【課題】トランジスタの特性を劣化させることなくポリシリコン抵抗素子を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３０の抵抗素子形成領域に抵抗素子となるポリシリコン膜３５ａを形成するとともに、トランジスタ形成領域にポリシリコンゲート３５ｂ及び高濃度不純物領域４０を形成する。その後、全面に絶縁膜４１を形成した後、トランジスタ形成領域をフォトレジスト膜４２で覆い、ポリシリコン膜３５ａに導電性不純物をイオン注入する。次いで、フォトレジスト膜４２をアッシングにより除去する。このとき、トランジスタは絶縁膜４１に覆われているため、アッシングによるダメージが回避される。また、抵抗素子領域に導入された導電性不純物が大気中のＯ及びＨと反応して酸が発生しても、ポリシリコンゲート及び高濃度不純物領域４０が酸により溶解することが回避される。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサン系絶縁膜を用いて電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】下層配線の上にこの順で形成された第１〜第３の絶縁膜をドライエッチングして該下層配線に至る開口部を形成し、該開口部の内面と該第３の絶縁膜の上にバリアメタル膜を形成し、該バリアメタル膜の上に該開口部を埋める導電層を形成し、該第３の絶縁膜上の該導電層と該バリアメタル膜、及び該第２、第３の絶縁膜の一部を除去し該下層配線に電気的に接続する上層配線を形成し、露出した該第２の絶縁膜と該導電層の表面を還元性プラズマ処理し、
該第２の絶縁膜は下記式で表されるアルキルアルコキシシランと非酸化性ガスとを用い、５００Ｐａ以下でプラズマＣＶＤ法により形成する
ＲｗＳｉｘＯｙ（ＯＲ´）ｚ
Ｒ及びＲ´はＣＨ_３、ｗｘｚは正の整数、ｙは０または正の整数、（ｗ／ｘ）＝２である。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、下層配線としてＣｕ配線を含む多層配線と、前記Ｃｕ配線を形成するために用いられるＣｕアクセサリとが形成された半導体基板を、ポリイミド膜で覆う工程と、前記多層配線の最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面を露出させる工程と、前記半導体基板をＣｕ腐食防止剤の蒸気にさらして、前記最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜を形成する工程と、前記最上層配線の表面に形成されたＣｕ腐食防止膜を選択的に除去する工程と、前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜が形成された状態で、前記ポリイミド膜をベーク処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スパッタ装置の処理能力を損なうことなく、スパッタに異常がないときは金属薄膜の反射率を面内で均一にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコン基板にスパッタ成長により金属膜を形成する第１スパッタ工程と、該第１スパッタ工程の後に該第１スパッタ工程よりも高いＤＣパワーでさらに金属膜をスパッタ成長させる第２スパッタ工程と、該第１スパッタ工程と該第２スパッタ工程の後に、該第１スパッタ工程および該第２スパッタ工程で形成された金属膜の反射率の均一性を測定する検査工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 第１絶縁膜に設けた凹部の側壁に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜の内側に順に第２絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、炭素を含有する第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設けるとともに、前記第１の導電性バリア層と前記第２の導電性バリア層との界面と、前記第２の導電性バリア層と前記第３の導電性バリア層との界面に炭素混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】接続導体との間のはんだ接合部の信頼性を確保する。
【解決手段】ジンケート法による無電解めっき法を用いて、半導体チップ１の表面側のＡｌ電極３の上にＮｉめっき層５が形成される。Ａｌ電極３の上には、選択的にＮｉめっき層５が析出されるため、周辺耐圧構造４部分には、Ｎｉめっき層５は形成されない。また、形成されるＮｉめっき層５は、所定の厚さに均一に形成することができる。続いて、Ｎｉめっき層５の上にＡｕめっき層６が形成される。無電解めっき法を用いることによって、Ａｕめっき層６もＮｉめっき層５と同様に、Ｎｉめっき層５の上に選択的、かつ均一に形成される。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハ上の低誘電率材料及び相互接続材料に損傷を与えることなく、ウエハ上のダマシン処理によるサイドウォールポリマーを除去するための水性洗浄溶液及び洗浄溶液を用いる方法を記載する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ容量素子形成時に生じる異常放電による容量絶縁膜の絶縁破壊を抑えることができて、高容量密度のＭＩＭ容量素子を得る。
【解決手段】半導体基板２上に、下部電極４−容量絶縁膜５−上部電極６からなるＭＩＭ容量素子１を有する半導体装置であって、上部電極４を構成する上部電極用金属膜は容量絶縁膜５との界面が、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によりプラズマを用いないで堆積したアモルファス状のＴｉＮ膜などの金属窒化膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基とを含有する。水溶性有機溶剤は、双極子モーメントが３．０Ｄ以上である高極性溶剤と、グリコールエーテル系溶剤と、多価アルコールとを含み、上記高極性溶剤とグリコールエーテル系溶剤との合計含有量が、全量に対して３０質量％以上である。 （もっと読む）

【課題】レジスト残滓を確実に除去する。
【解決手段】基板１０上の一部にレジスト２０を用いて導体層１９をパターニングした後、レジスト２０を剥離するレジスト剥離工程と、基板１０の導体層１９が形成された面に対して、第一ノズル１０３から第一噴射圧で溶剤を噴射することによりレジスト２０の残滓２０ｂをふやかし、第二ノズル１０４から第一噴射圧よりも高圧の第二噴射圧で溶剤を噴射することによりレジスト２０の残滓２０ｂを物理力で除去するレジスト残滓除去工程と、を備える導体層の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】配線間のショートを抑制すること。
【解決手段】半導体基板１０上に第１絶縁膜２０を形成する工程と、前記第１絶縁膜の上面を研磨する工程と、研磨された前記第１絶縁膜に接続３０孔を形成する工程と、前記接続孔の内面および前記第１絶縁膜上に前記第１導電層３２を形成する工程と、前記接続孔内の前記第１導電層上に第２導電層３４を形成する工程と、前記第１絶縁膜上の前記第１導電層を研磨し前記第１絶縁膜の上面を露出させる工程と、前記第２導電層のエッチングレートより前記第１導電層のエッチングレートが大きいエッチャントを用い、前記接続孔内上部の前記第１導電層をエッチングする工程と、前記絶縁膜上に配線層５０を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線間のリーク電流が発生することを抑制し、配線間容量の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、絶縁膜２にダマシン配線を形成する工程（Ａ）を含む半導体装置１００の製造方法であって、基板１上に形成された絶縁膜２の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜２中の水分を脱離する工程（Ｂ）と、シリル化ガスを含む雰囲気中でアニール処理を行い、絶縁膜２をシリル化する工程（Ｃ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成する溝の寸法を制御しやすい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、デュアルダマシンのビアが形成された下側絶縁膜と、ビアを埋め下側絶縁膜上に延在しレジスト材料でできた樹脂膜と、樹脂膜上に形成された酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上方に形成されたレジストパターンとを有するエッチング対象物に対し、レジストパターンをマスクとし、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、及びＣＨ_３Ｆから選択されたガスの使用量、及び、Ｏ_２及びＡｒから選択されたガスの使用量を定めるレシピを複数含みエッチングチャンバの制御装置に記憶されたレシピ群から選択されたレシピで、酸化シリコン膜をエッチングして、ハードマスクを形成する工程と、ハードマスクを用い、樹脂膜及び下側絶縁膜をエッチングして、デュアルダマシンのトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】タングステンに対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜等の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基と、下記一般式（１）で表される防食剤とを含有する。


（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１７のアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ_２は炭素数１〜１３のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、埋込みビットラインの抵抗を減少させ高速動作に有利な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ハードマスク膜をバリアとして半導体基板をエッチングし、複数の活性領域を画定するトレンチを形成するステップと、ハードマスク膜が突出部となるように前記トレンチ内部を一部ギャップフィルするギャップフィル膜を形成するステップと、突出部の両側側壁を覆うスペーサを形成するステップと、ドープドエッチング障壁膜をエッチングバリアとしてスペーサのうち何れか１つのスペーサを除去するステップと、残留するスペーサをエッチングバリアとして前記ギャップフィル膜をエッチングし、活性領域の一側側壁を露出させる側壁トレンチを形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】素子の特性の変動を抑えること。
【解決手段】面方位が（１００）面のシリコン基板１の表面に、１ｎｍ以下の酸化膜１０を形成する。そして、この酸化膜１０の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が（１１１）面のアルミニウム膜２を形成する。そして、アルミニウム膜２の表面に、無電解めっき処理によりニッケルめっき層を形成する。また、アルミニウム膜２を形成した後、シリコン基板１とアルミニウム膜２とをシンタリングする際に、酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】保守作業を簡易化してエッチング処理の効率を向上させることが可能なエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング液を収納するエッチング槽１２と、エッチング槽１２に接続される駆動部２０、２２、２４と、駆動部の駆動部材の少なくとも一部に洗浄水を供給する洗浄部２８、３４とを備える。また、ひとつの実施形態で駆動部２０、２２、２４は、エッチング液を揺動させる揺動機構の揺動軸３６であり、前記揺動軸３６は軸受けプレート３５に覆われており、前記洗浄部２８、３４が、前記軸受けプレート２５の内部に前記洗浄水を供給する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＰＳ構造を採るメタル膜とコンタクトプラグとの界面抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】まず、半導体基板１の上に、ゲート絶縁膜３を形成し、形成したゲート絶縁膜３の上に、ＴｉＮ膜４及びポリシリコン膜５を順次形成する。続いて、ポリシリコン膜５にＴｉＮ膜４を露出するコンタクトホール５ａを形成する。続いて、ポリシリコン膜５における第１のコンタクトホール５ａの少なくとも底面及び壁面上に金属膜７を形成する。 （もっと読む）