【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

【課題】 化学蒸着法（ＣＶＤ法）に適したルテニウム化合物を提供する。
【解決手段】 ドデカカルボニルトリルテニウムとシクロオクタテトラエン類の混合溶液に光を照射することにより、下記式（１）の液体のシクロオクタテトラエントリカルボニルルテニウム錯体を得る。
【化７】


当該錯体を原料とする化学蒸着法により良好なルテニウム膜や酸化ルテニウム膜を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 類縁構造化合物を含有していてもルテニウム含有薄膜を製造することができる（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、その製造方法、それを用いたルテニウム含有薄膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】 類縁構造化合物を含有する（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムから、類縁構造化合物を分離することにより、５重量％以下の類縁構造化合物を含有する（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを得て、それを原料として用いて薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 疲労特性が改善し、大容量の不揮発性メモリとして好適な強誘電体キャパシタ及びその効率的な製造方法、並びに、該強誘電体キャパシタを有する高性能な半導体装置の提供。
【解決手段】 一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が１０ｎｍ以上である第１強誘電体層と、該第１強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が５ｎｍ以下である第２強誘電体層とを有する強誘電体キャパシタである。一対の電極における一つの電極上に、第１強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度以上の温度で該第１強誘電体層を形成した後、該第１強誘電体層の上に、第２強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度未満の温度で該第２強誘電体層を形成する強誘電体キャパシタの製造方法。 （もっと読む）

ルテニウムを堆積するための組成物及び方法。四酸化ルテニウムＲｕＯ_４を含有する組成物を前駆体溶液６０８として使用し、ＡＬＤ、プラズマ強化堆積、及び／またはＣＶＤによって基板４００を被覆する。周期的プラズマ濃縮を使用することもできる。
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本発明は、白金錯体、白金錯体を製造する方法、及び金属白金の化学蒸着のための白金錯体の使用に関する。基板上への白金の化学蒸着は、少なくとも２つの非隣接のＣ＝Ｃ二重結合を含む環状構造を有するリガンドを含む有機金属白金化合物により為され、有機金属白金化合物が、白金がリガンドのそれぞれのＣ＝Ｃ二重結合と結合することにより６０°〜７０°の（Ｃ＝Ｃ）−Ｐｔ−（Ｃ＝Ｃ）を形成する四角平面構造を有する。 （もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は微細構造の作製方法に関する。
【解決手段】 先駆体流体が存在する中で基板全体にわたって集束粒子ビームを走査することによって、パターニングされたシード層が形成される。ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。当該方法の利点は、非常に薄い層しか堆積しなくて良いため、前記シード層を形成するのに要する時間が相対的に短くなることである。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができるとともに、使用後にはこれら基材同士を効率よく剥離することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、銅と有機成分とで構成され、前記銅の含有率が９０ａｔ．％以上でかつ９９ａｔ．％未満である接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

低誘電率及び優れた電気特性等の改良されたバリア誘電体特性を有する、ケイ素、炭素、酸素及び水素を有する前駆体を含む誘電体バリアフィルムを堆積させるための方法を与える。この方法は、相互接続構造のためのダマシン又は二重ダマシン集積で、又は他の誘電体バリア用途で用いられるバリア層に関して重要となるであろう。この例では、バリア性能を改良する特定の構造特性が注目される。
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【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、主として銅で構成される接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、原料を効率的にキャリアーガス中に実質的に飽和させ、原料が飽和したキャリアーガスのチャネリングや液面での破裂による飛沫により容器内壁や導出管に付着する等の様々な問題を解決した、比較的粘度の高い低融点化合物にも採用が可能な充填容器を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、キャリアーガス導入口及び導出口を備えた充填容器であって、固体充填物、及び低融点化合物を含む充填容器によって解決される。 （もっと読む）

【課題】有機チタン化合物を気化させた原料ガスと、これに反応する添加ガスとを反応容器内に供給し、化学蒸着法により、加熱した基体の表面上に窒化チタン薄膜を作製する薄膜形成方法において、基体（例えば、ＣＭＯＳ基板などの半導体基板）の温度を各種機能性材料の耐熱温度である１５０℃乃至２３０℃の低温領域にした場合において、実用的な成膜速度が得られ、被覆性も良好な化学蒸着法による薄膜形成方法に用いる薄膜形成装置を提案する。
【解決手段】基体を１５０℃乃至２３０℃の温度範囲に加熱し、添加ガスの分圧Ｐ_{added gas}を、有機チタン化合物を気化させた原料ガスの分圧Ｐ_{organometallic gas}に対し、１０≦Ｐ_{added gas}／Ｐ_{organometallic gas}の範囲に設定する薄膜形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】第２族アルカリ土類金属含有酸化物膜などの化学気相成長（ＣＶＤ）に使用する新規な金属前駆体の揮発源の提供。
【解決手段】ジケトン化合物とアミン化合物から得られるβ−ケトエナミン化合物（例えば２，２−ジメチル−５−［（２−メトキシエチル）アミノ］ヘキサ−４−エン−３−オンなど）とストロンチウム、バリウムなどの第２族金属化合物とから調整された第２族金属含有多座配位β−ケトイミネート前駆体及び該前駆体を含む組成物。 （もっと読む）

基板上へのテルル含有膜の堆積のための方法および組成物を開示している。リアクタおよびこのリアクタ内に配置された少なくとも１つの基板を準備する。テルル含有前駆体を供給してリアクタへ導入し、少なくとも１００℃の温度に維持する。テルルを堆積プロセスにより基板上に堆積させて基板上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子及び化合物半導体発行素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。また、化合物半導体発行素子１００の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑にせずに、成膜初期の核形成が短時間でなされ、表面平滑性およびステップカバレッジが良好な膜を得ることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内の基板温度が処理容器内に導入される際の原料ガスの温度よりも低い段階で処理容器内に原料ガスを導入し、基板表面に原料ガスを集積させる工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度まで上昇させる過程で、基板上に膜形成のための核付を行う工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度に保持して基板上に所定の膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で且つ高密度なルテニウム含有薄膜を提供する。
【解決手段】 化学気相蒸着法により形成したルテニウム含有薄膜を加熱処理して、膜密度が１０．５〜１２．２ｇ／ｃｍ^３で、且つ比抵抗値が８〜１００μΩｃｍであるルテニウム含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 レーザＣＶＤ法による加工品質を保ちつつ、加工時間を短縮することができるレーザ加工方法及装置を提供すること。
【解決手段】 あらかじめ種々の欠陥形状に合わせたスリット形状を複数用意しておき、その形状で一括してレーザー光を照射して導電膜を形成する。断線部を修正する工程は、レーザ出力及び加工時間についての第１の条件で実行する工程および第２の条件で実行する工程からなり、第２の条件におけるレーザ出力は第１の条件におけるレーザ出力よりも低く、第２の条件における加工時間は第１の条件における加工時間よりも長い。 （もっと読む）

【課題】ガスの切り替えの応答性を向上させることが可能なガス導入機構及びこれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜装置２２の処理容器２４内へ必要な複数種類のガスを導入するためのガス導入機構６２において、処理容器２４に取り付けられるガス導入機構本体６４と、ガス導入機構本体６４に設けられて、複数種類の各ガスを供給するガス通路に接続された複数のガス室６６Ａ〜６６Ｃと、各ガス室６６Ａ〜６６Ｃと処理容器２４内とを連通するようにそれぞれ設けられたガス噴出口６８Ａ〜６８Ｃと、各ガス室６６Ａ〜６６Ｃ内に設けられてガス噴出口６８Ａ〜６８Ｃを開閉する可動蓋７０Ａ〜７０Ｃと、可動蓋７０Ａ〜７０Ｃを駆動する蓋駆動部７２Ａ〜７２Ｃと、蓋駆動部７２Ａ〜７２Ｃを制御する可動蓋制御部７４とを備える。これにより、ガスの切り替えの応答性を向上させる。 （もっと読む）