Fターム[5F033QQ00]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | パターン形成方法,基板,導電膜,絶縁膜の処理方法 (47,095)
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Fターム[5F033QQ00]に分類される特許
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デバイスの製造方法及びデバイス
【課題】メモリ機能等を有する機能膜の水による劣化を防止すること。
【解決手段】成膜装置内で、機能膜が形成された基板上に、上記機能膜を覆うように、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、形成した上記絶縁膜の表面をプラズマに曝すプラズマ処理工程とを繰り返すこと。
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成膜方法
【課題】 キャップ膜、もしくはバリア膜として使用することが可能な膜を、形成するか形成しないかを選択することが可能となる成膜方法を提供すること。
【解決手段】 銅を使用している配線と絶縁膜とが表面に露出している基板に対してマンガン含有膜を成膜する成膜方法であって、銅を使用している配線上に、マンガン化合物を用いたCVD法を用いてマンガン含有膜を形成する工程(ステップ2)を備える。
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半導体装置の製造方法
【課題】多層配線構造等を含む半導体装置の製造工程を簡略化する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板101上に絶縁膜102を形成する工程(a)と、絶縁膜102上にハードマスク膜103を形成する工程(b)と、ハードマスク膜103上に第1のモールド108を接触させて、陽極酸化により第1の酸化領域110を形成する工程(c)と、ハードマスク膜103上に第2のモールド111を接触させて、陽極酸化により第2の酸化領域112を形成する工程(d)と、第1の酸化領域110及び第2の酸化領域112を除去してハードマスク103aを形成する工程(e)と、ハードマスク103aをマスクとするエッチングにより、絶縁膜103中に接続孔104及び配線溝105を形成する工程(f)とを備える。第1の酸化領域110と第2の酸化領域112とは面積及び深さが異なる。
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自己組織化パターン形成方法
【課題】自己組織化によるパターン形状を良好に且つより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】まず、基板101の上に中性化膜102を形成する。続いて、中性化膜102の上に、親水性を有し且つ開口部103aを有するガイドパターン103を形成する。続いて、ガイドパターン103の少なくとも側面に対して、該ガイドパターン103の親水性を増長する表面処理である水素化処理を行う。その後、中性化膜102の上であって、表面処理を行ったガイドパターン103の開口部に、ブロックコポリマー膜105を形成する。続いて、ブロックコポリマー膜105をアニーリングすることにより、該ブロックコポリマー膜105を自己組織化する。その後、自己組織化されたブロックコポリマー膜105から自己組織化パターンの1つである第2のパターン105bを形成する。
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層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法
【課題】 低誘電率で且つCFx、SiF4等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。
【解決手段】 下地層上に形成された絶縁膜を備えた層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、実効誘電率が3以下である。配線構造は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された金属とを備え、前記絶縁膜は、前記下地層上に形成され、表面が窒化されたフルオロカーボン膜を備えている。
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カーボンナノチューブへの金属接合方法及びカーボンナノチューブを用いた配線構造
【課題】 カーボンナノチューブと電極をなす金属とを強い結合力でかつ十分な密着性を持って接合できるカーボンナノチューブへの金属接合方法及びCNTを用いた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Au、Ag、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir、Hg、Si、Ga及びAsの中から選択された少なくとも1つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。
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半導体装置の製造方法
【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板10上にトランジスタ34を形成する工程と、半導体基板上及びトランジスタ上に複数の部分膜36a、38a、40a、42を積層することにより、複数の部分膜を有する第1の絶縁層44を形成する工程と、第1の絶縁層上に、第1の絶縁層とエッチング特性が異なる第2の絶縁層46を形成する工程と、第1の絶縁層をエッチングストッパとして、第2の絶縁層をエッチングすることにより、第2の絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホール内に露出する第1の絶縁層をエッチングする工程とを有し、第1の絶縁層を形成する工程では、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜以外の部分膜に対して膜を収縮させるキュア処理を行い、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜に対してキュア処理を行わない。
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ビアホールの形成方法
【課題】異なる種類の絶縁体が積層された構造を有する絶縁膜に、高精度の加工形状を有するビアホールを形成することができるビアホールの形成方法を提供する。
【解決手段】
ドライエッチングによって第2の絶縁層に第1の貫通孔を形成する工程と、第1の絶縁層及び第2の絶縁層の第1の貫通孔からの露出部分を同一組成からなる絶縁体にする同一化工程と、第1の貫通孔から露出する第1の絶縁層をドライエッチングにより除去して下層配線に達するビアホールを形成する工程と、を有すること。
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】配線絶縁膜としてSiOCH膜を用いる場合に、ビアホールの開口径に依らず、その加工制御性を十分に得て、下層Cu配線の表面の組成のバラツキを十分に抑制する。
【解決手段】下層Cu配線3上に形成されている積層構造20は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜4と、キャップ絶縁膜4上に形成されている配線絶縁膜5としてのSiOCH膜を有する。積層構造20にビアホール8、9を形成する工程は、第1及び第2ドライエッチングを組み合わせて行う。第1ドライエッチングでは開口径が小さいビアホール9のエッチングレートが、開口径が大きいビアホール8のエッチングレートよりも大きくなるようにO2濃度が設定された第1混合ガスを用いる。第2ドライエッチングではビアホール8のエッチングレートがビアホール9のエッチングレートよりも大きくなるようにO2濃度が設定された第2混合ガスを用いる。
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半導体装置の製造方法及びその半導体装置
【課題】高速動作可能な半導体装置を歩留まりよく製造する。
【解決手段】エアギャップを形成させない領域1、及び、エアギャップを形成させる領域2がそれぞれ設けられた絶縁膜102を用意し、領域1の表面をレジスト104で覆い、領域1がレジスト104で覆われた絶縁膜102の領域2をプラズマ処理し、プラズマ処理された絶縁膜102からレジスト104を除去し、レジスト104を除去した絶縁膜102の領域1、2にCu配線105を埋め込み、プラズマ処理された領域2の絶縁膜102を除去してCu配線105の側面にエアギャップ108を形成して半導体装置を製造する。
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液処理装置及び液処理方法
【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第1の膜の上層に第2の膜が形成された基板から、第1の膜及び第2の膜を除去する液処理装置3において、第1の薬液供給部51は基板Wに第1の膜を溶解させるための前記第1の薬液を供給し、第2の薬液供給部51は前記第2の膜の強度を低下させるための第2の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部52は第2の膜に物理的衝撃を与えて当該第2の膜を破壊すると共に破壊された第2の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部7は第2の薬液を供給し、次いで前記流体供給部52から流体を供給した後、第1の薬液を供給するように各部を制御する。
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銅要素の結晶構造を修正する方法
平坦面を伴う銅要素(II’)の結晶構造を修正する方法であって、a)大粒子を有し、且つ平坦面を含む銅標準(I’)を作る段階と、b)前記平坦面(14、16)の粗さを1nm未満の粗さまで低減する段階と、c)前記平坦面(14、16)を洗浄する段階と、d)前記2つの平坦面(14、16)を接触させる段階と、e)アニーリングする段階と、を含む。前記粗さは0.5nm以下である。この方法は更に、前記標準(I’)と前記要素(II’)とを分ける追加段階f)を含む。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】実用上十分なエレクトロマイグレーション耐性及び動作速度を有する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板1の上に第1の絶縁膜2を形成し、第1の絶縁膜2に配線溝3を形成し、配線溝3の内部に金属膜5を埋め込んで第1の配線6を形成し、第1の絶縁膜2及び第1の配線6の上に保護膜7を形成し、第1の配線6と保護膜7との界面に反応層8を形成する。
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成膜方法、前処理装置及び処理システム
【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にMn等の第1の金属を含む薄膜、例えばMnOxを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部2を有する絶縁層122が表面に形成された被処理体Wに第1の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第1の金属を含む第1の金属含有原料を用いて成膜処理を施すことにより第1の金属を含む薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にMn等の第1の金属を含む薄膜、例えばMnOxを効率的に形成する。
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半導体装置の製造方法
【目的】キャップ成膜時に起因するlow−k膜の絶縁性劣化を低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程(S104)と、前記絶縁膜上に絶縁材料を用いたキャップ膜を形成する工程(S106)と、前記キャップ膜を形成した後に、前記キャップ膜を介して前記前記キャップ膜の下層のシリル化処理を行なう工程(S108)と、前記シリル化処理の後、エッチング法を用いて、前記キャップ膜上から前記絶縁膜内へと続く開口部を形成する工程(S114)と、前記開口部に導電性材料を堆積させる工程(S124)と、を備えたことを特徴とする。
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金属充填装置
【課題】凹面化、空隙、ボイドなどを生じることなく、対象物の微細空間を金属充填材によって満たし、低コスト化と処理効率の向上とを実現しうる金属充填装置を提供すること。
【解決手段】金属充填装置は、微細空間の開口面の一つが開放された状態で、その開口面の反対側から対象物2を支持する第1の支持体10と、前記開口面側から第1の支持体10と接合して、対象物2を処理室A内に封入する第2の支持体11と、処理室Aに溶融金属Mを供給する溶融金属供給部12と、処理室A内の圧力を制御する圧力制御部13とを備えており、微細空間内に溶融金属Mが充填された後、その溶融金属が冷却により硬化するまで、処理室Aに圧力を与える加圧手段を有する。
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半導体装置の製造方法
【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板10上のSiOC膜11表面に配線12を形成する工程と、配線12が表面に形成されたSiOC膜11を希ガス、又は希ガスとN2ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してSiOC膜11表面に緻密層14を形成する工程と、緻密層14が形成された後に、配線12の表面に形成された酸化膜13を除去する工程と、酸化膜13が除去された配線12、及び緻密層14上に絶縁膜としての拡散防止膜15を形成する工程と、を含み、酸化膜13を除去する工程から拡散防止膜15を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。
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処理方法および記憶媒体
【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第1の圧力まで上昇させ(工程3)、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第2の圧力まで上昇させ(工程4)、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う(工程5)。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】電極パッドの損傷を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板11と、半導体基板11の上方に形成された電極パッド30とを有し、電極パッド30は、第1の融点温度を有する材料からなる第1の層32と、第1の層32上に位置するとともに外に向けて表出し、第1の融点温度よりも高い第2の融点温度を有する材料からなる第2の層33とを含むことを特徴とする。これにより、外部から電極パッド30への圧力により第1の層32に達する傷ができても、必要に応じて第1の融点以上の温度で加熱することにより電極パッド表面の平坦性を修復することができる。
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半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器
【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板7の一方の面側に、トランジスタ4のゲート絶縁体層44を形成する第1の工程と、ゲート絶縁体層44上に、厚さ方向に貫通する貫通部91を備える絶縁体層9を形成する第2の工程と、貫通部91内の底部付近のゲート絶縁体層44上、および、貫通部91の周囲の絶縁体層9上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層44上に形成された電極を用いて、ゲート電極45を形成するとともに、絶縁体層9上に形成された電極を用いて、画素電極6を形成する第3の工程とを有する。また、平面視で、貫通部91の開口部の縁が、当該貫通部91の底部の縁より内側に位置する。
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