【課題】ウエハに設けられた微細孔内に流動性充填材を、より確実に充填し得、しかも、ウエハ上から充填材残渣を取り払い得る充填方法、そのための充填装置及びウエハを提供すること。
【解決手段】ウエハ７に存在する微細孔７３内に流し込まれた流動性充填材９を、加圧手段１，３により加圧する工程において、ウエハ７の受圧面７１に対する流動性充填材９の表面張力と、加圧手段１，３の加圧面３１１に対する流動性充填材９の表面張力とを互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】環境への負荷が小さくて化学耐久性に優れ、かつ、表面電荷密度が低く、特に低耐圧用の半導体素子を被覆するために好適なガラスを提供する。
【解決手段】ガラス組成として、質量％で、ＺｎＯ ５２〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜２０％、ＳｉＯ_２ １５〜３５％およびＡｌ_２Ｏ_３ ３〜６％を含有し、かつ、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体素子被覆用ガラス。さらに、組成として、Ｔａ_２Ｏ_５ ０〜５％、ＭｎＯ_２ ０〜５％、Ｎｂ_２Ｏ_５ ０〜５％、ＣｅＯ_２ ０〜３％およびＳｂ_２Ｏ_３を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液が表面に塗布されてなる薄膜Ｒを担持するシートフィルムＦを処理チャンバ１内に収容し、処理チャンバ１内を排気する。加熱ヒータ５４１によってシートフィルムＦを所定温度に加熱しつつ、処理チャンバ１内に酸素を含む硬化促進ガスを導入して薄膜Ｒの粘度を増大させる。その後、ガスの供給を停止するとともに処理チャンバ１内を再び排気することで硬化促進ガスを除去し、硬化の進行を抑制する。この状態で、シートフィルムＦ上の薄膜Ｒと基板Ｗとを密着させ加圧することで、薄膜Ｒを基板Ｗに転写する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成し、工程を簡略化しても充分なオーミックコンタクトが得られるｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の転移を防止しつつ、絶縁膜の埋め込み性を確保するとともに、エッチング耐性を向上させる。
【解決手段】シリコン含有無機ポリマー膜８にアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を含有させ、塗布法などの方法にてトレンチ６内に埋め込まれるようにしてシリコン含有無機ポリマー膜８をライナー膜７上に形成し、水蒸気を含む雰囲気中でシリコン含有無機ポリマー膜８の酸化処理を行うことにより、シリコン含有無機ポリマー膜８をシリコン酸化膜９に変化させる。 （もっと読む）

【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、（ｉｉ）シリカ粒子と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該一般式（１）で表されるシラン化合物が４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を少なくとも含有し、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）

【課題】ボイドを発生させることなく絶縁膜を注入することを可能とする終端トレンチを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置は，半導体素子が形成されたセル領域と，このセル領域の四方をＸ方向に対して長手方向が平行な2つのトレンチとＸ方向と９０度であるＹ方向に対して長手方向が平行な２つのトレンチとで囲む終端トレンチ領域とを有する素子形成領域と，複数の素子形成領域を分離する溝を備えるダイシングライン領域とを具備する。この終端トレンチ領域は，素子形成領域の四隅においてＸ方向に長手方向が平行なトレンチとＹ方向に長手方向が平行なトレンチとが交差し，素子形成領域の四方側面において，終端トレンチ領域の短手方向の垂直断面が開放された状態で，ダイシングライン領域の長手方向と垂直に接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板側面に付着した異物の効率的な除去が可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａの側面に保護材３を形成する工程と、基板１０Ａの少なくとも一方の主面に機能層４Ａを形成する工程と、保護材３を基板１０Ａから剥離する工程と、
を有することを特徴とする、デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法において、吸着による塗布膜厚ムラを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 シートフィルムＦの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ３４０と、ステージ３４０保持されたシートフィルムＦの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル３４３と、塗布された薄膜材料をシートフィルムＦの表面に広げるためにステージ３４０を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット３４において、塗布手ノズル３４３より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムＦを保持した状態でステージ３４０を回転することでステージ３４０の中央部３４１ａとシートフィルムＦとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に設けられた微細空間内に、充填不全などを回避して、絶縁物を確実に充填しえる方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板２に設けられた微細空間２１内に絶縁物を充填するにあたり、微細空間２１の開口する半導体基板２の一面側から、微細空間２１内に流動性絶縁物４を充填する。そして、流動性絶縁物４を、加圧したままで、硬化させる。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）

【課題】所定の圧力及び所定の温度に加圧された部屋に配置した基板に形成されている物質（特に、薄膜）の間隙率を求める装置及び非破壊方法に関する。
【解決手段】ガス物質（例えば、トルエン蒸気）が部屋１に導入され、所定時間後、部屋に配置した基板２に形成されている薄膜の間隙率が、少なくとも偏光解析測定によって求められる。特に、偏光解析器６から得られる光学的特性は、薄膜の間隙（ポア）に凝縮されたガス物質の量を求めるために利用される。その量は、薄膜の間隙率を計算するために利用される。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に確実に絶縁膜を残すことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ内にゲート電極を形成した後、一部にリフロー性の絶縁膜を含む絶縁膜を形成して平坦化する。その後、ＣＭＰ法により平坦化した表面を研磨し、トレンチ内に絶縁膜を充填する。その際、フィールド酸化膜の表面も研磨する。 （もっと読む）

【課題】応力の発生が緩和され、かつ、良質な埋め込み構造を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域ＡＲ１、第２の領域ＡＲ２を有し、さらｗに、第１の領域ＡＲ１が第１の溝ＴＲ１を、第２の領域ＡＲ２が第２の溝ＴＲ２、を有する基板の溝に絶縁膜を埋設する。このとき、第１の溝ＴＲ１、第２の溝ＴＲ２のそれぞれを、その溝の幅の相違に応じて、径の異なる第１のナノ粒子ＣＳ１、第２のナノ粒子ＣＳ２で、埋め込んで絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いることなくエアギャップを形成可能なエアギャップ形成用シリカ系被膜形成材料を提供すること。
【解決手段】（ａ）所定のシロキサンポリマー、（ｂ）アルカノールアミン、及び（ｃ）有機溶剤を含むエアギャップ形成用シリカ系被膜形成材料は、スピン塗布法によりシリカ系被膜を形成する際に用いられるものである。このエアギャップ形成用シリカ系被膜形成材料によれば、スピン塗布法によって塗布される場合にも凹部を埋め込むことはなく、開口度の大きなエアギャップを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを５０モル％以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が１０００〜５００００であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して１４質量％超３０質量％以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜１４により、基板１０表面上に形成されたトレンチ１２を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】第１の溝を埋め込み特性に優れたＳＯＤ膜で埋め込むことで、ショートの発生を抑制することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の溝１７に第１のＳＯＤ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を高温で改質させることで第１の絶縁膜４５を形成し、第１の絶縁膜４５上に位置する部分の第１の溝１７に、第１のＳＯＤ膜と同じ材料よりなる第２のＳＯＤ膜４６を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を改質させる温度よりも低い温度で、第２のＳＯＤ膜４６を改質させることで、第２の絶縁膜２７を形成し、その後、ウエットエッチングにより第１の絶縁膜４５を除去する。 （もっと読む）