【課題】導体回路層のピール強度が高いプリント配線板を得る。
【解決手段】表面が樹脂組成物からなる基板１の当該表面上に、無電解めっきにより無電解めっき層２を形成する工程と、無電解めっき層２上に、開口を有するレジストマスク３を形成する工程と、開口内に、電解めっきにより電解めっき層４を形成する工程と、レジストマスク３を除去する工程と、無電解めっき層２のうち、平面視で電解めっき層４と重ならない部分をエッチングにより選択的に除去する工程と、を備え、無電解めっき層２を形成する工程の後であって電解めっき層４を形成する工程の前において基板１を加熱する第１の加熱工程、及び／又は電解めっき層４を形成する工程の後において基板１を加熱する第２の加熱工程を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理を行わずに、樹脂の表面に安価で効率良くメッキ膜を形成することが可能な無電解メッキ法を提供する。
【解決手段】樹脂製の基板２の表面に以下の一般式（１）で表わされるシロキサンポリマーを塗布することによりポリマー膜１を形成し、このポリマー膜１に無電解メッキ処理によりメッキ膜３を形成する。
【化１】


（Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ水素数と炭素数の合計が８以下の独立の炭化水素基であり、ｍ，ｎは重合度である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、高温環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を備えた積層体を簡便に形成しうる、積層体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、下地層形成用組成物を接触させて、シランカップリング剤含有下地層を形成する下地層形成工程と、シランカップリング剤含有下地層上に、重合性基、および、ポリマー層形成用組成物を接触させた後、エネルギーを付与して、ポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、ポリマー層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行い、ポリマー層上に金属膜を形成するめっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法であって、下地層形成用組成物および／またはポリマー層形成用組成物に、Ｐ＝Ｏ基含有重合性化合物が含まれる、金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 回路となる部分にのみ密着性の強い無電解めっき層を選択的に形成し、他の非回路となる部分を粗化しない。
【解決手段】 波長が４０５〜１０６４ｎｍのレーザービーム２を、合成樹脂の基体１の回路となる部分１１に選択的に照射し、パラジウムのイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。次いで回路となる部分１１に無電解めっき層３を成形する。回路となる部分１１は表面改質されると共に粗化されているためイオン触媒が強固に定着し、無電解めっき層３が強く密着する。レーザービーム２を照射されない非回路となる部分１２にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層３が成形されない。 （もっと読む）

【課題】インプリント法による回路基板の配線パターンやビアの形成に際し、電解めっき銅を溝や孔に埋め込み、余剰めっき銅をＣＭＰなどの研磨によって除去する方法は、基板のひずみやうねりにより、均一な高精度研磨が困難で、微細・高精度パターン形成が困難となっている。
【解決手段】樹脂層表面にイプリント法によって形成した溝と、その樹脂層表面とに無電解めっき用触媒金属膜であるパラジウム膜を形成し、樹脂層表面のパラジウム膜のみを研磨などで除去し、溝内のパラジウム膜によって、溝中に無電解めっき銅を埋め込んで配線とする。また、樹脂層表面のみのパラジウム膜を除去する際、パラジウム膜形成後の基板全面に樹脂保護層を形成し、その樹脂保護層と樹脂層表面のパラジウム膜を同時に研磨・除去し、次いで溝中の樹脂保護層を溶解して除く。 （もっと読む）

【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層１２ａを基板１０上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層１２ａにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、ｐＨが６．５以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高分子錯体層を用いて基体表面に無電解めっきにより金属パターンを容易に形成することのできる金属パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体デバイス、電子部品評価用テスタ、プローブカード、ＩＣカード、光デバイス等に用いられる基板表面（基体１の表面）に金属微細配線等の金属パターン７を形成するにあたって、まず、高分子層形成工程では、触媒金属イオンと錯体を形成可能な高分子層３を基体１の表面上のめっき予定領域に選択的に形成する。次に、高分子錯体層形成工程では、触媒金属イオンを含む処理液を高分子層３に接触させてめっき予定領域に触媒金属イオンと高分子層３との高分子錯体層４を形成する。次に、無電解めっき工程では、無電解めっき液を高分子錯体層４に接触させて高分子錯体層４上に無電解めっき層５（金属層）を無電解めっきにより形成し、金属パターン７を構成する。 （もっと読む）

【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Ｐｄめっき液と無電解Ａｕめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がＣｕ、Ｎｉ−Ｐからなる導体上にＰｄあるいはＡｕの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりＰｔとＲｕを０．０５ｍｇ／ｄｍ^２以下の付与量で形成する工程と、前記ＰｔとＲｕからなる触媒層を付与した導体上にＰｄあるいはＡｕの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、ｐＨが５以下で、炭素の数が３以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、めっき析出性に優れると共に、金属膜の欠損の発生が抑制された導電膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基および架橋性基を有するポリマーと、架橋性基と反応する反応性基を少なくとも２つ有する架橋剤との架橋反応により得られるポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、ポリマー層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程とを備える、導電膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】インクジェット記録装置上における放置回復性に優れ、かつエッチング耐性が高く、得られるパターン形状の精度を向上することができる金属膜材料の製造方法、及びこれを用いた金属膜材料を提供すること。
【解決手段】インクジェット法によるインク付与工程と、インク組成物に露光、又は加熱の少なくともいずれかを行い、硬化膜を形成する硬化膜形成工程と、硬化膜にめっき触媒、又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒、又はその前駆体にめっきを行うめっき処理工程とを含み、インク組成物は、シアノ基、アルキルオキシ基、アミノ基、ピリジン残基、ピロリドン残基、イミダゾール残基、アルキルスルファニル基、又は環状エーテル残基、を有する第1のモノマーと、多官能性を有する第２のモノマーと、重合開始剤とを含み、前記インク組成物中におけるモノマーの合計含有量が８５質量％以上である金属膜材料の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を高歩留まりで製造することができる、生産性に優れた多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）金属配線を備える配線基板の表面に絶縁層を形成する工程と、（Ｂ）ビアホールを形成する工程と、（Ｃ）デスミア処理を行う工程と、（Ｄ）仮支持体と、仮支持体上にめっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基、及び、重合性基を含有するポリマーを含む樹脂層とを備える樹脂層形成用積層フィルムを、絶縁層上に、樹脂層とデスミア処理が施された絶縁層とが接するようにラミネートし、積層体を得る工程と、（Ｅ）前記積層体から前記仮支持体を剥離する工程と、（Ｆ）ビアホールの壁面および樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与し、めっきを行う工程と、を備える多層配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の第一の目的は、水溶液による現像が可能で、優れた現像性を示し、かつ、高温高湿環境下に曝されてもその表面上に形成されるめっき膜（金属膜）と高密着性を示す被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供することにある。
【解決手段】式（Ａ）で表されるユニット、および、式（Ｂ）で表されるユニットを少なくとも有するポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】層間接続用のバイアホールの構造を部品実装用のランドパターンに適用してもバイアホールの実装面の平坦性を確保して部品実装の信頼性及び実装密度を高める。
【解決手段】プリント配線基板は、絶縁基材１の一方の面側の第１導電層２ａに部品実装用のランドパターン１０が形成され、ランドパターン１０には、その内側に外形円と同心の開口領域５０が形成され、この開口領域５０は、環状の溝（除去部）２０とその内側の残存部４を含む。環状の溝２０は、第１導電層２ａ及び絶縁基材１を環状に除去することにより形成されている。開口領域５０では、溝２０の底部において露出した第２導電層２ｂと第１導電層２ａとが、第１導電層２ａの表面、第２導電層２ｂの露出した表面、及び溝２０の内壁面に形成されためっき層３により層間接続される。 （もっと読む）

【課題】高周波回路用の疎水性基板であるＰＴＦＥ基板表面に、均質かつ緻密な銅メッキ被膜を容易に形成させること。
【解決手段】本発明のメッキ方法では、ＰＴＦＥ基板をヘリウムガス存在下でプラズマ処理する工程（１）と、前記基板をアミノシランカップリング剤と反応させ、前記基板の表面に自己集積化単分子膜（ＳＡＭ）を形成する工程（２）と、ＳＡＭを形成した前記基板を、パラジウム塩を含有する水溶液である無電解メッキ用触媒液で活性化処理する工程（３）と、前記基板に固定化されたパラジウムイオンを金属パラジウムに還元する工程（４）と、前記基板を無電解銅メッキ液で処理することにより、前記基板上に無電解銅メッキ被膜を形成する工程（５）と、前記基板を電解銅メッキ液で処理することにより、前記無電解銅メッキ被膜の上に電解銅メッキ被膜をさらに形成する工程（６）と、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂層表面の凹凸形状が小さい状態でも、配線導体に対して容易に高い接着力を発現し得る絶縁樹脂、配線板及び配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）紫外線活性型エステル基含有化合物、（Ｃ）イソシアネートシラン、及び（Ｄ）エポキシ樹脂硬化促進剤を含む樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】プライマー樹脂に残存する防錆物質を除去することにより、未メッキ現象の発生を防止して均一なメッキ層を形成することができ、プライマー樹脂に形成された粗さが、防錆物質の除去過程で損傷されることなく、メッキ層とプライマー樹脂との接着力を高めることができるメッキ層の形成方法及びこれを用いた回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるメッキ層の形成方法は、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するためにプライマー樹脂層を還元処理するステップと、粗さが形成されたプライマー樹脂層にメッキを施すステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば幅および間隔が２０μｍ以下の微細な半導体素子接続パッドを含む配線を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドを外部電気回路基板に接続したときに大きな応力が加わったとしても外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１の一方の主面に半導体素子接続パッド５を含む第１の配線導体３がセミアディティブ法により被着形成されているとともに絶縁基板１の他方の主面に外部接続パッド６を含む第２の配線導体３がセミアディティブ法により被着形成されて成る配線基板であって、第１の配線導体３は一方の主面の絶縁層２上に被着された無電解めっき層３ａおよびその上の電解めっき層３ｂから成り、第２の配線導体３は、他方の主面の絶縁層２上に直接被着された金属箔３ｃおよびその無電解めっき層３ａおよびその上の電解めっき層３ｂから成る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板の製造方法及びその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板３の製造方法は、樹脂部７ａ及び該樹脂部７ａに被覆された繊維７ｂを含む基体７に、ダイヤモンドライクカーボンで被覆されたドリルを用いて複数のスルーホールＴを形成する工程と、スルーホールＴのドリルによって形成された内壁に貴金属化合物及び有機珪素化合物を吸着させる工程と、前記貴金属化合物を触媒として無電解めっき処理を行うことによって、スルーホールＴの内壁に無電解めっき膜９ｘを被着させる工程と、無電解めっき膜９ｘを下地として電気めっき処理を行うことによって、スルーホールＴの内壁面にスルーホール導体９を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基材と銅めっき層の常態での初期密着力、及び耐熱エージング試験（大気中、１５０℃、１６８時間）での密着力が０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上となるフレキシブル基板用銅張り積層体に用いる無電解めっき前処理液、及び該無電解めっき前処理液を用いて作製されたフレキシブル基板用銅張り積層体を提供すること
【解決手段】フレキシブル基板用銅張り積層体の基材に用いる無電解めっき前処理剤であって、金属捕捉能を有するシランカップリング剤と、熱硬化性樹脂とを含み、該積層体の耐熱エージング試験（大気中、１５０℃、１６８時間）後の密着力（ピール強度）が０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上となることを特徴とする無電解めっき前処理剤。 （もっと読む）

【解決手段】パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア及びアミン化合物から選ばれる少なくとも１種と、還元剤として次亜リン酸及び次亜リン酸塩から選ばれる少なくとも１種と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸塩及び不飽和カルボン酸誘導体から選ばれる不飽和カルボン酸化合物を少なくとも１種とを含有する無電解パラジウムめっき浴。
【効果】本発明の無電解パラジウムめっき浴は、浴安定性が高く、浴の分解が起こりにくく、従来の無電解パラジウムめっき浴に比べて浴寿命が長い。しかも、長時間使用してもめっき皮膜特性への影響もなく、優れたはんだ接合特性及びワイヤボンディング特性を得ることができる。 （もっと読む）