるハンド３６を有し、ハンド３６は穴１６に引っ掛けてハースライナーカバー１０を保持する保持部３８を備え、ハンド３６が軸の軸回りに回転するときの回転方向の接線は小径孔１６Ｂから大径孔１６Ａに延びる穴１６の中心線と一致し、保持部３８が穴１６に挿入された状態でハンド３６が軸３０の軸回りに回転することにより保持部３８と穴１６が係合する。 （もっと読む）

【課題】仕込み室と真空成膜室との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室と取り出し室と間のゲートバルブを開放しても真空成膜室内のスパッタリング条件を変動させることがないスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６がゲートバルブＧＶ７，ＧＶ８を介して一列に連結され、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６の間で基板２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを連続して搬送可能な搬送装置を備えている。仕込み室５と真空成膜室４との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室４と取り出し室６と間のゲートバルブを開放して基板を搬送する際、真空成膜室４の圧力を変動させないように、仕込み室５若しくは取り出し室６の圧力が調整される。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー（１）内で、基板（２）上で、ホスト材料及びドープ材料を含んだ透明で伝導性の層を堆積する方法であって、ホスト材料は、亜鉛酸化物又はインジウム酸化物からなり、かつドープ材料は、第３主族又は第４主族からの少なくとも１つの金属又は半金属の元素の酸化物を含む前記方法において、ＰＶＤ法を使用したホスト材料の堆積の間に、酸素及び前駆物質が真空チャンバー（１）内に供給され、前駆物質は、第３主族又は第４主族からの少なくとも１つの元素を含み、かつドープ材料の濃度が、勾配を有する層厚推移において形成される。本発明はさらに金属合金酸化物でできた透明で伝導性の層に関する。
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【課題】基板の変形および熱割れを防止することができる、薄膜形成システムおよび薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】処理室の一つであり、基板１６を加熱する加熱装置、および、基板１６と加熱装置とを相対的に移動させる駆動装置が配置された加熱室３と、処理室の一つであり、加熱された基板１６に薄膜を形成するスパッタ装置２６が配置されたＺｎＯスパッタ室４と、駆動装置を操作する制御装置２２とを備えている。駆動装置は、加熱室３からの基板１６の搬送が不能となった際に、加熱室３内の基板１６と加熱装置とを相対的に移動させ続けるように制御装置２２により操作される。 （もっと読む）

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まりが向上した薄膜蒸着装置、これを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法及びこれにより製造された有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向するように配され、第１方向に沿って複数のパターニングスリットが形成され、複数のパターニングスリットの長さが互いに異なって形成されるパターニングスリットシートと、蒸着源ノズル部とパターニングスリットシートとの間に第１方向に沿って配されて、蒸着源ノズル部とパターニングスリットシートとの間の空間を複数の蒸着空間で区切る複数の遮断板を備える遮断板アセンブリーと、を備え、薄膜蒸着装置は、基板と所定距離ほど離隔して形成され、薄膜蒸着装置と前記基板とは、いずれか一側が他側に対して相対的に移動自在に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用され、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数個の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向するように配され、第１方向に対して垂直である第２方向に沿って複数個のパターニング・スリットが形成されるパターニング・スリットシートと、を含み、基板が薄膜蒸着装置に対して、第１方向に沿って移動しつつ蒸着が行われ、蒸着源、蒸着源ノズル部及びパターニング・スリットシートは、一体に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置である。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】最近の多層メタルスパッタリング成膜プロセスにおいては、従来のマルチチャンバ型の装置に代わって、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型の装置が広く使用されるようになっている。しかし、本願発明者が検討したところによると、このような単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型スパッタリング成膜装置は、磁性メタル膜と非磁性メタル膜を積層形成する場合は、被処理ウエハを別の成膜サイトに移送して成膜する必要があり、スループットを大きく低下させていることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型多層スパッタリング成膜装置を用いた半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの成膜サイトにおいて、磁性および非磁性ターゲットの両方を切り替えて用い、磁性および非磁性膜の両方の膜を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置の搬送路に複数の基板ホルダを保管する基板ホルダ保管室を設けることにより、基板ホルダの表面に堆積した膜の除去の工程および基板ホルダの交換工程、または膜の除去の工程若しくは基板ホルダの交換工程に影響を受けることなしに基板の生産を効率的に行うことができる成膜装置及び成膜装置用ストックチャンバーを提供すること。
【解決手段】真空状態に連結した複数の真空チャンバー、前記複数の真空チャンバー内に設けられた搬送路、前記搬送路に沿って移動可能に設けた複数の基板ホルダ、前記基板ホルダを移動させる駆動手段、前記搬送路からの基板ホルダの回収、及び／又は前記搬送路への基板ホルダの供給が可能であり、かつ前記複数の真空チャンバーの一つと連結したストックチャンバー、を備え、前記ストックチャンバーは、基板ホルダを回転機構の中心軸の周りに垂直の状態で配置可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させる機構のコスト低減に寄与する基板回転装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板回転装置３０は、センタ孔を有する基板を回転させ、キャリア１０に支持された基板９の支持位置を変化させるものであり、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフト３４の端部側に取り付けられ、シャフト３４の進退動に伴って基板９のセンタ孔に挿入することができるピック３２が、センタ孔の内側上部に第１の支持部４３と第２の支持部４１の２箇所で接することができるように構成されており、第２の支持部４１は、第１の支持部４３よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接するとともに第１の支持部４３に対して弾性的に屈曲可能に接続されている。 （もっと読む）

【課題】クティブマトリクス型の発光装置を作製するにあたり、従来に比べ短時間内で製
造でき、且つ、低コストで歩留まりよく製造できる構造及び方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部に配置されるＴＦＴの半導体層
に接して形成される金属電極、或いは電気的に接続される金属電極を積層構造とし、部分
的にエッチング加工する。そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第１の電
極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを積層することを
特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブの開閉動作に伴う振動の発生を抑制しながら、このゲートバルブの開閉動作を高速で行うことを可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】シリンダ１１５内のピストン１１４が一の方向の端部に到達する直前に、第２の開閉バルブ１１７ａを全閉することによって第２の流量調整バルブ１１７ｂのみで排気する一方、シリンダ１１５内のピストン１１４が他の方向の端部に到達する直前に、第１の開閉バルブ１１６ａを全閉することによって第１の流量調整バルブ１１６ｂのみで排気する。これにより、シリンダ１１５の端部とピストン１１４との接触による衝撃を緩和し、振動の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

【課題】輝度を向上させることが可能なマイクロレンズアレイシートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過する基板２と、前記基板２に配置されるとともに当該基板２と直交する光軸Ｚに沿う断面に弓形となる部位を含む第１層４および当該第１層４を覆う第２層５を備える複数のマイクロレンズ３と、を有するマイクロレンズアレイシート１であり、マイクロレンズ１の外壁面６には、マイクロレンズ３の前記光軸Ｚに沿う中心軸Ｘから幅Ｈ_ｃを有する基板側の端部である側部Ｓと、前記光軸Ｚと直交して前記側部Ｓを通る基端面Ｍから光軸方向へ高さＨ_ａを有する頂部Ｔと、前記側部Ｓと頂部Ｔの間に連続的に配置されて前記基端面Ｍと前記中心軸Ｘとの交点である基準点Ｐから長さＨ_ｎ（ｎ＝１：Ｎ）を有するＮ個の曲面部Ｋ_ｎと、が形成され、以下の２つの式：
Ｈ_ａ＞Ｈ_ｃ
Ｈ_ａ≧Ｈ_ｎ≧Ｈ_ｃ （ｎ＝１：Ｎ）
を満たす。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に均一な膜厚の薄膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】真空槽８内に配置された細長の放出装置３０の両端位置の第一、第二の接続口３８ａ、３８ｂに、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂを接続し、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから、放出装置３０の両端位置に成膜材料の蒸気を供給する。放出装置３０の一端から他端に亘って、真空槽８内に蒸気が均一に放出される。第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから放出装置３０に供給される蒸気の供給速度を個別に制御することで、膜厚が均一な薄膜を基板６の成膜面上に成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板の冷却効果及び、加熱効率を高めた、省スペースのロードロック室を提供する。
【解決手段】 ロードロック室は、未処理基板を搬入し、処理基板を搬入するロードロック室であって、ロードロック室内部の上方に設けられた基板加熱手段と、ロードロック室内部であって、かつ基板加熱手段の下方に対向配置された、基板冷却手段と、ロードロック室を区画するように設けられ、基板加熱手段に接近可能な第１ステージと、第１ステージに設けられ、基板を支持する複数の第１ピンと、基板冷却手段を備えた第２ステージと、前記第２ステージに設けられ、基板を支持する複数の第２ピンと、を備え、基板加熱手段によって基板を加熱する際には、第１ピンは第１ステージ内に収納されず、基板冷却手段によって基板を冷却する際には、第２ピンは第２ステージ内に収納されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増につながるターゲットアセンブリの損傷に起因する交換とパフォーマンスの低下に関して改良されたターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】スパッタリング用の回転ターゲットは、外面を有するターゲットバッキングチューブ２０５と、ターゲットバッキングチューブ２０５の外面と接触しており、かつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層と、ターゲットバッキングチューブ２０５の周囲に位置しており、かつバッキング層と接触している複数のターゲット円筒体と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にテクスチャが形成される場合でも、透明導電膜など、当該表面に形成される膜厚をより均一にすることができる成膜方法、及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】幾何学的な凹凸が形成された基板２００に蒸着源２０から供給される蒸着材料２５を蒸着させ、基板２００の表面に透明導導電膜を形成する。蒸着源２０の直上寄りに位置する基板２００の端部２００ａと蒸着材料供給部２１との距離ｄ１、及び基板２００の端部２００ｂと蒸着材料供給部２１との距離ｄ２が略同一となるように、基板２００を傾斜させた状態に位置させる。 （もっと読む）