Fターム[5F033QQ00]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | パターン形成方法,基板,導電膜,絶縁膜の処理方法 (47,095)
Fターム[5F033QQ00]の下位に属するFターム
露光 (971)
エッチング (29,543)
リフトオフ (276)
研磨 (4,337)
エネルギービームの照射 (929)
不純物導入、イオン注入 (1,611)
選択導電化、絶縁化によるパターン形成 (22)
合金化処理(熱処理を含む) (771)
熱処理 (5,181)
冷却(自然冷却は除く) (23)
酸化処理 (296)
窒化処理 (195)
清浄化 (1,803)
空気、大気に晒さない連続処理 (330)
外力を加えて形状を変化させるもの (66)
Fターム[5F033QQ00]に分類される特許
161 - 180 / 741
低誘電率絶縁膜の作製方法、半導体装置およびその製造方法
【課題】多孔質シリカ膜で構成される低誘電率絶縁膜の疎水性を改善すると共に、空孔径を所定の範囲に制御することによって、比誘電率の低減、リーク電流の低減、および機械的強度の向上を図る。
【解決手段】基板上に多孔質シリカ膜形成用原料を塗布する工程と、多孔質シリカ膜形成用原料が塗布された基板を水を添加しない有機アミン蒸気雰囲気中に暴露する気相処理工程と、を含む多孔質シリカ膜からなる低誘電率絶縁膜の作製方法。
(もっと読む)
金属膜のパターン形成方法及び部材
【課題】少ない工程数で、耐熱性、耐久性が優れる高分子化合物を使用し、金属の積層量を任意に制御できる金属膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系樹脂を含む基板表面に所望のパターンの遮蔽材を被覆する工程、遮蔽材を被覆した基板表面に積算光量1,000〜1,000,000mJ/cm2の活性エネルギー線を照射して被照射部分と未照射部分を形成する工程、及び被照射部分と未照射部分を有する基板表面に金属を積層する工程により金属膜のパターンを形成する。
(もっと読む)
半導体装置及び半導体装置の製造方法
【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線162は第1絶縁層120に埋め込まれており、上面が第1絶縁層120の上面より高い。エアギャップ128は、配線162と第1絶縁層120の間に位置している。第2絶縁層200は、少なくとも第1絶縁層120上及びエアギャップ128上に形成されている。本図に示す例では、第2絶縁層200は配線162を被覆していない。エッチングストッパー膜210は、少なくとも第2絶縁層200上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜210は、第2絶縁層200上及び配線162上に形成されている。第3絶縁層220はエッチングストッパー膜210上に形成されている。ビア262は第3絶縁層220に埋め込まれており、配線162に接続している。
(もっと読む)
小臨界次元の接点装置及び相互接続子用の超薄低抵抗タングステンフィルムの堆積方法
【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約350°C以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び/或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。
(もっと読む)
半導体装置の製造方法
【課題】半導体装置の製造工程での乾燥処理におけるパターンの倒壊を抑制可能とする、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン系材料を用いて構成されるシリコン系部材層を形成し、前記シリコン系部材層の上に、金属材料を用いて構成される金属部材層を形成し、前記金属部材層をパターニングし、パターニングされた前記金属部材層の表面に側壁膜を形成し、前記シリコン系部材層をパターニングすることにより、前記シリコン系部材層と、前記側壁膜で表面を覆われた前記金属部材層と、を備える構造体を形成し、薬液を用いて前記構造体の表面を洗浄し、前記構造体の表面から前記薬液を除去し、前記構造体の表面に撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜が形成された前記構造体の表面をリンスし、前記構造体の表面を乾燥させる、工程を含む。
(もっと読む)
基板の表面に樹脂絶縁膜のパターンを形成する方法及び半導体装置
【課題】基板の表面に樹脂絶縁膜のパターンを切削加工で形成する方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、接続用の電極(2)が一主面に形成された半導体基板(1)において、前記接続用の電極(2)を覆うように前記一主面側に樹脂絶縁膜(3)を形成する第1工程と、すくい角をゼロ又は負とした、バイト(4)による切削加工により、前記接続用の電極(2)の接続部位(21)を露出させるように、テーパ部(10)と前記接続部位(21)とからなる開孔(31)を形成する第2工程とを具備することを特徴とする。
(もっと読む)
低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法及び半導体装置の製造方法
【課題】埋め込まれた金属の酸化、及びパターン欠損の発生を抑制しつつ、低誘電率絶縁膜自体の電気的特性を十分に回復できる低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法を提供すること。
【解決手段】低誘電率絶縁膜を加工処理した後、低誘電率絶縁膜の表面に加工処理によって生じたダメージ性官能基を、疎水性官能基に置換し(ST.2)、低誘電率絶縁膜の表面に置換処理によって生じたデンス層の下に存在するダメージ成分を、紫外線加熱処理を用いて回復させる(ST.3)。
(もっと読む)
配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
【課題】純CuまたはCu合金のCu系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてCu系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純CuまたはCu合金のCu系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Cu系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する(N、C、F、O)層と、CuおよびSiを含むCu−Si拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記(N、C、F、O)層を構成する窒素、炭素、フッ素、および酸素のいずれかの元素は、前記半導体層のSiと結合している。
(もっと読む)
半導体装置、及びその製造方法
【課題】貫通電極を備える半導体装置、及びその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明は、パッド408が含まれた基板402sの一部を除去してビアホール420を形成する。前記基板の上に絶縁膜410を形成する。前記絶縁膜の一部を除去して前記パッドの一部を露出させる複数の開口を含む開口部435a,435bを形成する。前記ビアホールを満たして前記複数の開口のうちの何れか1つを通じて前記パッドと電気的に連結する貫通電極440を形成する。前記複数の開口の中の他の1つを通じて前記パッドの一部を開放する。
(もっと読む)
自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法
【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。
(もっと読む)
表示装置及び表示装置製造方法
【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、窒化ケイ素膜上への銅の微細配線を、より簡易に行う。
【解決手段】微細配線がされたTFT基板は、無アルカリガラスからなるガラス基板101と、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜102と、アルミニウムを4原子%含有し銅を主成分とする合金からなる第一の導電層103及び109と、99.99%純度の純銅からなる銅配線である第二の導電層104及び110と、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜106と、非晶質ケイ素からなる半導体層107と、n+型非晶質ケイ素からなるコンタクト層108と、透明導電膜102と第一の導電層103との界面の金属酸化物層105と、を備える。
(もっと読む)
信頼性向上のためのケイ化銅パッシベーション
【課題】その表面をケイ化銅に転化することにより、銅相互接続構造の露出銅表面を直接不動態化するための方法を提供すること。
【解決手段】その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Cu相互接続構造の露出したCu表面をケイ化銅に転化する。ケイ化銅は、Cu拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。銅相互接続構造の銅表面全体をケイ化する場合もあれば、銅表面の一部分を露出するように上に重なる誘電体に開口部を形成した後で表面の局部部分をケイ化する場合もある。
(もっと読む)
半導体装置およびその製造方法
【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝5が形成された絶縁膜3,4と、配線溝5内に設けられた金属配線8と、金属配線8の上面に選択的に形成されたメタルキャップ10とを具備してなり、絶縁膜4は、その表面を含む第1の領域と、第1の領域下の第2の領域とを備えており、前記第1の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第2の領域内の炭素濃度は、前記第1の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。
(もっと読む)
半導体装置の製造方法
【課題】多孔質絶縁膜を疎水化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板3に多孔質絶縁膜2を形成する工程(S101)と、多孔質絶縁膜2が形成された基板3をチャンバー1内に配置する工程(S102)と、基板3が配置されたチャンバー1内にシロキサンを投入するとともに基板3を第一の温度に昇温する工程(S103)と、投入されたシロキサンが付着した基板3を第一の温度よりも高い第二の温度に昇温する工程(S104)と、を含む。S103では、チャンバー1内の圧力を1kPa以下とする。また、第一の温度は、チャンバー1内の圧力がシロキサンの飽和蒸気圧となる温度以上であり、かつ、多孔質絶縁膜2とシロキサンとが重合反応を開始する温度以下である。
(もっと読む)
塗布型膜の形成方法
【課題】塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供する。
【解決手段】塗布型膜の形成方法は、半導体基板Wを含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第1工程S1と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第2工程S2と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも1つを含む処理をすることにより不純物を除去する第3工程S3とを含む。
(もっと読む)
固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
【課題】固体撮像装置が形成されるチップ面積の縮小化が図られ、チップ単体のコストの低減が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いることにより、小型化が図られた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、光電変換部PDが形成された第1の基板80と、電荷蓄積容量部61及び複数のMOSトランジスタが形成された第2の基板81が張り合わされた構成とされている。また、第1の基板80と、第2の基板81にはそれぞれ接続電極(26,27,56,57)が形成されており、第1の基板80と第2の基板81は、接続電極により電気的に接続されている。これにより、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置をより小さい面積に形成することが可能となる。
(もっと読む)
半導体集積回路装置の製造方法
【課題】Cuダマシン多層配線構造におけるセミ・グローバル配線の形成方法において、ダマシン配線構造を形成する際、ドライ・エッチングによりビア底のエッチ・ストップ絶縁膜を除去した後、ビア底表面上のカーボン系堆積物等を抑制する為に、窒素プラズマ処理を行うことが一般的である。その後、連続放電によって窒素プラズマ除電を行ってウエハ搬送するシーケンスを実行すると、ビア・チェーン終端部にて、ある閾値以上の長さを有するパッド引き出し配線に接続された終端部のビア底で、Cuえぐれが発生ことが、本願発明者らの検討によって明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ダマシン・セミ・グローバル配線等のビア・ホール形成工程において、ビア底エッチ・ストップ膜に対するドライ・エッチング処理後、同処理室内で行われる窒素プラズマ処理に引き続いて、アルゴン・プラズマによる除電処理を実行するものである。
(もっと読む)
配線基板の製造方法、電子素子および表示装置
【課題】ナノメタルインクを低温で焼成しても安定した特性の導電層を有する配線基板を量産性よく製造する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、表面に分散安定剤12を有する金属微粒子13を含有するナノメタルインク11を基板7上に塗布する工程と、ナノメタルインク11中の溶媒成分を除去して金属微粒子塗布膜16を形成する工程と、金属微粒子塗布膜16中に含まれる少なくとも一部の分散安定剤12を、紫外線照射処理、UVオゾン処理、プラズマ処理または溶剤洗浄処理によって除去する工程と、分散安定剤12を除去した金属微粒子層17を大気中で加熱して焼成することにより金属導電層18を形成する工程と、を備えている。
(もっと読む)
半導体装置の製造方法及び半導体装置
【目的】配線抵抗の上昇を抑制したまま、EM特性を改善させる半導体装置或いはその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程(S104)と、絶縁膜に開口部を形成する工程(S106)と、開口部内に、ケイ化物の形成エネルギーがCuケイ化物の形成エネルギーよりも小さい金属含有膜を形成する工程(S108)と、前記金属含有膜が形成された開口部内に銅(Cu)膜を埋め込む工程(S112)と、Cu膜上に、300℃未満の温度でCuとSiとを含有する化合物膜を選択的に形成する工程(S120)と、を備えたことを特徴とする。
(もっと読む)
カーボンナノチューブ及びその製造方法
【課題】 CoWP上でのカーボンナノチューブ作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明のカーボンナノチューブ配線構造の製造方法は、Cu配線上のCoを含むめっき層をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程の前又は後に前記Coを含むめっき層に、カーボンナノチューブ成長用の助触媒を付与する助触媒付与工程と、前記プラズマ処理工程及び助触媒付与工程より後に前記Coを含むめっき層及び前記Coを含むめっき層に付与された前記助触媒を加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱処理工程より後に、プラズマCVD法によるカーボンナノチューブ成長工程とを備えたことを特徴とする。
(もっと読む)
161 - 180 / 741
[ Back to top ]