【課題】チップ状ワーク自体には損傷をほとんど又は全く与えずに、優れたレーザーマーキング性でレーザーマーキングを行うことができるフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】
ウエハ接着層とレーザーマーク層とを含む多層構造を有しており、且つ前記ウエハ接着層は波長：５３２ｎｍの光線による光線透過率が４０％以上であるとともに、前記レーザーマーク層は波長：５３２ｎｍの光線による光線透過率が４０％未満であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム、あるいは、ウエハ接着層とレーザーマーク層とを含む多層構造を有しており、且つ前記ウエハ接着層は波長：１０６４ｎｍの光線による光線透過率が４０％以上であるとともに、前記レーザーマーク層は波長：１０６４ｎｍの光線による光線透過率が４０％未満であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング工程から半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用することができるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、該粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムが、黒色顔料を含有しているダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】強度を維持し且つバンプ同士の間の狭ピッチ化に耐え得るバンプ及びアンダーバリアメタル構造を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１の上に形成された電極パッド２と、電極パッド２の上に形成されたアンダーバリアメタル１０と、アンダーバリアメタル１０の上に形成されたはんだバンプ６と、アンダーバリアメタル１０及びはんだバンプ６の周囲を覆うように形成されたアンダーフィル材１８とを有している。はんだバンプ６は、アンダーバリアメタル１０との接合界面が該アンダーバリアメタル１０の上面であり、アンダーフィル材１８は、バンプ６の側面とアンダーバリアメタル１０の端面との接合部分における角度が直角又は鈍角である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、隣接する接続バンプの結合容量による電気特性の悪化を、半
導体装置サイズを変更すること無く改善することにある。
【解決手段】半導体集積回路上の電極ピッチと電極サイズが配線基板上の電極ピッチと電極サイズに等しく、且つ電極の接続構造に関し、半導体集積回路上の電極と配線基板上の電極がそれぞれ対向して配置した、電源電極または、グランド電極が複数個連続して並び、信号電極が電源電極またはグランド電極を挟んで配置したエリアでは、前記信号電極同志をバンプで接続し、前記半導体集積回路の電源電極とグランド電極が隣接する部分は前記半導体集積回路上と前記配線基板上の電源電極とグランド電極のそれぞれをバンプで接続し、それ以外の電源電極とグランド電極については接続しないことを特徴とした。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】両被接合物の相互間の電気的接続を実現するに際して、樹脂層を設けることを必ずしも要することなく、両被接合物の接合強度を良好に確保することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】この接合システムは、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）のいずれかで構成される接合部分ＰＴ１とＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン）およびガラスのいずれかで構成される接合部分ＰＴ２とをその接合表面にそれぞれ有する２つの被接合物９１，９２を接合する。当該接合システムは、２つの被接合物９１，９２の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行い、その後、２つの被接合物９１，９２における接合部分ＰＴ１同士を接触させ且つ２つの被接合物９１，９２における接合部分ＰＴ２同士を接触させた状態で２つの被接合物９１，９２を加圧し接合する。 （もっと読む）

【課題】基板上に搭載される部品を加熱することなく精度良く簡単に実装できること。
【解決手段】集積デバイスは、光素子であるＬＤ１２１，波長変換素子１２２と、電気素子であるドライバＩＣ１２３とを基板１００上に混載して実装する。光素子と電気素子とは、基板１００上に形成された金属材料からなる接合部１１０，１１１，１１２に表面活性化接合により接合される。この接合部１１０，１１１，１１２にはマイクロバンプが形成され、原子間の凝着力を利用して常温で接合できる。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップと基板間の電極の接合状態にバラツキの少ない超音波フリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体チップを基板に超音波実装する方法は、一方の主面に複数のバンプ電極１５６が形成された半導体チップＳ、および一方の主面に複数の電極パターン１７６が形成された基板Ｂを用意し、半導体チップＳのバンプ電極１５６を基板Ｂの電極パターン１７６に接触させる第１のステップと、半導体チップＳのバンプ電極１５６を基板Ｂの電極パターン１７６から離間させる第２のステップと、半導体チップＳのバンプ電極１５６を基板Ｂの電極パターン１７６に接触させかつ超音波振動を与えてバンプ電極１５６を電極パターン１７６に接合する第３のステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】リフロー時の半導体パッケージの反りの矯正やプリント基板の変形への追従が容易であり、半導体パッケージを薄くすることができる矯正キャップを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る矯正キャップ１１は、半導体パッケージの表面と接触する接触面１２を有し、接触面１２は、熱処理時に変形して半導体パッケージの表面に変形力ｐを与えることを特徴とする。予め矯正キャップ１１に下側に凸となるように形状を記憶させておく。熱処理時に、半導体パッケージ５１が下に凸のように反ろうとする力ｑと矯正キャップ１１が上に凸に戻ろうとする変形力ｐとが相殺されるため、半導体パッケージ５１の反りを防止することができる。 （もっと読む）

基板を支持するためのプレースステージを含むプレースステージ組立体と、基板における清浄環境をもたらすためのカバー部であって、載置動作が基板の制限された範囲に実行され得るカバー部の第1の面に第1の開口部を含むカバー部とを備え、プレースステージおよびカバー部は、相対移動によって、開口部が基板の上方に選択された相対位置を得ることが可能になるように取り付けられる、ピックアンドプレースマシン用のプレースステーション。
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【課題】集積回路素子の剥がれを防ぐことができる圧電発振器を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の圧電発振器は、基板部とこの基板部の一方の主面に第１の枠部と第２の枠部が設けられて凹部空間が形成されている素子搭載部材と、搭載部の主面に設けられている２個一対の圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部に設けられている集積回路素子搭載パッドと接合するための素子搭載部材接合用電極が設けられている集積回路素子と、凹部空間を気密封止する蓋部材と、を備え、素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、アルミニウム層の厚みが、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層の厚みが、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層の厚みが、５〜３０μｍであることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】被実装面の高さや水平度を高精度で確保することが求められるバンプ付き電子部品の実装において、高精度の実装品質を確保することができるバンプ付き部品の実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウェハに半導体チップを重ねて実装するスタック実装において、半導体ウェハを吸着して保持する載置面の複数の高さ測定点の高さを高さ測定手段によって測定して高さデータを当該ウェハ保持ステージの固有データとして記憶させておき、上段の半導体チップをウェハ保持ステージに載置された半導体ウェハの１つの部品実装位置に実装する個別部品実装動作を反復実行する部品実装ステップにおいて、記憶された高さデータに基づいてステージ高さ調整手段を駆動して、当該部品実装位置における載置面の高さおよび水平度を個別部品実装動作毎に調整する。 （もっと読む）

【課題】
超音波接合するバンプのうち接合面が高いバンプの接合強度低下を防止する。
【解決手段】
表面に信号線を有し、当該信号線の上に所定の高さのバンプを備え、当該バンプが超音波接合により回路基板の電極に接合される回路部品（チップ）であって、前記表面からの高さが最も低い第１の信号線の上に設けられ、所定の断面積を有する第１のバンプと、前記表面からの高さが前記第１の信号線より高い第２の信号線の上に設けられ、前記所定の断面積と異なる断面積を有するので、接合面が高いバンプにおける接合強度が低下する部分の割合を低下させることができる。よって接合強度低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の樹脂厚にバラツキが少ない樹脂封止が可能で、製造コストを低減できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の単位回路パターン１１を有するインターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂を搭載する工程と、複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載されたワークを真空状態にてプレスして複数の半導体チップを樹脂封止する工程とを含む。複数の半導体チップを樹脂厚にバラツキが少ない封止樹脂で封止することができる。また、モールド成型のように高価な金型を必要としないため製造コストを削減することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射によって貫通孔をする場合であっても、反りの発生しないインターポーザとその製造方法、並びにそれを用いた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】インターポーザの基板コア材１に形成される貫通孔５が、半導体チップ搭載側から形成される貫通孔５ａと、実装側から形成される貫通孔５ｂとで構成されている。さらにこれらの貫通孔５は、１つの半導体装置を構成する単位領域に、両方配置されるように形成する。このように形成されたインターポーザは反りがなく、このインターポーザを用いて半導体装置を形成すると、反りのないインターポーザを備えた半導体装置を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスが実装基板上にフリップチップ接続されてなる半導体装置において、実装基板の電極端子間に多くの配線を通し得るようにする。
【解決手段】導電性バンプ２ｂを有する半導体デバイス２が、前記導電性バンプが回路基板１上の電極端子１ｂに接続される態様にて回路基板上に実装されている半導体装置において、電極端子１ｂのサイズ（幅または一辺の長さまたは径）が導電性バンプ２ｂの径以下（１/４程度）であり、かつ、導電性バンプは電極端子の下端までは濡らしていない。つまり、導電性バンプ２ｂは、回路基板１の絶縁性基板１ａの表面には接していない。 （もっと読む）

【課題】同一バンプの内部において均一な接合状態を実現して、良好な接合強度を確保することができるバンプ付きの電子部品のボンディング方法を提供する。
【解決手段】バンプ付きの電子部品３０のバンプ３０ａを被圧着面の電極３２ｂに押圧して超音波振動を印加することにより、バンプ３０ａを電極３２ｂにボンディングボンディング動作において、ボンディングヘッドを下降させてバンプ３０ａを電極３２ｂに当接させてバンプ３０ａが所定のバンプ高さｂになるまでボンディングヘッドを更に下降させ、電子部品３０と電極３２ｂとの隙間を予め設定された目標値としてのバンプ高さｂに維持した状態で電子部品３０に超音波振動を所定時間印加する。これにより、超音波振動が印加される時間をバンプ３０ａの下面において電極３２ｂと当接する面積Ａの全範囲について等しくすることができ、均一な接合状態を実現して良好な接合強度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】異方導電性ペーストのボンディング工具への付着を抑制して歩留まりを向上させた上で、簡便に実装し且つ接続の信頼性を向上させること。
【解決手段】凹部８１の底面８３の端子部４７ａに異方導電性ペースト７９を塗布する第１塗布工程と、デバイス基板２７をボンディング工具で吸着する吸着工程と、前記基板が吸着された前記工具を基体８０上に位置させるセット工程と、前記ペーストを加熱すると共に前記工具により前記基板を基体に対して加圧しながら押し付けるボンディング工程と、前記基板に対する前記工具の吸着を解除して前記工具を退避させる退避工程と、退避工程の後、端子面７５の外周縁部と前記ペーストとの間を埋め込むと共に凹部の側壁の少なくとも一部に連なるように、前記外周縁部側から底面に熱可塑性接着剤を塗布する第２塗布工程と、前記接着剤を硬化させる硬化工程と、を備えるデバイス実装方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バンプの凝固を検出する精度を高めることにより、バンプの接合品質を向上できる、電子部品製造装置等を提供する。
【解決手段】本発明の電子部品製造装置１０は、液状のバンプ１１を半導体チップ１２と実装基板１３とで挟んだ状態で半導体チップ１２と実装基板１３との重なり合う方向での位置を保持する位置保持手段２０と、半導体チップ１２と実装基板１３とに挟まれたバンプ１１の凝固による力ｆを測定する電力測定器１４と、電力測定器１４によって測定された力ｆに基づき位置保持手段２０による位置の保持を解放する制御部３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）