【課題】フリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】（ａ）重量平均分子量１００００以下で常温(２５℃)において固形である樹脂と、（ｂ）絶縁性球状無機フィラーと、（ｃ）エポキシ樹脂（但し、（ａ）成分がエポキシ樹脂の場合、（ｃ）成分は（ａ）成分とは異なるエポキシ樹脂である）と、（ｄ）硬化剤を含有し、５０〜２５０℃での最低溶融粘度が２００Ｐａ・ｓより高く、５０〜１５０℃で加熱・加圧した場合の平行板間にはさんだフィルム状接着剤１０の初期面積と加熱・加圧後の面積との比である流れ量が１．５以上であり、かつ、硬化物の２５〜２６０℃での平均線膨張係数が２００×１０^−６／℃以下であり、（ｄ）硬化剤は、１５０℃以上の融点または分解点を有するイミダゾール類と、マイクロカプセル化された硬化剤とを含有することを特徴とするフィルム状接着剤１０。 （もっと読む）

【課題】樹脂組成物層内にボイドが生じることを防止することができる接合方法、このような接合方法を用いて製造される半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の接合方法は、端子５２を有する半導体チップ５と、端子４４を有する回路基板４とを、半導体チップ５の端子５２が設置された面と、回路基板４の端子４４が設置された面とが対向するように配置し、端子５２とそれに対応する端子４４とを電気的に接続するとともに、半導体チップ５の端子５２が形成された第１の領域に設けられた樹脂組成物層１で、その第１の領域および回路基板４の端子４４が形成された第２の領域を覆うように、半導体チップ５と回路基板４とを接着する接合方法であって、端子５２と端子４４とを電気的に接続するに際し、減圧雰囲気下で、半導体チップ５と回路基板４とを樹脂組成物層１を介して圧着する。 （もっと読む）

【課題】導体層と絶縁層を交互に少なくとも１層以上積み重ねてなる多層配線基板の表層絶縁層上に、フェイスダウン方式で半導体素子を、突起電極を介して接続し、前記半導体素子と前記多層配線基板とのギャップに液状熱硬化樹脂を塗布し突起電極を封止して製造する半導体パッケージの製造方法において、半導体素子実装後に、液状熱硬化樹脂を注入し、半導体素子と多層配線基板のギャップを封止する際、半導体素子下で浸透のむらが生じ、それを起因とする巻き込みボイドが発生する問題がある。
【解決手段】少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】アタッチメントへの半導体用封止材の付着を抑制しながら、良好なフィレットを形成することのできる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】厚みが１００μｍ以下の半導体チップを基板に実装する半導体チップの実装方法であって、基板に半導体用封止材を供給する工程と、前記半導体用封止材を介して、半導体チップを前記基板に搭載する工程と、前記半導体用封止材を硬化する工程とを有し、前記基板は、水との接触角が３０°以下である半導体チップの実装方法。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続方式への対応が可能となるフィルム状接着剤およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）重量平均分子量１００００以下で常温(２５℃)において固形樹脂と、（ｂ）絶縁性球状無機フィラーと、（ｃ）エポキシ樹脂と、（ｄ）マイクロカプセル型硬化剤を含む硬化剤を含有し、（ａ）の配合量が（ａ）成分、（ｂ）成分及び前記（ｃ）成分の総量１００重量部に対して５〜５０重量部、前記（ｂ）の配合量が２５〜８０重量％、、（ｃ）の配合量が１０〜７０重量、（ｄ）の配合量が（ｃ）１００重量部に対し０．１〜４０重量部で、１５０℃の溶融粘度が２００Ｐａ・ｓより高く、１００℃で加熱・加圧した場合の平行板間にはさんだフィルム状接着剤の初期面積と加熱・加圧後の面積との比である流れ量が１．５以上、かつ、硬化物の２０〜３００℃の平均線膨張係数が２００×１０^−６／℃以下であるフィルム状接着剤。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ配線を提供すること。
【解決手段】基板上のダイのフリップチップ配線は、配線の隆起を、キャプチャパッド上にではなく、リードまたはトレースの上の狭い配線パッドの上に嵌合することによってなされる。狭い配線パッドの幅は、取り付けられるダイ上の隆起のベース直径未満である。また、フリップチップパッケージは、活性表面において配線パッドに取り付けられた半田の隆起を有しているダイと、ダイ取り付け表面において導電性トレースの上に狭い配線パッドを有している基板とを含んでおり、上記基板における隆起は、トレース上の狭いパッドに嵌合される。 （もっと読む）

【課題】 先供給型封止剤として塗布した後、半導体チップを載せるまで、先供給型封止剤が塗布後の形状を保持し、かつ短時間での硬化が可能で、さらに硬化後には、ＰＣＴ試験での耐湿信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）形状保持剤、および（Ｅ）揺変剤を含むことを特徴とする、エポキシ樹脂組成物であり、好ましくは、（Ｄ）成分が、シロキサン系形状保持剤である。 （もっと読む）

【課題】優れた接続信頼性及び透明性を有するエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接合体の製造方法、並びに接合体を提供する。
【解決手段】ノボラック型フェノール系硬化剤と、ジメチルアクリルアミドとヒドロキシエチルメタクリレートとを含む共重合体からなるアクリルエラストマーと、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂１００質量部に対して５質量部以上２０質量部未満配合された無機フィラーとを含有するエポキシ樹脂組成物２をプリント基板１上にシート状に貼付する貼付工程と、エポキシ樹脂組成物２上に半導体チップ３及びコンデンサ４ａ〜４ｄを仮搭載する仮搭載工程と、半導体チップ３及びコンデンサ４ａ〜４ｄを熱圧着ヘッド２０により押圧し、半導体チップ３及びコンデンサ４ａ〜４ｄを本圧着させる本圧着工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】接着剤注入領域５０Ａを有する回路構成体５０が収納されたチャンバ１０Ａをパージして、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバ１０Ａから排出する。チャンバ１０Ａ内を減圧して、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を開始させる。 （もっと読む）

【課題】注入された接着剤に、基板内部に残留するガスによるボイドが形成されることを防止する。
【解決手段】基板Ｗの周側面には、接着剤注入口１０１ａと排気口１０１ｂを有するシール材１０１が形成されている。シール材１０１の接着剤注入口１０１ａを接着剤１０２中に浸漬し、排気口１０１ｂを排気用ノズル１１０で覆う。真空ポンプＰ１に接続されたポンプ側継手１２２が嵌合されたノズル用継手１２１を、排気用ノズル１１０に接続する。真空ポンプＰ1により、排気口１０１ｂを介して基板Ｗ内部の空隙に残留するガスを吸気し、接着剤１０２を注入する。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続性に優れ、保存安定性も良好な接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする回路部材接続用接着剤、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のバンプが形成された第一の回路部材と、該バンプとはんだ接合する回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、両回路部材を加熱加圧により接着するための回路部材接続用接着剤であって、加熱加圧前の面積に対する加熱加圧後の面積の倍率を計測する方法で求められる流動性が、両回路部材をはんだが溶融しない温度で熱圧着する第一の加熱加圧条件では１．８〜３．０倍であり、その加熱条件で加熱処理した後、その加熱条件よりも高温でかつはんだが溶融する温度で加熱加圧する第二の加熱加圧条件では１．１〜３．０倍かつ第一の加熱加圧条件での流動性以下である、回路部材接続用接着剤。 （もっと読む）

【課題】電子部品及び基板に応じてアンダーフィルの線膨張係数の最適化を図り、耐衝撃性の向上だけでなく熱疲労等による接合部の不良発生を低減することができる電子部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＬＳＩパッケージ１と基板２との接合部に形成されたアンダーフィル３に中央領域３５と各辺に沿って４等分した領域に複数の周辺領域３１〜３４が設定され、これら各領域３１〜３５が互いに異なる方向に揃えて前記磁性体４を配向する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの形成に要する時間を短縮する。
【解決手段】半導体チップ１を配線基板２の実装面に、半導体チップと実装面との間に間隙５が形成されるように実装し、樹脂供給手段６によって間隙の近傍に樹脂７を供給し、供給された樹脂を毛細管力によって少なくとも間隙に充填する。樹脂供給手段は液溜部６ａと管部６ｂとを備えている。樹脂供給手段の液溜部に、少なくとも間隙を充填するのに必要な全量の樹脂を一度に供給し、間隙の近傍に管部の開口６ｃを位置させ、管部の開口から樹脂を吐出させ、吐出した樹脂を毛細管力によって間隙に充填する。単位時間当たりに毛細管力によって間隙５に充填される樹脂の量をＱ１，単位時間当たりに重力作用によって樹脂供給手段から供給される樹脂の量をＱ２としたときに、Ｑ１≧Ｑ２の関係が成立するように、樹脂が連続的に吐出させられる。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰパッケージの信頼性を向上する。
【解決手段】ＰｏＰパッケージ１０は、主面３２ａとその反対の裏面３２ｂとを有する半導体チップ３２と、半導体チップ３２が実装された基板３１と、基板３１に積み重ねられた基板５１と、を備えている。基板３１の基板５１側に設けられた外部接続パッド３５に、基板５１の基板３１側に設けられた外部接続バンプ５３が接続されて、基板３１と基板５３との間にギャップＧが形成されている。ギャップＧには、主面３２ａを対向させて基板３１に実装した半導体チップ３２と、半導体チップ３２の裏面３２ｂに貼り付けられた絶縁性フィルム３２とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、回路基板の反りを矯正すること。
【解決手段】一方の主面１ａに第１の電極２を備えた回路基板１と、主面１ａに対向して設けられ、第１の端子５を介して第１の電極２に接続された半導体素子６と、主面１ａと半導体素子６との間に充填され、半導体素子６の外周側面６ａを覆う封止樹脂２３とを有し、封止樹脂２３の外周側面２３ｘが、回路基板１の主面１ａに対して垂直である半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰパッケージの信頼性を向上する。
【解決手段】ＰｏＰパッケージ１０は、基板３１と、基板３１上に設けられたアンダーフィル樹脂層３９と、主面３２ａとその反対の裏面３２ｂとを有し、アンダーフィル樹脂層３９を介して基板３１上に主面３２ａを対向させてフリップチップ実装された半導体チップ３２と、を備えている。ここで、半導体チップ３２が、主面３２ａおよび主面３２ａから裏面３２ｂの縁部３２ｃにかけて、アンダーフィル樹脂層３９で覆われている。 （もっと読む）

【課題】モジュールの小型化のため、ＳＭＤ部品と半導体チップの部品間隔を狭くし、両部品を効率よく混載実装することができる小面積の実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板１０１の第一の電極部１０３に、ＳＭＤ部品１１３の電極部１１４と接続させるための電極接合材１０５を形成する工程と、ＩＣチップ１０７が搭載される領域に絶縁性樹脂１１０を供給する工程と、ＩＣチップ１０７を絶縁性樹脂１１０が供給された領域に搭載すると共に、絶縁性樹脂１１０を外周囲に選択的に流し広げる工程と、ＳＭＤ部品１１３を電極接合材１０５上に搭載する工程と、電極接合材１０５と絶縁性樹脂１１０とを一括して加熱する工程とを有する製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を回路基板に実装する電子装置の製造において環境負荷を軽減するとともに、電子装置の耐衝撃性及び接続信頼性を確保する。
【解決手段】 電子装置の製造方法は、回路基板１１０上に加熱により発泡する第１の樹脂部１４１’を形成する工程と、第１の樹脂部の上方に第２の樹脂部１４２’を形成する工程と、第２の樹脂部の上方に、接合材１３２を備える半導体装置１２０を配置する工程とを有する。この製造方法は更に、接合材１３２と回路基板１１０とを接合し、回路基板１１０と半導体装置１２０とを電気的に接続する端子１３０を形成する工程を有する。端子１３０を形成する工程における加熱により、気泡１４１ｂを内包した第１の樹脂部１４１が形成されるとともに、第１の樹脂部の膨張に伴う第２の樹脂部１４２’の移動により、端子１３０の周囲を覆う第２の樹脂部１４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの実装抵抗を低減する。
【解決手段】第１の金属部材（リード端子５，６）が、第１の貴金属を含む第１の金属体（Ａｕバンプ８）を介して、半導体素子（半導体チップ１）の第１の電極（ソース電極２）と接続され、かつ、第２の金属部材（ダイ端子７）が、第２の貴金属を含む第２の金属体（貴金属メッキ１４及びＡｇメッキ１５）を介して、第２の電極（裏面電極４）と接続される。裏面電極に接続される金属部材を有し、配線基板との半導体装置の実装面が回路形成面側であり、金属部材が折り曲げ加工されている。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性が向上し、高密度実装が可能な半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】導電部８を有した基板７上に、バンプ３を有した半導体チップ２をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法である。半導体チップ２のバンプ形成面に、感光性で熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性で接着性を有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を露光、現像することでバンプ３直上の樹脂を除去し、その上面を露出させる工程と、樹脂層５を加熱処理して熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする工程と、樹脂膜６を形成した半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングし、樹脂膜６を接着剤として機能させることで半導体チップ２のバンプ３と基板７の導電部８とを電気的に導通させる工程と、を備える。樹脂膜６を接着剤として機能させる際に、樹脂膜６の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にする。 （もっと読む）