【課題】 ＡＣＦ等の薄膜の接合材料を用いることなく、高速かつ高精細な実装を可能とする接合方法を提供する。
【解決手段】 ＴＣＰのバンプとＬＣＤのアレイ配線とが近接あるいは接触した状態で保持される。レーザ光をアレイ配線に照射する。その際、アレイ配線（金属電極）が溶融温度を越えるまでレーザ光を照射する。そうすると、レーザ光からのエネルギーによりアレイ配線の金属電極は加熱されてアレイ配線の金属電極の表面付近が溶融し、上側の金属電極と接触状態となる。そして、接触状態となった場合、互いの金属電極において、各々の金属電極を構成する金属原子が接触状態となった金属電極に移動するいわゆる原子拡散現象が起きる。この原子拡散現象が生じれば互いの金属原子が混ざり合い合金が形成され、ＴＣＰのバンプとＬＣＤのアレイ配線とが接合される。 （もっと読む）

【課題】良好な相互接続が可能な自己集合化接続構造体の形成方法等を提供する。
【解決手段】自己集合化接続構造体を形成する方法であって、接点パッド表面と、溶液中の粒子とを接触させる。粒子は、接点パッド表面に付着するものが選択される。反対側の接点パッドと基板表面の接点パッドとの間に粒子を介した電気的接続が形成されるように、反対側の接点パッドを粒子に押しつけることによって、コンタクト（接触）の形成が完了する。上述の自己集合化接続構造体は、ディスプレイ装置の製造において特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 上面のみでなくすべての方向からの電子、輻射ノイズに対し、優れたシールド効果をもたらす半導体装置及び液晶モジュールを提供する。
【解決手段】 ＦＰＣ基板１０に実装されたＩＣチップ１１の電気ノイズ対策として、シールド部材１２を設ける。シールド部材１２は、ＦＰＣ基板１０に連続し、ＩＣチップ１１近傍においてベース基材１０１上にＦＰＣ基板１０の接地電位ＧＮＤが与えられる金属膜被覆面領域１２２が設けられている。シールド部材１２を折り返して成形し、接着部材１３で固定する。シールド部材１２は、成形し易いように、ＩＣチップ１１の形態に合わせた切れ込み１２３が形成されている。金属膜被覆面領域１２２は、レジスト部材１０３を介して接着部材１３が塗布され、ＩＣチップ１１の上部から側部を覆って、実装面近傍のＦＰＣ基板１０上に接着される。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を基板上に搭載し、金を主成分とするバンプを介して超音波接合するようにした半導体素子の実装方法において、補強層を用いることなく超音波による基板のダメージを抑制する。
【解決手段】 基板１０側のアルミニウムパッド１３上に形成された第１のバンプ３１として、半導体素子２０側の第２のバンプ３２の先端面３２ａが接触する接触面３１ａの面積が第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きいものを用いて、両バンプ３１、３２の接触および超音波接合を行う。 （もっと読む）

【課題】超音波振動に起因する突起電極と導体配線の境界部でのクラック発生が抑制された配線基板の構造を提供する。
【解決手段】絶縁性基材１と、絶縁性基材上に設けられた複数本の導体配線２と、各導体配線に形成された突起電極３とを有し、突起電極は、導体配線の長手方向を横切って導体配線の両側の絶縁性基板の領域に亘り形成され、突起電極の導体配線の幅方向の断面構造は中央部が両側よりも高くなっている。導体配線の表面と突起電極の表面によりそれらの交差部で形成される角度の少なくとも一部が、９０度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 配線基板や実装部品との接合部を形成する際に、半導体製造技術においてはリフロー等の熱処理又は加熱されるため、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等の耐熱性の低い実装部品の場合には、上手く接合出来ない。
【解決手段】 本発明は、配線基板１と実装部品３の配線導体５，１１間を電気的に接続するための接合部２がメッキ処理により析出された金属により形成される接合構造体である。この接合部２は、配線導体５及び／又は配線導体１１に形成されたバンプの先端部を近接又は当接させて保持し、電解メッキ液１７内で通電させることにより、電解メッキ金属を析出させて形成される。 （もっと読む）

【課題】表面処理とボンディング処理とを効率的に行うボンディング装置を提供する。
【解決手段】ボンディング装置は、高周波コイル５０が先端部に巻回されボンディングワイヤ２が挿通されるキャピラリ４０と、ボンディングワイヤ２の先端位置を変更する位置変更部と、キャピラリ４０にガスを供給するガス供給部と、高周波コイル５０に高周波電力を供給する高周波電力供給部とを含む。ボンディングワイヤ２がプラズマ領域５２の外にあるときは、プラズマ領域５２で生成されるマイクロプラズマが開口４８から噴出し、ボンディング対象の表面を除去する。ボンディングワイヤ２がプラズマ領域５２の中に挿入されると、ボンディングワイヤ２の材料が微粒子化し、そのスパッタされた金の微粒子を含むマイクロプラズマ３０３が開口４８から噴出し、ボンディング対象の表面にボンディングワイヤ２と同じ材料が堆積する。 （もっと読む）

【課題】接合部の信頼性が高い、狭ピッチ化に対応できる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上１のスズ電極２と半導体チップ３の金バンプ４が接合され、前記絶縁基板と半導体チップの間隙部にはアンダーフィル樹脂５が充填されてなる電子部品の実装方法であって、前記絶縁基板上に該アンダーフィル樹脂を滴下する工程、熱圧着ツールにより２８０℃以上に加熱された前記半導体チップが前記半導体チップの金バンプと前記絶縁基板上のスズ電極とが対向するように下降し、前記半導体チップの金バンプと前記絶縁基板上のスズ電極層との間に金属合金層を形成し接合する熱圧着工程の順に行うものであり、該アンダーフイル樹脂には、アンダーフィル樹脂よりも熱伝導率の高い、窒化物から選ばれる少なくとも1種のフィラーが含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保持面と電子部品との実質的な接触面積を増加させることにより電子部品をより確実に回路基板に装着する。
【解決手段】電子部品装着装置において電子部品を保持する保持ツール３３１は、略円筒状のツール本体、および、ツール本体の下端部から突出するツール突出部３３５を備え、ツール突出部３３５の先端面は、電子部品を吸着保持する保持面３３５１となる。ツール突出部３３５では、保持面３３５１の外周縁よりも内側に４つの凹部３３５２が形成されている。このため、保持ツール３３１では、保持面３３５１における開口３３５３のエッジの合計長さを長くして保持面３３５１と電子部品との接触領域３３５４の合計面積を増加することができる。これにより、電子部品をより確実に回路基板に装着することができ、その結果、電子部品の回路基板への接合の質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 端子部と電極部との導通を安定させることができ、かつ、基板と電子部品との接合強度を確保することができる電子部品の接合装置の具体的な構成を提供すること。
【解決手段】 接合装置１は、基板２上の端子部と電子部品４上の電極部とを圧接接合する振動ヘッド７と、基板搭載テーブル１０とを備え、端子部と電極部とを振動を利用して圧接接合するとともに、絶縁樹脂を熱硬化させて、基板２と電子部品４とを接着接合するように構成されている。基板搭載テーブル１０は、基板２の搭載面３２ａが形成された搭載治具３２と、搭載治具３２を加熱するヒータ３３とを備えている。この接合装置１では、搬送方向Ｖにおける端子部と電極部との圧接接合時の位置Ａより上流側の搭載面３２ａの搬送方向の幅Ｈ１が、基板２上の絶縁樹脂の配置間隔Ｐ以下に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ実装において、多層配線基板の電極端子の変形を生じさせずに接続することが可能となり、さらに接続部の信頼性向上を図れる半導体素子搭載用の配線基板およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 格子状に電極端子２が配置された半導体素子１をフリップチップ実装する多層配線基板１５であって、前記半導体素子１の前記電極端子２と金ボールバンプ４によって圧接接合される接続端子５が前記半導体素子１の前記電極端子２と相対する位置に設けられ、第１層の絶縁層の前記接続端子５の直下に、前記金ボールバンプ４より大きい径の円柱形状の穴に金属粒子を埋め込んでなる導体埋め込みビアホール７を備えたことにより、基板変形の抑制を行って基板へのダメージ低減と、半導体素子１と配線基板１５とのギャップ確保が可能となり半導体装置の接続信頼性向上が可能となる。 （もっと読む）

本発明は、回路基板構造体の製造方法を開示する。前記構造は、導体パターン（３）と、絶縁材料層（１０）によって囲まれ、コンタクトバンプ（５）によって前記導体パターン（３）に取り付けられる少なくとも１つの構成部品（６）とを具える。本発明によれば、前記構成部品（６）が、前記コンタクトバンプ（５）によって前記導体パターン（３）に取り付けられる前に、前記コンタクトバンプ（５）は、前記導体パターン（３）の表面上に製造される。取り付け後、前記構成部品（６）は、絶縁材料層（１０）で囲まれる。
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【課題】 信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、ベース基板１２とベース基板１２上に形成された配線１４とを有する配線基板１０に、電極２５を有する半導体チップ２０を搭載し、配線１４と電極２５とを接触させ、さらにこれらを加熱・加圧して共晶合金３０を形成することを含む。ここで、共晶合金３０を、一部が、配線１４とベース基板１２との間に入り込むように形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子搭載領域の端部に配置された突起電極から導体配線を素子搭載領域外に引き出すための配線の自由度を向上させる。
【解決手段】可撓性絶縁性の基材３と、基材上に設けられた複数本の導体配線４と、各導体配線上に各々形成された複数個の突起電極５とを備え、電極パッド２を有する半導体素子１を突起電極上に搭載して電極パッドと各突起電極とを接合することにより半導体素子が実装されるように構成され、突起電極は、半導体素子が搭載されるべき素子搭載領域の少なくとも２辺の端部において各導体配線上に配置される。２辺の端部に配置された少なくとも１個の突起電極に対応する導体配線が、素子搭載領域を通過し、当該突起電極が配置された辺とは異なる辺を経由して素子搭載領域外に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い電子部品の実装を実現する超音波フリップチップ実装装置を提供する。
【解決手段】電子部品３を基板２にフェイスダウン状態で押圧し、前記電子部品の電極と前記基板の電極とをバンプを介して接続する超音波フリップチップ実装の実装装置において、基板を載置するステージ１と、超音波振動を発生する超音波振動子８と、超音波振動を伝達する超音波ホーン７と、超音波ホーン７に具設された接合ツール５と、少なくとも接合時には接合ツール５と電子部品３とのあいだに介在するヒータ４とを備え、ヒータ４は、発熱すると同時に接合ツール５からの押圧力と超音波振動とを電子部品３に伝達することを特徴とする超音波フリップチップ実装装置。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有し、接続抵抗が小さく、接続信頼性の高い基板の接続方法および半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】突出した接続端子を有する基板に、接着性樹脂層を形成し、別の接続端子を有する基板と、接続端子同士が向かい合うように重ね、２つの基板を押し付けるとともに、少なくとも一方の基板の面方向に超音波振動を加えることで、前記突出した接続端子上に形成された前記接着性樹脂層を排除しつつ前記接続端子同士を接触させる基板の接続方法。 （もっと読む）

【課題】 接合ヘッドの接触面から除去された異物が基板上へ落下するのをより確実に防止することができる清掃装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品を基板に接合する接合ヘッド８の電子部品に接触する吸着面１８ｂを清掃する接合ヘッドの清掃装置１０は、基板の少なくとも一部を覆うカバー部材３４ｂを備え、接合ヘッド８に対して相対移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 端子部と電極部との導通を安定させることができ、かつ、基板と電子部品との接合強度を確保することができる電子部品の接合装置の具体的な構成を提供すること。
【解決手段】 電子部品の接合装置１は、基板２に形成された端子部と電子部品４に形成された電極部との圧接接合を行う振動ヘッド７と、基板２上に配設された熱硬化性の絶縁樹脂を熱硬化させて基板２と電子部品４との接着接合を行うヒータ８と、端子部と電極部との圧接接合前の絶縁樹脂の熱硬化を防止する断熱部材９とを備えている。この接合装置１は、端子部と電極部とを振動を利用して圧接接合するとともに、絶縁樹脂によって、基板２と電子部品４とを接着接合するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 端子部と電極部との導通を安定させることができ、かつ、基板と電子部品との接合強度を確保することができる電子部品の接合装置の具体的な構成を提供すること。
【解決手段】 電子部品の接合装置１は、基板２上の端子部と電子部品４上の電極部との圧接接合を行う振動ヘッド７と、基板２上に配設された熱硬化性の絶縁樹脂を熱硬化させて基板２と電子部品４との接着接合を行うヒータ８とを備えている。この接合装置１では、ヒータ８が、緩衝部材を介して振動ヘッド７に当接している。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ面積を増加させることなく、フレーム側接合強度を向上しえるバンプ構造を用いた半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】片面に複数のパッド１６が形成された半導体チップと、該半導体チップのパッド側の面と向き合うように配置され，パッド側に該パッド１６と同数の電極１２が形成された配線基板１１と、半導体チップ１５のパッド１６と前記配線基板１１の電極１２間に、パッド１個分のサイズで納まるように夫々複数段積み上げて形成された突起電極１３，１４とを具備し、突起電極はパッド１個分の第１突起電極１４と該第１突起電極１４に積層されたパッド複数個分の第２突起電極１３とを少なくとも有し、第１突起電極１４は半導体チップ１５のパッド１６に接続し、第２突起電極１３は配線基板１１の電極１２に接続していることを特徴とするバンプ構造を用いた半導体素子。 （もっと読む）