本発明は、流動床内に設置された球状または同様の形状の担体粒子上への化学種の気相堆積のためのデバイスであって、球状または同様の形状の担体粒子（２）を受容するために、漏斗状に形成された流動化要素（８）が収容される、第１の流動床チャンバ（１）と、担体粒子（２）上に堆積される化学種の蒸気相の前駆体の供給および第１のチャンバ（１）の方向への流動化ガスの運搬の両方を意図した、第１のチャンバ（１）と流体連通した第２のチャンバ（３）と、蒸気相前駆体および流動化ガスの流動化要素（８）内の分布を制御するための、流動化要素（８）への入口に配置された管体（９）とを備え、分配管体（９）は、１つまたは複数の外部溝または陥凹部（９２）を含み、１つまたはそれぞれの溝（９２）は、第１のチャンバ（１）内で流動化ガス渦流を生成するために、管体（９）の長手方向軸に沿って配向した第１の部分と、前記軸の周りに螺旋状に巻回された第２の部分とを備えることを特徴とする、デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】金属を含む原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行ってスループットを向上させることが可能な処理ガス供給系を提供する。
【解決手段】金属を含む原料ガスを用いて被処理体Ｗに成膜処理を施すための処理容器１４に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給手段７０を有する処理ガス供給系５６において、原料ガス供給手段７０は、処理容器１４に向けて原料ガスを流すための原料ガス通路８８と、原料ガス通路の途中に設けられてピストン運動によって原料ガスを昇圧する昇圧器９０と、昇圧器９０よりも下流側に設けられた供給用開閉弁９２とを備える。これにより、原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させつつ、反応ガスの消費を抑制する装置を提供すること。
【解決手段】真空容器１０内に、多数の基板載置部５が搬送方向に一列に配列された基板載置部５の列を備えると共に、直線搬送路を有する周回搬送路に沿って前記基板載置部５の列を搬送する基板搬送機構４を設ける。また前記直線搬送路に沿って交互に配置され、基板載置部５の搬送路に対して夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給するために、第１の反応ガスノズル６１及び第２の反応ガスノズル６２を設けると共に、前記第１の反応ガスが供給される領域と第２の反応ガスが供給される領域とを分離するために、第１の反応ガスノズル６１及び第２の反応ガスノズル６２の間に、基板載置部５の搬送路に対して分離ガスを供給する分離ガスノズル６３を設ける。 （もっと読む）

【課題】金属膜中の不純物が少ない高品質な金属膜を形成する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に金属含有原料ガスを供給する原料ガス供給ライン１０と、処理室２０１内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給ライン３０と、処理室２０１内を加熱するヒータ２０６と、所定の処理温度に設定された処理室２０１内に金属含有原料ガスを供給してウエハ２００上に所定膜厚の金属膜を形成し、前記所定の処理温度と同一の処理温度に設定された処理室２０１内に水素含有ガスを供給することにより前記金属膜を熱処理し、これを１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより目標膜厚の金属膜を形成するように、ヒータ２０６、原料ガス供給ライン１０及び水素含有ガス供給ライン３０を制御するコントローラ２８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】安定した成膜を行うことができ、かつ高品位のルテニウム膜を得ることができる化学気相成長方法の提供。
【解決手段】テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物を気化せしめ、当該気化したルテニウム化合物を反応室に供給して基体上に析出させる工程と、気化したルテニウム化合物の反応室への供給を停止して、前記反応室内に残留している気化したルテニウム化合物を除去する工程と、基体上に析出したルテニウム化合物を分解せしめルテニウム膜を形成する工程と、を含む化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】金属カルボニルを原料に用いて金属膜の成膜する場合であっても、均一な膜厚を持つ金属膜を成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】可逆反応を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、金属Ａの膜を被処理基板Ｗ上に成膜する成膜方法であって、化合物ＡｘＢｙを含むガス３１を被処理基板Ｗの表面に供給し、化合物ＡｘＢｙを被処理基板Ｗの表面近傍において金属Ａと官能基Ｂとに分解させるとともに、不活性ガス４１を、前記被処理基板Ｗの中央部分の成膜速度と前記被処理基板Ｗの外周部分の成膜速度とが均衡するように前記被処理基板Ｗの外周部分近傍に供給し、前記金属Ａの膜を前記被処理基板Ｗ上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 残留不純物の少ない良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相成長材料及びその化学的気相成長材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含む化学気相成長材料、および該化学気相成長材料を用いた化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】低い等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および低い漏洩電流を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを提供する。
【解決手段】低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。好ましくは、下部電極を形成するためにＴｉＮが用いられる。キャパシタのＳｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層でのＳｒ／Ｔｉ比率は、キャパシタの電気的特性を調整するために変化できる。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層の誘電率および漏洩電流は、このＳｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３誘電体層のＳｒ含有量とともに単調に減少する。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】不純物が少ない金属膜を低温でかつ良好なステップカバレッジで成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板１上に気相状態の所定の金属元素を含む金属原料ガスを吸着させ吸着層２とする工程と、吸着層２に蟻酸を供給し、基板１上に所定の金属元素の蟻酸塩膜３を生成させる工程と、生成された蟻酸塩膜３に対し、還元雰囲気中でエネルギーを与え、蟻酸塩を分解して金属膜４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い耐食性を有する耐食性部材およびこれを用いた半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】基材と、その表面に形成されたＹ₂Ｏ₃膜とからなり、前記Ｙ₂Ｏ₃膜は、その表面に４００面に配向する結晶を有しており、前記Ｙ₂Ｏ₃膜表面をＥＢＳＤ法により測定して得られた方位マップにおける前記４００面付近に配向する結晶の割合が、５〜５０％となるようにした耐食性部材である。この耐食性部材を、腐食性ガスおよびそのプラズマに曝される部位に用いた半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ膜を誘電体膜上に成膜する際に、インキュベーション時間を短縮し、高い密度で核生成を生じさせることにより、高品質のルテニウム膜の成膜を可能とする。
【解決手段】ルテニウム膜の成膜方法は、誘電体膜を担持する被処理基板表面近傍にプラズマを発生させ、前記誘電体膜表面を前記プラズマで改質する工程と、前記改質された誘電体膜表面に、ルテニウムの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、前記有機金属錯体を分解させることにより、前記誘電体膜上にルテニウム膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を前駆物質として利用した金属ナノプレート(Metal nano-plate)の製造方法であって、詳細には、反応炉の前端部に位置させた金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を含む前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた単結晶基板とを、不活性気体が流れる雰囲気で熱処理し、前記単結晶基板上に単結晶体の金属ナノプレート(nano-plate)が形成される特徴がある。
本発明の製造方法は、触媒を使用しない気相移送法を利用して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを製造することができ、その工程が簡単で且つ再現性があって、製造されたナノプレートが、欠陥及び不純物を含まない高結晶性及び高純度単結晶状態の貴金属ナノプレートである長所があり、単結晶基板の表面方向を制御し、金属ナノプレートの形状及び単結晶基板との配向性を制御できる長所を有して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを大量生産することができる長所がある。
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本発明は、ＹＳＺ／Ｘ／ＹＳＺ材料であって、ＸがＹＳＺとは異なる材料である少なくとも３層のスタックを、基板上に、ＣＶＤ（化学気相堆積）堆積する段階を含む、ＳＯＦＣ電池用電解質の製造方法に関する。
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【課題】流体前駆物質をバーポライサに送出し、前駆物質を効率的に気化し、気化前駆物質を基板の表面に送出し、チャンバ内の上昇温度を維持しながら装置を排気し、パスウエイ（通路）に沿って前駆物質の不要な凝固または分解を阻止し、装置中の温度傾斜を回避する。
【解決手段】本発明は流体前駆物質の気化およびフィルムを適当な基板上に堆積する装置および方法に関する。特に、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化チタン（ＢＳＴ）フィルムのような金属酸化物フィルムをシリコン・ウエハ上に堆積して、高容量ダイナミック・メモリ・モジュールに有用な集積回路コンデンサを製作する装置および方法を企図している。 （もっと読む）

【課題】可逆反応を生ずる原料ガスを用いて薄膜を形成する際に、被処理体の周辺部に向けて分解抑制ガスを供給して原料ガスの可逆反応による熱分解を抑制することにより、膜厚の面内均一性を高く維持しつつ、被処理体のベベル部及び裏面への薄膜の堆積を防止することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】可逆反応を生ずる原料ガスを用いて処理容器４内にて被処理体Ｗに対して薄膜を形成するために被処理体を載置するための載置台構造２９において、上面の載置面４３に被処理体を載置するための載置台３２と、載置された被処理体の周辺部に向けて原料ガスの可逆反応による熱分解を抑制する分解抑制ガスを供給するための分解抑制ガス供給手段７０とを備える。これにより、被処理体の周辺部に向けて分解抑制ガスを供給して原料ガスの可逆反応による熱分解を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線として用いられる銅層が塊状になるのを抑え、さらに拡散バリア層との密着性を向上させるため、改良された付着方法、又はメタライゼーション方法を提供する。
【解決手段】銅シード層とバリア層の間に密着促進層を被着する。コンピュータを用いたシミュレーションで銅膜の塊状化が起こる状況および銅層の密着性に関する評価を行い、密着促進層材料にクロム合金を用いることで、銅膜の密着性を著しく高める。さらにポリデンテートβ−ケトイミネートのクロム含有錯体を密着促進層材料のクロム合金を作るためのクロム含有前駆物質とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ルテニウム微粒子を下層金属膜とした、平坦な連続金属含有薄膜及び連続銅含有薄膜及びその製造法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体を化学気相蒸着法により金属含有薄膜を形成させることにおいて、当該ルテニウム含有薄膜がルテニウム微粒子であることを特徴とするルテニウム微粒子によって解決される。 （もっと読む）

【課題】良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。
【解決手段】反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、加熱基板上で成膜するＣＶＤ装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、そしてガス排気経路の２次側に下部空間を設ける。 （もっと読む）