【課題】融点の高い（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを用いたルテニウム含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムの有機溶媒溶液を原料として用いて、ルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面にＣＶＤ−Ｒｕ膜を成膜したウエハを準備する。酸素雰囲気にさらすことによりＲｕ膜表面を酸化処理し、次に水素プラズマによる還元処理をし、清浄化する。清浄化されたＲｕ膜表面にＣｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 ガスウィンドウ方式のレーザＣＶＤ法による配線修復処理を含むＦＰＤ基板の製造方法において、レーザＣＶＤ処理工程におけるＣＶＤ被膜の厚さや密度等に関する厳密な管理を要することなく、修復されるＦＰＤ基板の歩留まりを向上させ、それにより製造コストを低減すること。
【解決手段】 配線欠陥修復ステップと配線面洗浄ステップとの間に、ＦＰＤ基板上の配線欠陥部分の上に形成された導電性被膜部分を含む微少領域を覆うようにして、所定の絶縁性樹脂を局部的に微量塗布する樹脂塗布ステップと、局部的に微量塗布された絶縁性樹脂を強制的に硬化させる樹脂硬化ステップとを設け、それにより、ＦＰＤ基板上の配線欠陥修復部分を含む微少領域に、配線面洗浄ステップに先立って、絶縁性樹脂による保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を高い成膜速度で成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ膜を成膜するＣｕ膜の成膜方法は、相対的に高い第１の温度に保持された、成膜下地膜としてのＲｕ膜を有するウエハに、Ｃｕ錯体からなる成膜原料を供給してウエハ上にＣｕの初期核を生成する工程と、相対的に低い第２の温度に保持されたウエハに、Ｃｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣｕの初期核が生成したウエハ上にＣｕを堆積させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ−ＭｎＯｘをバリア膜に用いても歩留りの低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎ層以上の銅、又は銅合金配線４、８を有し、これらＮ層の銅、又は銅合金配線４、８のバリア膜としてＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜を使用する半導体装置の製造方法であって、第１層乃至第Ｎ−１層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜３は、セルフリミットがかかる前に成膜を完了させ、第Ｎ層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜７は、セルフリミットがかかるように成膜する。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、Ｒｕ膜上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１の壁部の温度を、副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧が成膜処理時のチャンバー１内の圧力と等しくなる温度以上で成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの分解温度未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスとして現実的な成膜温度と成膜レートを有し、成膜中にＣｕ膜表面マイグレーションの減少が生じてＣｕが凝集し、島状に成長することを防止したＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤として１価のアミジネート銅に対する還元能力が高いカルボン酸を用い、低温でかつ実用的な成膜レートでＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜する。また、このように低温でかつ実用的な成膜レートでＣｕ膜を成膜できるため、Ｃｕの凝集が生じ難く、表面性状が良好なＣｕ膜となる。 （もっと読む）

【課題】
当技術分野は、ルテニウム含有フィルムの蒸気相形成のための改善された組成物を求めている。
【解決手段】
ルテニウム堆積の速度及び程度をそのような補助金属種の不存在下でのルテニウムの堆積に比較して増大させる補助金属種と共にルテニウムを堆積させることを含む、蒸着プロセスでルテニウム含有フィルムを形成する方法。そのような方法を実施するために有用な実例となる前駆物質組成物は、ルテニウム前駆物質及びストロンチウム前駆物質を溶媒媒質中に含み、組成物中において、ルテニウム及びストロンチウムが互いに共堆積されるように、ルテニウム前駆物質及びストロンチウム前駆物質のうちの一方が他方の前駆物質の中心金属原子に配位する側鎖官能基を含む。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好でかつ高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 接ガス面積を低減してパーティクルの発生を抑制し、流路容積を低減してパージ効率を向上する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に昇降可能に設けられ基板を保持する保持具と、保持具よりも上方に設けられ処理室内にガスを供給する供給口と、保持具の周囲に設けられ処理室内に供給されたガスを排出する排気ダクトと、基板処理時における排気ダクトの上面よりも下方に設けられ排気ダクトにより排出されたガスを処理室外に排気する排気口とを有する基板処理装置であって、排気ダクトは処理室に連通する中空部を有し、排気ダクトを構成する部材の少なくとも一部は昇降可能に構成される。 （もっと読む）

本発明は、チューブの中を圧気輸送されている粒子にコーティングを堆積するための方を提供する。本方法は、入口及び出口を有するチューブを用意する段階、チューブの入口において又はその近くにおいて、粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給して、チューブを通る粒子の流れを作る段階、及び該粒子の流れの中の粒子との反応のために、チューブの入口から下流で少なくとも１の注入点を介してチューブの中へと自己停止する第一の反応物を注入する段階を含む。本方法は、原子層堆積及び分子層堆積に適切である。本方法を実施するための装置もまた開示されている。 （もっと読む）

本発明は、複数の個別のサイクルを含む原子層堆積プロセスによって、反応チャンバ中で基板上に薄膜を形成する方法に関する。複数の個別のサイクルは、個別のサイクルの少なくとも２つのグルーピングを含む。個別のサイクルは、（ｉ）ガス状金属含有前駆体を該反応チャンバ中に導入し、該基板を該ガス状金属含有前駆体に曝露させること（ここで、該金属含有前駆体の少なくとも一部は該基板の表面上に化学吸着されて、その上に単分子層を形成する。）、（ｉｉ）該金属含有前駆体の導入を停止させ、該反応チャンバの容積をパージすること、（ｉｉｉ）ガス状酸素源化合物を該反応チャンバ中に導入し、該単分子層を該ガス状酸素源化合物に曝露させること（ここで、該酸素源化合物の少なくとも一部は該単分子層と化学的に反応する。）、及び（ｉｖ）該酸素源化合物の導入を停止させ、該反応チャンバの容積をパージすることを含む。該方法は、所望の厚さの薄膜が得られるまで、該個別のサイクルを繰り返すことを含む。該方法はまた、個別のサイクルの少なくとも２つのグルーピングを異なる処理条件で行うことを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】配線材とバリアメタル層の密着性を向上させる。
【解決手段】表面に凹部が形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されたＴｉ及びＮを含み、酸素（Ｏ）及び貴金属成分を除く全成分中におけるＴｉ含有量が５０ａｔ％を超える微結晶状態の第１の層３０ｂと、第１の層３０ｂ上に形成され、層間絶縁膜に形成された凹部を埋め込むＣｕ金属層７０と、を具える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー内にウエハを搬入し、安定化させた後、ウエハを加熱しつつチャンバー内にＣｕ錯体からなる成膜原料を気相状態で導入してウエハ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜し、成膜後、チャンバー内をパージして残留ガスを除去し、その後、チャンバーから基板を搬出するＣｕ膜の成膜方法を実施するにあたり、パージの際に、ウエハへの入熱をＣｕ膜成膜の際よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、ウエハＷに形成されたＣＶＤ−Ｒｕ膜上にＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１内の圧力をＣＶＤ−Ｒｕ膜表面に吸着したＣｕ（ｈｆａｃ）_２の脱離および拡散が進行する圧力に制御する。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷ上の絶縁膜にビアホールとトレンチを形成し、この上にバリア層としてＣＶＤ−Ｒｕ膜を成膜する。チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内に１価Ｃｕβジケトン錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳと、これを還元するアンモニア、還元性Ｓｉ化合物、カルボン酸などの還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に基板であるウエハを収容し、チャンバー内に１価のＣｕ錯体を含む成膜原料を気相状態で導入してＣＶＤ法によりウエハＷ上にＣｕ膜を成膜するにあたり、１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を気相状態で前記処理容器内に導入する。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスを効率良く冷却することができ、ガス通路５出口付近での材料目詰り発生防止効果を向上し得て、メンテナンス時期の長期化並びに稼動効率の向上に貢献することができ、しかも、より一層均一な分散効果を奏することができる気化器を提供する。
【解決手段】分散器２に形成されたキャリアガス導入穴に挿入されてその内壁との協働によりガス通路５を形成するセンターロッド３５と、分散器２のキャリアガス導入穴の外周側に配置されてガス通路５内を冷却する冷却部と、前記センターロッドの軸線方向に沿い且つ前記センターロッドの略全長に跨って形成された冷却部材挿入穴と、該冷却部材挿入穴内に配置されて前記センターロッドを冷却する冷却部材と、を備えていることを特徴とする気化器。 （もっと読む）

【課題】銅、銀、金、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、パラジウム、ニッケル、オスミウム又はインジウムを含有する金属ケトイミナート又はジイミナート錯体と、その製造及び使用方法の提供。
【解決手段】Ｃｕ（Ｉ）ケトイミナート錯体、例えばＣｕ（ＭｅＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＮＣＨ2ＣＨ2ＯＳｉＭｅ2（Ｃ2Ｈ3））Ｍｅ）の合成は、１種以上の塩基を用いて、アミンとβ−ジケトン化合物との反応由来のβ−ケトイミン中間生成物を脱プロトン化するか、又はβ−ケトイミン中間生成物とアミンもしくはアンモニアとの反応由来のβ−ジイミン中間生成物を脱プロトン化して、その後Ｃｕ（Ｉ）に対しキレート化してそれぞれβ−ケトイミン又はβ−ジイミン錯体のいずれかを生じさせることによって、Ｃｕ（Ｉ）錯体を調製することで得られる。 （もっと読む）