【課題】大型化する粘着テープの原反ロールの装置への搬入、あるいは不要となった残渣テープやキャリアテープの装置からの搬出を容易にする
【解決手段】供給ボビン１８の軸心を通る鉛直線上に回収ボビン４３を配備し、テープ収容室２４の前側両端に一対の連結機構２４を備える。台枠先端に連結部を有する粘着テープ搬送台車を装置本体の連結機構２５と連結し、粘着テープの原反ロール１９を供給ボビン１８に搬入するとともに、同じ位置で切断後の残渣テープＴ’のロールを回収ボビン４３から搬出する。 （もっと読む）

【課題】例え半導体ウェーハが直径４５０ｍｍ以上のサイズの場合でも保持フレームから保持層が剥がれるのを防ぎ、保持フレームの大型化や重量増大、周辺装置の重厚長大化を抑制できる半導体ウェーハの保持治具を提供する。
【解決手段】φ４５０ｍｍの半導体ウェーハＷを包囲する保持フレーム１の中空部２を自己粘着性の保持層１０により被覆し、保持層１０の表面に半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持させる保持治具で、保持フレーム１の裏面周方向に被嵌入溝１１を凹み形成し、被嵌入溝１１に弾性の線条体２０を着脱自在に密嵌し、被嵌入溝１１と線条体２０とに、保持層１０の周縁部を挟持させる。被嵌入溝１１と線条体２０に保持層１０の周縁部を挟持させるので、例え保持フレーム１裏面の貼着領域４の面積が不十分でも、保持層１０の剥がれ落ちることがない。 （もっと読む）

【課題】搬送アームに基板を静電吸着して搬送する場合において、真空中に電源やケーブルを導入する必要がなく、搬送モジュールにウェハを受け渡す際の基板の位置を高精度で制御することができ、更に、搬送モジュールで処理モジュールに搬送した後の基板の位置を高精度で制御することができる静電吸着部材を提供する。
【解決手段】静電吸着部材６０は、基板Ｗを大気中と真空中との間で受け渡すロードロックモジュールと、基板Ｗを真空中で処理する処理モジュールとの間で、基板Ｗを搬送する搬送モジュールのピック３１ｂに着脱可能に取り付けられ、ピック３１ｂが搬送する基板Ｗに静電吸着する。静電吸着部材６０は、ロードロックモジュールの載置ステージ７０とピック３１ｂとの間、又はピック３１ｂと処理モジュールとの間で、基板Ｗに静電吸着した状態で、基板Ｗと一緒に受け渡される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ生成時に、基板に熱ひずみが生じないようにし得るカーボンナノチューブ生成用基板の保持具を提供する。
【解決手段】基板１表面にカーボンナノチューブを垂直配向でもって生成させる平面視が矩形状にされた基板の保持具２であって、基板を支持し得る中央の平坦部３ａ及び当該平坦部よりも高さが低くされた端縁部３ｂを両側に有する支持部材３と、この支持部材の平坦部を案内し得る案内用空間部４ａを有し且つ当該平坦部に載置された基板１の両端縁部１ａを支持部材の両端縁部３ｂに押圧することにより当該基板を保持し得る矩形状の枠部材４とから構成され、さらに基板並びに支持部材および枠部材を金属製材料にて構成するとともに、これら支持部材及び枠部材の材料として、線膨張係数が上記基板のそれよりも大きいものを用いたものである。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成で極薄ワークに対してもダイシングテープなどの貼付け部材の貼付けを良好に行い得るようにする。
【解決手段】真空雰囲気の形成及び大気開放が可能な気密室に、シート状、フィルム状、テープ状のいずれか一つの貼付け部材１３０と被貼付け部材２００とを、微小間隙を介して対向させた状態で、この気密室を貼付け部材１３０を介して互いに独立した２室Ｃ１，Ｃ２に分離する。前記２室のうちの被貼付け部材２００が配置される第１の室Ｃ２を減圧した状態で、もう一方の第２の室Ｃ１の圧力を、第１室Ｃ２より圧力を高くする。これら２室の圧力差より、貼付け部材１３０を、被貼付け部材２００側に押し付けて貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を加圧加熱して接合する過程において、基板と基板ホルダが固着するおそれがある。
【解決手段】基板を保持したホルダを加熱する加熱工程と、加熱されたホルダを、温度勾配をつけて冷却することにより、基板をホルダから剥離する剥離工程とを備える基板剥離方法が提供される。加熱工程は、一対のホルダで複数の基板を厚み方向に挟んで保持する工程と、一対のホルダ及び複数の基板を加熱する工程と、一対のホルダを加圧することにより複数の基板を貼り合わせる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便に蒸着を行うことができる蒸着用治具及び蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる蒸着用治具は、ウエハ４の非蒸着面を覆うハット２を有する。ハット２には、第１凸部２ａ及び第２凸部２ｂが設けられる。第１凸部２ａは、ウエハ４側におけるハット２の外周部に設けられ、ウエハ４を保持する。第２凸部２ｂは、ウエハ４とは反対側におけるハット２の外周部に設けられる。このように、ハット２の両面に凸部を設けることにより、簡便に蒸着を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】載置台からダイシングフレーム付きウエハを搬送する初期段階で載置台とシートの間で発生する剥離帯電を抑制することができるダイシングフレーム付きウエハの搬送方法を提供する。
【解決手段】本発明のダイシングフレーム付きウエハの搬送方法は、昇降駆動機構を用いて載置台１１を一定の第１の速度で下降させることにより第１の作用体１３を複数の支持体１２に作用させて第１の速度でダイシングフレームＤＦを持ち上げてウエハＷが固定されたシートＦを載置台１１から第１の位置まで離間させる第１の工程と、昇降駆動機構を用いて載置台１１を第１の速度より速い一定の第２の速度で下降させることにより第１の作用体１３を複数の支持体１２に作用させて第２の速度でダイシングフレームＤＦを持ち上げてウエハが固定されたシートＦを載置台から第２の位置まで離間させる第２の工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハとダイシングフレーム付きウエハの双方に使用することができるローダを提供する。
【解決手段】本発明のローダ１０は、複数のウエハＷが収納された第１のカセットＣ１と複数のダイシングフレーム付きウエハＤＦＷが収納された第２のカセットＣ２の双方を載置し得るロードポート１２と、ウエハＷとダイシングフレーム付きウエハＤＦＷの双方を搬送し得るウエハ搬送機構１４と、を備え、それぞれのウエハＷの電気的特性検査を行う検査装置に用いられるローダ１０であって、ロードポート１２は、第１、第２のカセットＣ１、Ｃ２の双方を載置し得る移動体１２Ｂと、第１のカセットＣ１が載置された時にのみ移動体１２Ｂを初期位置からウエハ搬送機構１４とのウエハＷの受け渡し位置へ移動させる移動駆動機構１２Ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】不良デバイスの発生を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持部に搬送された基板に対して第１手順に対応した第１処理を実行する基板処理方法は、保持部に搬送された基板の歪みに関する情報を検出することと、歪みに関する情報に基づいて、基板に対して第１処理と異なる第２処理の要否を判断することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】保護テープを貼付けた状態の半導体ウエハに対してダイシング処理を行った後に、所定サイズに分断されたチップ部品から保護テープを剥離する保護テープ剥離方法およびその装置を提供する。
【解決手段】保護テープＰＴの貼付けられた状態でダイシング処理の施されたマウントフレームＭＦを裏面からチャックテーブル２により吸着保持するとともに、ヒータを埋設した吸着プレート２５を当接させて加熱することにより粘着層を発泡膨張させて接着力を失わせた後、吸着力を維持しつつ吸着プレート２５を上昇させて全てのチップ部品ＣＰから保護テープＰＴを剥離する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程において、表面保護テープを被切断体表面に貼り付け、被切断体と一括して切断することにより、被切断体表面を切削クズ等のダスト等の付着による汚染から保護し、且つ、ダイシング工程後に、個々のチップから表面保護テープを容易に剥離除去する方法を提供する。
【解決手段】被切断体表面にダイシング表面保護テープを貼り付け、これを前記被切断体とともに切断した後、被切断体を傾けた状態で該ダイシング表面保護テープを除去する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】大きな機械的剛性を保持しながら軽量化、低コスト化、作業性の向上を図り、大口径ウェーハ用としても好適に用いられる。
【解決手段】環状立壁に補強部１３、１４を形成した第１外周嵌合部１０と第１内周嵌合部１１からなる第１嵌合部１２を有する第１フレーム体６と、環状立壁に補強部１９、２０を形成した第２外周嵌合部１６と第２内周嵌合部１７からなる第２嵌合部１８を有する第２フレーム体７を備え、第１嵌合部１２内に第２嵌合部１８を嵌合して内部空間部８を有するリング状のフレーム体３を構成する。 （もっと読む）

【課題】薄型化された半導体ウエハを接着部材に貼り付けた状態で、ダイシングした後、半導体ウエハから個別の半導体チップをピックアップする場合、接着部材に半導体チップに対応して１対１にピックアップ用孔を設ける必要があるため、当該接着部材を他の半導体ウエハのピックアップには利用できなかった。
【解決手段】ピックアップ用孔を有しない接着部材に、半導体ウエハを取り付け、半導体ウエハをダイシングにより半導体チップに個片化した後、接着部材に孔を開けて、半導体ウエハと前記接着部材との間に気体を送り込んで、各半導体チップをピックアップする半導体装置の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法により反応炉内において半導体基板に気相状態で膜を形成する場合に、ガスホイール法を用いることなく半導体基板への高品質な膜の形成が可能であって、気相物質を供給した反応炉を開き人手による基板の出し入れを行う必要がないと共に、反応炉に供給される気相物質の供給効率を向上させることができる半導体基板の保持装置及び半導体基板の保持装置の搬送装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２は回転駆動軸１５に対して上下方向において着脱可能に固定されると共に、半導体基板が載置される複数の基板ホルダ１４が配置される開口部１３は、上記サセプタ１２の厚さ方向において貫通して形成され、上記サセプタ１２の下方には上記基板ホルダ１５が上下方向において解除可能に係合して、上記サセプタ１２の回転により基板ホルダ１４が回転しうる係合部１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現することができるウェーハフレームの搬送装置および搬送方法を提供する。
【解決手段】倒立部４は、ウェーハフレームＷをその平面を鉛直方向に沿わせた状態に倒立させる。移動部５は、ウェーハフレームＷをその状態で搬送する。これにより、ウェーハフレームＷの平面を水平方向に沿わせた状態で搬送する場合に比べて、ウェーハフレームＷの搬送経路に要する面積が小さくなるので、結果として、小型化を実現することができる。すなわち、本実施の形態では、ウェーハフレームＷの平面を鉛直方向に沿わせた状態に倒立させて搬送するので、搬送経路は、少なくとも、ウェーハフレームＷの移動距離とウェーハフレームＷの厚さとを乗じた面積だけで済むので、従来よりも搬送経路に要する面積を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】真空吸着機構からの基板の落下を防止する。
【解決手段】基板を保持する保持領域を有する本体と、本体における保持領域の外周に配され、保持領域を下向きにして本体が支持された状態で本体の落下を防止する落下防止部材が係合する係合部とを備える基板ホルダが提供される。また、基板を保持する保持領域および保持領域の外周に配された係合部を有する基板ホルダをその保持領域が下方を向いた状態で保持する上ステージと、上ステージに保持された基板ホルダの係合部に係合して基板ホルダの落下を防止する落下防止位置と、基板ホルダの外方へ退避する退避位置との間で移動可能な落下防止部材とを備えるステージ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの裏面に形成されたパターンに接触することなくこのウェハを搬送することができる搬送装置、及び、この搬送装置を有する検査装置を提供する。
【解決手段】搬送装置１００は、略円板形状のウェハ９１の外周の対向する少なくとも２箇所の外周部を支持する支持部１０ｄ，１０ｅを有するフィーダアーム１０と、このフィーダアーム１０を駆動するアーム駆動部１４と、ウェハ９１の対向する方向と略直交する方向の少なくとも２箇所の外周部を保持可能なウェハ載置部２２，２３、及び、フィーダアーム１０に支持された状態のウェハ９１をウェハ載置部２２，２３に移載する時に、これらが干渉しないように設けられるアーム退避空間２１ａを有するパレット２０と、ウェハ９１をこのパレット２０と共に搬送するチェンジアーム５０と、アーム駆動部１４とチェンジアーム５０とを制御する制御部８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 硬質ウエーハを研削して薄く加工しても割れが生じない硬質ウエーハの研削方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数の光デバイスが形成された硬質ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された硬質ウエーハを研削する研削手段とを備えた研削装置による硬質ウエーハの研削方法であって、粘着テープに半径方向に張力を印加しながら該粘着テープを開口部を有する環状フレームに貼着して該開口部を塞ぐとともに、該粘着テープ上に硬質ウエーハの表面側を貼着しウエーハを該環状フレームで支持するウエーハ支持工程と、該環状フレームに装着された該粘着テープ側を該チャックテーブルの保持面に接触させてウエーハを該チャックテーブルで保持するウエーハ保持工程と、該チャックテーブルに保持されたウエーハの露出した面を研削する研削工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】継続的な応力の作用に伴い、ポリアミド系樹脂製の保持フレームに残留歪みが生じて変形するのを抑制し、保持フレームをリユース等することのできる基板用保持フレームの製造方法を提供する。
【解決手段】中空の保持フレーム１内に半導体ウェーハを収容する基板用保持フレームの製法であり、保持フレーム１を、少なくともポリアミド系樹脂を含む成形材料により成形し、その後、樹脂製の保持フレーム１に電子線を照射するとともに、この電子線の照射量を、保持フレーム１に対する電子線の照射深さ１０ｍｍ当たり１０〜５０ｋＧｙとする。保持フレーム１に電子線を照射してポリアミド系樹脂の架橋密度を調整し、ポリアミド系樹脂の特性を改善して形状回復能力を向上させるので、保持フレーム１に残留歪みが生じて永久変形するのを抑制できる。 （もっと読む）