【課題】半導体チップと電気的に接続される電極パッドのピッチの、所望のピッチからのずれを小さくすることができる配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と同等の熱膨張率を有する支持基板１１の上面に金属層１４を形成する工程、及び金属層１４上に剥離層１５を形成する工程と、剥離層１５上に第１絶縁層１６を形成する工程と、第１配線層１６を形成する位置に対応する位置の金属層１４が露出するように、剥離層１５及び第１絶縁層１６を貫通する貫通穴１６ｘを形成する工程と、金属層１４をシード層として、貫通穴１６ｘ内に露出した金属層１４上に第１配線層１７を形成する工程と、第１配線層１７及び第１絶縁層１６上に更に配線層２０，２３，２６及び絶縁層２１，２４を積層する工程と、剥離層１５に所定の処理を施すことにより、支持基板１１を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】嵌合穴の形成に適した樹脂充填部の形成が可能な部品支持基板を提供すること。
【解決手段】本発明の部品支持基板は、基板１１、樹脂充填部２２及び部品支持体２４を備える。基板１１は、少なくとも第１主面１２にて開口する充填用孔２１を有する。樹脂充填部２２は、充填用孔２１内に配置され、基板１１よりも硬度が低い材料によって形成され、第１主面１２側にて開口する嵌合穴２３を有する。部品支持体２４は、嵌合穴２３に嵌合されることで固定され、嵌合穴２３から突出した箇所に他部品を支持可能である。なお、樹脂充填部２２の第１主面１２側の端面は、第１主面１２よりも第２主面１３側に位置している。 （もっと読む）

【課題】より少ない工程でかつ安価に形成することができ、しかも貫通孔の深さ方向にわたり均一な厚みの金属膜を形成することができ、電気的接続の信頼性に優れたスルーホール電極の形成方法を提供することにある。
【解決手段】金属板２上に基板６が積層されている積層体１を用意し、積層体１の基板６側からレーザー光Ａを照射し、貫通孔４ａ，５ａを基板６に形成し、さらに貫通孔下部の金属板２にレーザー光を照射し続け、金属と金属を段階的にを飛散させ、貫通孔４ａ，５ａの内周面に金属膜からなるスルーホール電極を形成する、スルーホール電極の形成方法。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内周面への凹み発生を低減できるグリーンシート積層体および絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックグリーンシート１の配線基板領域１ａとそれぞれの配線基板領域周囲のダミー領域１ｂとに跨るように配置された貫通孔２を成形する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層加圧して積層体５を作製する工程を有し、貫通孔は間隔をあけて配置された２つの孔がダミー領域側から配線基板領域側へ、配線基板領域とダミー領域との境界線１ｃの延長線１ｄを跨いで延びると共に配線基板領域でつながった形状であるグリーンシート積層体の製造方法である。複数のセラミックグリーンシートを積層加圧した際に上下に配置される平板状の金属体または弾性体が、２つの孔の間の積層体によって支持されて平板状の金属体または弾性体が貫通孔内に入り込むことを抑制でき、貫通孔の開口縁に傾斜を低減できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の駆動により生じる熱について精度よく検出することのできる多層回路基板を提供する。
【解決手段】パワー基板４の基板本体１０は、積層された複数の絶縁層１１，１２，１３の間に導電層２１，２２が配置された構成を有している。基板本体１０の上面１０ａにベアチップ実装された半導体チップ１５は、スイッチング素子２８と、上温度センサ２９と、を含んでいる。ＣＰＵ７は、上温度センサ２９の検出温度Ｔ１、およびスイッチング素子２８の発熱量Ｑ１を用いて疑似熱抵抗ＴＲ１を演算する。ＣＰＵ７は、疑似熱抵抗ＴＲ１が大きいとき、パワー基板４に異常が生じていると判定する。 （もっと読む）

【課題】通常の回路基板担持体またはマルチレイヤー型回路基板担持体の上に被着されている金属または金属合金部に一体に形成することもでき、電子回路を被着させた回路基板担持材を含めて該電子回路が曝される２００℃以上の高い動作温度でも安定に耐えることができる保護要素を提供する。
【解決手段】保護部（１２）を上に形成可能な回路基板担持材（１１）は、少なくとも高熱に対して安定で電気絶縁性のある材料から成り、該材料の熱膨張係数は、少なくとも、前記保護部（１２）が形成されている金属または金属合金部（１５）の熱膨張係数に実質的に対応して推移する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック基板及びその製造方法並びにイメージセンサーパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック基板は、上部面に第１溝が形成され、第１溝に第２溝が形成され、第２溝に貫通孔が形成されたセラミックボディーと、第１溝に形成された第１電極パッドと、セラミックボディーの上部面、下部面及びこれら両面のうちのいずれかに形成され、第１電極パッドに電気的に接続された第２電極パッドと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可溶性のフッ素系樹脂を含む絶縁樹脂組成物及びこれを用いて製造された印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明は可溶性のフッ素系樹脂；熱硬化性樹脂；及び前記可溶性のフッ素系樹脂と前記熱硬化性樹脂を同時に溶解させることができる溶媒；を含む絶縁樹脂組成物及びこれを用いて製造された印刷回路基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良く短絡故障のおそれがない多層回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱板３に塗布した第１の樹脂４０〔図２（ａ）参照〕を熱硬化させ、放熱板３に接合された第１の接着層４を形成する〔図２（ｂ）参照〕。第１の接着層４に第２の樹脂５０を塗布し〔図２（ｃ）参照〕、その第２の樹脂５０の上に、予め形成されたサブアセンブリとしての基板本体２を載せる〔図２（ｄ）参照〕。基板本体２および放熱板３を上下から加圧しつつ加熱する。第２の樹脂５０を熱硬化させて、第２の接着層５を形成するとともに、多層回路基板１を形成する〔図２（ｅ）参照〕。 （もっと読む）

【課題】熱カシメしたボスの頭部にバリが形成され難い回路基板およびその組付け方法を実現する。
【解決手段】回路基板１には複数のボス挿通孔２が貫通形成されており、基板面１ａにおける各ボス挿通孔２の周囲であってヒータチップ２０の凹部２１の周縁２３が当接する領域３には銅により伝熱部６が形成されている。ボス挿通孔２に挿通されたボス１０の頭部１１にヒータチップ２０の凹部２１を被せ、頭部１１を加熱溶融する際に、凹部２１の周縁２３が伝熱部６に当接するため、凹部２１及び周縁２３の熱が伝熱部６に伝熱する。これにより、凹部２１の温度が速やかに低下するため、凹部２１の内部で溶融した熱可塑性樹脂中に気泡が発生し難いため、凹部２１内の圧力上昇が抑制される。また、凹部２１内から浸出しようとしている溶融した熱可塑性樹脂の粘度が低下する。したがって、溶融した熱可塑性樹脂が浸出し難くなり、バリが形成され難い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄型化された半導体素子であって、強度がより有効に補強され、ピックアップ時におけるクラックの発生が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、回路面を有する半導体基板を含む半導体素子であって、前記半導体基板は薄化され、少なくとも前記半導体基板の回路面と反対の面側に硬化した熱硬化性樹脂層が設けられていることを特徴とする半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】 大電流を流すことができ、かつ、電源ノイズを低減することが可能な多層配線基板を提供する。
【解決手段】 多層配線基板１は、電源回路と三端子コンデンサ５０の入力端子５０ａとを接続する第１電源パターン１１、及び三端子コンデンサ５０の出力端子５０ｂとＩＣ６０の電源端子６０ａとを接続する第２電源パターン１２を含む第１配線層１０と、第１電源パターン１１と第１ビア４０により接続され、該第１ビア４０と三端子コンデンサ５１の入力端子５１ａとを接続する第３電源パターン２１、及び三端子コンデンサ５１の出力端子５１ｂと第２ビア４６の他端とを接続する第４電源パターン２２を含む第２配線層２０と、グランド層３０と、三端子コンデンサ５０のグランド端子５０ｃ，５０ｄとグランド層３０とを接続する第４ビア４１，４２と、三端子コンデンサ５１のグランド端子５１ｃ，５１ｄとグランド層３０とを接続する第５ビア４３，４４とを備える。 （もっと読む）

【課題】不要放射ノイズを十分に低減することができる多層配線基板を得る。
【解決手段】第１の信号電極層４０、グランド電極層３０、電源電極層２０及び第２の信号電極層１０をこの順で積み上げて積層体を構成した多層配線基板。多層配線基板の上面にはＩＣ６０が実装され、裏面には３端子コンデンサ４６が実装される。第１の信号電極層４０は、入力側実装用ランド４２、該入力側実装用ランド４２に接続した入力側電源供給パターン４１、出力側実装用ランド４３、該出力側実装用ランド４３に接続した出力側電源供給パターン４４及びグランド側実装用ランド４５が設けられている。電源電極層２０には電源電極２１が設けられている。第２の信号電極層１０にはＩＣ実装用ランド１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電子部品と多層配線基板との接合強度を劣化させずに少ない配線層数で、信号配線、電源配線を引き出せる多層配線基板を有する電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、多層配線基板１１０と、多層配線基板１１０上に設けられた電子部品１００とを備えている。電子機器に面した多層配線基板１１０の１層目配線層には、信号端子に接続された第１の信号パッドと、電源端子に接続された第１の電源パッドとを含み、２次元状に配置された導電性パッドと、第１の信号配線と、第１の信号配線よりも太い第１の電源配線とが形成されている。２層目配線層には、第２の信号パッドと、第２の電源パッドと、第２の信号配線と、第２の信号配線よりも太い第２の電源配線とが形成されている （もっと読む）

【課題】小型で放熱性に優れた多層回路基板を提供する。
【解決手段】多層回路基板としてのパワー基板４９は、交互に積層された複数の導体層６１〜６４と複数の絶縁層７１〜７４とを含む。表面層としての第１の導体層６１の下層に、ヒートシンク５６によって支持された下部層５７を設ける。下部層５７の第２の導体層６２に、配線パターンとしての抵抗パターン５５０を形成する。抵抗パターン５５０の複数の部分５５１〜５５５が、放熱用のビアホール８１〜８５を介して、下部層４７の最下層の導体層である第４の導体層６４の導電パターン６４１〜６４５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 表面配線を小さくしても表面配線と表面ビア導体とを確実に接続することができ、浮遊容量を小さくすることで、より高速な素子の検査や、高速の検査ができる高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミックスから成る複数の絶縁層１ａが積層された絶縁基体１と、絶縁基体１の下面に形成された外部電極２と、外部電極２に接続されて絶縁基体１の上面に導出された、ビア導体を含む内部配線３とを有し、内部配線３のうち最上層の絶縁層１ａを貫通して上端面が絶縁基体１の上面に露出した表面ビア導体３ａが上面視で配線基板４の中心からの放射線の方向に沿った形状である配線基板である。表面ビア導体３ａが位置ずれしても位置ずれ方向と反対方向に延在する部分が存在するので、表面配線５の大きさを小さくしても表面ビア導体３ａと確実に接続でき、表面配線５の浮遊容量を低下させることができる配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】配線基板における樹脂材との密着性を向上することができる配線基板内蔵用コンデンサを提供すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ本体１０４における側面１０６ａ〜１０６ｄには、セラミック誘電体層１０５を構成するセラミックが露出するとともに、コンデンサ本体１０４の厚さ方向に延びる凹部１０７が複数形成されている。コンデンサ本体１０４の側面１０６ａにおける複数の凹部１０７は、厚さ方向に沿った長さがコンデンサ本体１０４の厚さよりも小さく、側面側から見たときの基端部１０７ａの幅が先端部１０７ｂの幅よりも大きい。凹部１０７の先端部１０７ｂは、側面側から見て丸みを帯びた形状を有している。 （もっと読む）

【課題】
Ｘ線による基準マーク３の透過画像をもとに，ガイド穴６の穴あけ加工及びスルーホール５等の穴あけ加工を行う多層プリント配線板で，最小限の追加作業工数で高コントラストなＸ線透過画像を得ること。
【解決手段】
Ｘ線で照射する基準マーク３を覆っている最外銅箔層１や絶縁層４を部分的に除去することで，基準マーク３周辺に照射するＸ線を低透過量にすることができる。これにより，高コントラストな基準マーク３の透過画像を得ることができ，高精度なガイド穴６の穴あけ加工及びスルーホール５等の穴あけ加工を行うことができる。また，この最外銅箔層１や絶縁層４の部分的除去には，スルーホール５穴あけ装置用のガイド穴６の穴あけ加工に使用する，Ｘ線照射手段及びＸ線カメラを採用しているガイド穴６穴あけ装置のドリル又はエンドミル７を用いるため，別途設備を準備する必要が無く，最小限の追加作業工数で加工することができる。 （もっと読む）

【課題】 実装する複数のＩＣチップ間を短い配線長で接続できるプリント配線板を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ９０１の信号用パッド９０１ｂ、メモリ９０２の信号用パッド９０２ｂを一辺側に配置し、それら信号パッドを配置した辺側を対向させた状態でビルドアップ多層配線板１１に実装させ、耐熱基板８０の信号線８３を介してＣＰＵの信号用パッド９０１ｂとメモリの信号用パッド９０２ｂとを接続する。耐熱基板８０の短い信号線４３によりＣＰＵ−メモリ間を接続することで、ＣＰＵ−メモリ間で大容量、高速伝送を可能にできる。 （もっと読む）

【課題】 配線抵抗が低く、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられたプローブピンとＳｉウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、電気特性の検査に好適に使用できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体の前記セラミック絶縁層の層間に、導体層として、銅、タングステンおよびモリブデンから選ばれる少なくとも１種の導体材料を主成分とするシグナル配線層とグランド配線層とを具備するプローブカード用セラミック配線基板において、前記セラミック絶縁層がムライト質焼結体からなり、前記セラミック絶縁層のうち、前記グランド配線層と接する前記セラミック絶縁層には、当該セラミック絶縁層の表面にアスペクト比が４以上の針状のアルミナ結晶を有する。 （もっと読む）