【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、少なくとも、線膨張係数がＭｇＯよりも小さく、かつ０．５×１０^−６／Ｋ以上の材料からなるベース基材１３と、該ベース基材１３の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶ＭｇＯ層１１と、該単結晶ＭｇＯ１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜１２を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材１０。 （もっと読む）

【課題】第２半導体材料と絶縁材料とを含む基板上に、第１半導体材料を選択的に堆積する方法の提供。
【解決手段】第１半導体材料が第２半導体材料上に選択的に堆積され、この方法は、ａ）炭素および／またはハロゲン含有ガスから形成されたプラズマを用いて基板を前処理する工程と、ｂ）化学気相堆積により、基板上に第１半導体材料を堆積する工程とを含む。
【効果】特に、半導体デバイス機構の製造のための改良された方法に関する。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】良好なシリコン表面パッシベーション品質する表面パッシベーション方法を提供する。
【解決手段】シリコン表面をパッシベーションする方法であって、この方法は、（ａ）シリコン表面を洗浄する工程であって、最終工程が親水性のシリコン表面を得る化学的酸化工程である一連の工程に、シリコン表面を晒す工程を含む工程と、（ｂ）進歩的な乾燥技術を用いて、洗浄したシリコン表面を乾燥させる工程と、（ｃ）シリコン表面上に、ＡＬＤＡｌ_２Ｏ_３層のような酸化物層を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜とＣＶＤ法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にＣＶＤ法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第２の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】このＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板１００を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板１００に対して、少なくともＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造１０５を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】成膜効率を低下させることなく、成膜動作の停止状態における加熱室を真空排気するための消費エネルギーを低減したインライン成膜装置を提供する。
【解決手段】基板を導入および又は導出する移載室２，５、導入した基板を加熱する加熱室３、基板上に成膜を生成する成膜処理室４の各処理室を直列に配列し、基板を各処理室に順次移動させて成膜動作を行う成膜装置１であり、移載室、加熱室、および成膜処理室は、各室を個別に真空排気する真空排気機構を備える。加熱室が備える真空排気機構は、成膜装置の成膜動作の実行状態において連続駆動し、成膜動作の停止状態において断続駆動する。成膜動作の停止状態で真空排気機構を断続駆動することによって、真空排気機構を常時駆動する場合と比較して加熱室を真空排気するための消費エネルギーを低減する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバー１と、チャンバー１内に配置され、基材２を保持する基材ホルダー３と、チャンバー１に繋げられ、チャンバー１内にエッチング用の処理ガスを導入するガス導入経路と、チャンバー１内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源４と、を具備し、高周波電源４から供給された高周波出力によりチャンバー１内に前記エッチング用の処理ガスのプラズマを発生させて基材２の表面層を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材、高Ｓｉ含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の穴あけ加工、エンドミル加工において、すぐれた耐剥離性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体表面に５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、ダイヤモンド皮膜は、平均粒径０．５μｍ以上の結晶性ダイヤモンド素地中に、膜厚方向の最大粒径が０．１μｍ以下である微結晶ダイヤモンド粒が集合した微結晶ダイヤモンド領域が、膜厚方向及び幅方向に複数形成され、かつ、該微結晶ダイヤモンド領域は、その領域平均最大幅が２０〜１５０ｎｍであり、膜厚方向の領域平均長さが０．１〜２μｍである。 （もっと読む）

【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウエハなどの基板にＳｉ、ＳｉＧｅなどの半導体膜を選択成長にて成膜する際の、膜形状を平坦化させる。
【解決手段】絶縁体面間に半導体面が露出された第一基板の対向面に絶縁体面が露出された第二基板を配置した状態で反応室内へ搬送する第一工程と、前記反応室内を加熱するとともに前記反応室内へ少なくともシリコン含有ガスと該シリコン含有ガスとは異なる塩素含有ガスとを供給して、少なくとも前記第一基板の半導体面に選択的に平坦な表面を有するシリコン含有膜を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】別途加熱手段を設けることなく、真空室に送り込む原料ガスを加熱するとともに、基板を適切に加熱することで、安定して基板上に膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを内部に配置するとともに所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させる熱ＣＶＤ装置であって、基板Ｋの上方で且つ加熱室１３内に配置されて基板Ｋを加熱する加熱装置２１と、この加熱装置２１の上方に配置されて加熱装置２１により加熱される渦巻状の被加熱部３３を有するとともに基板Ｋの下方から原料ガスＧを供給するガス供給管３１とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させる薄膜太陽電池製造システムおよび薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括処理する第１成膜装置２２，２３と、複数の基板を一括処理する第２成膜装置７９，８０と、第１成膜装置２２，２３および第２成膜装置７９，８０に、複数の基板を収容して搬送可能であるカセットとを備えている。カセットの基板収容枚数は、第１成膜装置２２，２３の基板処理枚数と第２成膜装置７９，８０の基板処理枚数との公倍数である。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン１３のアッシング工程において、基板１１を保護膜１４の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜１４の成膜処理を実施する。これにより、保護膜１４の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜１４の成膜のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）