【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】平坦なＮｉＰｔシリサイド層を形成する。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いて、シリコン層２６（ゲート），２９（ソース・ドレイン）上にＰｔ層を形成する。次いで、ＣＶＤ法を用いて、Ｐｔ層上にＮｉ層を、Ｐｔ層より厚く形成する。次いで、シリコン層２６，２９、Ｐｔ層、及びＮｉ層を熱処理することにより、ＮｉＰｔシリサイド３３を形成する。Ｐｔ層の平均膜厚が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であるのが好ましい。またシリコン層は、例えばＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインである。 （もっと読む）

【課題】単量体又は二量体の揮発性錯体の形成を可能にするη−５配位モードにおいて二族金属、例えばカルシウム、マグネシウム、ストロンチウムに配位できる立体障害イミダゾール配位子及びそれらの合成を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム又はカルシウム又はそれらの２種以上からなる群より選択される金属に配位された１つ又は複数の多置換型イミダゾレート・アニオンを含む化合物が提供される。或いは、１つのアニオンを第２の非イミダゾレート・アニオンで置換することも可能である。新規化合物の合成及びＢＳＴ膜を形成するためのそれらの使用も意図される。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバーを大気開放する際に、金属膜が発火するおそれを短時間で低減することを目的とする。
【解決手段】基板１０６に金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバー１０１に配備された構成部品であるチムニー１０４や防着板１０７の外面に開口する多数のガス供給孔を設ける。構成部品の表面に付着した金属膜に対して、前記ガス供給孔から酸素を含むガスを供給し、金属膜を裏面側からも酸化させる。これにより、真空チャンバー１０１から構成部品を大気中に出して金属膜の除去処理を行っても発火しなくなる。 （もっと読む）

【課題】固体原料を用いて成膜を行う場合に、成膜原料ガスを安定的かつ効率的に基板の表面へ供給することが可能であり、かつパーティクル汚染や膜中への不純物混入の可能性が低減された成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、ウエハＷを収容する処理容器１と、ウエハＷを加熱する基板ヒーター１１と、ウエハＷを保持する保持部材２１と、原料支持部としてのステージ３１と、固体原料を加熱する原料ヒーター４１と、を備えている。成膜装置１００では、例えばステージ３１上で固体原料Ａを加熱しながら別の気化促進ガスと反応させ、生成した成膜原料ガスを保持部材２１に保持されたウエハＷの下面（被処理面）に供給し、ウエハＷの表面で熱分解させて薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜とＣＶＤ法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にＣＶＤ法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第２の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した金属錯体、及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｘは、一般式（２）


で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）で示されるβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学蒸着用の有機ルテニウム化合物として良好な成膜特性を備え、蒸気圧も高いものであって、さらに反応ガスに水素を用いた場合にも容易に成膜可能な有機ルテニウム化合物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、異性体１〜３の異性体をとりうるジカルボニル−ビス（５−メチル−２，４−ヘキサンジケトナト）ルテニウム（II）において、異性体２の含有率が３０質量％以上である有機ルテニウム化合物に関する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等に好適な、低融点であるか液体であり、熱に対して安定なアルカリ土類金属化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属化合物。
【化１】


（式中、Ｍは、アルカリ土類金属原子を表す。Ｂｕ^sは第２ブチル基を表す。）
Ｍで表されるアルカリ土類金属原子としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムが挙げられ、ＣＶＤ、ＡＬＤに使用する薄膜製造用原料として、Ｍがストロンチウムである金属化合物が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体、及び当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、アルコキシアルキル部位を１〜２個有するアルキル基で、Ｙは、Ｘ置換基に加え、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基であり、Ｚは、水素原子などを示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。 （もっと読む）

【課題】高価な装置を用いずに透明性に優れた酸化マグネシウム膜を効率良く簡便に形成すること。
【解決手段】原料水溶液として、酢酸マグネシウム四水和物１０ｇを水１９０ｇに溶解し、さらにエチレングリコールを２ｇ添加したものを用意する。原料水溶液を原料霧化装置２の霧化容器２１内に入れると共に、反応空間６１の底部にセットした基板８をヒータ７によって４００℃まで昇温させる。超音波振動子２２を作動させて原料水溶液を霧化し、空気に原料水溶液のミストをキャリアさせた原料ガスを反応空間６１に供給する。基板８の表面に沿って原料ガスが流れると、基板８の表面に酸化マグネシウム膜が形成される。形成された膜は、膜厚が厚くなっても透過率が低下しないことが確認された。また、エチレングリコールの代わりにジエチレングリコールを用いても同じ結果が得られることが確認された。 （もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】卑金属不純物を最小に保持しながら、上記Ｍ（ＲＰＤ）₂錯体を高収率で製造すること。
【解決手段】式（Ｉ）：Ｍ（ＲＰＤ）₂ （Ｉ）［式中、Ｍ＝鉄、ルテニウム、又はオスミウム；Ｒ＝Ｈ又は約１〜４個の炭素原子を有するアルキル基；ＰＤ＝サンドウィッチ型錯体を形成する環状又は開鎖のジエニル系］の有機金属錯体の製造方法において、式（Ｉ）で示される前記錯体は少なくとも約９９．９９％の金属純度を有し；前記方法は、三塩化Ｍ（ＩＩＩ）水和物及びＨＲＰＤ化合物を、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｈ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃａ、及びＣｕからなるグループから選択される少なくとも１つの還元性金属とアルコール溶剤中で反応させることを有する、有機金属錯体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内に、絶縁膜が設けられたウエハＷを配置する工程と、処理容器１内にＴＥＯＳなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのＯＨ基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にＳｉ−ＯＨ基を形成させる表面改質工程と、処理容器１内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、ＣＶＤ法によりＳｉ−ＯＨ基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部８を有する被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜１６して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜１８を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 （もっと読む）

【課題】蒸着される金属薄膜の品質を向上させることのできるガス噴射ユニット及びこれを利用する薄膜蒸着装置及び方法を提案する。
【解決手段】ガス噴射ユニットは、反応ガスが流入される内部管と、内部管を囲み、内部管内の反応ガスを冷却する冷却流体が流れる外部管と、内部管内の反応ガスを外部管の外部へ噴射する噴射管と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法のプレカーサに適した性質を有し、特に、融点、耐熱性、有機溶剤への溶解性において、良好な金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされるβ−ケトイミン化合物の金属錯体、好ましくは下記一般式（１）で表わされる金属錯体における金属原子が２族の金属元素、特にストロンチウムであり、金属原子の価数が２である金属錯体。


（式中、Ｒ¹及びＲ²は、メチル基又はエチル基を表す。） （もっと読む）

【課題】多孔体基板上へのより高品位で緻密な薄膜形成を可能とすることで、発電特性に優れる中温型燃料電池の製造方法を提供する。
【解決手段】金属粉末焼結多孔体基板６を研磨加工した面上にＣＶＤ法および／またはＰＶＤ法にて酸化物薄膜８を成膜した後、その上に液相法により成膜９を行うことを特徴とする金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法。上記の液相法がＭＯＤ法、またはゾルゲル法であることを特徴とする金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法。 （もっと読む）