【課題】成膜速度検出器のメンテナンスの頻度を低減すると共にこの成膜検出器に筒状加熱体からの熱による不具合が発生することを抑制することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、蒸着源１、筒状加熱体２、成膜速度検出器３及び遮蔽体４を備える。前記筒状加熱体２は前記蒸着源１と被蒸着基材５との間の空間を取り囲むように配設されている。前記遮蔽体４は前記筒状加熱体２の被蒸着基材５側の開口を臨む位置を通過するように連続的に移動するように設けられている。前記成膜速度検出器３は、前記遮蔽体４に対して筒状加熱体２側とは反対側の位置に配設されている。前記遮蔽体４には筒状加熱体２側から成膜速度検出器３側へ貫通する複数の孔６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制するとともに交換部品及び交換回数の低減を図ることができる真空処理装置及び基板搬送装置並びに成膜方法を提供する。
【解決手段】基板搬送装置２は、基板Ｇを垂直姿勢で保持して、搬送レール６上を搬送可能なキャリア部材４を備えており、キャリア部材４に取付けられたキャリア側ガイドマグネット１５，１６，１７，１８が、搬送レール側６に取付けられたレール側ガイドマグネット２１，２２，２３，２４から水平方向の斥力を常時受けることで、キャリア部材４は左右の搬送レール６側と非接触状態で移動できる。また、レール側ガイドマグネット２１，２３を、搬送空間Ｔとプロセス空間Ｐとの境界部分に配置することでパーティクルの除去を行う。 （もっと読む）

【課題】中間担体１を使用して、材料６を基材７上に局所的に堆積させるための方法及び装置を提供すること。
【解決手段】中間担体１からの材料６の局所的堆積が、放射線によるエネルギー印加によって行われる。中間担体１は微細構造を備え、この微細構造によって材料６が中間担体１から基材７上に微細構造化されて転写される。 （もっと読む）

【課題】ライン状の蒸発源を複数用い、複数の蒸発材料を混合して蒸着を行う際、膜厚方向において、蒸発材料の混合比が一定となる均質な薄膜を形成することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数のライン状の蒸着源を備えた真空蒸着装置において、蒸発容器８ａ、８ｂの放出孔１３ａ、１３ｂから放出された蒸発材料の蒸気の単位時間当たりの蒸着量が等しくなる等厚面１９ａ、１９ｂを、蒸発容器８ａ、８ｂ各々について求め、等厚面１９ａ、１９ｂの接する位置が基板４の蒸着面で一致するように、蒸発容器８ａ、８ｂを配置した。 （もっと読む）

【課題】ターゲット交換などのメンテナンス作業を効率化できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダー６を有し基板ホルダー６が搬送可能に設けられた成膜室２と、成膜室２に連通し筐体１０内に一対のターゲット１１，１２が対向して配置されたスパッタリング粒子放出部３と、を備える対向ターゲット方式のスパッタリング装置１であって、第２ターゲット１２が配置された筐体１０の一面の一部が第２ターゲット１２を含んで取り外し可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、その両端部を固定して、配している。
【選択図】 図３
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イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第１のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第２のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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【課題】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法を提供する。
【解決手段】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法であって、パルスレーザ源を提供し、前記パルスレーザ源が出射するレーザ１を透明な基板３を介してターゲット５上に集光させて、前記レーザのエネルギーを使用して前記ターゲットの部分を融除又は蒸発させ、前記基板を前記ターゲットに対して並進運動させる、前記融除又は蒸発された前記ターゲットの材料が前記基板上に堆積し、前記基板上にパターン構造を形成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

真空室内で回転するマグネトロンを用いて基板に成膜する方法であって、基板の運搬方向にマグネトロンに沿って基板を通過させて、マグネトロンと接続されたターゲットから放出される材料を用いて、場合によっては、その材料を真空室内に有る反応ガスと反応させて、成膜する方法に関し、ターゲットの回転に対して動作点を安定化させることによって、基板上の膜の均質性を改善することを課題とする。本課題は、ターゲットの回転によって引き起こされる第一のプロセスパラメータの周期的な変化を第二のプロセスパラメータの所定の大きさの周期的な変化によって補正することと、回転数の異なる二つのマグネトロンを配備することの一方又は両方によって解決される。
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【課題】 より小型の、マイクロエレクトロニクス産業のマルチチャンバシステムに適合する、半導体ウエハを製造するための分子線を用いての材料蒸着装置、及び半導体ウエハに対して堆積及び処理ステップの全てをそのままの場所で行うために使用できる半導体ウエハ製造装置を提供すること。
【解決手段】 本発明は、複数の横ポート（３）を有する中央搬送モジュール（２）を備え、１０^−８を超える真空圧条件下で機能できる、分子線を用いての材料蒸着装置（６）及び半導体ウエハ製造装置に関する。半導体ウエハ製造装置はローディングモジュール（５）と、１０^−８Ｔｏｒｒを超える真空圧条件下で機能し、それぞれが前記中央搬送モジュール（２）の前記ポート（３）の一つに接続された一つ以上の基板処理モジュール（７）とを備える。本発明によれば、前記製造装置は１０^−８Ｔｏｒｒ未満の真空圧条件下で動作する、分子線を用いての蒸発による少なくとも一つの材料蒸着モジュール（６）を備え、前記分子線蒸着モジュール（６）は前記中央搬送モジュール（２）の前記ポート（３）の一つに接続され、その処理面（Ａ）に材料の層を堆積させるために前記基板（１）を受容できる。 （もっと読む）

【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における成膜速度を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１の表面に対向するように配置され、基板１００を設置する基板ホルダ６と、基板１００上の成膜環境を測定可能なセンサ部８とを備え、対象物ホルダ６は、ターゲット１０１に対して移動可能に構成されるとともに、基板ホルダ６の移動量及び移動方向と、センサ部８の移動量及び移動方向とが同一に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の反応チャンバーを備えた蒸着装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】被蒸着体に第１蒸着物質を蒸着するように設定された第１チャンバーと、被蒸着体に第１蒸着物質と異なる第２蒸着物質を蒸着するように設定された第２チャンバーと、被蒸着体に第１蒸着物質を蒸着するように設定された第３チャンバーと、第１チャンバーから第３チャンバーと連結され、被蒸着体を第１チャンバーから第３チャンバーのうち少なくとも一つのチャンバーに供給するように備えられた搬送チャンバーと、被蒸着体を、搬送チャンバーから、第１チャンバーから第３チャンバーのうち一つのチャンバーへ移送させて蒸着させる制御部と、を備える蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜処理を行う複数のチャンバ２と、複数のチャンバ２内で成膜対象となる基板を保持するキャリア４と、キャリア４を複数のチャンバ２の間で順次搬送させる搬送機構５とを備え、搬送機構５は、キャリア４の下部側に並んで配置された複数の永久磁石２２と、複数の永久磁石２２に対向してキャリア４の搬送方向に並んで配置された複数の電磁石２３とを有して、電磁石２３に電力を供給することによって、この電磁石２３と永久磁石２２とを磁気的に結合させながら、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０を備える。 （もっと読む）

【課題】多層膜の周方向の膜厚分布誤差を低減する。
【解決手段】成膜基板８を自転させながら、モリブデンとシリコンのターゲット５、７を交互に用いてスパッタ成膜を行い、多層膜の各層を成膜する。成膜中に成膜基板８の周方向に発生する各層の膜厚むらが互いに重なるのを防ぐため、成膜中の成膜基板８の自転速度を一層ごとに段階的に変化させる。複数層の膜厚分布を各層ごとに分散させることで、多層膜全体の周方向の膜厚分布誤差を低減する。 （もっと読む）

【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における膜厚を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１を用いて基板１００の表面に成膜を行う成膜装置１は、ターゲット１０１が載置される載置面を有する材料設置部４と、基板１００を材料設置部４に載置されたターゲット１０１に対向させて支持する基板ホルダ６と、基板ホルダ６の材料設置部４に対向する面の第一の領域及び第二の領域の成膜環境を測定可能に配置されたセンサ部８と、センサ部８の測定結果に基づいて第一の領域及び第二の領域の成膜環境を比較し、両者の差が所定値以上であるときに材料設置部４と基板ホルダ６との位置関係を変化させるよう制御する制御部１０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の利用効率を向上させつつ、基板へのスプラッシュの付着を阻止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置において、蒸発源４０は、複数のチムニ（筒状部）４２を有し、これらチムニから蒸着材料の蒸気を放出することで、対向する基板Ｔ上に蒸着膜を形成する。チムニの先端部と基板との間の距離Ｌ１を１００ｍｍ以下とすることで、チムニの直上に位置する基板に対する蒸発物質の付着量を増加させる。これにより、蒸着レートが向上するとともに、蒸着材料の利用効率を高めることが可能となる。また、チムニを有することで、スプラッシュが基板へ到達することを効果的に阻止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に、真空槽内の圧力や電極への投入電力を変化させる必要がなく、基板上の有機薄膜などへのダメージを最小限に抑えつつ効率的な成膜を可能とする。
【解決手段】ソフト成膜時、シャッター５をターゲット８に対向して配設し、かつ基板搬送機構４により基板３をシャッター５の脇部分に搬送させ、この状態でシャッター５の脇から僅かに漏れるターゲット粒子を基板３に衝突させることによりソフト成膜を行う。ソフト成膜後、基板搬送機構４により基板３をシャッター５の背後に搬送させ、かつシャッター５を移動させて高レート成膜を行う。この状態ではターゲット電極２に対向する放電空間が基板３の下方に広がり、高エネルギー状態のターゲット粒子や反跳イオンおよびγ電子が大量に基板３に衝突することになる。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しながら行う蒸着において、蒸着位置精度を向上して緻密なパターンの形成を可能にする。
【解決手段】蒸着マスク１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂによる蒸着位置の基板の搬送方向手前側の位置を撮像可能に設けられた撮像手段４により、蒸着マスク１６Ｂに形成されたアライメントマークと有機ＥＬ表示用基板９表面に予め形成されたピクセルとを撮像し、該撮像画像に基づいてアライメントマークの基準位置とピクセルの基準位置との間の位置ずれ量を検出し、該位置ずれ量が所定値となるようにアライメント手段５により蒸着マスク１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを上記基板面に平行な面内にて搬送方向と略直交する方向に移動して位置合わせしながら、搬送中の有機ＥＬ表示用基板９のピクセル上に所定のパターンを蒸着して形成するものである。 （もっと読む）