【課題】２つのトランジスタを混載した半導体装置において、ダミー配線を介して配線間で短絡が発生するのを防止し、信頼性の高い混載デバイスを実現可能にする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、微細ＣＭＯＳ４Ａと、微細ＣＭＯＳ４Ａに接続される微細配線１５とを有する微細ＣＭＯＳ領域と、微細ＣＭＯＳ４Ａよりも耐圧が高い高耐圧デバイス４Ｂと、高耐圧デバイス４Ｂに接続され、平面視において微細配線１５よりも配線幅が広いドレイン配線１１５及びソース配線１１６と、を有する高耐圧デバイス領域と、を具備し、高耐圧デバイス領域には、電気的に孤立したダミー配線１４が少なくともドレイン配線１１５及びソース配線１１６に隣接して配置されない。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を異方的にエッチングすることを可能とするとともに、銅を用いたバンプ電極を短時間で形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部配線１５３上に絶縁膜１５６を形成する工程と、絶縁膜１５６に内部配線１５３に通じる開口１５７を形成する工程と、開口１５７が形成された絶縁膜１５６上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、バンプ電極形成パターンに対応したマスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１を異方的にエッチングし、バンプ電極を形成する工程と、とを具備する。 （もっと読む）

【課題】電力バス相互接続構造の工程数を低減して製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のパッシベーション・スタック１４９を、導電性ランナ１３２、１３４および誘電体層１６２の上に形成する。開口を、通常のリソグラフィ技術および誘電エッチング技術によって、第１のパッシベーション・スタックを貫通して画定し形成する。露出された表面上に導電性バリア層１６６を形成する。アルミニウム層をブランケット堆積して、開口を充填する。パターニング、エッチング工程によって、開口内に、アルミニウム・パッド１７０を形成する。開口内に、ランナ１３４と導電性接触する導電性バイア１７２を形成する。アルミニウム・パッドを形成するために用いられるのと同じパターニング、エッチング工程において、アルミニウム層内に電力バス１７４も形成する。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＬＳＩ基板１上に形成された第１の金属を含む再配線層８ａ、ｂおよび前記ＬＳＩ基板上に形成されたボンディングパッドとなる第２の金属を含むパッド電極２２を被覆するように、層間膜１０を形成する。前記層間膜のうち、前記再配線層に接続されるマイクロバンプを形成する領域およびボンディングワイヤが接続される領域に対応する部分を感光させ、アルカリ水溶液を含む第１のアルカリ現像液で現像することにより、前記再配線層が露出するように前記層間膜に第１の開口部１０ａを形成するとともに、前記パッド電極が露出するように前記層間膜に第２の開口部１０ｂを形成する。さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび多価アルコールを含む第２のアルカリ現像液で、前記層間膜の残りの露光された部分を現像する。 （もっと読む）

【課題】ビア配孔内に形成したカーボンナノチューブを埋め込む埋め込み膜が基板に均一に形成されないため基板の平坦化処理工程において層間絶縁膜が不均一に研磨されて、下層配線と上部電極がビア配線以外で電気的につながってしまう場合が発生する。
【解決手段】半導体基板における層間絶縁膜内のビアホール内にカーボンナノチューブを形成した後、基板全体をフッ化処理することにより、カーボンナノチューブが存在するビアホールにのみ埋め込み膜が形成され、その後に基板全体の平坦化処理のために基板を研磨する工程において、層間絶縁膜が局所的に研磨されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を破壊することを防止しつつ半導体素子の金属膜に対し安価に成膜できるとともに容易に厚膜化できる成膜付半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン層１１に重ねてアルミ膜１２を有する半導体素子１０に対しコールドスプレー装置３０によって成膜する成膜付半導体素子の製造方法は、第１工程と、第２工程とを有する。第１工程では、コールドスプレー装置３０が、アルミ膜１２の厚さＶ１より小さい粒径Ｒ１の第１銅粉末４１を噴射することにより、アルミ膜１２の表面に下地層２１を形成する。第２工程では、コールドスプレー装置３０が、第１銅粉末の粒径Ｒ１より大きく且つ下地層２１の表面からアルミ膜１２とシリコン層１１との境界面までの寸法Ｖ２より小さい粒径Ｒ２の第２銅粉末４２を噴射することにより下地層２１に重ねて厚膜層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】選択メタルキャップを用いることなしに、生産性の高いエアギャップ配線を形成する。
【解決手段】ウエハ１４上の絶縁膜２００にCuダマシン配線２１０を形成する第１の工程と、ウエハ１４上に第１のバリア膜２２０を形成する第２の工程と、後続する接続孔２４２を開口する工程において、接続孔２４２の孔底部２４４に露出するCu配線２０６と隣接する絶縁膜２００、及び最小寸法スペースの３倍以上の幅をもつ幅広スペース２００ａを保護するように、第１のバリア膜２２０をパターニングする第３の工程と、第１のバリア膜２２０をマスクとして絶縁膜２００を除去する第４の工程と、ウエハ１４上に第２のバリア膜２２４を形成する第５の工程と、Cu配線２０６間にエアギャップ２３２を残しつつ絶縁膜２３０を形成する第６の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】カーボンナノチューブ配線の製造方法は、第１導電層２００上に、絶縁膜１８を形成し、前記絶縁膜内に、前記絶縁膜を貫通するホール４０を形成し、前記ホール内の底面の前記第１導電層上および前記ホール内の側面の前記絶縁膜上に、触媒下地膜１９を形成し、前記ホール内の側面の前記触媒下地膜上に、触媒不活性膜２０を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒下地膜上および前記ホール内の側面の前記触媒不活性膜上に、触媒膜２１を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒膜上から複数のカーボンナノチューブ２２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭにおいては、書き込み電流の低減やディスターブ回避を目的に、書き込みに使用する配線を強磁性体膜で覆うクラッド配線構造がよく用いられている。また、高信頼性製品の信頼性確保のためＣｕ配線中に微量のＡｌを添加するＣｕＡｌ配線が広く使用されている。ＭＲＡＭも高信頼性製品に搭載される可能性が高く、信頼性は重要である。しかし、クラッド配線は、もともと配線抵抗が高いＣｕＡｌ配線の配線抵抗を更に上昇させるというデメリットがあるため、両方の技術を同時に使用すると配線抵抗のスペックを満たさなくなる可能性が高い。
【解決手段】本願発明は、多層銅埋め込み配線を有する半導体装置において、ＭＲＡＭメモリセルマトリクス領域を構成する複数の銅埋め込みクラッド配線の銅配線膜を比較的純粋な銅で構成し、これらの配線層よりも下層の銅埋め込み非クラッド配線の銅配線膜を、Ａｌを添加したＣｕＡｌ配線膜とするものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を高い製造歩留まりで提供し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１応力膜３８上に第１ストッパ膜３９及び第２ストッパ膜４０を形成する工程と、第１領域２を覆う第１マスク６０をマスクとし、第１ストッパ膜をストッパとして、第２領域４内の第２ストッパ膜をエッチングするとともに、第１領域のうちの第２領域に近接する部分の第２ストッパ膜をサイドエッチングする工程と、第２ストッパ膜とエッチング特性が異なる第２応力膜４２を形成する工程と、第２領域を覆い、第１領域側の端面が第２ストッパ膜上に位置する第２マスクとし、第２ストッパ膜をストッパとして、第２応力膜の一部が第１応力膜の一部及び第２ストッパ膜の一部と重なり合うように第２応力膜をエッチングする工程と、第１領域と第２領域との境界部におけるゲート配線２０に達するコンタクトホールを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数のゲート電極３ｂを覆うように窒化シリコン膜（第１絶縁膜）５を形成した後、オゾンＴＥＯＳ膜（第１酸化シリコン膜）６、プラズマＴＥＯＳ膜（第２酸化シリコン膜）を順次積層する。ここで、オゾンＴＥＯＳ膜６を積層後、プラズマＴＥＯＳ膜を積層する前に、窒化シリコン膜５をＣＭＰストッパ膜として、ＣＭＰ法により研磨する。これにより、プラズマＴＥＯＳ膜の膜厚を均一化させることができるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板を薄くしてもその反りを防止するＴＳＶ構造の製造方法を提供する
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に半導体素子を集積させて回路の少なくとも一部を形成する工程と、半導体基板の表面から穴を開ける工程と、穴の内表面に絶縁膜およびバリア膜を形成する工程と、バリア膜の表面に、穴を埋めるように導電性金属を形成する工程と、半導体基板の裏面を加工して厚さを減少させ、導電性金属を突出させる工程と、半導体基板の裏面にＳｉＣＮ膜を設ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビアに位置ずれが生じても、ビアがエアギャップにつながることを抑制できるようにする。
【解決手段】複数の配線２４０は例えばＣｕ配線であり、互いに平行に延伸している。側壁絶縁膜２１２は、複数の配線２４０それぞれの側壁に形成されている。エアギャップは、複数の配線２４０それぞれの相互間に形成され、複数の側壁絶縁膜２１２の間に位置している。絶縁膜３０２は、複数の配線２４０上、複数の側壁絶縁膜２１２上、およびエアギャップ２１４上に形成されている。ビア３４４は絶縁膜３０２を貫通しており、いずれかの配線２４０に接続している。そして側壁絶縁膜２１２は、絶縁膜３０２がエッチングされる条件では絶縁膜３０２よりエッチングレートが低い材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】不良箇所を容易に特定し得る半導体装置及びその形成方法並びにその設計方法を提供する。
【解決手段】配線パターン３２ａと、ダミーパターン３２ｂと、一方の端部が配線パターンに電気的に接続され、他方の端部がダミーパターンに電気的に接続されたヒューズ３２ｃとを有している。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。
【解決手段】ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。これにより、Ｃｕシード膜９ａを電極として電界メッキ法によりＣｕ膜９を形成した際に、配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２内に空隙が形成されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された金属層をプラズマエッチングする工程を経て積層構造中に金属層を有するパターンを形成した後、金属層を構成する金属を含みパターンの側壁部に堆積した堆積物を除去するプラズマ処理方法であって、金属層の側壁部に当該金属の酸化物又は塩化物を形成する保護層形成工程と、フッ素原子を含むガスのプラズマを作用させて堆積物を除去する堆積物除去工程と、保護層形成工程及び堆積物除去工程の後、水素を含むプラズマを作用させて金属の酸化物又は塩化物を還元する還元工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨のばらつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１の周辺領域２の第３層間絶縁膜に、ダミーパターン４１を形成する。ダミーパターン４１は、ウェハ１の接線及び法線に交差する斜パターン４２と、斜パターン４２に連結され、ウェハ１の周方向に延びる分離パターン４３とを有する。配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を貫通する第１の溝及び絶縁膜の内部で終端する第２の溝を絶縁膜に形成する工程と、絶縁膜の内部で終端する配線溝を絶縁膜に形成する工程と、第１の溝の表面及び配線溝の表面に第１の金属膜を形成するともに、第２の溝の上方を覆うように第１の金属膜を形成する工程と、第１の溝及び配線溝に第２の金属膜を埋め込む工程と、を備える。 （もっと読む）