【課題】従来の連続媒体から区別したパターニングされた媒体を識別するパターン転写ステップを統合した複数の基板の処理装置などの技術を提供すること。
【解決手段】ハードディスクドライブに用いるためのハードディスク上に磁気記録層をパターニングするためのインライン処理システム。ディスクは、ＭＤＣと呼ばれるラウンドプレート形状ホルダ（ｐｌａｔｅ−ｌｉｋｅ ｈｏｌｄｅｒ）の垂直方向に同時に両側に処理される。複数（１０個程）のディスクは、ＭＤＣのダイヤルキャリアでホールディングされ、１つの処理ステーションから他の処理ステーションに移動する。ＭＤＣのダイヤルキャリアは、１つまたは複数の処理源がディスクを同時に処理できるように各処理ステーションで、正常から７０°までの回転及び／または角度を提供する。このような構成は、時間節約及び要求される処理源の数と大きさの減少を提供する。磁気媒体のパターニングのためのマスク改善処理、及び充填と平坦化処理は共に用いられ、また開示される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＰターゲットの利用効率を高めるため、厚くても漏れ磁束が大きいＣＣＰターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と一次焼結体粉末とを混合後、焼結させる二次焼結工程と、を経て製造され、二次混合粉末の焼結体からなる組織中に、一次焼結体粉末の焼結体からなる組織が分散している。 （もっと読む）

【課題】 強磁性層における磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】 垂直磁気記録に用いる磁気ディスク１０であって、基体１２と、下地層１８と、グラニュラー構造の微細化促進層２０（非磁性グラニュラー層）と、グラニュラー構造の強磁性層３２を有する磁気記録層２２とを備え、微細化促進層２０は、無機酸化物のマトリックスと、非磁性の金属結晶粒子とを有し、強磁性層３２は、無機酸化物のマトリックスと、金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子とを有する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで短時間に作製可能であり、高［１００］垂直配向、高Ｌ１_０規則度、低キュリー温度、及び高結晶磁気異方性を有する、Ｌ１_０ＦｅＰｔ薄膜を備えた磁気記録媒体を製造できる方法、並びに、該方法によって得られるＬ１_０ＦｅＰｔ薄膜を備えた磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【解決手段】ＦｅＰｔ合金とＣｕ酸化物とを含む薄膜を形成する薄膜形成工程、及び該薄膜を加熱する加熱工程を経て、Ｌ１_０規則構造を有したＦｅＰｔ合金とＣｕ酸化物とを含有した磁気記録層を形成する磁気記録媒体の作製方法、および該製造方法で得られる磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクドライブ磁気媒体用の部分酸化キャップ層を提供する。
【解決手段】部分酸化キャップ層を有する垂直磁気記録媒体は、第２酸化物層を第１キャップ層と結合して単一の部分酸化キャップを形成する。部分酸化層の酸化部分および非酸化部分は、同じターゲットからスパッタリングされ、金属元素の組成が同じである。酸化部分のＭｓは非酸化部分の約２倍である。酸化部分は、厚さが約５〜２５Åの範囲である。層組成はＣｏＰｔＣｒＢＴａを含むことができ、Ｃｒのａｔ％は約１８〜２４％、Ｐｔは約１３〜２０％、Ｂは約４〜１０％、Ｔａが約０〜２％である。 （もっと読む）

【課題】線記録密度／トラック密度の比率（ＢＡＲ）を１より十分大きいビットパターン媒体を提供する。また、転送レートを面記録密度に応じて高めることができる磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気ディスク媒体１０は、非磁性基板１２と、軟磁性裏打ち層（軟磁性層）１４と、磁気記録層１６を有する。磁気記録層１６には、軟磁性層１４に達する深さの環状の凹部（溝）１８が設けられ、これにより、複数の環状の記録トラック２０が形成されている。記録トラック２０には、周方向に所定の周期で、くびれ部（狭窄部）２２が形成されている。狭窄部２２は、記録トラック２０の端部２４が、中心部へ向かって窪んだ形状であり、狭窄部２２が形成される周期は、狭窄部２２と狭窄部２２の間がビット長に相当する周期である。 （もっと読む）

【課題】薄膜化してもコロージョン耐性、機械的耐久性、潤滑層との密着性、ヘッドの浮上安定性に優れた保護層を備えた磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と炭素系保護層と潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体の製造方法であって、前記炭素系保護層は、前記磁性層側に形成される下層と、前記潤滑層側に形成される上層とを備え、炭化水素系ガスを用いて化学気相成長（ＣＶＤ）法で前記下層を形成し、次いで、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いて前記上層を形成した後、該上層の表面を窒素化する処理を施す。 （もっと読む）

本発明は、強磁性体からなる上層（２）の磁化の方向を変更させる方法を提供するものであり、ａ）上層（２）は、上層（２）と磁気結合していない下層（３）の上に配置され、下層（３）は、下層（３）の物質の温度がしきい値より高いか低いかにより、上層（２）の磁化方向の変更に適した放射磁界を発生させるか、または発生させないことに適している物質から成り、下層（３）の物質による放射磁界は、上層（２）の強磁性物質の保磁場より強力であり、本方法は、ｂ）下層（３）の温度を、上層（２）と下層（３）の磁化方向が安定した相互配置であり下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない一番目の値から、下層（３）の物質が、不可逆な方法において、上層（２）の磁化方向を変化させるのに適した放射磁界を生じさせる二番目の値へ進むステップ、及びｃ）下層（３）の温度を、二番目の値から、下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない三番目の値へ進むステップ、からなり、温度の変更ステップであるｂ）とｃ）は外部からの磁場を加えることなしに実施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリングにおいて利用される磁界が磁気記録媒体の成膜において及ぼす影響を鑑みて、さらに保磁力Ｈｃまたは逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、回転マグネット３６を回転させてマグネトロンスパッタリングを行うことにより、ディスク基体１１０上に複数の磁性層を成膜する磁気記録媒体の製造方法において、複数の磁性層（軟磁性層１１４、磁気記録層１２２、補助記録層１２６）のうちの少なくとも１つの層を被処理層としたとき、被処理層を成膜する際に、回転マグネット３６の回転数を１００ｒｐｍ〜４００ｒｐｍの所定回転数とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】高密度記録を実現する垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１００上に第一中間層１０６、第二中間層１０７、磁気記録層１０８，１０９を備える。第一中間層はＲｕ又はＲｕ合金とする。第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の結晶配向、磁気クラスターサイズを保持しながら、書き込み性能を向上し、記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】基板１１上に密着層１２、軟磁性下地層１３、平坦化層１４、シード層１５、中間層１６、磁気記録層１７、保護層１８が順次形成されてなる垂直磁気記録媒体において、シード層１５は第一シード層１５１と第二シード層１５２の積層構造とし、第一シード層１５１はＮｉＷ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する非磁性合金により構成し、第二シード層１５２はＮｉＦｅ合金若しくはＣｏＦｅ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する軟磁性合金によって構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主要な目的は、簡易な溶解鋳造法により製造する漏洩磁束の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材を提供することである。
【解決手段】本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、中間層を連続するＮ層（但しＮは少なくとも３以上の整数）で構成し、まずＲｕを主成分とする１層目の成膜を行い、次いで、成膜時のガス圧を１層目より高く又は同一に設定して、Ｒｕもしくは酸素又は酸化物を含有させたＲｕを主成分とする２層目の成膜を行い、２層目以降は上層へいくほど酸素含有量が同一又は増加するように調整する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、ハート形の曲線Ｌを描くようにする。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し、表面が充分に平坦で記録再生精度が良好な磁気記録媒体を効率的に製造する。
【解決手段】開示の磁気記録媒体の製造方法は、基材の上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜する工程と、成膜された前記材料を酸化又は窒化して、酸化材料又は窒化材料で前記空間を充填する工程と、前記記録層上の余剰の前記酸化材料又は前記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させる。
【解決手段】解決手段の第１態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、酸化物相１４と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６と該酸化物相１４とが互いに分散しており、該磁性相１２はＣｏおよびＣｒを主成分として含み、該磁性相１２におけるＣｏの含有割合は、７６ａｔ％以上８０ａｔ％以下である。解決手段の第２態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６とが互いに分散しており、該非磁性相１６はＰｔを主成分として含むＰｔ−Ｃｏ合金相であり、該Ｐｔ−Ｃｏ合金相におけるＣｏの含有割合は、０ａｔ％より大きく１３ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部１３４とを有する磁気記録層１２２を備えた磁気記録媒体１００において、磁気記録層は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の垂直磁気異方性定数Ｋｕを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フロート法で製造された板状ガラスから研磨取代を小さくして、平坦度の高い磁気ディスク用ガラス基板を得ること。
【解決手段】本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、フロート法で作製された板状ガラスを用いてなり、一対の主面を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記一対の主面うち、フロート法で板状ガラスを作製する際に形成されるＳｎ層をエッチングにより除去してなる一方の主面を磁気記録に使用しない面とし、他方の面を磁気記録に使用する面とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行う。 （もっと読む）