【課題】モジュール型センサアセンブリ及びその製作方法を提供する。
【解決手段】モジュール型センサアセンブリ（１０）並びにモジュール型センサアセンブリ（１０）の製作方法（７０）を提供する。モジュール型センサアセンブリ（１０）は、電子素子アレイ（１４）とスタック式構成で結合させたセンサアレイ（１２）を含む。センサアレイ（１２）は、その各々が複数のセンササブアレイ（１８）を備えた複数のセンサモジュール（２２）を備える。電子素子アレイ（１４）は、その各々が複数の集積回路チップ（２０）を備えた複数の集積回路モジュール（２４）を備える。センサモジュール（２２）は、フリップチップテクノロジーを介して電子素子モジュール（２４）と結合させることがある。 （もっと読む）

【課題】導電性の異物によるバンプの短絡を防ぐ。
【解決手段】フィルタ素子２ａは、機械的振動が励振される機能部２２ａが形成された機能部形成面２５ａを基板３ａの素子搭載面３５ａとを向かい合わせ、フィルタ素子２ａの側のパット２１ａと基板３ａの側のパット３１ａとの間をバンプ４ａを介してフリップチップ接合することにより基板３ａへ実装される。フィルタ素子２ａは、樹脂封止剤５ａによりサイドフィル方式によって中空封止されている。さらに、フィルタ素子２ａの機能部形成面２５ａには、ダム（隔壁）６ａが形成されている。ダム６ａは、フィルタ素子２ａと基板３ａとの間の信号伝達経路となっているバンプ４１ａ〜４４ａの全てを内包する矩形の領域２５５ａと領域２５５ａを取り囲む領域２５６ａとを隔てている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と基板とが接着剤層により接着された積層体であって、半導体装置の中央領域に接着剤層が形成されることが防がれた積層体、及び該積層体を簡便に、かつ効率よく製造することができる積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２と基板３とが接着剤層７により接着され構成されており、半導体装置２の外周縁に設けられた第１の電極５と、基板３に設けられた第２の電極６とが接続されており、接着剤層７は、半導体装置２と基板３との間に第１、第２の電極５、６を覆うように、半導体装置２の中央領域に至らないように半導体装置２の外周縁に設けられており、かつ接着剤層７は、半導体装置２の外周端よりも外側に至るように設けられており、半導体装置２の外周端よりも外側の接着剤層７は、半導体装置２と基板３との間隔よりも大きな直径を有する粒子８を含有する、積層体１。 （もっと読む）

【課題】バンプ配置に制約されずに、チップサイズを縮小し、コストを低減する。
【解決手段】半導体装置は、フィルム基板に実装されてシリコンにより構成されたインターポーザ基板３と、液晶を駆動するためにインターポーザ基板３に実装された半導体素子２とを備え、インターポーザ基板３は、半導体素子２側に形成された複数個の基板突起電極５ａ・５ｂ・５ｃを有し、半導体素子２は、各基板突起電極５ａ・５ｂ・５ｃとそれぞれ接合する複数個の素子突起電極４ａ・４ｂ・４ｃを有し、複数個の素子突起電極４ａ・４ｂ・４ｃを、半導体素子２の全面に配置した。 （もっと読む）

【課題】２６０℃以上の融点を有するＺｎ−Ａｌ系合金を接続に適用すること、接続時の濡れを改善すること、材料製造時のプロセスを低減すること、熱応力に対する接続信頼性を向上することを可能とする接続材料を提供する。
【解決手段】接続材料として、Ａｌ系合金層１０２の最表面にＺｎ系合金層１０１を設けたものである。特に、前記Ａｌ系合金層１０２のＡｌ含有率が９９〜１００ｗｔ．％、または、前記Ｚｎ系合金層１０１のＺｎ含有率が９０〜１００ｗｔ．％である接続材料とする。この接続材料を用いることで、接続時に接続材料の表面のＡｌ酸化膜の形成が抑制され、Ｚｎ−Ａｌ合金では得られない良好な濡れを得ることができる。また、接続後にＡｌ系合金層を残存させた場合、軟らかいＡｌが応力緩衝材として機能するため、高い接続信頼性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのバンプを狭ピッチとした場合でも位置ズレなどの不良を防止でき、高密度化した実装を高い信頼性で行うことができる超音波フリップチップ実装の製造方法を提供すること
【解決手段】 搬送路の回路基板２に対して、まずプラズマ照射により洗浄し（ｓ１）、半導体チップ１を搭載させる（ｓ２）。搭載アライメントにはバンプ１１および端子２１を認識マークとし、バンプ１１の並び列両端と端子２１の並び列両端との両者を整合させるように調節する。次に超音波振動を加えてバンプ１１の接合を行い（ｓ３）、半導体チップ１の搭載状態を検査し（ｓ４）、バンプ部位へチップコート樹脂３の塗布を行い（ｓ５）、次にその硬化を行い（ｓ６）、充填状態を検査し（ｓ７）、気泡の状態，搭載状態，ダメージ状態を検査し（ｓ８）、電気的な接続を検査し（ｓ９）、実装を完了する。 （もっと読む）

本発明は、電子、特に微細電子機能群とそのような機能群の製造方法に関する。本発明の方法は、以下のステップを含む。a) キャリア（5a）を非導電性接着剤でコーティングし、b)導体構造を前記接着層（4a）の一部に適用し、c) 少なくとも一つの外部接続接点（2）を備えた電子部品（1）を前記接着層（4a）と前記導体構造（3）とに配置し、前記電子部品（1）の前記少なくとも一つの接続接点（2）が前記導体構造（3）と直接接触し、前記部品（1）の外郭の一部が前記接着層（4a）と直接接触する。本発明の方法は、電子、特に微細電子機能群を、注意を払い、素早く、特に低コストで実現可能とする。 （もっと読む）

【課題】微細なピッチで電極端子が配置された半導体チップを、不良を生じさせることなく搭載可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１ａは、電極端子６及びバンプ７がペリフェラル配置された半導体チップ５を搭載するものであり、表層の配線３−１の表面が、表層の絶縁層２−１の表面よりも低く形成することで凹部が形成され、実装時に半導体チップ５のバンプ７が凹部に嵌り、位置ずれが抑制され、接続不良の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体素子との接続構造において、低い加圧力で安定に接続するとともに、狭ピッチでの接続を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】柔軟性を有する突起電極２を備えた半導体素子１と、少なくとも一方の面に突起電極２と対向する位置に凹部電極３を有する配線基板５と、を備え、突起電極２を凹部電極３に嵌合した後、突起電極２を硬化させて凹部電極３と接続する構成を有し、狭ピッチで接続する半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 実装信頼性および放熱効率を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】 バンプ電極を介して半導体素子を実装基板に接合するフリップチップ実装タイプの半導体装置において、バンプ電極が半導体素子の能動領域内および半導体素子の外周部における能動領域外のスクライブライン上に設けられる構成とする。バンプ電極は電源、信号用バンプ電極に加えて実装信頼性向上や放熱効率向上のためのダミーバンプ電極からなる。 （もっと読む）

【課題】幅広のワークであっても各ボンディングポイント間で生ずる温度差を抑えることができるボンディング装置の加熱部構造を提供する。
【解決手段】搬送レール３の加熱部１１による温度制御領域を幅方向で二分割し、分割された各温度制御領域４１，４２での温度を独立して制御する。すなわち、搬送レール３の後方側に後列温度センサ７１と後列ヒータ挿入穴５２と各後列ヒータ挿入穴５２に挿入される後列カートリッジヒータ６２とを設けて後列温度制御領域４１の加熱部１１を構成する。搬送レール３の前方側に前列温度センサ１２１と前列ヒータ挿入穴１０２と、各前列ヒータ挿入穴１０２に挿入される棒状の前列カートリッジヒータ１０３とを設けて前列温度制御領域４２の加熱部１１を構成する。各ヒータ挿入穴５２，１０２への各カートリッジヒータ６２，１０３の挿入量を可変可能に固定する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ及びこれを用いた表示装置において、ＩＣチップの入力端子と出力端子数が異なる場合、インターポーザ基板を必要以上に大型化させることなく、接続端子及び配線を配置することを可能とするテープキャリア型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ２が、インターポーザ基板３を介してフィルム基板４に接続される半導体パッケージにおいて、半導体チップは、対向する２辺に、複数の端子６，７をそれぞれ有し、さらに、インターポーザ基板において、インターポーザ基板の中心より、２辺のうち端子数が少ない一方の側にずれて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を配線基板に実装するに際して、電極同士のフリップチップ接合と、半導体装置と配線基板との樹脂封着を同時に一括して確実に行う。
【解決手段】 突出して並設された電極を有する下側基板１と上側基板２とが対向して該電極同士が接合される接合用基板１００であって、該電極１０、２０は、柱状をなす金属製のバンプからなり、溝状隙間３を介して封止樹脂からなる樹脂層１１、２１に周りを取り囲まれているように接合用基板１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩプロセスによる制約のない最上位配線層を提供することで長距離配線における信号遅延を低減可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積回路基板を提供する過程は、半導体集積回路用ベース基板１１上に、半導体集積回路及び該半導体集積回路用の最上位配線層を含まない配線層１２を形成する過程と、半導体集積回路用ベース基板の配線層上に、該配線層に接続される接続パッド１３を形成する過程とからなる。配線基板を提供する過程は、配線基板用ベース基板１上に、半導体集積回路用の最上位配線層となる厚膜配線層３をメッキ形成する過程と、厚膜配線層上に、該厚膜配線層に接続される接合バンプ６を形成する過程とからなる。そして、半導体集積回路基板の接続パッドが形成される面と配線基板の接合バンプが形成される面とを対向させ接続パッド及び接合バンプを位置合わせして接合する。 （もっと読む）

【課題】超音波振動接合装置における保持部とヒータをホーンの構造が複雑にならないように配設することを目的とする。
【解決手段】超音波振動を発生する振動子９Ａと、ホーン９Ｂと、このホーン９Ｂに備えられ接合対象物を保持する保持部３とを備える超音波実装ツール６０と、ホーン９Ｂに形成されたヒータ挿通孔１６Ａ，１６Ｂに通されるヒータ１２Ａ，１２Ｂと、超音波実装ツール６０を支持する支持部材１１とを備え、保持部３に保持された接合対象物１００を、被接合対象物１０２に押圧しながらホーン９Ｂを振動することにより、接合対象物１００を被接合対象物１０２に接合する超音波振動接合装置１において、ヒータ挿通孔１６Ａ，１６Ｂは、ホーン９Ｂの支持部材１１により支持される位置と保持部３との間に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体チップ１０の電極１２及び配線基板２０の配線パターン２２の少なくとも一方に還元剤３０を付着させる。電極１２及び配線パターン２２を対向させる。還元剤３０を加熱して活性化し、還元剤３０によって電極１２及び配線パターン２２の少なくとも一方の表面に形成された酸化膜を還元する。対向した電極１２及び配線パターン２２間に圧力を加え、電極１２及び配線パターン２２の材料を固相拡散させて、電極１２及び配線パターン２２を接合する。加熱を、電極１２及び配線パターン２２の融点よりも低い温度で行う。 （もっと読む）

【課題】外部回路基板等の伸縮差等により基板が変形することで、配線パターンが断線されるという問題を回避し、微細化および信頼性の向上が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、導電性パターンが設けられた基板３と、前記基板３の上に設けられた半導体チップ２であって、前記導電性パターンと該半導体チップ２の突起電極とを接続することで実装される半導体チップ２と、前記基板３と前記半導体チップ２との間に設けられた第１樹脂と、前記半導体チップ２を平面視したとき、該半導体チップ２の側面に設けられた第２樹脂５と、を含み、第２樹脂５は、前記半導体チップ２の側面に設けられ、部分的に該半導体チップ２との距離が大きくなる方向に突出した平面形状の突出部分６を有し、突出部分６の突出の方向は、突出部分６が設けられている辺と交差する方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非接触ＩＣ媒体の基体に設けられたアンテナ回路とＩＣチップの間において、両者間に十分な間隔を確保するとともに、周囲の封止樹脂と高い密着性を有するスタッドバンプによる電気的接続方法を提供する。
【解決手段】 非接触ＩＣ媒体の基体１７上の、アンテナ回路１８の端子部位に設けられた電極１９と、ＩＣチップ１１の電気接点１２とを電気的に接続するために、金線によりスタッドバンプ１３を形成して加熱加圧接合を行い、その後に封止樹脂２０を用いて充填固定する。この際に、スタッドバンプ１３を複数の小バンプを順に重ねて形成するとともに、重ねる際に前記小バンプの断面積を順に大きくしていき、全体としてスタッドバンプ１３がキノコ型の形状をなすようにする。これによりスタッドバンプ１３に対して封止樹脂２０がくさび形に食い込む形状となるために表記の課題を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】テープキャリア型半導体装置において、製品外形に含まれない無形領域を削減できる半導体装置用テープキャリア、半導体装置の製造方法、半導体装置、および半導体モジュール装置を提供する。
【解決手段】表面に複数配置した配線パターン１１と半導体素子２１のバンプ２３とを電気的に接続し、絶縁性の樹脂２２で封止することで半導体装置となる薄膜の絶縁テープ１であって、絶縁テープ１の搬送方向における半導体装置の外形サイズが、絶縁テープ１を搬送する為に開口されたスプロケットホール２のピッチ間隔の整数倍Ｘピッチ（Ｘ＝１，２，３，４，５，・・・）より大きく、尚かつ整数倍Ｘ＋小数Ｙピッチ（０＜Ｙ＜１）以下である半導体装置用テープキャリアにおいて、半導体装置１デバイスのテープピッチを整数倍Ｘ＋小数Ｙピッチ（０＜Ｙ＜１）に設定し、半導体装置の外形サイズに関与しない絶縁テープ１の無形領域を削減している。 （もっと読む）

【課題】 特別な装置を設置することなく位置合わせ時のアライメント不良を低減することにより、優れた接続位置精度および接続信頼性を有する半導体装置の実装構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子２の実装面にある複数の電極端子６上にバンプ４が形成された半導体素子２が、バンプ４がそれぞれ接続される複数の接続端子５または接続端子５上に形成された基板側バンプ３を有する配線基板１にフリップチップ方式により実装された半導体装置の実装構造体において、バンプ４は、バンプ４の接合面が一方方向に傾斜する第１のバンプと、第１のバンプ４の接合面とは反対方向に傾斜する接合面を有する第２のバンプ４とを含み、接続端子５または基板側バンプ３のバンプ４との接合面は接続すべきバンプ４の接合面とは反対方向に傾斜する形状であるようにする。 （もっと読む）