Fターム[5F033QQ00]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | パターン形成方法,基板,導電膜,絶縁膜の処理方法 (47,095)
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Fターム[5F033QQ00]に分類される特許
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半導体装置及びその製造方法
【課題】ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、(A)ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、(B)ビニル基を含み−Si−O−を含む構造を備える化学物質を、ポーラス絶縁層の表面上あるいはポーラス絶縁層中に導入する工程と、(C)当該化学物質の重合を行うことにより、ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層をトレンチの表面上に形成する工程と、を含む。
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半導体装置の製造方法
【課題】レジスト膜のスリミング時にその膜厚の消費を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基体11上に複数の絶縁層25と複数の導電層WLとを交互に積層して積層体を形成する工程と、積層体上にレジスト膜50を形成する工程と、レジスト膜50をマスクにして絶縁層25及び導電層WLをプラズマエッチングする工程と、ホウ素、リン及びヒ素の少なくとも1つを含むガスを用いたプラズマ処理により、レジスト膜50の上面に、ホウ素、リン及びヒ素の少なくとも1つを含む硬化層51を形成する工程と、レジスト膜50の上面に硬化層51が形成された状態で、酸素を含むガスを用いたプラズマ処理によりレジスト膜50の平面サイズをスリミングする工程と、を備えた。
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パターン状ポリイミド膜の形成方法、電子部品、電子部品の形成方法
【課題】 インクジェット法などの印刷手法によって、微細なパターン状ポリイミド膜を形成する方法を提供すること。さらに、容易な表面処理方法でインクジェット印刷に適した均一な基板表面を形成することができ、結果として所望のパターンのポリイミド膜が得られる塗膜形成方法を提供すること。
【解決手段】反応性の有機基を有するシランカップリング剤(A)、パーフルオロアルキル基あるいはポリシロキサン基から選ばれる基を少なくとも1つ有するシランカップリング剤(B)及びカチオン性有機基を有するシランカップリング剤(C)からなる群から選ばれる少なくとも1種を含有する表面処理剤を用いて、基板上に前記表面処理膜を形成する工程、その後に、アミド酸誘導体及びそのイミド化物から選ばれる少なくとも1種の化合物を含有するインクジェットインクを前記表面処理膜上にインクジェット塗布方法によりパターン状に形成する工程、を有する、パターン状ポリイミド膜の形成方法。
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絶縁膜のダメージ回復方法及びダメージが回復された絶縁膜
【課題】層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、炭酸エステル系の化合物である回復剤と接触させてダメージ回復処理を行うことを特徴とする絶縁膜のダメージ回復方法を選択する。
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半導体装置の製造方法
【課題】側壁転写技術を使用したパターニングの加工性の向上を図る。
【解決手段】ゲート電極MGを形成するための被加工膜8上にCVD法でカーボン膜9aを形成し、続いてSOG膜を形成する。カーボン膜9aをリソグラフィ技術によるレジストパターンでハーフエッチするとともに、幅寸法をWaから半分のWbにスリミングして芯材パターン部9bを形成する。全面にアモルファスシリコン膜14を形成し、エッチバック処理でスペーサパターン14aを形成し、これをマスクとして芯材パターン部9bと共にカーボン膜9aをエッチングしてマスクパターン9を形成する。レジストを芯材パターンとして用いないので高温で加工ができ、加工性が向上する。
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薄膜の製造方法
【課題】本発明は、薄膜材料となる微粒子を分散した液体を、被処理部材の表面に塗布して薄膜を製造する方法であって、均一な薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】金属または半導体を含む薄膜の製造方法であって、溝(または凹部)4を有する被処理部材10の表面に、金属の微粒子、半導体の微粒子、金属の酸化物を含む微粒子、および半導体の酸化物を含む微粒子、のうちの少なくともいずれかを溶媒中に分散した液体8を塗布する塗布工程と、被処理部材10の表面に塗布した液体8の溶媒を揮発させる第1の熱処理工程と、マイクロ波を照射することにより、溶媒を揮発させた液体8に分散された微粒子を加熱し、液体8に含まれる微粒子または液体8に含まれる微粒子の成分で溝(または凹部)4を埋める第2の熱処理工程と、を備えたことを特徴とする薄膜の製造方法が提供される。
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方向転換されたカーボンナノチューブで作られた相互接続構造
本発明は、少なくとも2つの異なる方向に沿って伸びる電気接続を含む電子デバイスであって、前記接続は本質的にカーボンナノチューブの束(CNT)(8)を用いて形成され、少なくとも2つのCNT束は、第1方向に沿った軸を有する部分(8a)と、第2方向に沿って方向転換された軸を有する部分(8b)とを含み、前記CNT束間の接続は前記少なくとも2つの束の一部分(8b)の重なりによって達成され、接続ライン(4)を形成する、電子デバイスに関する。
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銀超微粒子含有組成物および導電性パターン作製方法
【課題】焼結工程および浸漬処理が不要であり、優れた導電性が得られる銀超微粒子含有組成物および導電性パターン作製方法を提供する。
【解決手段】水性媒体中に、平均粒径が0.1μm以下の銀超微粒子、ポリマーラテックス、および水溶性ハロゲン化物を含有することを特徴とする銀超微粒子含有組成物。およびこの銀超微粒子含有組成物を基材表面に塗布・乾燥させることによりパターンを作製し、該パターンに紫外線の照射および/または水分の再付与を行う導電性パターン作製方法。
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半導体装置の製造方法
【課題】絶縁膜のストレスに耐え、絶縁膜からの酸素や水分の影響を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションの耐性や配線間の耐圧も改善することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、(a)凹部102が形成された絶縁膜101上に、TaN膜103を成膜する工程と、(b)TaN膜103上に、Taよりも熱膨張係数が大きいTiを主成分とするTi膜104を成膜する工程と、(c)Ti膜104上に、Tiよりも熱膨張係数が大きいCuを主成分とするCu膜105を成膜する工程と、(d)Cuを、電解めっきにより、凹部102内に埋め込む工程とを含む。
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半導体装置の製造方法
【課題】配線幅の拡大の阻止を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に配線溝を形成する工程と、前記配線溝に配線を形成する工程とを具備し、前記配線溝を形成する際に、前記配線溝内に酸素ラジカルを吸収する酸素ラジカル吸収物質を形成する(ステップS104)。
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半導体装置の製造方法
【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程(ステップS101)と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程(ステップS102)と、絶縁膜上にレジストを形成する工程(ステップS103)と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程(ステップS104)と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程(ステップS105)と、洗浄した開口部をリンスする工程(ステップS106)と、含む。ステップS106では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。
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半導体装置の製造方法
【課題】配線間のリーク電流が発生することを抑制し、配線間容量の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置100の製造方法は、絶縁膜2にダマシン配線を形成する工程(A)を含む半導体装置100の製造方法であって、基板1上に形成された絶縁膜2の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜2中の水分を脱離する工程(B)と、シリル化ガスを含む雰囲気中でアニール処理を行い、絶縁膜2をシリル化する工程(C)と、を含む。
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基板処理方法及び記憶媒体
【課題】低誘電率膜であるSiCOH膜とCu配線との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層及び酸化物が夫々形成された基板に対してダメージ層を回復させ且つ酸化物を還元すること。
【解決手段】SiCOHを含む層間絶縁膜4とCuを含む配線2との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層15及び酸フッ化層16が夫々形成されたウエハWに対して、H2ガスの供給とシリコン及び炭素を含むTMSDMAガスの供給とを同一の処理容器51においてこの順番で連続して行うことによって、酸フッ化層16の還元処理及びダメージ層15の回復処理を行う。
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パターン形成方法
【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等のパターンを作製する方法、さらには、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜、良好なマスクパターン、及びコンタクトホールを形成する方法を提案し、更には低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一は、膜上にぬれ性の低い1のマスクパターンを形成した後、第1のマスクパターンを介して、膜上にぬれ性の高い材料を塗布又は吐出して第2のマスクパターンを形成し、第1のマスクパターンを除去して、第2のマスクパターンをマスクとして第1の膜の一部を除去する。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】 半導体装置の銅配線の信頼性をTDDB寿命とEM寿命との双方に関して向上させる。
【解決手段】 半導体装置の配線層30は、配線溝が形成された絶縁膜32、35と、配線溝の内面に形成されたバリアメタル層41と、バリアメタル層41を介して配線溝内に形成された銅配線膜43とを有する。バリアメタル層41は、配線溝の内壁面側から順に形成された第1乃至第3のバリアメタル膜41−1、2、3を有する。第2のバリアメタル膜41−2は、第3のバリアメタル膜41−3側の表面部分において、クラスタイオン照射によって形成された、その他の部分より高い密度の緻密層41−2aを有する。第3のバリアメタル膜41−3は、例えばルテニウム等、銅配線膜43との密着性に優れた材料を有する。
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半導体装置の製造方法
【課題】金属配線に用いられるAlにCuを添加した合金導電膜の膜質を改善して、ストレスマイグレーション耐性を向上させること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、Al−Cu膜の成膜後に予め決められた温度変化で冷却する工程が存在する。これにより、Al−Cu膜は、結晶粒と粗密差が生じる領域が従来例よりも狭くなってヒロックの発生が抑制される膜質に改善される。その後に続く製造工程における熱履歴によってヒロックの発生が抑制され、その結果、このAl−Cu膜を有する配線層から形成された配線のストレスマイグレーション耐性が向上する。
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ハードマスク材料
【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−600MPaから600MPaの範囲内であり、硬度は少なくとも約12Gpaである。ハードマスク膜は、PECVD処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy、およびBxNyから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約60原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いGeNxハードマスク材料を含む。
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膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置
【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造a1と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および/または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、分子内に複数個の重合性反応基を備え、当該重合性反応基として少なくとも1個の重合性二重結合を備えた多価反応性オレフィン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記多価反応性オレフィン体が有する前記重合性反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記多価反応性オレフィン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が0.01〜10モル%である。
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流体ジェットを用いて孔を作製する方法
層(4)に孔(5)を作製する方法は、支持体(2)の表面に第1の接着領域(1a)および第2の接着領域(1b)を設けることを含む。第1の接着領域(1a)の寸法は、孔(5)の寸法に対応する。この方法は、第1の接着領域(1a)および第2の接着領域(1b)に層(4)を堆積させることを含む。層(4)の材料は、第2の接着領域(1b)に対してよりも、第1の接着領域(1a)に対してより低い粘着係数を有する。第1の接着領域(1a)の上方に配置された層の一部が、流体ジェット(6)によって除去される。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】 層間絶縁膜内の水分などによるバリアメタルの腐食を防止し、銅配線の信頼性の低下及び抵抗値の上昇を抑制し得る半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メチル基を含有する層間絶縁膜32内に配線溝37を形成する。配線溝37が形成された絶縁膜32に紫外線又は電子線を照射した後に、メチル基を有するガスを用いて絶縁膜の露出面を疎水化する。配線溝37の疎水化された内面に沿ってバリアメタル層41を形成し、該バリアメタル層41を介して配線溝37を銅配線43で充填する。一実施形態において、配線溝37はメタルハードマスク47を用いて絶縁膜32をエッチングすることにより形成され、絶縁膜32への紫外線又は電子線の照射は、メタルハードマスク47を残存させた状態で行われる。
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