【課題】順応性のあるインターフェースを提供する。
【解決手段】半導体チップの順応性インターフェースを形成する方法は、第１の面、第２の面、第２の面にある複数の端子１４０及び第１の支持構造体の第１の面にある多孔弾性層を有する第１の支持構造体１００を提供する工程と、弾性の多孔層が第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置されかつ第１の支持構造体を第２の支持構造体から隔てるように、第２の支持構造体１２０の第１の面を多孔層に当接させる工程と、第１の硬化性液体が第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置されるように、当接工程の後に第１の硬化性液体を多孔層内に配置する工程と、複数の端子をプラテンと係合させることによって複数の端子を互いに略共面整合させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一面と半導体チップの一面よりも平坦度が劣るパッケージの接合面とを対向させ、これら両部材を、複数個の接合部材を介して接合する部品の実装方法において、パッケージの接合面の高さばらつきが大きいものであっても、複数個の接合部材を一括して適切に配置できるようする。
【解決手段】シート部材３１と、複数個の開口部５１を有する第１の型５０と、第１の型５０への組み付け時に各開口部５１を貫通する複数個の突出部６１を有する第２の型６０とを用意し、第１の型５０の上にシート部材３１を載せ、第２の型６０を第１の型５０に組み付けて突出部６１を開口部５１に貫通させることにより開口部５１の部分にてシート部材３１を打ち抜き、突出部６１の先端部によって、打ち抜かれた部分３０を接合部材３０としてパッケージ２０の接合面２１に押し付けて貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】基板の部品接合部位のプラズマ処理を熱ダメージを与えることなく効率的に行うことができる基板への部品実装方法及び装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル６などの基板の部品接合部位をプラズマ処理した後、その接合部位に部品を接合する基板への部品実装方法において、反応空間２１に第１の不活性ガス２５を供給するとともに反応空間２１の近傍に配設したアンテナ２３に高周波電圧を印加して反応空間２１から誘導結合型プラズマからなる一次プラズマ２６を吹き出させ、この一次プラズマ２６を、第２の不活性ガスを主とし適量の反応性ガスを混合した混合ガス領域３０に衝突させて二次プラズマ３１を発生させ、発生した二次プラズマ３１を基板の部品接合部位に照射するようにした。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子デバイスの製造方法、及び、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる支持部材を提供する。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、電極１２を有する電子部品（半導体チップ１０）を用意する工程と、支持面３２と、支持面３２の側方であって支持面よりも低い位置に配置された吸気口３４とを有する支持部材３０の支持面３２で、電子部品が吸気口３４に接触しないように、かつ、電子部品の前記支持面と対向する面の一部が支持面３２から露出するように電子部品を支持して、吸気口３４で電子部品における支持面３２から露出した領域を吸引することによって電子部品を支持部材３０に固定する工程と、電子部品を支持部材に固定した状態で、電極１２と導電パターン（配線パターン２２）とを電気的に接続する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属どうしの良好な接合状態を得ることのできるプラズマ照射による金属接合前処理を提供する。
【解決手段】金属からなる２つの接合対象物９１ａ，９１ｂどうしを接合する際の前処理として、第１処理ガスをプラズマ化して少なくとも一方の接合対象物に接触させる第１プラズマ照射工程を実行する。第１処理ガスは、酸素を実質的に含まないガスを用い、好ましくは窒素ガスを用いる。次いで、第２処理ガスをプラズマ化して前記第１プラズマ照射工程を経た接合対象物に接触させる第２プラズマ照射工程を実行する。第２処理ガスは、酸素を含むガスであり、好ましくは窒素と酸素の混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】微細な電気接続用バンプの接続を安定化し、その製造コストを低減する。
【解決手段】基板上に複数のバンプ原形を形成し、前記バンプ原形の上部が露出する保護膜を前記基板上に堆積し、前記保護膜から露出している複数の前記バンプ原形の前記上部の角をイオンミリングにより集中侵蝕して前記バンプ原形を先鋭化する、ことを含む電気接続用バンプ形成方法。 （もっと読む）

【課題】部品の電極を基板上の電極に接合する電極接合方法において、基板に接合する部品に損傷を与える恐れなく電極表面をプラズマ洗浄でき、かつ洗浄した状態を維持して電極を接合できることで、接合力が高く、信頼性の高い電極の接合状態を得る。
【解決手段】部品としての半導体素子１と基板１０の少なくとも何れか一方の洗浄対象電極表面３に大気圧プラズマ８を照射して洗浄するプラズマ洗浄工程と、大気圧プラズマ８の照射が終了する時点以前に洗浄対象電極表面３とその周辺を第１の不活性ガス４で覆ってその後もその状態を維持する不活性ガス雰囲気維持工程と、不活性ガス雰囲気維持工程を終了する前に半導体素子１の電極と基板１０上の電極を接合する接合工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】回路形成領域に電極パッド部を形成したパッドオンエレメント構造を有する半導体素子の被実装基板への実装時に、半導体素子への機械的ダメージの低減化を図り得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１表面の回路形成領域上に設けられた複数の電極パッド部２と、裏面に複数の接続ランド部３が設けられた半導体キャリア基板４の表面に配置される複数の配線電極部６とが電気的に接続され、且つこれら半導体素子１と半導体キャリア基板４との間に絶縁性樹脂９が充填されてなる半導体装置であって、上記各配線電極部６を凹状に形成するとともに、これら凹状の各配線電極部６と上記各電極パッド部２とを導電性の針状部材７にてそれぞれ接続し、且つこれら各針状部材７と上記各電極パッド部２および各配線電極部６との間に導電性接着剤８を介在させたものである。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置において、半導体素子の電極の配置の制約を受けることなく、当該電極の配置の高密度化に適した電極の取り出し構成を実現する。
【解決手段】モールド樹脂４０の内部に、半導体素子１０とリードフレーム３０との間を跨ぐように熱可塑性樹脂よりなる基板２０を設け、この基板２０を、半導体素子１０側に位置する表面に半導体素子１０の電極１１と電気的に接続された第１の電極２１を有するとともに、リードフレーム３０側に位置する表面にリードフレーム３０と電気的に接続された第２の電極２２を有するものとし、さらに、基板２０を、当該基板２０を構成する熱可塑性樹脂の内部に配線２３を有し当該配線２３を介して第１の電極２１と第２の電極２２とを電気的に接続してなるものとした。 （もっと読む）

【課題】パッド等の配線基板の接続端子と半導体チップのバンプとの接合時の超音波振動の印加エネルギーを過剰に大きくすることなく、高熱による配線基板の変形によってもパッドとバンプとの接合が破断しにくい半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板２の接続端子４と半導体装置のバンプ１０とが、固相拡散によりフリップチップ接合されて成る半導体装置において、接続端子４の少なくとも一部が、配線基板２の基体に固着されずに設けられ、パンプ１０が、接続端子４の、前記基体に固着されていない部分に接合されている。 （もっと読む）

【課題】対向する接続電極同士が確実に接続される。
【解決手段】線状突起物１ｂが形成された上部接続電極１を有する上部回路基板１０と、線状突起物２ｂが形成された下部接続電極２を有する下部回路基板２０と、を有し、線状突起物１ｂと線状突起物２ｂとを介して、上部回路基板１０と下部回路基板２０とが結合されることにより、線状突起物１ｂ，２ｂが接続する箇所には応力が集中され、微小な歪みが生じて、線状突起物１ｂ，２ｂによって、下部接続電極２の表面および上部接続電極１の表面に形成された酸化物または有機物が突き破られる。 （もっと読む）

【課題】パッドとバンプとのフリップチップ接合時の超音波振動の印加エネルギーを過剰に大きくすることなく、高熱による配線基板の変形によってもパッドとバンプとの接合が破断しにくい、半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２に設けられた各パッド４に凹部６を形成するステップと、各パッド４に半導体チップ８のバンプ１０を位置決めして当接させるステップと、半導体チップ８または配線基板２に超音波振動を印加することで、バンプ１０の少なくとも一部を凹部６内に進入させて、パッド４とバンプ１０とを固相拡散によりフリップチップ接合するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの外部電極上に形成されたＡｕスタッドバンプを受けるインターポーザー基板の電極パッドは、フリップチップ実装工程の熱によって下層の樹脂が軟化するため、電極パッドが沈み込み、接続不良や信頼性の低下が発生する。
【解決手段】インターポーザー基板は、絶縁樹脂シート５の少なくとも一方の面に、バンプを用いたフリップチップ実装プロセスで電子デバイスを接続するための複数の電極パッド１を有する。これらの電極パッド１のうち、少なくとも一つの電極パッドの真下の絶縁樹脂シート中に金属柱４が備えられ、当該電極パッドのフリップチップ実装プロセスでの沈み込みを防止する。 （もっと読む）

【課題】コーナー部にも良好なフィレットを形成できる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】配線基板２の側で、実装された半導体素子１よりも外側の位置に、半導体素子１のコーナー部６に接した辺１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄに沿って、軟化した封止樹脂材５に対する濡れ性が配線基板２の表面より悪い濡れ性低減領域７ａ〜７ｄを形成し、半導体素子１のコーナー部に接した辺から流れ出した封止樹脂材を、コーナー部６へ導くよう構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと貼り合わせ体とが接続された半導体装置において、製造時間及び製造コストの低減を図るとともに、歩留まりの低下及び信頼性の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１のパッド１３を有する半導体チップ１０と、第１のパッド１３と対向する第２のパッド２３を有する貼り合わせ体２０と、第１及び第２のパッド１３，２３にそれぞれ直接接し、無電解メッキ法により形成された高融点金属層１５，２５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】バンプが機械的応力を効率よく吸収することにより、接合パッドとバンプ構造との間で高い接続信頼性を有するバンプ構造およびその形成方法、ならびにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】電極パッド２上に設けられた圧着ボール３ａと、圧着ボール３ａ上に設けられるワイヤとを有する。ワイヤは、圧着ボール３ａの端部からはみ出すように形成されたループ状のワイヤループ３ｂからなっている。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上し、製造コストを低減した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一括フリップ・チップボンディング（ＦＣＢ）において、複数準備したマウントヘッド４０の平坦な保持面４３に接着層４５を形成する工程と、保持面４３の接着層４５上にチップ１０を仮固定する工程と、複数のマウントヘッド４０を順次一枚ずつ供給できるようにフリップ・チップボンダ３０の供給部に設定する工程と有し、ＦＣＢ時は、マウントヘッド４０をフリップ・チップボンダの保持ロッド３４で保持し、配線母基板の各製品形成部の接続パッドにチップ１０の電極を一括して接続する工程と、マウントヘッド４０が配線母基板から遠ざかるように保持ロッド３４を移動してマウントヘッド４０に貼り付けられた接着層４５から各チップ１０を剥がす工程とを有し、マウントヘッド４０へのチップ１０の仮固定はマウントヘッド４０の接着層４５を使用して繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】第１の接合部材の一面およびこれに対向する第２の接合部材の一面にそれぞれバンプを設け、それぞれの接合部材のバンプの先端部を接触させて接続してなるバンプ接合体の製造方法において、バンプの接触時における位置ずれを防止する。
【解決手段】第１のバンプ２１の先端部２１ａおよび第１のバンプ２１の相手側である第２のバンプ２２の先端部２２ａを周期的な凹凸を有する形状とした後、これら両バンプ２１、２２の先端部２１ａ、２２ａの凹凸部をかみ合わせるように両バンプ２１、２２を接触させ、接続を行う。 （もっと読む）

【課題】外部基板との加熱加圧による接続を行うにあたり、耐加圧力の低い第１の機能領域へのダメージを軽減し、信頼性の高い接続を行うこと。
【解決手段】本発明は、記憶素子からなり複数に領域が分割された第１の機能領域１と、外部との信号入出力を行う複数のバンプＢを有し第１の機能領域１間にも領域を有する第２の機能領域２とが同一基板に設けられている半導体の基板１０と、この基板１０の上記複数のバンプＢと直接接続された外部基板２０とを有する半導体装置であって、前記半導体の基板１０を平面視した場合、第１の機能領域１間の第２の機能領域２に、上記複数のバンプＢが形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を損傷することなく、半導体素子のバンプと回路基板の電極とを高い接合強度で接合できる半導体素子実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子実装基板の製造方法は、金からなるバンプ１１を備えた半導体素子１０を、少なくとも表面が金からなる電極２１を備えた回路基板２２に実装する半導体素子実装基板の製造方法であって、バンプ１１の表面および／または電極２１の表面に、分散媒中に金属粒子が分散した塗工液を塗布して、塗膜を形成する工程と、塗膜を介してバンプ１１と電極２１とを接触させる工程と、バンプ１１と電極２１とを接触させた状態で、超音波を印加し、バンプ１１と電極２１とを接合する工程とを有し、バンプ１１と電極２１とを接合する工程の際の、バンプ１１と電極２１との間の単位面積あたりの金属粒子の量Ａ（ｇ／ｃｍ^２）が特定の範囲内である。 （もっと読む）