【課題】機械的強度および密着力に優れた低誘電率の層間絶縁層を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第１の多孔質層６と、第１の多孔質層６の直上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第２の多孔質層７と、第１の多孔質層６に埋め込まれたビア１０と、第２の多孔質層７に埋め込まれた配線１１と、を有し、第１の多孔質層６の孔密度ｘ_１は４０％以下であり、第２の多孔質層７の孔密度ｘ_２は、（ｘ_１＋５）％以上である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜とＣＶＤ法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にＣＶＤ法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第２の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接続孔の内壁に絶縁膜を形成することにより、接続孔の径を小さくする場合において、接続孔内に導電膜を十分に埋め込むことができるようにする。
【解決手段】接続孔２１０，２２０の内壁上に絶縁性の第１膜３００を形成し、接続孔２１０，２２０の径を細らせる。次いで、第１膜３００が形成された接続孔２１０，２２０内に、第２膜５０を埋め込む。次いで、絶縁膜２００の表層を、ＣＭＰ法を用いて除去する。次いで、接続孔２１０，２２０から第２膜５０を除去する。次いで、接続孔２１０，２２０の第１膜３００上および接続孔２１０，２２０の底面上にバリアメタル膜３３０を形成し、さらに接続孔２１０，２２０内に導電膜からなるコンタクト３１０，３２０を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑制しつつ、配線部分の抵抗の増大を抑制することができるとともに、電気的なリークの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜としてポーラス状の低誘電率膜を有する半導体装置を基板上に形成する半導体装置の製造方法であって、前記基板に前記低誘電率膜を形成する低誘電率膜形成工程と、エッチングにより前記低誘電率膜にトレンチ又はホールを形成するエッチング工程と、前記トレンチ又はホール内に、ニトロ化合物のプラズマを作用させて前記低誘電率膜のエッチングにより露出された面を改質する改質工程と、前記トレンチ又はホール内に導体を充填する導体形成工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】、基材の表面を冷却したまま溶媒を除去しない場合に比べ、パターンが精度良く形成されるパターン形成装置を提供する。
【解決手段】基材２０を冷却する基材冷却手段２２と、前記基材冷却手段によって冷却された前記基材の表面に、パターン形成材料、及び溶媒を含む組成物１８を付与して該組成物のパターンを描画するパターン描画手段２４と、前記基材の表面に描画された前記組成物のパターンから該基材を冷却したまま前記溶媒を除去する溶媒除去手段２６と、を有するパターン形成装置１０。溶媒除去後、加熱を行って分散剤を除去する加熱手段２８を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線電極の幅が小さく、かつ厚みの大きい配線電極である、配線電極の断面形状について、所望のアスペクト比の配線電極を有する配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発明にかかる配線基板１０は、絶縁基板１２と、該絶縁基板１２上に配線電極２２が形成された配線基板であって、絶縁基板１２上に保護膜１４を形成し、レーザー光１６の照射により保護膜１４に保護膜１４の厚さ以下の幅を有する配線パターン溝１８を形成し、該配線パターン溝１８に導電性ペースト２０を埋め込んで、該導電性ペースト２０の塗膜を形成する。そして、絶縁基板１２上に形成された保護膜１４を除去することにより絶縁基板１２上に、所望のアスペクト比を有する配線電極２２が形成された配線基板１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、下層配線としてＣｕ配線を含む多層配線と、前記Ｃｕ配線を形成するために用いられるＣｕアクセサリとが形成された半導体基板を、ポリイミド膜で覆う工程と、前記多層配線の最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面を露出させる工程と、前記半導体基板をＣｕ腐食防止剤の蒸気にさらして、前記最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜を形成する工程と、前記最上層配線の表面に形成されたＣｕ腐食防止膜を選択的に除去する工程と、前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜が形成された状態で、前記ポリイミド膜をベーク処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ金属との密着性に優れた絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（シリコン基板）と、基板上に設けられており、炭素−炭素結合を有し、かつ炭素原子数とシリコン原子数との比（Ｃ／Ｓｉ）が２以上である、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂと、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂに設けられた凹部と、凹部を埋め込むように設けられた金属膜（Ｃｕ膜２２ｂ）と、Ｃｕ膜２２ｂと接しており、凹部内の多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの表面に設けられた、改質層３１ｂと、を備え、改質層３１ｂは、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの内部と比較して、Ｃ／Ｓｉ比が小さく、かつＯ／Ｓｉ比が同等である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームが発生しにくい構造体とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】互いに交差し、絶縁膜を介して前記絶縁膜上を配線するブリッジ配線の導通不良の原因の絶縁膜のしみ上がりを防ぐ。
【解決手段】互いに交差する複数の配線と、前記複数の配線の交差部において、前記配線間に形成される絶縁層とを含む回路基板の製造方法であって、基板配線形成工程と、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の表面に前記基板配線に交差するブリッジ配線を形成するブリッジ配線形成工程とを含み、前記絶縁膜形成工程は、前記絶縁膜の材料を含む機能液を液滴として吐出する液滴吐出工程を含み、前記機能液はレベリング剤を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便に半導体集積回路を小領域に電気的に分離する。
【解決手段】厚さが１５０〜６００μｍ程度のＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板１の表面に半導体集積回路２を形成し、化合物半導体基板１の裏面（半導体集積回路２が形成された表面とは反対側の面）に、直角に交わっている複数の切込溝３を設け、半導体集積回路２の表面から切込溝３の底面までの距離を５０〜１５０μｍとし、切込溝３内にＡｕ等の金属４を埋め込み、金属４を化合物半導体基板１の裏面全面にも設ける。 （もっと読む）

【課題】 集積回路における酸化表面層の洗浄を行うための新しいドライクリーニングプロセスの提供。
【解決手段】 一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。当該方法は、非プラズマ励起された水素気体を含む第2処理気体へ前記の活性化した酸化表面層を曝露する工程をさらに有する。前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程は、前記酸化表面層を活性化させるのに加えて、水素気体を含む前記第2処理気体による、前記活性化した酸化表面層の還元を助ける。前記金属含有バリア層の厚さは、ハイブリッドその場ドライクリーニングプロセスによって実質的には変化しない。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂基板及び電極の両方に対するレベリング性に優れ、平滑性及び絶縁性に優れた硬化膜が得られる紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤、及び表面張力調整剤を含有し、硬化性を有さないポリマーを含まず、２５℃における粘度が１００ｍＰａ・ｓｅｃ以下、表面張力が２２〜３５ｍＮ／ｍ、かつインク硬化膜の体積抵抗率１０^１３Ω・ｃｍ以上であり、絶縁破壊強度１．２MV／ｃｍ^２以上である、絶縁膜を形成するためのソルベントフリー紫外線線硬化型インクジェット記録用インク、それを硬化してなる絶縁膜等を提供する。 （もっと読む）

【課題】側壁転写によるマスクパターンの倒れ、マスクパターンの接触を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１上に、第１のＴＥＯＳ酸化膜２、シリコン窒化膜３、第１のアモルファスシリコン膜４、第２のＴＥＯＳ酸化膜５を積層形成する。レジストによるパターニングでＴＥＯＳ酸化膜５を第１幅Ｄ１の中間パターン５ａに加工し、スリミング処理をして第２幅Ｄ２の芯材パターン５ｂを形成する。第２のアモルファスシリコン膜６を形成してスペーサ処理をすることで側壁膜６ａを形成し、芯材パターン５ｂを除去して孤立したマスクパターン６ｂを得る。下地に同じアモルファスシリコン膜４を用いるので、マスクパターン６ｂの倒れや接触の発生を抑制できる。 （もっと読む）

マスク層の下にアンダーカット形状を形成するエッチングプロセスによって基板にビアが形成される。ビアはコンフォーマルな絶縁層で覆われ、この構造にエッチングプロセスを実施して水平面から絶縁層を取り除くと共にビアの垂直な側壁の絶縁層を残す。ビアの上部領域はエッチバックプロセスの際、アンダーカットハードマスクによって保護される。
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