原子層堆積、化学気相堆積および有機金属化学気相堆積のような成膜プロセスにおいて出発原料として用いるための溶液型の先駆物質。この溶液型の先駆物質は、蒸発する間に分解と凝固を起こす傾向があるために気相堆積法のためには不適切であった固体先駆物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層３が露出する凹部２を有する絶縁層１が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属を含む第１金属含有膜を形成する第１金属含有膜形成工程と、前記第１金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する第２金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させて上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部２を有する絶縁層１２２が表面に形成された被処理体Ｗに第１の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第１の金属を含む第１の金属含有原料を用いて成膜処理を施すことにより第１の金属を含む薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】単量体又は二量体であり、熱的に安定な、易揮発性であり、且つＡＬＤ又はＣＶＤにより製造されるＢＳＴに非常に適したフッ素化されていないバリウム前駆体を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム若しくはカルシウム又はこれらの混合物からなる群から選択される金属に配位した、一以上の多官能化ピロリルアニオンを含む化合物。あるいは、１つのアニオンは、第二の非ピロリルアニオンと置換されることができる。
新規の化合物の合成法及びＢＳＴフィルムを形成するためのそれらの使用法も考慮される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、試料表面上にAu含有層を供するシステム及び方法を供することである。
【解決手段】 本発明は、試料表面上にAu含有層を供する方法を供する。当該方法は、Au(CO)Clを有する堆積流体を供する手順、前記試料表面の少なくとも一部の上に前記流体を堆積させる手順、及び、前記流体の少なくとも一部が上に堆積された前記試料表面に荷電粒子ビームを案内することで、前記試料表面上に前記Au含有層を生成する手順、を有する。
AU(CO)Clを荷電粒子誘起堆積用の前駆体として用いることによって、当技術分野において知られた方法と比較して、非常に高純度の金(Au)層を堆積することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの内部チャネルを触媒反応器として用いるために特定の前処理を通じてカーボンナノチューブの内部チャネルにのみ金属触媒ナノ粒子を担持させることで、多様な触媒反応に応用できる金属触媒ナノ粒子が担持された高性能カーボンナノチューブ触媒及びこの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は金属触媒ナノ粒子がカーボンナノチューブの内部チャネルの表面にのみ選択的に担持されたカーボンナノチューブ触媒及びこの製造方法に関するものであり、より詳しくは、特定の前処理を通じてカーボンナノチューブの内部表面に欠陥を形成した後、前処理されたカーボンナノチューブに気相の金属前駆体を流し、化学気相蒸着法でカーボンナノチューブの内部チャネルにのみ金属触媒ナノ粒子が担持され得るように製造した優れた選択的触媒反応活性及び耐久性を有する金属触媒ナノ粒子が担持されたカーボンナノチューブ触媒及びこの製造方法に関する。 （もっと読む）

一般式：（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４Ｒ_５Ｃｐ）_３＊Ｍ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及びＲ_５は、Ｈ、又は炭化水素Ｃ_ｎＨ_ｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニルの溶媒ベースの前駆体配合物。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸化物１０２上にマンガンを含むガスを供給し、酸化物１０２上に酸化マンガン膜１０３を形成する酸化マンガン膜１０３の形成方法であって、酸化マンガン膜１０３を形成する際の成膜温度を、１００℃以上４００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜中へのハロゲン元素の残留を抑制し、金属薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】ハロゲン含有ガスをガス供給部から処理室内に供給し、処理室内に供給されたハロゲン含有ガスをプラズマ生成部によりプラズマ状態とし、プラズマ状態となったハロゲン含有ガスによって被エッチング部材をエッチングし、エッチングにより生成された反応生成物を基板上に堆積させた後、排気部により処理室内を排気する第１のステップと、水素ガスをガス供給部から処理室内に供給し、処理室内に供給された水素ガスをプラズマ生成部によりプラズマ状態とし、プラズマ状態となった水素ガスを基板上に供給して基板を処理した後、排気部により処理室内を排気する第２のステップと、を１サイクルとしてこのサイクルを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】炭酸ガス吸収能を有する積層体であって、特に、食品、飲料、医薬品などを包装するための包装材料として用いた場合に、積層体の一部を構成する接着剤層から発生する炭酸ガスを吸収し、包装されている内容物の炭酸ガスによる変質や、炭酸ガスにより内容物のペーハー変動を防止できるようにしたことを特徴とする、炭酸ガス吸収能を有する積層体の提供。
【解決手段】プラスチックフィルム基材上に無機化合物の蒸着膜層が積層されてなるガスバリア性フィルム層と、酸化カルシウムが配合されている樹脂組成物層の片面または両面にポリオレフィン系樹脂層が共押出しで積層されてなる炭酸ガス吸収能を有する多層フィルム層とが、接着剤層を介して貼り合わされていることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの３次元マップが作られ得る。 （もっと読む）

酸化ストロンチウムルテニウムは、ルテニウム伝導体と酸化ストロンチウムチタン誘電体との間に有効な界面を提供する。酸化ストロンチウムルテニウムの形成は、酸化ストロンチウムを形成するための原子層堆積の使用と、その後の酸化ストロンチウムルテニウムを形成するための酸化ストロンチウムの焼鈍とを含む。酸化ストロンチウムの第１の原子層堆積は水を酸素源として使用して行われ、続いて、その後の酸化ストロンチウムの原子層堆積がオゾンを酸素源として使用して行われる。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接着シート、かかる接着シートと被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接着シートと被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接着シートは、機能性基板２と、接合膜３とを有しており、被着体４に接着して用いられるものである。この接着シートが備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、被着体４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。また、オフ電流を低減することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するように薄膜トランジスタを形成することによって、薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。また、オフ電流を低減することもできる。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を、より良く抑制することが可能な基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを用い、被処理体に対する処理エリアを制限しながら被処理体に対して処理を行う基板処理方法であって、加熱機構を有した載置台上に、被処理体を載置する工程（ｔ１）と、加熱機構を用いて、載置台に載置された被処理体を目標加熱温度まで加熱する工程（ｔ２）と、目標加熱温度に達した被処理体に、被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを接触させる工程（ｔ３、Ａ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、金属膜の酸化による高抵抗化を防止し、生産性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板２００を収容し、基板２００の温度が第１処理温度となるように設定された処理室２０１内に、酸素を用いることなく熱分解にて金属含有膜を形成できる有機金属原料ガスを供給して、基板２００上に金属含有膜を形成する工程と、金属含有膜が形成された基板２００を収容し、基板２００の温度が第２処理温度となるように設定された処理室２０１内で、水素含有ガス雰囲気下、もしくは、到達真空雰囲気下で金属含有膜を熱処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地基板１０上に、第一の膜１１である炭素膜を形成する工程と、第一の膜１１上に炭化チタン層１２を形成する工程と、炭化チタン層１２を窒化する工程と、窒化された炭化チタン層の上部にＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、ＧａＮ半導体層から、下地基板１０を除去して、ＧａＮ半導体基板を得る工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】 キャリアガス噴出部の流路幅をキャリアガス噴出部全周に渡り均等に構成する。
【解決手段】 液体原料を気化する気化室と、気化室内を加熱するヒータと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズルと、噴霧ノズルの先端部分の表面の一部を覆うと共に、噴霧ノズルの先端部分の周辺から気化室内にキャリアガスを噴出させるキャリアガス噴出部を形成するキャリアガス噴出部形成部材と、を有し、キャリアガス噴出部形成部材には、噴霧ノズルの先端部分が収容される貫通孔が設けられており、その貫通孔の内壁面の複数箇所には噴霧ノズルの先端部分と接触する複数の突起部が設けられている。 （もっと読む）