Fターム[5F033QQ00]の内容
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半導体装置の製造方法
【課題】ビア又は接着層とカルコゲナイド膜とのコンタクト性を確保しつつ、量産性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁膜3にビア2を形成する第1の工程と、層間絶縁膜3上のビア2の周囲の領域に接着層5を形成する第2の工程と、ビア2及び接着層5の表面にできた酸化物を、フッ化還元ガス雰囲気中に晒して還元する第3の工程と、ビア2及び接着層5の表面にできたフッ化物を、アンモニアガスを用いて除去する第4の工程と、ビア2及び接着層7を含む層間絶縁膜3上に、スパッタ法により相変化材料膜4を形成する第5の工程と、を含む。
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表示装置
【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と端部が重畳する第1配線層及び第2配線層と、少なくともゲート電極と重畳しゲート絶縁膜及び該第1配線層及び該第2配線層における導電層の側面部及び上面部と接する酸化物半導体層とを有する非線形素子を用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、非線形素子の第1配線層又は第2配線層がゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積を縮小する。
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半導体装置
【課題】無線通信機能を有する半導体装置に振幅の大きい信号が供給された場合においても正常に動作し、且つ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、交流電圧を生成するアンテナ101と、交流電圧を整流し、内部電圧Vinを生成する整流回路102と、第1の保護回路107と、第2の保護回路108と、を有する。第1の保護回路107は、第1のダイオード201と、第2のダイオード202と、を有し、第2の保護回路は、容量素子203と、トランジスタ204と、を有する。第1の保護回路は、アンテナ101で生成される交流電圧の絶対値がある値よりも大きい場合に、その余剰分をカットし、第2の保護回路108は、整流回路102で生成された内部電圧Vinが大きい場合に機能し、共振周波数をずらすことにより、半導体装置に入力される信号を減少させることができる。
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半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
【課題】CO2プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をCO2プラズマに晒すCO2プラズマ処理工程と、CO2プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。
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半導体素子の製造方法および半導体素子
【課題】 半導体素子の微細パターン製造方法を提供する。
【解決手段】フィーチャー層310の第1領域Aには第1マスク構造物を形成し、第2領域Bには第2マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層とエッチングマスク層とを含むように第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する。第1マスク構造物及び第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第1マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。第1マスク構造物及び第2マスク構造物の両側壁にスペーサ350A、350Bを形成する。第2マスク構造物上にあるエッチングマスクパターンをマスクとして第1領域Aで間にボイドが形成されるように側壁スペーサ350Aを含む第1マスクパターンと、第2領域Bで間に第2マスク構造物が介在するように側壁スペーサ350B、350Cを含む第2マスクパターンを形成する。
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表示装置
【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。
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表示装置
【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極15を被覆するゲート絶縁層37と、ゲート絶縁層37上においてゲート電極15と端部が重畳し、第2酸化物半導体層40と導電層41が積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39と、少なくともゲート電極15と重畳しゲート絶縁層37及び該第1配線層38及び該第2配線層39における導電層41の側面部及び上面部の一部と第2酸化物半導体層40の側面部と接する第1酸化物半導体層36とを有する非線形素子30aを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層37上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子30aの特性を向上させることができる。
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電極の製造方法、これを用いた薄膜トランジスタ素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板106上に、金属酸化物微粒子(ITO)及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜104”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極104とする。ついで、ゲート絶縁膜105を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜101’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層101が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極102,103を形成し、薄膜トランジスタとする。
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半導体装置の製造方法及び製造装置
【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第1の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第1の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第1の圧力よりも低い第2の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。
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ウェハの金属材料埋込装置及びウェハの金属材料埋込方法
【課題】 容易に貫通穴を埋めることができ、環境負荷を小さくする。
【解決手段】 テーパ状の貫通穴を有するウェハの貫通穴の開口の径が小さい側の主面を把持し、貫通穴の開口の径が大きい側から、貫通穴に球状の金属材料を埋め込むウェハの金属材料埋込装置であって、ウェハの表面を吸引把持する第一の吸引部と、ウェハの貫通穴から金属材料を吸引する第二の吸引部とを有する把持本体部と、第一の吸引部と第二の吸引部とに配管を介して接続される吸引手段と、配管を流れる流体の流量と圧力とを検出する検出手段と、金属材料が吸引されて貫通穴を塞ぐことで変化した流量と圧力の値が所定の値となっているか否かを判定する判定手段と、判定手段によって値が所定の値であると判定された場合に把持本体部で吸引している前記ウェハからはみ出て入る金属材料を所定の加圧平面に押し当てる加圧手段と、を備えて構成される。
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ウェハの金属材料埋込装置及びウェハの金属材料埋込方法
【課題】 容易に貫通穴を埋めることができ、環境負荷を小さくする。
【解決手段】 貫通穴が設けられたウェハの貫通穴の開口の径が小さい側の主面を把持し、前記貫通穴の開口の径が大きい側から貫通穴に金属材料を埋め込むウェハの金属材料埋込装置であって、枠状に形成される第一の吸引部と、貫通穴から金属材料を吸引し第一の吸引部に嵌め込まれる第二の吸引部とを有する把持本体部と、第一の吸引部に沿って形成され、流路と吸引穴と第三の貫通孔とが形成されたアダプター部と、吸引穴に接続される吸引手段と、吸引配管の流量と圧力とを検出する検出手段と、金属材料が吸引されて変化した流量と圧力の値が所定の値となっているか否かを判定する判定手段と、所定の値であると判定された場合に把持本体部で吸引しているウェハからはみ出て入る金属材料を所定の加圧平面に押し当てる加圧手段と、第三の貫通孔接続される吐出手段と、を備えて構成される。
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ルテニウム金属キャップ層を形成する方法
ルテニウム(Ru)金属の堆積を半導体デバイスの製造に統合することで、銅(Cu)金属のエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法が供される。本発明の実施例は、NHx(x≦3)ラジカル及びHラジカルによって、金属層及びlow-k誘電材料を含むパターニングされた基板を処理することで、前記low-k誘電材料に対する前記金属層上でのRu金属キャップ層の選択形成を改善する方法を有する。
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半導体装置およびそれを備えた半導体実装装置
【課題】基板実装による誘導素子(インダクタ)の特性劣化を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に電極11a,11bが設けられた半導体基板10と、電極11a,11bと整合する位置に第1の開口部を有する第1の絶縁樹脂層12と、第1の開口部を介して電極11a,11bと導通した第1の配線層13a,13bと、第1の開口部と異なる位置に第2の開口部を有する第2の絶縁樹脂層14と、第2の絶縁樹脂層14上に設けられ、かつ誘導素子15cを有する第2の配線層15と、第2の絶縁樹脂層14および第2の配線層15の上において少なくとも誘導素子15cを覆う電気絶縁性を有する磁性体層19と、第2の配線層16に導通する実装用端子17とを備える半導体装置。
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半導体装置とその製造方法
【課題】半導体装置とその製造方法において、強誘電体膜を備えたキャパシタの劣化を防止すること。
【解決手段】シリコン基板30の上方に、下部電極61、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜62と、上部電極63とを有するキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQ上に層間絶縁膜71を形成する工程と、層間絶縁膜71に、上部電極63に達するホール59aを形成する工程と、ホール59aの内面、及びホール59aから露出する上部電極63の表面に第1のバリア膜67を形成する工程と、第1のバリア膜67上に、第1のバリア膜67よりも酸素濃度が高い第2のバリア膜68を形成する工程と、第2のバリア膜68の上方に導電膜74を形成して、ホール59aを埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法による。
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半導体装置
【課題】 多層配線の半導体装置が熱負荷を受けて生じる熱応力によって、配線を水分等から保護するパッシベーション膜に剥離やクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】モールド樹脂と最も近く、凹凸のある最上層配線よりも下層にパッシベーション膜を設け、熱負荷を受けて生じる熱応力が凹凸のある最上層配線に集中することを防ぎ、パッシベーション膜の剥離やクラックを抑制する。カバーコート材であるポリイミド膜の表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行ってポリイミド膜表面で重合した密着性の高い疎水性膜で被覆するため、最上層配線も水分等から保護される。
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集積回路装置及びその製造方法
【課題】絶縁体上にもグラファイト層を容易に形成することができる集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板1上に触媒層2を形成し、その上にサポート層3を形成しておく。触媒層2としてCo層を形成し、サポート層としてTiN層を形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成する。次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱CVD処理を行う。この結果、触媒層2が絶縁基板1及びサポート層3に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層3を透過して触媒層2まで到達するので、グラファイト11が絶縁基板1と触媒層2との間に成長する。
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ガス処理装置、ガス処理方法、および記憶媒体
【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構40は、原料貯留容器20を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器20を密閉状態とし、原料貯留容器20内の真空圧により、原料貯留容器20内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ2内に被処理基板Wを収容させた状態で、チャンバ2を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ2内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ23を開成し、原料貯留容器20から処理ガスをチャンバ2に流入させ、チャンバ2内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ23を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。
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半導体装置の製造方法
【課題】配線間の層間絶縁膜に空洞を形成する場合における配線間の層間絶縁膜の高さの減少を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上方に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
第1の層間絶縁膜上に保護膜を形成する工程と、保護膜及び第1の層間絶縁膜に配線溝を形成する工程と、酸素を含む処理ガスを用いたプラズマ処理により、第1の層間絶縁膜の側面部分に酸化膜を形成する工程と、配線溝に金属膜を形成する工程と、研磨処理により、金属膜を部分的に除去することで配線溝に金属配線を形成する工程と、保護膜及び酸化膜の除去処理により、酸化膜を除去した部分に空間を形成する工程と、第1の層間絶縁膜、金属配線及び空間を覆うように第2の層間絶縁膜を形成する工程と、を備える。
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半導体装置の製造方法
【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板1上に強誘電体キャパシタ37を形成する際、下部電極膜25の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜26を形成する。酸化導電膜26を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜27の初期層27Aの形成時に酸化導電膜26を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第2の導電膜26Aを形成する。強誘電体膜27は、MOCVD法により形成し、その初期層27Aは第2の導電膜26Aの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜27の表面モフォロジが良好になる。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1に形成される半導体素子を覆う絶縁膜11が、埋め込み特性が良好とされる熱CVD法等によって形成される。その絶縁膜11を覆うように、耐湿性に優れているとされるプラズマCVD法によって絶縁膜14が形成される。その絶縁膜11および絶縁膜14を貫通するようにプラグ13が形成される。さらに、その絶縁膜14上に、誘電率が比較的低いLow−k膜からなる絶縁膜16が形成され、その絶縁膜16に、ダマシン技術によって、プラグ13に電気的に接続される配線20が形成される。
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