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【課題】可撓性を有する絶縁基材上の導体配線と半導体子の素子電極とが突起電極を介して接合された構造において、接合時の超音波振動等に起因して導体配線の破損や断線を抑制する手段を提供する。
【解決手段】配線基板19は、絶縁基材10と、その上に設けられた複数の第1の導体配線11と、第1の導体配線に設けられた第1の突起電極13と、第1の導体配線の外端側にそれぞれ隣り合うように設けられた1本以上の第2の導体配線12を有する。半導体チップ18は、半導体素子20と、その上に設けられた素子電極21と、素子電極上に設けられた第2の突起電極22を有する。配線基板の第1の突起電極と半導体チップの第2の突起電極が対向して接合されることにより、第1の導体配線から半導体素子までが電気的に接続される。第2の導体配線は、第2の突起電極および半導体素子との間に隙間が設けられ、絶縁されている。 (もっと読む)


【課題】被加圧体を破壊することなく、適切に加圧することのできる技術を提供する。
【解決手段】押圧体部が、チップと基板との接触位置Z0から、金属電極が加圧されて生じる応力が増大することにより押圧体部の移動速度Vが急減する急減位置(停止位置)Z1まで移動する間、押圧体部による加圧力Pを、金属電極の材質、形状、大きさ等に応じて適切に設定されたほぼ一定の加圧力P0に保持しつつ、押圧体部が予め設定された設定速度VD以下の移動速度で移動するように制御している。したがって、金属電極は徐々につぶれていくため、急速に押しつぶされてしまうことで不均一に変形してしまうことを防止することができる。したがって、チップおよび基板を破壊することなく、適切に加圧することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの電極パッドと突起電極の接合時におけるインナーリードへの応力集中を軽減して、インナーリードの断線を抑制したテープ配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】可撓性の絶縁性基材1と、絶縁性基材上に設けられ、半導体チップが実装される領域4に整列して配置された端部によりインナーリード2を形成する複数本の導体配線と、各インナーリードに設けられた突起電極3とを備え、半導体チップの電極パッドと突起電極を接合することにより、半導体チップをフェイスダウンボンディングよって実装できるように構成される。整列した各インナーリードのうち、列の端部に配置された複数本のインナーリードに形成された突起電極3a〜3cは、内側のインナーリードから最端列のインナーリードになるのに従い徐々に長くなっている。 (もっと読む)


【課題】フィルム基材上の導体配線にバンプを介して半導体チップの電極を電気接続するための超音波振動の印加による半導体チップへの機械的ダメージが低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基材5上に複数の導体配線6が整列して設けられ、導体配線にその上面および両側面を覆うよう各々基板バンプ7が形成され、基板バンプに金属めっき72が施された配線基板と、配線基板上に実装された半導体チップ1とを備える。半導体チップの電極上にチップバンプ3が形成され、チップバンプと基板バンプの接合を介して半導体チップの電極と導体配線が接続されている。接合された部分の基板バンプのめっきの一部が剥けて、両バンプの接合面の外側へはみ出ている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの基板に反りが発生した場合であっても、信頼性の向上を期待できる半導体実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップ1のプリント配線基板3との対向面の中央部5に形成されたバンプ2aだけで半導体チップ1とプリント配線基板3とを電気接続している。 (もっと読む)


【課題】加熱および超音波振動を併用した電子部品の装着において、電子部品を安定してかつ効率よく回路基板上に装着する。
【解決手段】電子部品装着装置では、装着ヘッド5において加熱部36により加熱される保持ツール53と圧電素子52との間の本体部51の補助部材512に複数の冷却孔514が形成される。これらの冷却孔514に除熱用のガスが供給されて補助部材512が冷却されることにより、圧電素子52の温度の過度の上昇が防止され、電子部品を安定して回路基板に装着することが実現される。また、補助部材512は中心軸J1を中心として8回回転対称性を有する。これにより、電子部品の振動特性が低下することが防止され、その結果、加熱および超音波振動を併用した電子部品の装着において、電子部品を効率よく回路基板上に装着することができる。 (もっと読む)


【課題】簡単な実装プロセスで半導体チップを配線基板に接合することのできる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】ワイヤレスボンディングによって、カソード電極60およびアノード電極54を有する半導体チップ70を、第1の配線部12および第2の配線部14を有する配線基板に接合する半導体モジュール100の製造方法であって、(a)前記カソード電極60を前記第2の配線部14に、前記アノード電極54を前記第1の配線部12に接合可能にするために、前記半導体チップ70の基準位置を前記配線基板の基準位置上に配置する工程と、(b)前記第1の配線部12および前記第2の配線部14において、列に並んだレーザスポット80、82、84にレーザ光を照射して、前記カソード電極60を前記第2の配線部14に接合し、前記アノード電極54を前記第1の配線部12に接合する工程とを含む。 (もっと読む)


第一の電子的コンポーネント(1)、特に半導体のダイ、及び第二の電子的コンポーネント(2)、特に基板は、それぞれメイン・サーフェスを備えており、メイン・サーフェスのそれぞれの上に、インジウム・レイヤを有する少なくとも一つの金属レイヤ(3,3’)を貼り付けることにより、互い接合される。その後で、半導体のダイ及び基板は、メイン・サーフェスを互いに向かい合わせて、互いに対して並べられる。ダイ及び基板は、金属のレイヤ(3,3’)を間に挟んで集合体を形成し、この集合体は圧縮手段の中に導入される。その後で、その集合体は、圧縮手段において、10〜35MPaの範囲内の圧力で圧縮され、且つ、230〜275℃の範囲内の温度が集合体に加えられ、この温度及び圧力により、電子的コンポーネント(1,2)が互い接合される。この圧縮プロセスは、圧縮手段の中で、酸素を含むガス雰囲気中で実施可能である(図1)。
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【課題】 超音波振動を利用して半導体チップを実装する際に、回路基板の構成を複雑にすることなく、半導体チップと接合パターンとを十分な接合強度をもって接続することを可能にする半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ20に超音波振動を作用させ、フリップチップ接続により半導体チップ20を回路基板10に実装する半導体チップの実装方法において、前記回路基板10として、前記半導体チップが接合される接合パターン12に、前記半導体チップ20により印加される超音波振動によって前記接合パターンが共振する際の、振動の腹の位置に合わせて突起パターン12a、12bが設けられた基板を使用することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを回路基板にはんだバンプを用いてフリップチップ接続する実装構造において、接続バンプの耐TC寿命を向上させること。
【解決手段】半導体チップ16を回路基板12に接続バンプ14でフリップチップ接続した実装構造において、補強材18を半導体チップ16の周りの回路基板12に固着し、補強材18と半導体チップ16の側面を樹脂接着剤20で接合する。補強材18は、室温で50GPa以上のヤング率をもち、接続バンプ14と同等か、もしくは、より小さい線膨張係数をもつ。樹脂接着剤20は、室温で5GPa以上のヤング率をもつ。さらに、樹脂接着剤20で接合された補強材18と半導体チップ16の側面の間隔は、50μm以下とする。 (もっと読む)


【課題】低コストで、生産性および信頼性を向上させたIC実装モジュールとその製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面に電極端子6を有するICチップ7と、接続部4を有する回路パターン2を備えた基板フィルム1と、ICチップ7の電極端子6と回路パターン2の接続部4とが接続され、ICチップ7が埋め込まれた接着フィルム5と、ICチップ7の他方の面に設けた保護フィルム8と、を少なくとも備えてIC実装モジュールを構成する。 (もっと読む)


【課題】フリップチップダイのみを用いて形成される積層パッケージを製造する簡単であり、かつ、高価でない方法を提供する。
【解決手段】スタックダイパッケージ(39)を形成する方法は、第1フリップチップダイ(16)をベースキャリア(12)の上に載置する工程と、第1フリップチップダイ(16)をベースキャリア(12)に電気的に接続する工程を含む。裏面同士が対向するように第2フリップチップダイ(18)を第1フリップチップダイ(16)に取着し、複数の絶縁ワイヤ(20)により第2フリップチップダイ(18)をベースキャリア(12)に電気的に接続する。第1、第2フリップチップダイと、ベースキャリアの1つの表面との上方に成形化合物(36)が形成される。 (もっと読む)


【課題】振動増幅部への圧接部の着脱が可能であっても、簡易な構成で、振動増幅部の振動を圧接部に効率良く伝達することができる電子部品の接合ヘッドを提供する。
【解決手段】基板と電子部品4とを接合する電子部品の接合ヘッド5は、振動発生部30と、振動発生部30で発生させた振動を増幅する振動増幅部31と、振動増幅部31で増幅させた振動を電子部品4に与えながら基板に電子部品4を圧接する圧接部32とを備えている。圧接部32よりも硬度の低い金属部材で形成され、圧接部32と振動増幅部31との間に介在する座金34は、圧接部32を振動増幅部31に着脱可能に結合するオネジ部32bとメネジ部31dとのネジ結合時に変形して、圧接部32および振動増幅部31に密着している。 (もっと読む)


【課題】振動増幅部への圧接部の着脱が可能であっても、吸引装置で発生させた吸引力を吸着面に適切に伝達することが可能な構成を備えた電子部品の接合ヘッドを提供する。
【解決手段】基板と電子部品4とを接合する電子部品の接合ヘッド5は、振動発生部30と、振動発生部30で発生させた振動を増幅する振動増幅部31と、振動増幅部31で増幅させた振動を電子部品4に与えながら基板に電子部品4を圧接する圧接部32とを備えている。この接合ヘッド5はさらに、圧接部32を振動増幅部31に着脱可能に結合するオネジ部32bおよびメネジ部31dと、電子部品4を吸着する吸着面32dとを備え、オネジ部32bには、吸着面32dに電子部品4を吸着するため、オネジ部32bの長手方向で、オネジ部32bを貫通する吸着孔32cが形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの実装基板への実装時の位置ズレをモニターでき、本パターン領域の形状異常などを抑止し、回路動作の不安定化などを防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】チップ回路を内蔵し、少なくとも一主面にバンプ22が形成され、チップ位置モニター用パターン21mが形成された半導体チップ1と、実装基板回路を内蔵し、少なくとも一主面に接続電極42が形成され、かつ、チップ位置モニター用パターンに対応する位置に実装基板位置モニター用パターン41mが形成されており、バンプと接続電極が接合されて半導体チップがマウントされた実装基板2とを有し、少なくともチップ位置モニター用パターンの形成領域における半導体チップまたは実装基板位置モニター用パターンの形成領域における実装基板においてパターン禁止領域Rfが設けられており、パターン禁止領域に隣接する領域にダミーパターン領域Rdが設けられている構成とする。 (もっと読む)


【課題】設置位置、形状および大きさが良好に制御されたバンプ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバンプ構造体100は、絶縁層20上に設けられ、液体材料を硬化させて得られた樹脂からなる凸状部10と、凸状部10を覆う導電層30と、を含む。凸状部10は、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液部40と、該液体材料に対する濡れ性が撥液部40よりも高い親液部42とを絶縁層20の上面20aに形成した後、親液部42に対して該液体材料を吐出して硬化させることにより得られる。 (もっと読む)


【課題】 フリップチップ配線基板上に実装する場合において、接続信頼性を確保しながら、薄型化を可能ならしめる。
【解決手段】 バンプが形成されている半導体チップ1のパッドを面積の狭い小パッド3とし、小パッド3より面積の大きい大パッド4を有する基板2に実装後、小パッドに形成されたバンプが大パッド4に濡れ広がった形状となるようにする。すなわち、円錐台の斜面の傾斜が徐々にゆるくなる形状となるようにする。 (もっと読む)


【課題】 2つの接合部材をバンプを介して接合するバンプ接合体の製造方法において、バンプ接触時における接合部材同士の横滑りを防止する。
【解決手段】 第1の接合部材11の一面11aおよびこれに対向する第2の接合部材12の一面12aにそれぞれ複数個のバンプ21、22を設け、それぞれの接合部材11、12のバンプ21、22の先端面21a、22aを接触させて電気的に接続してなるバンプ接合体の製造方法において、第1の接合部材11および第2の接合部材12のうち少なくとも一方のバンプ群において、個々のバンプ21、22の先端面21a、22aを、その配列位置の重心Gに向かって傾斜し且つ当該傾斜の方向が各バンプ21、22間で重心Gに向かって同じとなっている傾斜面となるように形成し、その後、両バンプ21、22の先端面21a、22aの接触を行う。 (もっと読む)


【課題】他の半導体チップなどの固体装置に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる半導体チップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】子チップ2の最表層をなす表面保護膜25には、電極パッド24と対向する位置にパッド開口26が形成されており、電極パッド24は、そのパッド開口26を介して表面保護膜25から露出している。また、表面保護膜25には、その周縁部に、表面保護膜25をその表面11と直交する方向に貫通する貫通孔27が形成されている。そして、機能バンプ12は、電極パッド24上に設けられ、パッド開口26を貫通して、表面保護膜25上に所定の突出量で突出している。また、接続確認用バンプ13は、貫通孔27に臨む層間絶縁膜23の表面から隆起し、貫通孔27を貫通して、表面保護膜25上に機能バンプ12の突出量よりも小さな突出量で突出している。 (もっと読む)


【課題】 アンダーフィル材の注入性を向上し、ボイド発生を防止することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップをフリップチップボンディング方式により配線基板に実装する半導体装置において、半導体チップを配線基板に実装する前、または実装後に、半導体チップ、実装基板又はバンプの少なくとも一つの表面をプラズマ処理し、次いで、半導体チップと実装基板との間隙にエポキシ系アンダーフィル材を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


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