本発明は、フリップチップ集積回路及びその作製方法を提案するものである。本発明による作製方法は、ウェハ上に複数の能動半導体デバイスを形成するステップと、能動半導体デバイスを分離するステップとを有している。回路基板の表面に受動素子及びインターコネクトを形成し、回路基板を貫通する少なくとも１つの導電性ビアを形成する。能動半導体デバイスのうち少なくとも１つを回路基板上にフリップチップ実装して、ボンディングパッドのうちの少なくとも１つを導電性ビアのうちの１つに電気接続させる。本発明によるフリップチップ集積回路は、一方の表面に受動素子とインターコネクトとを有する回路基板を備え、それを貫通する導電性ビアを有することができる。回路基板上に能動半導体デバイスをフリップチップ実装し、少なくとも１つの導電性ビアのうちの１つを、少なくとも１つのデバイスの端子のうちの１つに接触させる。本発明は、ＳｉＣ基板上で成長させたＩＩＩ族窒化物ベースの能動半導体デバイスに特に適用できる。次いで、ＧａＡｓ又はＳｉからなる低コストで大径のウェハ上に受動素子及びインターコネクトを形成することができる。分離後、ＧａＡｓ又はＳｉ基板上にＩＩＩ族デバイスをフリップチップ実装することができる。
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本発明は、面上に一組をなす複数の第１パッド（８）と一組をなす複数の硬質導電性チップ（１３）とを備えた第１素子（１０）と、他の面上に一組をなす複数の第２パッド（９）と一組をなす複数の軟質導電性バンプ（１４）とを備えた第２素子（１１）と、の間において電気的な接続を形成するための方法に関するものであって、２つの面が、互いに対向して配置されているとともに、それら２つの面が、チップ（１３）がバンプ内へと侵入するようにして、互いに引き合わせられる場合に、この方法においては、２つのチップ（１３）の間の間隔を、バンプ（１４）の幅よりも小さなものとし、なおかつ、第１パッド（８）の幅よりも小さなものとする。本発明は、また、一組をなす複数の硬質導電性チップを備えてなるそのような素子に関するものである。
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【課題】 バンプ電極と配線との接合性を上げ、電気的接続性及び機械的信頼性を向上させることのできる方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子１２を実装する素子実装領域２１の周縁部に、複数の第１の接続端子２２ａ，２２ｂと複数の第２の接続端子２２ｃとを形成し、半導体素子１２のバンプ電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃと、第１の接続端子２２ａ，２２ｂ及び第２の接続端子２２ｃとを超音波接合する。この際、第２の接続端子２２ｃは、第１の接続端子と直交する本線部２２Ｃ１と、第１の接続端子と平行なサブ端子部２２Ｃ２とを備えるようにし、超音波振動は、第１の接続端子の延在方向（即ち、第２の接続端子のサブ端子部の延在方向）に沿って加えられるものとする。 （もっと読む）

【課題】 基板が平坦な状態で電子部品同士を確実に圧着し、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ボンディングステージ１４上に基板４を載置する。基板４上面側から圧搾空気２４を吹き付ける。ボンディングステージ１４に基板４を押し付ける。基板４下面側から空気を排出する。ボンディングステージ１４に基板４を吸着させる。基板４に半導体チップ２をボンディングする。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合の際の印加荷重の加え過ぎが防止され、基板間での線膨張係数差などに起因する内部応力によって歪を生じる恐れを少なくした基板間の電極間接合方法ないし構造体である。
【解決手段】第一の基板1に、電極バンプ5、補強バンプ6、ストッパーバンプ7を形成し、第二の基板8に、対応する電極バンプ5に当接する電極パッド10、対応する補強バンプ6に当接する補強パッド11、対応するストッパーバンプ7に当接して第一の基板1と第二の基板8間の接合間隔を規定するストッパーパッド12を形成し、両基板1,8を相対向して整合し、荷重を印加しながら電極バンプ5及び補強バンプ6を変形して行き、ストッパーバンプ7とストッパーパッド12が互いに押圧力を受けるまで電極バンプ5及び補強バンプ6を変形する。これにより電極バンプ5と電極パッド10及び補強バンプ6と補強パッド11を接合させ、この接合により両基板1,8間の電極同士を接合する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー波により接合面を洗浄した被接合物を大気中に取り出した後接合までの間、洗浄された接合面に異物層が付着することを適切に防止して、大気中での接合をより確実にかつ容易に行うことが可能な接合方法および装置を提供する。
【解決手段】基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合するに際し、前記金属接合部の接合面をエネルギー波により洗浄し、洗浄された接合面の雰囲気を特殊ガスに置換して接合面上に特殊ガスに由来する特殊皮膜を形成した後、大気中で前記特殊皮膜を除去又は破壊しながら金属接合部同士を接合することを特徴とする接合方法、および接合装置。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明のプリント配線基板は、縁フィルムと、該絶縁フィルムの表面に形成された配線パターンと、該配線パターンのインナーリードおよびアウターリードからなる端子部分が露出するように形成されたソルダーレジスト層とを有するプリント配線基板であって、該ソルダーレジスト層が、インナーリード側ソルダーレジスト層と、アウターリード側ソルダーレジスト層とに区分けして形成されたおり、該インナーリード側ソルダーレジスト層が、難燃性を有すると共に該プリント配線基板に実装される電子部品の封止樹脂に対して高い親和性を有する樹脂組成物(１)から形成されており、該アウターリード側ソルダーレジスト層が、難燃性を有すると共に、上記樹脂組成物(1)から形成された
インナーリード側ソルダーレジスト層よりも軟質であり、かつ該電子部品の封止樹脂に対する親和性が低い樹脂組成物(2)により形成されてなることを特徴としている
【効果】 本発明によればPDP用として特に好適なプリント配線基板及び半導体装置が
得られる。 （もっと読む）

【課題】製造される半導体装置の耐久性および品質を向上させた、フリップチップ接合を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一電極薄膜１４が形成された基板１５上にバンプ１２を接合するバンプ接合工程と、基板１５にバンプ１２を介して半導体チップ１１を接合するフリップチップ接合工程と、フリップチップ接合工程の後に加熱または冷却の少なくともいずれかが行われる熱処理工程と、からなり、熱処理工程においてバンプ１２を形成する材料の拡散が第一電極薄膜１４中のみに最終的に止まるように、フリップチップ接合工程においては、バンプ１２を形成する材料の拡散する深さｄ２が第一電極薄膜１４の厚さＴ未満である第一条件まで、バンプ１２を形成する材料を拡散させるフリップチップ接合を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップがバンプを介して配線基板に電気的接続された半導体装置であって、半導体チップを配線基板に実装する際に、バンプからの反作用により半導体チップおよび配線基板に負荷される荷重が低減された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップの電極表面および配線基板に接合された小さなばね定数を有するバンプの接合端面を平坦化および活性化し、高温高圧を負荷する必要のない常温接合技術を用い、バンプを介して半導体チップの電極と配線基板の電極とを電気的接続する。 （もっと読む）

【課題】個片に分割されシートに保持された状態の部品を良好な処理品質で作業効率よくプラズマ処理することができるプラズマ処理方法および部品の電極を接合性よく基板に接合して実装することができる部品実装方法を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤ素子をウェハから切り出してプラズマ処理した後に基板に実装する部品実装方法において、ウェハリング５によって補強されたシート１に複数のＬＥＤ素子２を貼着保持したウェハ治具６を、キャリア７に保持させて搬送可能にするとともに、シート１の上面においてＬＥＤ素子２が貼着されていない露呈部分をキャリア７によって覆った状態でプラズマ処理装置の処理室内に載置し、ＬＥＤ素子２の電極形成面をプラズマ処理によって清浄化した後に基板に実装する。これによりプラズマ処理において露呈されたシート１がプラズマの作用を受けることによる処理品質不良を防止することができる。 （もっと読む）

超音波トランスデューサ（40、70、100）は、個々のダイが結合された集積回路（42、72、102）と、この個々のダイが結合された集積回路にフリップチップバンプのアレイ（46、76、106）を介して結合された音響素子アレイ（44、74、104）とを有する。個々のダイが結合された集積回路は、第１の集積回路ダイ（48、78、108）と、前記第１の集積回路ダイに整列された少なくとも１つの更なる集積回路ダイ（50、80、（110、112））とを含んでいる。また、第１の集積回路ダイと、少なくとも１つの更なる集積回路ダイと、音響素子アレイとは一緒になって大口径のトランスデューサアレイを形成している。
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【課題】 半導体チップの実装時に、半導体チップを加熱加圧することによる接着剤の濡れ出しを防止する半導体装置の実装装置及び実装方法、並びに半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 電極同士が対向して配置された一対の半導体チップのうち一方の半導体チップを他方の半導体チップに実装する半導体装置の実装装置であって、一対の半導体チップを間に挟んで相対的に上下移動することにより一対の半導体チップを押圧する一対の押圧手段と、一対の押圧手段のうちの少なくとも一方の押圧手段に設けられた半導体チップを保持する保持手段と、一対の半導体チップの押圧時に、一対の半導体チップの間に挿入されて所定間隔に保持する間隔保持手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 メタル配線の屑が残留し兼ねない簡便なダイシングを容認でき、かつ、バンプ電極の高さを低くしつつ、フィルムキャリアのインナリードのショートを防止できる半導体装置及びその製造方法、ＬＣＤドライバ用パッケージを提供する。
【解決手段】バンプ電極１１は、半導体チップ１０の半導体集積回路との接続関係を有し、半導体チップ１０主表面上において相互にチップ端部より中央側に寄って配置されている。これにより、バンプ電極１１と破線で示すリード１２が接続されるとすると、リード１２は、チップ端部１０Ｅ上にさしかかるまでに有利に変形できる余裕が生じる。すなわち、リード１２は、チップ端部１０Ｅ上において離れた位置に置くことができる。これにより、半導体チップ１０は、バンプ電極１１の高さを低くしても、チップ端部１０Ｅと接触し難いリード１２との接続形態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 １度の突起電極形成が可能となり、低コスト化を実現でき、接合部を微小にしなくても電極パッドの狭ピッチ化への対応を可能にする。
【解決手段】 電極パッド３の一部が開口されるように形成された保護膜を有し、保護膜上に電極パッド３と接続される配線部６と外部接続部５が形成された金属突起電極を有する半導体チップ１と、金属突起電極の外部接続部５と電気的に接合された配線基板と、半導体チップと配線基板との間を充填している絶縁性樹脂とを備え、金属突起電極の外部接続部５と配線部６の厚みが略同等である。また、金属突起電極は、電極パッド３から保護膜の上に配線部６により延在して外部接続部５が形成されている。これにより、１度の突起電極形成が可能となり、半導体装置の製造プロセスを容易にできるようになる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ構造で高いボンディング精度の要求に応じたフレキシブル配線基板の組み立てを可能とする。
【解決手段】フレキシブル配線基板１に半導体チップ５が接合される接合領域１２に配線部４のない基材２の空き領域２ａに設けられ、インナーリード４ａ間において、このインナーリード４ａの長手方向に沿った四角形状の銅箔による導体９を設ける。ボンディングにおいて、金属突起６とインナーリード４ａを共晶融合させるため温度と荷重を加える接合で基材２が高温にさらされ軟化し広がるように変形し、処理後に接合部分が室温へと降下するに従って基材２が元の形状に戻ろうと空き領域２ａの部分で中心に向かう伸縮の応力が発生する。この応力に対し導体９を設けて基材２の空き領域２ａを固め、この空き領域２ａの部分に生じる伸縮を阻止し高精度のボンディングを可能として、インナーリードずれ、インナーリード剥がれ等の組立工程での不具合を防止する。 （もっと読む）

【課題】半田などの熱融解型接続部材を使用することなく、貫通スルーホールによる層間接続も同時に達成できる信頼性の高い電極接続を達成できる電子部品モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子部品モジュールは、複数の貫通孔が穿設された絶縁基板と、接続電極を前記貫通孔に挿入又は当接させて前記絶縁基板の一主面に固定された表面実装用電子部品と、前記絶縁基板の他主面に、その一部が前記表面実装用電子部品の接続電極と電気的に接触するよう形成された金属微粒子による回路パターンと、前記金属微粒子による回路パターン上に形成された金属めっき層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品を所定の箇所から取り出して基板にボンディングするまでのタクトタイムを短縮することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】チップ４をウエハステージ１から取り出す工程、ウエハステージから取り出されたチップをボンディングツール１７に受け渡す工程、チップをボンディングツールに受け渡すと略同時に、チップを撮像する工程、チップの撮像結果に基づき、チップの基板２５へのボンディング位置を算出する工程、チップの撮像が完了すると略同時に、チップを目標位置として予め教示された教示位置に向けて移動させる工程、ボンディング位置の算出が完了したときに、チップが教示位置に到達していない場合、目標位置を教示位置からボンディング位置に変更して、チップをボンディング位置に向けて移動させる工程、ボンディング位置に到達したチップを基板にボンディングする工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 対象物の洗浄処理に係る構成を簡素化し、金属接合を容易に実現する。
【解決手段】 接合装置１０１は、電子部品１を保持する吸着ノズル１１、回路基板２を上記電子部品と対向させて保持する基板ステージ９、及び位置決めが施された状態の上記電子部品と上記回路基板との間の照射位置に配置可能なエキシマ紫外線ランプ２１を備える。このような上記接合装置において、上記電子部品の金バンプ及び上記回路基板の基板電極に対する紫外線の照射が上記エキシマ紫外線ランプにより同時に行われて両金属部の洗浄処理を行った後、両金属部を互いに接触させた状態で超音波振動を付与して、両金属部の金属接合を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップをその上に形成されたボールバンプを介して実装基板上の電極パッドに良好に接合すること。
【解決手段】 半導体チップ２を実装基板３１上の電極パッド３２に押圧する際に、半導体チップ２に設けた抵抗値測定用微小回路を利用して金属ボールバンプ４の電気抵抗値を電気特性測定部１３で測定しながら押圧する。処理部１４１は電気特性測定部１３による測定結果をメモリ１４３に記憶された閾値と比較することによって接合が完了したかどうかを判断する。処理部１４１が接合完了と判断すると加圧制御部１４２は加圧機構１１２を制御して押圧処理を終了させる。 （もっと読む）

タグの大量生産に最適な集積回路のボンディング方法及び装置において、ダイ接着領域における基板の導電材料が切断された後に、ICチップまたはトランスポンダが切断箇所を覆うように導電材料上に配置されて接合される。前記装置が実行する方法では、導電層を有する基板に第１のチップを配置し、基板に配置された第１のチップの位置を計測し、第１のチップの測定位置に基づいて、次に配置されるチップの配置予測位置において導電層を切断し、そして次に配置されるチップを切断箇所を覆うように基板上に配置する。
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