【課題】陰極配線抵抗を低減せしめた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板２上に、ストライプ状に形成された第一電極６と、有機ＥＬ層１０と、有機ＥＬ層１０上に第一電極６と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極１２と、第一電極６および有機ＥＬ層１０上の面のうち、第一電極６と第二電極１２とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜８と、第二電極間を分離するために画素分離膜８上に第二電極１２と平行に配設され、該第二電極１２の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも構造の一部が導電性の第二電極分離隔壁２２とを備えた有機ＥＬディスプレイであって、各第二電極１２と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁２２との間に形成された２つの間隙の一方少なくとも２箇所以上に金属２６が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが点接触されている有機ＥＬディスプレイ。 （もっと読む）

【課題】前駆体用化学薬品の高純度を維持することが可能で、かつ、装置中での前駆体用化学薬品の使用量を増大させることも可能で、それに応じて化学薬品の無駄を低減する、清浄化が容易な二点部品からなる気相または液相試薬送出装置を提供する。
【解決手段】複数ポートのうちの１つと、対応する弁との間にガスケットと管から成るアダプタを挿入することによって、管付きではない標準２ポート容器が、管（すなわち、ガス供給用気泡管または液体供給用浸漬管）を必要とする用途に使用できる容器に転用できる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中の不純物を可及的に低減し得る金属膜の作製における成膜反応を促進させる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】 銅板部材７と基板３との温度及び温度差を所定通に制御することにより、チャンバ１内のＣｌ₂ガスプラズマで前記銅板部材７をエッチングしてＣｕ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体を形成し、この前駆体のＣｕ成分を基板３に析出させてＣｕの成膜を行う場合において、チャンバ１内に連通してＣｌ₂ガスを流通させる通路２４の励起室２５でＣｌ^*を形成し、このＣｌ^*をチャンバ１内に供給することにより基板３に吸着状態となっている前記前駆体からＣｌ₂ガスを引き抜いてＣｕ膜の成膜反応を促進させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法を提供する。
【解決手段】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法であって、金属ケトイミネートを堆積チャンバーに導入し、該金属ケトイミネートを加熱基材上に堆積させる工程、該堆積チャンバーをパージして未反応の金属ケトイミネートと任意の副生成物を除去する工程、酸素含有源を該加熱基材に導入する工程、該堆積チャンバーをパージして任意の未反応の化学物質と副生成物を除去する工程、及び所望の膜厚が確立されるまで循環堆積法を繰り返す工程を含む循環堆積法が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属焼結多孔質体の表面に所望する機能を持つ薄膜を成膜するために用いる金属焼結多孔質部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属焼結多孔質体表面に薄膜を形成する製造方法において、金属粉末を焼結させて得た金属焼結多孔質体の表面を平滑に仕上げた後、その平滑面に皮膜を形成し一体化させる薄膜成膜用金属焼結多孔質部材の製造方法。また、上記金属焼結多孔質体の一表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下になるまで平滑に仕上げる薄膜成膜用金属焼結多孔質部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電極部間の短絡の発生を抑制するとともに、クリーニングガスの作用による構成部品の劣化を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を加熱するヒータと、処理室内にガスを供給するガス供給口と、ヒータを覆うように設けられ絶縁体で構成され基板を支持する支持板と、支持板の裏面よりも下方に設けられヒータに電源を投入する電極部と、電極部に接続され電源を供給する電源線と、支持板の裏面に着脱可能かつ気密に接続され、電極部と電源線を覆うことで、電極部及び電源線を処理室内の雰囲気から隔離する隔離部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効なバリアメタルを提供する。
【解決手段】半導体集積装置のバリアメタル１４として、ＷＮｘ或いはＷＳｉＮｘを用いる。これにより、金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効にバリア機能を発揮させる。 （もっと読む）

相変化メモリ用のカルコゲナイド薄膜の形成方法が開示される。本発明によるカルコゲナイド薄膜の形成方法は、反応器の内部にパターンが形成されている基板をローディングし、ソースガスを基板上に供給する。このとき、ソースガスは、Ｇｅ原料ガス、Ｇａ原料ガス、Ｉｎ原料ガス、Ｓｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガス、Ｔｅ原料ガス、Ｓｎ原料ガス、Ａｇ原料ガス及びＳ原料ガスから選択された１種以上からなる。そして、基板上に供給されたソースガスをパージするために基板上に第１パージガスを供給し、基板上にソースガスを還元させるための反応ガスを供給し、基板上に供給された反応ガスをパージするために基板上に第２パージガスを供給する。そして、パターン内部の蒸着速度がパターン上部の蒸着速度より大きくなるように、第１パージガスの供給時間変更及び前記反応器の内部の圧力調節のうち少なくとも一つを行う。本発明によれば、パターンの上部に薄膜が形成される速度よりパターンの内部に薄膜が形成される速度が大きくなるように、ソースガスをパージする時間を変更するか、または反応器の内部の圧力を調節することによって、ギャップ・フィル特性の優秀なカルコゲナイド薄膜を形成できる。
（もっと読む）

【課題】金属カルボニル原料を一酸化炭素とともに供給し、被処理基板上に金属膜を成膜する成膜方法において、前記金属カルボニル原料の過剰な分解を抑制しつつ、金属膜の成膜速度および膜厚の面内均一性を向上する。
【解決手段】成膜方法は、金属カルボニルを含む処理ガスと一酸化炭素を含むキャリアガスとを含む処理ガス流を、前記被処理基板表面を避けて、被処理基板の外周よりも径方向上外側の領域に流し、前記処理ガス流から前記金属カルボニルを前記被処理基板表面へ拡散させ、前記被処理基板表面に金属膜の成膜を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３次元構造に対して、段差被覆性よく金属イリジウム及び／又はイリジウム酸化物薄膜を形成することができる方法を提供する。
【解決手段】イリジウム錯体（例えば（１，３−シクロヘキサジエン）（エチルシクロペンタジエニル）イリジウムなど）のアルコール溶液（例えばメタノール、エタノール、プロパノール等の溶液）を、イリジウム錯体の分解温度以上に加熱したガラスやシリコンなどの基板に噴霧し、当該基板上に金属イリジウム及び／又はイリジウム酸化物薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜を含む配線構造の低抵抗化を可能にさせた薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、ＲｕチャンバＦ１で形成するＲｕ膜を酸化チャンバＦ２に搬送し、酸化性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し酸化処理を施す（ステップＳ１４）。また、薄膜形成装置は、酸化処理の施されたＲｕ膜を還元チャンバＦ３に搬送し、還元性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し還元処理を施す（ステップＳ１５）。 （もっと読む）

【課題】 高速断続高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層として、粒状結晶組織のＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層のうちの少なくとも１層、（ｂ）中間層として、粒状結晶組織のＴｉＣＮＯ層と粒状結晶組織のＣｒＣＮＯ層の積層、（ｃ）上部層として、縦長成長結晶組織のＴｉＣＮ層、（ｄ）最表面層として、Ａｌ_２Ｏ_３層、上記（ａ）〜（ｄ）からなる硬質被覆層を蒸着形成し、必要により、上記（ｃ）と（ｄ）の間に、密着層として、粒状結晶組織のＴｉ化合物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法によるＲｕ膜の成膜の際のインキュベーション時間を短縮し、膜質を向上させる。
【解決手段】Ｒｕ膜の成膜方法は、（Ａ）前記被処理基板表面にＲｕの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、プラズマを励起して前記Ｒｕの有機金属錯体を分解させることにより、前記被処理基板表面にＲｕ膜を堆積する工程と、（Ｂ）前記被処理基板表面から前記Ｒｕの有機金属錯体をパージする工程と、（Ｃ）前記Ｒｕ膜を、窒素あるいは水素を含む雰囲気により改質する工程と、（Ｄ）前記被処理基板表面から、前記窒素あるいは水素を含む雰囲気をパージする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】構造が単純で製作が容易であり、また例えばＡＬＤなどのプロセスを適用した場合におけるガスの置換性が良好で、スループットの向上に寄与できるガス供給装置等を提供する。
【解決手段】処理容器２内の載置台３上の基板Ｗに処理ガスを供給するガス供給装置４において、天板部材４２は載置台３と対向する位置に、ガスの拡散空間４０を構成するためにこの載置台３に向かって末広がりの形状に形成された凹部４２２を有し、ガス供給ノズル４１は凹部４２２の頂部から当該凹部４２２内に突出すると共に、この凹部４２２の周方向に沿って複数のガス供給孔４１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】確実にＡＬＤチャンバ内の汚染物質を最小限に抑えることができるようにし、かつ前駆体蒸気による重要な顕微鏡部品の損傷を防止する。
【解決手段】２室に分割されたチャンバを有する局所的ナノ構造成長装置であって、第１室（１０４）が走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を含み、第２室（１０８）が原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバを含み、第１室が第２室から気密分離されており、ＳＰＭの少なくとも１つのＳＰＭプローブ先端がＡＬＤチャンバ内の試料の近位に配置されている、該ナノ構造成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
高いガスバリア性を実現すると同時に従来並の柔軟性をも確保できるガスバリアフィルムを製造するための製造方法、及び該製造方法により得られるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】
基材となるプラスチックフィルムの表面に、ウェットコーティング法又は気相化学堆積法によりバッファー層を積層するバッファー層積層工程と、前記バッファー層積層工程を終えたバッファー層のさらに表面にガスバリア性を備えたガスバリア層を積層するガスバリア層積層工程と、を備えてなるガスバリアフィルムの製造方法であって、前記バッファー層はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、等を利用して積層してなる、ガスバリアフィルムの製造方法、及びかかる製造方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンの化合物からなるバリア層を形成し、このバリア層の上から銅を主成分とする導電路を形成するにあたって、バリア層と導電路との密着性の向上を図り、また導電路の電気的抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】マンガンの化合物からなるバリア層を形成した後、基板に有機酸を供給してバリア層を構成するマンガンの化合物の一部を還元してマンガンの化合物における化学量論的な組成比の不均衡を発生させて、マンガンの化合物中のマンガンの比率を高める。またバリア層の表面もしくは層中のマンガンはシード層を形成した後、加熱処理を行うことで前記シード層の表面に析出され、そして前記凹部内に上層側導電路を形成する前に洗浄処理を行うことで除去される。 （もっと読む）

【課題】基板上の凹部が形成された層間絶縁膜の露出面にバリア膜を成膜し、凹部内に下層側の金属配線と電気的に接続される銅配線を形成するにあたり、段差被覆性の良好なバリア膜を形成することができ、しかも配線抵抗の上昇を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に形成された凹部２１の底面に露出した下層側の銅配線１３の表面の酸化膜を還元あるいはエッチングして、当該銅配線１３の表面の酸素を除去した後、マンガンを含み、酸素を含まない有機金属化合物を供給することによって、凹部２１の側壁及び層間絶縁膜の表面などの酸素を含む部位に自己形成バリア膜である酸化マンガン２５を選択的に生成させる一方、銅配線１３の表面にはこの酸化マンガン２５を生成させないようにして、その後この凹部に銅を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜（特に高融点金属）を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。
【解決手段】タンタル（Ｔａ）製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのＣｌ₂ガスを供給し、被エッチング部材１１に対してプラズマを発生させＣｌ₂ガスで被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＴａ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体ＴａＣｌを生成し、表面に微細穴（トレンチ）が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの（底面の金属被覆厚／壁面の金属被覆厚）である被覆率を１より大きくするような状態にＣｌ₂ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにＴａ成分を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）