【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ１は、ウェハ載置部１１及び固定突起１３により構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、ＳｉＣウェハを載置するための載置面Ｐ１として機能する。固定突起１３は、各ＳｉＣウェハの外周面ＳＰ１〜３に沿うように３カ所に配置されている。これにより、サセプタ１では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起１３によって各ＳｉＣウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとＳｉＣウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をＳｉＣウェハ上に形成できる。 （もっと読む）

【課題】
真空処理チャンバ内の寸法を真空処理に必要な寸法まで縮小でき、しかも基板や基板を載せるトレーを操作しやすく、基板又は基板を載せたトレーを制御可能に保持できる真空処理装置用基板クランプ装置を提供する。
【解決手段】
真空処理チャンバ内で処理されることになる基板又は基板を載せたトレーを基板又は基板を載せたトレーの周縁部の少なくとも二つの相対した部位に対して係合する少なくとも二つのクランプ本体を設け、各クランプ本体に接続されて該クランプ本体を昇降させる少なくとも一つの昇降ピンンにより基板又は基板を装着したトレーを基板ホルダー上に独立して調整可能な押圧力で保持する構成される。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハを確実に変質層に沿って個々のデバイスに破断可能な粘着テープの拡張方法を提供することである。
【解決手段】 粘着テープの拡張方法であって、ウエーハ保持テーブルを加熱してウエーハが貼着されている部分の粘着テープを柔軟にする粘着テープ第１柔軟化工程と、外筒を引き落として拡張位置に位置づけて粘着テープを拡張し、ウエーハを変質層に沿って破断する粘着テープ拡張工程と、ウエーハ保持テーブルに吸引力を作用させて粘着テープを吸引保持する粘着テープ保持工程と、外筒を上昇して待機位置に位置づけてから、ウエーハの外周と環状フレームとの間の粘着テープを加熱して柔軟にする粘着テープ第２柔軟化工程と、ウエーハの外周と環状フレームとの間の粘着テープを冷却して弛みを除去する弛み除去工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッジを把持し、センタリングとノッチ等の角度合わせを行うアライナー装置において、回転する部分にケーブルやチューブをなくすことで回転範囲に制限されない無限回転が可能な機構を構成し、タクトタイムの短縮、装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】ウェハ（１）を把持する把持機構を開閉動作させるリンク機構が、リンク機構を駆動するリンク機構駆動部に対して、ベアリング（１４）を介して支持されるよう構成し、把持機構とリンク機構のみが回転できる構造とした。 （もっと読む）

【課題】スライド機構により被加工物を収納する際に、被加工物が収納手段から飛び出してしまうのを確実に防止する。
【解決手段】搬送手段が収納手段３１から被加工物Ｗ１を搬出して保持手段に搬送し、保持手段に保持された被加工物Ｗ１が加工される加工装置において、収納手段３１は、搬送手段側に開口する第一の搬送口３２０とオペレータ側に開口する第二の搬送口３２１とを有する枠体３２と、第二の搬送口３２１を介して枠体３２から引き出し可能な被加工物載置台３３と、被加工物載置台３３を第二の搬送口３２１を介して引き出された状態から枠体３２の中に押し込む際の慣性力によって被加工物載置台３３０に載置された被加工物Ｗ１が第一の搬送口３２０から飛び出すのを一定の力で防止する掛止部３３４とを有し、搬送手段が被加工物Ｗ１を第一の搬送口３２０を介して搬出入する際には掛止部３３４による掛止を解除する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送や、基板の回転を確実に行うことができる基板保持機構、およびこの基板保持機構を備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持して回転させるスピンチャックを備えている。スピンチャックは、開位置と閉位置との間で変位可能であり、開位置と閉位置との間の当接位置で基板の周端面に当接して当該基板を保持するための可動ピンと、可動ピンの変位量に応じた変位量で可動ピンと連動し、開位置および閉位置にそれぞれ対応する開検知位置および閉検知位置の間で変位する磁石６２と、開検知位置と閉検知位置との間における磁石６２の位置に応じて変化する磁界を検知するセンサ６４と、センサ６４の検出値に基づいて、開位置と閉位置との間における可動ピンの位置を検出する制御部６３とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貼合部材を保護するとともに、貼合部材をしっかり保持できる真空貼合装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る真空貼合装置は、貼合部材を貼合することに用いられ、前記貼合部材の位置を調整するアライメントアセンブリと、前記アライメントアセンブリに連接固定され、且つ少なくとも２つのチャック部材を備えるチャック機構と、前記チャック機構に対向して設置されるチャックヘッドと、前記チャック機構及び前記チャックヘッドを収容する密封室と、を備え、前記少なくとも２つのチャック部材が前記密封室内で相対運動することによって、前記貼合部材を保持又は解放する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることができる、基板処理装置および基板受渡方法を提供する。
【解決手段】ハンド９の上下面に、それぞれウエハＷを保持するための４つの支持突起２３および４つの挟持部材２４が備えられている。そのため、次の４つの動作ステップ１〜４で、ハンド９によるスピンチャックに対するウエハＷの受け取りおよび受け渡しが達成される。
１．４つの支持突起２３にウエハＷが保持されている状態で、ハンド９がスピンチャックと対向する位置に進出される。
２．スピンチャックに支持されているウエハＷが４つの挟持部材２４により保持されて、スピンチャックから４つの挟持部材２４にウエハＷが受け取られる。
３．４つの挟持部材２４によるウエハＷの受け取りに前後して、４つの支持突起２３からスピンチャックにウエハＷが受け渡される。
４．ハンドがスピンチャックと対向する位置から退避される。 （もっと読む）

【課題】大口径や厚みの薄いウェーハであってもウェーハの裏面を非接触状態で測定ステージに載置することが可能なウェーハ測定装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの外周エッジを支持することでウェーハ裏面とステージ面２２とを非接触にして該ウェーハが載置される測定ステージ２０と、ウェーハを測定ステージ上方に移動させるとともに上方からウェーハを測定ステージに載置するウェーハ搬送手段３０と、測定ステージの中央に形成されて上方に向かってガスを供給する噴出孔２６とを備えたウェーハ測定装置１００において、ウェーハ搬送手段に、圧力ガスが供給されることでウェーハ表面を非接触で吸着保持し、ウェーハを上に凸状に撓ませるベルヌーイチャック４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバの気密性を維持しながら、チャンバ内部での基板の保持およびその解除をチャンバ外から行う。
【解決手段】基板を保持する爪部材３４５から上方にリフタ３４４および縦ロッド３７２が延設される。縦ロッド３７２はバネ３７１が取り付けられたスライダ３７０によって内側に付勢されている。爪部材３４５が第１プレート３４の直下まで上昇した状態では、縦ロッド３７２と横ロッド３７４とが互いに係合している。横ロッド３７４は、処理チャンバの上板１１の上部に突出するハウジング３７３の側面にベローズ３７６を介して取り付けられた隔壁形成部材３７５に接続されており、エアシリンダ３７７の作動により隔壁形成部材３７５が水平方向に移動すると、これに伴って爪部材３４５が左右に動き、基板の保持・解除を切り換える。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。
【解決手段】磁気クリップは、締め付け面及び磁石をそれぞれが有する第１の本体部材及び第２の本体部材を含む。第１の本体部材は、基板ホルダーと機械的に接続されるように構成される。第２の本体部材は、閉位置と開位置との間で第１の本体部材に対して移動するようにヒンジによって第１の本体部材と枢着される。閉位置では、第１の締め付け面と第２の締め付け面との間に基板の縁領域が位置決めされる。開位置では、縁領域は解放される。第２の本体部材の磁石は、第２の本体部材が閉位置にあるときに第１の本体部材の磁石を磁気的に引き付け、第１の締め付け面及び第２の締め付け面に対する基板の縁領域の移動を拘束する力を加える。 （もっと読む）

【課題】 狭持に基づく基板の歪みを低減する基板ホルダーを提供する。
【解決手段】 ホルダー本体１の凹部に設けられたプレート５の三箇所に、それぞれ、バネ９ａ，９ｂ，９ｃの弾性力によりガラス乾板１０を押し上げる為のピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃとピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられている。ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各ピン支持部は筒状に成してあり、ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各筒状部と各ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃの下方側面それぞれとの間にオーリング６２ａ，６２ｂ，６２ｃが挿入されており、ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃがそれぞれピン支持体支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ上で回転可能に成してある。 （もっと読む）

【課題】真空中で迅速に基板を反転させる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板反転装置２０は、真空槽であるチャンバー２１内において、基板５０を昇降させる昇降機構６０と、基板５０を挟んで保持する把持部４１ａ、４２ａを有する基板保持機構４Ａ〜４Ｄと、基板保持機構４Ａ〜４Ｄの把持部４１ａ、４２ａを回転させて基板５０の上下関係を反転させる基板回転機構３０とを有する。本発明においては、基板５０を保持した状態で、水平方向に延びる直線を回転軸として基板回転機構３０を１８０°回転させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特にウェハを保持する保持部材に溝を設けることにより、処理液の液溜まりを抑制することが可能なウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法である。
【解決手段】本発明に係るウェハ処理装置は、回転台６ａ、６ｂと、回転台を回転させる回転軸５と、回転台６ａ上に取り付けられ、ウェハ１０の外縁を保持する固定チャックピン１と、固定チャックピン１に設けられた溝２ａと、回転台６ａ、６ｂの上方に設けられた処理液を吐出するノズル１１と、を具備し、固定チャックピン１におけるウェハ１０の外縁との接触面３は、ウェハ１０の外縁に沿うように形成されており、溝２ａの開口部は接触面３に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理不良を防止できる基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、基板支持部材１００及び回転調節部４５０を具備する。基板支持部材１００は、基板がローディングされ、回転できる支持プレート１１１と、該支持プレート１１１に設置され、支持プレート１１１にローディングされた基板の側面で基板のエッジを支持して支持プレート１１１の上面から離隔させ、各々自転して支持されている前記基板を回転させる多数のチャッキングピン１１２とを具備する。回転調節部４５０は、支持プレート１１１の下に設置され、各チャッキングピン１１２の自転を調節する。チャッキングピン１１２は、工程の時基板を回転させて基板がチャッキングピンと接点される位置を変更させるため、チャッキングピンに当たった処理液が基板上に落ちる位置が継続変更される。 （もっと読む）

【課題】基板をより安定的に支持できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本発明によるスピンヘッドは、支持板と、基板の側面を支持するように前記支持板に設置される複数のチャックピンと、前記支持板の中心から外側に向かう第１方向と垂直な第２方向に沿って前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを包含することを特徴とする。
このような特徴によると、支持板の回転による遠心力がチャックピンに及ぶ影響を最小化して基板を安定的に支持できるスピンヘッドを提供できる。 （もっと読む）

【課題】基板を支持して基板を回転させるスピンヘッドとこれを有する基板処理装置及び基板支持方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、本体、本体上に設置されて基板を支持する支持位置と基板のローディング／アンローディングするための空間を提供する待機位置との間で移動する複数のチャックピン、及び複数のチャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを備える。チャックピン移動ユニットは、チャックピンが結合される回転ロッド、回転ロッドを本体に固定する軸ピン、及びチャックピンが支持位置から待機位置へ移動するように軸ピンを回転軸として回転ロッドを回転させる駆動部材を含む。回転ロッドは、本体が回転する時に逆遠心力によってチャックピンに待機位置から支持位置に向かう方向に力を加えるように提供される。複数のチャックピンは、第１ピンと第２ピンを有し、第１ピンと第２ピンは、工程進行の時に基板を交叉チャッキングする。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体ウエハを均一に熱処理する技術を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハの熱処理装置は、管状の加熱炉と、加熱炉内で半導体ウエハを搬送する搬送手段を備えている。管状の加熱炉は、半導体ウエハを搬入可能な搬入口から半導体ウエハを搬出可能な搬出口まで伸びている。搬送手段は、前記搬入口から前記加熱炉内を通って前記搬出口まで、複数の半導体ウエハを順次搬送する。この熱処理装置にでは、半導体ウエハが搬入口から搬出口まで加熱炉内を搬送され、各々の半導体が特定の位置のみに留まることがないので、加熱炉内の温度分布が均一でなくとも、全ての半導体ウエハに同じ熱履歴を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハとチャックピンとの接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置のチャック機構は、支持盤の半導体ウェーハ２８が載置される面の反対側の面に、回転体の中心と半導体ウェーハの中心を結ぶ線（対称軸４０）に軸対称に起立して設けられた支軸４２と、支軸回りに回動可能かつ一端部が半導体ウェーハの内周側の周縁部より外側へ突出して設けられたリンク部材４４と、リンク部材の一端部から半導体ウェーハの方向に起立して設けられたチャックピン４６と、リンク部材を時計回りに回動させるチャックバネ４８を備えている。リンク部材は、チャックバネによる回動を妨げる方向に回転体の回転に伴う遠心力を働かせるカウンタウェイト５２が着脱可能になっており、カウンタウェイトの重量を異ならせてこの遠心力を調整可能になっている。 （もっと読む）