【課題】基板上に隣接させて接着する電子部品間の接着材の形状を所望の形状にして、信頼性を向上させる。
【解決手段】基板３０と、当該基板３０に電気的に接続された隣接する電子部品３１・３２との接続信頼性を向上させる電子部品の接着方法であって、隣接する電子部品３１・３２の周囲に接着材３５を塗布する接着材塗布ステップと、当該接着材塗布ステップによって隣接する電子部品３１・３２間に塗布された接着材３５の上から接着材３５の形状を所望のフィレット部３６形状に規定するための逆フィレット部形状の形成型４１を載置する型載置ステップと、当該型載置ステップによって逆フィレット部形状の形成型４１が載置された状態で接着材３５を硬化させる硬化ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ３次元集積回路構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法に従うと、第１の能動回路層ウエハが準備される。第１の能動回路層ウエハは、能動回路を含むＰ−層により覆われているＰ＋部分を有する。第１の能動回路層ウエハは第１配線層を含むインターフェース・ウエハにフェイス・ダウン・ボンディングされ、次いで、第１の能動回路層ウエハのＰ−層を残すように第１の能動回路層ウエハのＰ＋部分が選択的に除去される。次に、Ｐ−層の背面に配線層が形成される。更に本発明に従うと、３次元集積回路構造及びこの３次元集積回路構造を製造するための手順を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板接合時の信頼性を向上させた半導体装置及び半導体チップのボンディング方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０の電極１１の上に形成され、電極１１から離れるに従って幅が狭くなる楔形突起１３と、半導体チップ１０の電極１１に対応して基板２０に配置された電極２１の上に形成され、電極２１から離れるに従って溝２７の幅が広くなる溝形突起２８とを備え、半導体チップ１０の楔形突起１３を基板２０の溝形突起２８の溝２７に押しつけて半導体チップ１０を基板２０に接合した半導体装置１００であって、楔形突起先端１５の幅Ｗ₁は溝形突起先端２５の溝２７の幅Ｗ₄よりも狭く、楔形突起根元１４の幅Ｗ₂は溝形突起先端２５の溝２７の幅Ｗ₄よりも広く、楔形突起側面１６の半導体チップ１０の電極１１の表面１２に対する傾斜角αは溝形突起２８の傾斜面２６の基板２０の電極２１の表面２２に対する傾斜角β以下とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディング用の金属ナノインクにおいて、加圧焼結の際のボイドの発生を抑制する。
【解決手段】分散剤１０２によって表面コーティングされた金属ナノ粒子１０１を有機溶剤１０５中に混合させた後、有機溶剤１０５中に酸素を酸素ナノバブル１２５として注入して、加圧焼結によって半導体ダイの電極と基板の電極および／または半導体ダイの電極と他の半導体ダイの電極とを接合するための金属ナノインク１００を製造する。この金属ナノインク１００の微液滴を電極上に射出して半導体ダイの電極と基板の電極上にバンプを形成し、半導体ダイを反転して基板の上に位置合わせして重ね合わせた後、各電極間のバンプを加圧するとともに加熱し、バンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを超音波振動を利用して回路基板にフリップチップ接続する際に、半導体チップの位置ずれを防止して正確に回路基板に搭載可能とする。
【解決手段】バンプ１２と該バンプ１２よりも大径でかつ突出高さの高い位置決め用のバンプ１３が形成された半導体チップ１０を、バンプ１２が接合される電極端子２２と位置決め用のバンプ１３が接合されるパッド２３が設けられた回路基板２０に、フリップチップ接続により搭載する電子部品の実装方法であって、半導体チップ１０に超音波振動を印加しつつ、位置決め用のバンプ１３と前記パッド２３とを接合し、次いで、半導体チップ１０に超音波振動を印加しつつ、バンプ１２と電極端子２２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】簡便に基板の導電部と電子部品との接合部を補強することができ、環境の変化によって、前記の接合部から電子部品が剥離することを防止することができる部品実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の部品実装基板の製造方法は、基板１の一方の面１ａに、ポリマー型導電インクを塗布して、導電部をなす塗膜２を形成する工程Ａと、導電部の一対の電極をなす塗膜２に電子部品１１の端子１２、１２が当接するように、基板１の一方の面１ａに電子部品１１を配置する工程Ｂと、基板１の他方の面１ｂと電子部品１１との間に電界を掛けて、塗膜２に含まれる導電微粒子を、電子部品１１の端子１２、１２の周囲に移動させる工程Ｃと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板同士の接合工程の歩留まりを向上させることが可能な接合方法を提供することにある。
【解決手段】各半導体基板１，２それぞれに対して、半導体基板１，２において接合相手の半導体基板２，１に対向させる面側に絶縁層１２，２２を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層１２，２２の表面をＣＭＰにより平坦化する第１の平坦化工程と、絶縁層１２，２２に貫通孔１２ｃ，２２ｃを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔１２ｃ，２２ｃの内側に貫通配線１５，２５を形成する貫通配線形成工程と、貫通配線形成工程の後に絶縁層１２，２２の表面側をＣＭＰにより平坦化する第２の平坦化工程を行った後に、絶縁層１２，２２の表面上に接合用パッド１４，２４を形成する接合用パッド形成工程を行い、その後、接合用パッド１４，２４同士を常温接合する接合工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 回路基板及びその製造方法に関し、接合界面におけるＢｉ濃度を低減して接合信頼性を高める。
【解決手段】 電極を表面に備えた配線基板と、前記電極に対向するバンプを表面に備えた電子部品とを有し、前記電極と前記バンプとの間の領域に形成されたＳｎ及びＢｉを含む接合層における第１の領域のＢｉ含有率を、前記接合層における第２の領域のＢｉ含有率よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板の金属端子とＴＣＰの金属端子を確実に、しかも効率よく接合することができるようにした接合装置を提供することにある。
【解決手段】基板３とＴＣＰ５の互いの金属端子３ａ，５ａを対向させて重ね合わされた部分を支持するバックアップツールと、バックアップツールの上方に上下方向に駆動可能に設けられ超音振動器によって超音波振動が付与されるとともに、下降方向に駆動されることで重ね合わされた基板とＴＣＰを加圧してこれらの互いの金属端子を超音波振動によって接合する加圧ツール７と、加圧ツールと重ね合わされた基板とＴＣＰの間に介装され加圧ツールが基板とＴＣＰの金属端子を接合するときに加圧ツールに付与された超音波振動を基板とＴＣＰに伝播する材料によって形成されたシート状部材２５を具備する。 （もっと読む）

【課題】接合後の形状を安定させ、接合界面の密着性を高め、それにより強度が増し、さらにメッキの成長界面の密着性も向上させることを安価で短時間に行う。
【解決手段】上方から加圧・加熱用ジグ１１を押し当て突起物１２の頭頂部１２ａを１つの凸形状に整形する。加圧・加熱工程により頭頂部１２ａが形成された接合用突起物１２によって第１基板と第２基板の接合を行う。これにより、接合の際に、突起物１２の凸形状が複数あると凸形状間で空隙ができてしまうことを回避し、また、頭頂部１２ａを形成する角度を浅くして、接合時の変形量を減少、接合時の加重を低く、デバイスの他の薄膜層へのダメージを低減する。さらに、接合する第１基板と第２基板に傾きがあっても接合界面に生じる空隙を減らし、メッキ成長界面からの剥離を抑制して、所望の接合形状で十分な接合強度を確保できる。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスパッケージは、基板（１１０）と、基板に埋め込まれたシリコンパッチ（１２０）と、シリコンパッチの第１位置の第１インターコネクト構造（１３１）およびシリコンパッチの第２位置の第２インターコネクト構造（１３２）と、第１インターコネクト構造と第２インターコネクト構造とを互いに接続するシリコンパッチ中の電気的導電線（１５０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の接合時に、バンプに加えられる荷重に起因して、その下の半導体チップの表層部に応力が加わり、クラック等が発生する場合がある。
【解決手段】 第１の基板上に導電パターン(23)が形成されている。この導電パターンの上に、導電材料からなるベース膜(31)が配置されている。ベース膜の上にバンプ(36)が配置されている。バンプの最下面の外周線が、ベース膜の外周線よりも内側に配置される。ベース膜の厚さがバンプの厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の封止用に用いた場合に作業性に十分優れており、３００℃以上に加熱した場合であってもボイドの発生を十分に抑制し、接続信頼性と絶縁信頼性とに十分優れた半導体装置を製造可能な半導体封止用フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体封止用フィルム状接着剤は、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化促進剤とを含有する。そして、（ｂ）硬化促進剤が１２０℃以上の融点を有し、（ｂ）硬化促進剤の活性領域が１２０℃以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極を有する半導体装置およびそれを搭載した半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板ＳＷ１の上部に形成された絶縁膜６上にパッドＰＤ１が形成され、絶縁膜６上にパッドＰＤ１に平面的に重ならないように絶縁膜１１が形成されている。パッドＰＤ１の上面と絶縁膜１１の上面とが平坦な面を形成し、この平坦な面上にバンプ電極ＢＰ１が形成されている。バンプ電極ＢＰ１の下面は、パッドＰＤ１の上面を平面的に内包しており、バンプ電極ＢＰ１の下面は、パッドＰＤ１の上面全面と絶縁膜１１の上面の一部とに接し、パッドＢＰ１の上面は平坦である。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ウェットエッチング法によって、基板１００’の表面に複数のボンディングパッド１１０を形成し、作用表面に複数の接続バンプ２１０を形成した半導体チップ２００を裏返して複数の接続バンプ２１０と基板１００’上の複数のボンディングパッド１１０の位置を合わせて、ボンディングパッド１１０と接続バンプ２１０の溶点より低い温度で圧接し、接続バンプ２１０とボンディングパッド１１０を互いに嵌合させて半導体チップ２００と基板１００’を電気的に接続する。 （もっと読む）

本発明は、基板（２）の表面上に、構成部品またはチップ（３）の自己組立のための少なくとも１つの親水性貼付けゾーン（１２）を形成し、その中に前記親水性貼付けゾーンの境界を定める疎水性ゾーン（２０）を生成する方法に関する。
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【課題】部品と基板との接合品質を向上した部品実装方法を提供する。
【解決手段】部品２０と基板１０との接合品質を向上した部品実装方法は、基板１０におけるバンプｂの位置を検出する位置検出工程（ステップＳ１００）と、位置検出工程により検出された位置に部品２０の電極２３が対向するように、部品２０と基板１０を配置する配置工程（ステップＳ１１０）と、配置工程で配置された状態を保って、部品２０と基板１０との何れか一方を他方に押圧する押圧工程（ステップＳ１１２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】第１の部材と第２の部材とを金属バンプを介して超音波接合する場合に、第１の部材または第２の部材に設けた金属バンプの下地にダメージが発生することを防止する。
【解決手段】本発明の超音波接合方法は、第１の部材１１と、嵩高部材３上に固着された第２の部材４とを金属バンプ８を介して超音波接合する方法において、超音波振動ヘッド１０に第１の部材１１を取り付け、超音波接合装置１のステージ２の上面に嵩高部材３を取り付けた場合に、前記嵩高部材３を前記ステージ２の上面で発振開始直後からスライド可能なように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイグレーションの発生を防止することを目的とする。
【解決手段】半導体モジュールは、絶縁膜１６上に配置された長尺状の弾性突起１８と、弾性突起１８が延びる方向に沿った軸ＡＸに交差して延び弾性突起１８上に至る配線２０と、配線２０の弾性突起１８上の部分にそれぞれ接触するリード２６と、リード２６が形成されたベース基板２４と、半導体チップ１０の弾性突起１８が形成された面とベース基板２４のリード２６が形成された面との間で間隔を保持する硬化した接着剤２２と、を有する。弾性突起１８は、弾性変形によって形成された窪み２８を有する。配線２０及びリード２６の接触部は、それぞれ、窪み２８内に位置する。弾性突起１８は、隣同士の窪み２８の間に、弾性力を以ってベース基板２４に密着する部分を有する。窪み２８の内面とリード２６との間に、接着剤２２の一部が充填されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体チップ１０と、集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４と、複数の電極１４にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ１８と、複数のバンプ１８にそれぞれ接触する複数のリード２６と、複数のリード２６が形成されたベース基板２４と、を有する。接着剤２８は、硬化して、半導体チップ１０のバンプ１８が形成された面と、ベース基板２４の複数のリード２６が形成された面と、の間で間隔を保持する。半導体チップ１０には、収縮する方向の応力が残存している。複数のリード２６には、少なくとも半導体チップ１０から複数のバンプ１８を介して、半導体チップ１０の中央方向に押圧力が加えられている。 （もっと読む）