【課題】誘電特性及び漏れ電流特性を向上させることのできる半導体素子の誘電体膜の形成方法及びキャパシタの形成方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜は、原子層堆積法により、ウェーハ上に酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）で構成された誘電体膜を形成する方法であって、チャンバー内に、１つのＺｒと１つのＡｌ原子とが１つの分子を構成しているソースガスを注入し、ウェーハ上に、ＺｒＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３とからなる［ＺｒＯ_２］ｘ［Ａｌ_２Ｏ_３］ｙ（ここで、ｘ及びｙは正数である）膜を形成するステップを繰り返すことにより、ＺｒＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３とで構成された厚さ３０Å〜５００Åの誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程（２）該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程（３）充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程を経る多孔質絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置及び方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。他の実施形態では、基板を支持する手段と、反応物を供給する手段と、前記基板上に生成物を堆積するためのプラズマトーチと、前記基板に対して前記プラズマトーチを振動させる手段とを備え、前記プラズマトーチは、前記基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】７０ｎｍ以下の金属配線を有する次世代ＤＲＡＭで要求される容量および良好な漏れ電流特性を確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ形成方法は、ストレージ電極６５を形成するステップと、ストレージ電極６５の表面をプラズマ窒化６６Ａ処理するステップと、該表面がプラズマ窒化６６Ａ処理されたストレージ電極６５上にＺｒＯ_２薄膜６７を蒸着するステップと、ＺｒＯ_２薄膜６７の表面をプラズマ窒化処理して、表面が窒化６６ＢされたＺｒＯ_２薄膜を形成するステップと、窒化６６Ｂされた前記ＺｒＯ_２薄膜上にプレート電極６８を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた耐熱亀裂性、耐熱性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の縦長成長結晶組織を有するＴｉの炭窒化物（ｌ−ＴｉＣＮ）層を含むＴｉ化合物層からなる下部層と酸化アルミニウム層からなる上部層を被覆形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面に形成されたｌ−ＴｉＣＮ層のそれぞれについて、測定領域にある結晶粒の（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、（００１）面の法線同士および（０１１）面の法線同士の交わる角度が２度以上の場合を粒界とし、粒界として識別される部分のうち（００１）面の法線同士、（０１１）面の法線同士の交わる角度が１５度以上の粒界の合計長さ（μｍ）を求めたとき、逃げ面の測定領域で求められた粒界の合計長さＧ_Ｆ（μｍ）とすくい面の測定領域で求められた粒界の合計長さＧ_Ｃ（μｍ）は、Ｇ_Ｆ／Ｇ_Ｃ＞１．５の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 密着性の優れた硬質被膜を持つ切削工具の製造方法を提供すること。
【解決手段】 切削工具はアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。または、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層の表面にアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。
ＤＬＣ被膜および中間層が直流プラズマＣＶＤによって形成されたものである。処理容器内に切削工具からなる処理物を置き、処理容器を真空状態にし、直流プラズマＣＶＤ装置を用いて、アルゴンガスと原料ガスとの混合ガスを流入させながら、前記ガスをプラズマ化して処理物に作用させ、アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。または、アルゴンガスとシリコンガスとの混合ガスを流入させながら、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層を処理物の表面に形成させた後に、前記アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板のダングリングボンドの終端処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置１を用いて、処理用ガス供給装置３から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源２から高周波電極６に第１周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と基板電極５との間に水素イオンを含むプラズマを発生させ、この水素イオンによって太陽電池基板８のダングリングボンドを終端させる終端工程と、次いで、前記処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に前記第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に前記太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させる成膜工程と、を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質なグラフェンの品質を保ちながら、転写プロセスを必要としない透明の絶縁体基板上にグラフェンを直接成膜する
【解決手段】MgO(111)単結晶薄膜を、NiO(111)エピタキシャル薄膜をバッファー層としてYSZ(111)単結晶基板上に成膜して、このMgO(111)単結晶薄膜の上に単層グラフェンを成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材、高Ｓｉ含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の穴あけ加工、エンドミル加工において、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金で構成された工具基体表面に、下部層として結晶性ダイヤモンド膜、上部層として微結晶ナノダイヤモンド膜を被覆し、刃先稜線部のみ、ウエットブラスト処理等により下部層を露出させたダイヤモンド被覆切削工具において、工具の刃先稜線部に形成されている下部層の圧縮残留応力分布を測定した場合、下部層の露出表面の残留応力値σｓは１．５〜３ＧＰａであって、しかも、刃先稜線部に形成されている下部層の膜厚の１／２の位置における残留応力値をσ_１／２とした場合、σｓ／σ_１／２の値は、０．８〜１．０である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いて、微細な段差を有する基板をルテニウム薄膜で被覆するには、低温で薄膜を形成させることが必要であり、低温で成膜可能なルテニウム化合物が望まれていた。
【解決手段】ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、及びビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに対して０．１〜１００重量％の熱分解温度１００℃〜３００℃のルテニウム錯体を含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、ＣＶＤ法等によりルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐スクラッチ性、耐磨耗性、及び耐腐食性セラミックスコーティングを金属基材上に備える整形外科用インプラント、並びにかかるコーティングの作製方法を提供する。
【解決手段】金属基材は有利なことに、セラミックスでコーティングされる前に、ＨＩＰ処理され、かつ均質化され、このＨＩＰ処理され、かつ均質化された金属基材は、セラミックスでコーティングされる前に研削され、研磨されることが好ましい。セラミックスコーティングは、窒化チタン、チタン炭窒化物、又は窒化チタン及びチタン炭窒化物の両方の複数の薄い交互層を備えるバンドを含んでもよく、アルミナオーバーコートを含んでもよい。本発明のコーティングは、別の方法で表面の亀裂又はコーティングされた表面上のスクラッチから生じる恐れのあるマイクロ亀裂の成長を抑え、これにより向上した摩耗特徴、耐スクラッチ性、基材材料への腐食性流体の浸透の防止をもたらす。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。
【解決手段】ホールを形成後、１回の第１サイクルと、１回以上の第２サイクルを行う。第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第２の窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を収容する工程と、処理容器内にニッケルと不純物とを含む原料を供給する工程と、処理容器内に不活性ガスを供給する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことにより、基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（酸化アルミニウム層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記酸化アルミニウム層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａは４＜ｂ／ａ＜２０であり、さらに、上記酸化アルミニウム層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径は０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法を提供する。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法を提供する。
【解決手段】洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】高い膜密度を保ちつつ結晶性を高くした微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により混相粒５７ａを有する第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、その上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９をプラズマＣＶＤ法で形成する。第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第１の条件における原料ガスの供給は、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈したガスの供給と、当該ガスの堆積性気体の流量より低く、且つ絶縁膜上へのシリコンの堆積より絶縁膜上に堆積したシリコンのエッチングが優位となる堆積性気体の流量にしたガスの供給を交互に行うものである。 （もっと読む）