【課題】液体に対し金属膜の表面の濡れ性を改質し、金属表面と液体との接触角を増加させて液体の濡れ広がりを抑制し、信頼性の高い機能膜を低コストで実現すること。
【解決手段】基材１の平板面１ａに金属膜２を形成する（金属膜形成工程）。次いで、金属膜２の表面２ａに機能材料を含有する液体３を付与し、液体３を固化させて機能膜３Ａを形成する（機能膜形成工程）。金属膜形成工程では、平板面１ａに対する成膜入射角αが５°以上１５°以下となる条件で平板面１ａに金属を真空蒸着し、金属膜２を平板面１ａに対して２０°以上４５°以下に傾斜する柱状結晶構造に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ３次元集積化構造中の不良を超音波スキャンによって検出することであって、シリコンウエハなどのボードに配列されているシリコン貫通配線（ＴＳＶ）においてプロセス中に発生してしまう可能性のあるボイドの存在を非破壊的に検出すること。
【解決手段】 ボード面にわたって超音波スキャンをすると、（はんだ）バンプ等が物理的な遮蔽物として超音波を散乱させてしまい、超音波スキャンによる測定を妨げてしまう。そこで、これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶを選び出すにあたって、物理的な遮蔽物を少なく存在するように選び出す。 （もっと読む）

【課題】深孔相互間の距離を狭くする事ができ、深孔を微細化しても周囲の配線基板から及ぼされる応力の増加が防止でき、信頼性が保たれ、プロセス全体を低コストできる配線基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】基体の主表面からその反対側裏面の両面に貫通する複数の貫通孔を備え、それらの孔が実質的に金属で埋められて貫通電極とされており、それらの内の少なくとも２以上の電極が電気的に並列に接続されている配線基板の製造方法であって、それらの２以上の孔を形成する場合に、それらの２以上の孔を含む領域より大きいサイズのマスクパターンを利用してそれらの２以上の孔を陽極酸化法を含む自己組織的穴明けプロセスにより所定の深さ以上の孔を形成した後に裏面から基体を削って、孔を裏面に露出させて貫通孔とする事を特徴とする配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ本体を貫通する電極を有する半導体チップにおいて、半導体チップ本体が厚い場合であっても、電極と半導体チップ本体との間に介在する絶縁部を容易に形成でき、且つ電極の信頼性を高くすることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１は、第１の面２ａおよび第２の面２ｂと、４つの側面を有する半導体チップ本体２を備えている。半導体チップ１は、更に、半導体チップ本体２を貫通する電極収容部４と、少なくとも一部が電極収容部４内に収容された電極７と、電極収容部４内において、電極７と半導体チップ本体２との間に介在する絶縁部５とを備えている。絶縁部５に接する電極収容部４の壁面４Ｗは、第１の面２ａに垂直な方向に対して傾いている。電極７と絶縁部５の界面が第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度は、壁面４Ｗが第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチ発生の可能性を軽減させた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜の形成後、シード膜の形成の前に配線パターンの形成を行う。次いで、シード膜の形成後、配線パターン用レジストの剥離を行う。次いで、メッキマスクレジストの形成を行なったのち、半導体基板の表面からのメッキ電流により、ウエットエッチング工法を行うこと無く、配線パターンの形成を行う。 （もっと読む）

【課題】基板と貫通電極との間で形成される浮遊容量が小さい基板を提供する。
【解決手段】第１面２ａと第１面２ａと対向する第２面２ｂとを貫通して開口するビアホール２ｃを有する基板２と、基板２の第１面２ａに設置され熱酸化膜を含む第１絶縁膜３と、ビアホール２ｃ内の面とに設置され熱酸化膜を含む第３絶縁膜５と、ビアホール２ｃ内で第３絶縁膜５に囲まれた導電体７と、を有し、第１面２ａにおける第１絶縁膜３の厚みに比べてビアホール２ｃ内の面における第３絶縁膜５の厚みが厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第１配線層１５０を構成する絶縁層の表層には、第１配線１５４及びゲート電極２１０が埋め込まれている。第１配線層１５０と第２配線層１７０の間には、拡散防止膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜２３０は、拡散防止膜１６０のうちゲート電極２１０と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの一部が素子分離領域上に配置された構造の半導体装置において、短絡及び接合漏れ電流の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置５０は、半導体基板１０における活性領域１０ａを取り囲むように形成された溝１５ｂに素子分離絶縁膜１５ａが埋め込まれた素子分離領域１５と、活性領域１０ａに形成された不純物領域２６と、半導体基板１０上を覆う層間絶縁膜２８と、層間絶縁膜２８を貫通し、活性領域１０ａ上及び素子分離領域１５上に跨って形成されたコンタクトプラグ３４と、少なくともコンタクトプラグ３４下方において、不純物領域２６上に形成された金属シリサイド膜３３とを備える。素子分離領域１５は、コンタクトプラグ３４の下方において、素子分離絶縁膜１５と活性領域１０ａとの間に設けられた保護絶縁膜３５を更に有する。 （もっと読む）

【課題】 プローバーテストの製品への影響をさらに軽減して、より一層信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。金属膜１１は、絶縁膜１０ｂ内に形成され、縦孔配線部３０と電気的に接続される。そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と直接に接続される配線の信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、貫通孔１Ａを有する半導体基板１と、半導体基板１の上に形成された第２層間絶縁膜７ｂと、第２層間絶縁膜７ｂに貫通孔１Ａを覆うように形成された第１の外部接続用配線８ａ_１と、第２層間絶縁膜７ｂの上に、第１の外部接続用配線８ａ_１を覆うように形成された第３層間絶縁膜７ｃと、第３層間絶縁膜７ｃにおける第１の外部接続用配線８ａ_１の上側部分に形成された第２の外部接続用配線８ｂ_１と、貫通孔１Ａにおける少なくとも内壁面に形成されると共に、各外部接続用配線８ａ_１、８ｂ_１とそれぞれ電気的に接続される貫通電極１５Ａとを備えている。第１の外部接続用配線８ａ_１は、複数の孔部１９ａを有し、第２の外部接続用配線８ｂ_１は、第１の外部接続用配線８ａ_１の孔部１９ａを覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンと比較的サイズが大きめのパターンとを有するパターン形成方法で、サイズが大きめのパターンを従来に比して精度良く形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、加工対象上の芯材膜３１に開口を形成した後、マスク膜３２をコンフォーマルに形成する。マスク膜３２をエッチバックして芯材膜３１の側面に第１の幅のマスク膜３２を残す。開口の形成領域以外の領域にレジストパターン３５ａを形成し、これをマスクに芯材膜３１をエッチングする。さらに、芯材膜３１をスリミングして第１の幅より小さい第２の幅のラインアンドスペース状のパターンを形成する。側壁膜をコンフォーマルに形成した後、エッチバックし、さらに芯材膜３１を除去して、加工対象上に側壁膜からなる側壁パターンを形成する。そして側壁パターンで加工対象をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ビアホール表面上の絶縁コーティングとビアホール内に挿入される導電材料との付着性を向上する。
【解決手段】導電性ビアを形成する方法は、一つ以上のビアホールを基板内に形成するステップを含む。ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。ビアホールは、その表面に低誘電率（低K）誘電材料を含む誘電体コーティングの付着を促進するように構成されてもよい。障壁層が各ビアホールの表面の上に形成されてもよい。種材料（seed material）を含み得るベース層は、その後のビアホールの表面上の導電材料の選択的堆積を促進するように形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】パッケージを用いることなく、半導体集積回路の耐湿性も含めた信頼性が確保されて実装できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１基板１０１の主表面に形成された集積回路を備える集積回路層１０２と、集積回路層１０２を覆って第１基板１０１の上に形成された絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３の上に貼り付けられた第２基板１０４とを備える。絶縁膜１０３は、例えば、窒化シリコンなど耐湿性に優れた絶縁材料から構成するとよく、膜厚は０．２〜０．３μｍ程度に形成されていればよい。また、第２基板１０４は、例えば、シリコン基板であればよい。シリコン化合物からなる絶縁膜１０３と、シリコン基板からなる第２基板１０４であれば、例えば、１０^-5Ｐａ程度の高真空状態で、適宜に加圧することで、直接接合により貼り合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】電極パッドと貫通電極との接続面積を確保しつつ、下地膜が確実に形成される半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板および電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の能動面１０ａ側に設けられた第一絶縁膜２２と、第一絶縁膜２２上に設けられた電極パッド１２と、電極パッド１２の形成位置に対応し、半導体基板１０および第一絶縁膜２２に形成された貫通孔Ｈ３と、貫通孔Ｈ３の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜２３と、第二絶縁膜２３と電極パッド１２とを覆うように設けられた下地膜２４と、下地膜２４の内側で、貫通孔Ｈ３に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極３０と、を具備した半導体装置１００において、貫通孔Ｈ３の側面と電極パッド１２の裏面との角部２３ａに、第二絶縁膜２３がフィレット状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】公知のプロセスよりも高速であり、充てんされたビアにボイド、凹み又はキーホールを残さず、製造の費用効果が高い、改善された方法を提供する。
【解決手段】第１の表面２１４及び対向する第２の表面２１６を有する基板２１２を設け、基板の第１の表面に部分的にのみ前記基板の中に広がる少なくとも１つのブラインドビア２１８を形成する。酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。シード材料の上に導電性材料２３０を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第２の表面に研磨平坦化を実施する。 （もっと読む）

【課題】高い温度が必要な工程間に、応力と変形の無い基板の２つの面間の電気的接続とそのような接続の製造方法を提供する。
【解決手段】接続は、少なくとも一つの電気的に絶縁トレンチ３６、４４によって完全に囲まれた導体または半導体基板２０の部分４６を有する。接続パッド４２は背面４０上に形成され、ストリップ導体３８は表面上に形成される。接続は基板自身によって行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一表面上に絶縁膜を介して形成された導電層と、半導体基板の他面上に形成されたバンプ部と、導電層とバンプ部とを接続する半導体基板を貫通する貫通電極部とを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の他面側から導電層に接続する貫通孔を形成し、貫通孔及び他面上にメタル膜（バリアメタル及びシードメタル）６を形成し、その上にフォトレジスト１０を形成し、貫通孔より大きなパターンに加工してメッキマスク層を形成し、電解メッキ法により銅からなる第１メッキ膜７を形成して、貫通電極部と第１バンプ部を形成し、第１バンプ部上に第２バンプ部となる第２メッキ膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】製造時間とコストの大幅な削減が可能な下地導電層付き基板および貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に複数の貫通孔２を有するガラス基板３の貫通孔２内に下地導電層４を有する基板の製造方法であって、前記ガラス基板３の貫通孔２内に、金属粒子と分散媒とを含有する流動性の導電性組成物（金属インク）の層を形成する工程と、この導電性組成物の層を加熱して、貫通孔２の内壁面に金属粒子の金属を主体とする下地導電層４を形成する工程とを備える方法である。貫通電極基板５の製造方法は、こうして形成された下地導電層４上に電解めっき等により導電性金属の層を形成して、貫通孔２内に充填された貫通電極６を形成する工程を有する。 （もっと読む）