【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低Ｋ薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の２つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低Ｋ誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Ｋの酸素が豊富な部分を通過し、低Ｋ部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低Ｋ部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層１１２に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合）などの不純物を、酸化物半導体層１１２より排除し、上記酸化物半導体層１１２中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層１１２と接して設けられるゲート絶縁層１３２及び／又は絶縁層１１６に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層１１２に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法により薄膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板１０の薄膜を形成しようとする部分である成膜部１０ｃの他主面１０ｃ２に、基板１０に吸収される波長域の光を照射することにより成膜部１０ｃを加熱した状態で、成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に対向して配置したノズル３０から成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に向けて反応ガスを供給することにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】光照射時の素子特性を安定化する。
【解決手段】酸化物半導体を主体とする半導体膜を成膜する第一工程と、第一工程後に、半導体膜の面上に第一の絶縁膜を成膜する第二工程と、第二工程後に、酸化性雰囲気中で熱処理する第三工程と、第三工程後に、第一の絶縁膜の面上に第二の絶縁膜を成膜する第四工程と、を有し、第二工程と前記第三工程の際に、第一の絶縁膜の厚みをＺ（ｎｍ）とし、第三工程での熱処理温度をＴ（℃）とし、前記第一の絶縁膜及び前記半導体膜中への酸素の拡散距離をＬ（ｎｍ）としたとき、０＜Ｚ＜Ｌ＝８×１０^−６×Ｔ^３−０．００９２×Ｔ^２＋３．６×Ｔ−４６８±０．１の関係式を満たすように第一の絶縁膜の厚みと熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板表面の粗面化を抑制しつつ、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、ケイ素粒子と、分散媒とを含有する。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】良好なエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にライン・アンド・スペース構造を形成する工程と、前記ライン・アンド・スペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第１の膜を成膜する工程と、前記第１の膜を選択的に除去して前記ライン構造の頂面を露出させる工程と、前記ライン・アンド・スペース構造を跨ぐ第２の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第２の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第１の膜の厚さは前記スペースの幅の１／２未満であり、前記第２の膜は、前記第１の膜に対する濡れ性が悪い材料で前記ライン・アンド・スペース構造を覆うことにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】特定の部分にｐ型拡散層を形成することが可能であり、有機物の残存による特性劣化の少ないｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末及び有機物を含む分散媒を含有するｐ型拡散層形成組成物を用いてｐ型拡散層の形成を行うに際し、熱拡散処理の前に前記分散媒中に含まれる有機物成分を十分に除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成し、工程を簡略化しても充分なオーミックコンタクトが得られるｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】電極メタルがＳｉＮ絶縁膜に拡散することを抑制でき、電流コラプスの抑制とリーク電流の低減とを両立できるＧａＮ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系ＨＦＥＴの製造方法によれば、ＧａＮ系積層体５上に形成したＳｉＮ保護膜７を熱処理により改質してから、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６をＧａＮ系積層体５上に形成し、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６を熱処理してオーミック電極としてのソース電極１５,ドレイン電極１６とする。ＳｉＮ保護膜７を熱処理した後に、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６を熱処理(オーミックアニール)し、オーミック電極としてソース電極１５,ドレイン電極１６を形成することによって、電極メタルがＳｉＮ保護膜７に拡散することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上にＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＣＨ_３）_２、Ｚｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＯＣＨ_３）ＣＨ_３及びＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_２ＣＨ_３）］［Ｎ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）］_３の何れか一つの前駆体を用いて４００℃〜５００℃の温度で形成されたジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ_２）１４０を含む高誘電絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の実施形態に係る酸化膜の形成方法は、半導体基板の表面に、高品質であるとともに均一な膜質と膜厚を有する酸化膜を形成することを目的とする。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る酸化膜の形成方法は、準備工程と膜形成工程とを有している。前記準備工程において、半導体基板を準備する。そして、前記膜形成工程において、前記半導体基板の表面に、キャリアガスを用いて酸化性物質を含む蒸気を接触させることにより、酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法等によってシリコン絶縁膜を形成する際に、成膜温度を増加させることなく薄膜成長速度を増加させて生産性の向上が可能なシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン源としてアミノシラン化合物を用いるシリコン絶縁膜の形成方法であって、前記アミノシラン化合物は、分子内の全てのＳｉ−ＮＲ_１Ｒ_２（Ｒ_１及びＲ_２は、水素（Ｈ）又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状アルキル基）結合が、Ｈ_３Ｓｉ−ＮＲ_１Ｒ_２構造としたときの正規化双極子モーメントが１．３７以上を有するとともに、分子内にアミノ基を３個有するトリスアミノ構造又は分子内にアミノ基を４個有するテトラキスアミノ構造を有することを特徴とするシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＯ_２／ＳｉＣ界面における界面準位自体を低減することが出来るＳｉＣ半導体を用いたＭＯＳ構造、およびその酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ半導体基板１を処理炉内に用意し、処理炉内を比較的低い７００℃に設定して、ＳｉＣ半導体基板１の基板表面を酸素ガス雰囲気中にさらす。この熱酸化により、ＳｉＣ半導体基板１の基板表面には、ＳｉＯ_２から成る中間層２が約１ｎｍの極薄い厚さで形成される。次に、中間層２上にＳｉＯ_２膜を約５０ｎｍの厚さに堆積して、ＳｉＯ_２から成る堆積層３を形成する。次に、ＳｉＣ半導体基板１が酸化しない温度および時間で、堆積層３をアニーリングする。このアニーリングは、赤外線ランプなどの急速加熱装置により、ＳｉＯ_２膜の融点である１２００℃に近い、この１２００℃の融点よりも低い例えば１０００〜１１００℃程度の温度で、短時間に急速に行われる。 （もっと読む）

【課題】水蒸気等の酸化剤中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい無機ポリシラザン及び無機ポリシラザンを含有するシリカ膜形成用塗布液を提供すること。
【解決手段】¹Ｈ―ＮＭＲスペクトルにおいて、４．７５ｐｐｍ以上で５．４ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＡとし、４．５ｐｐｍ以上で４．７５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＢとし、４．２ｐｐｍ以上で４．５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＣとしたとき、Ａ／（Ｂ＋Ｃ）の値が０．９〜１．５であり、（Ａ＋Ｂ）／Ｃの値が４．２〜５０であり、ポリスチレン換算値による質量平均分子量が２０００〜２００００である無機ポリシラザンをシリカ膜形成用塗布液に含有させる。 （もっと読む）

【課題】装置面積を増大させることなく、保護素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型のIII族窒化物半導体からなる第１Ｐ型層２００と、第１Ｐ型層２００の一部上には、ゲート絶縁膜４２０およびゲート電極４４０とが設けられている。第１Ｐ型層２００内のうち、ゲート電極４４０の両脇には、Ｎ型のソース領域３４０およびドレイン領域３２０が設けられている。また、第１Ｐ型層２００の下には、Ｎ型のIII族窒化物半導体からなる第１Ｎ型層１００が設けられている。基板内には、Ｎ型のIII族窒化物半導体とオーミック接続する材料からなるオーミック接続部（たとえばＮ型ＧａＮ層５２０）が、ソース領域３４０および第１Ｎ型層１００と接するように設けられている。また、ドレイン電極６００は、ドレイン領域３２０および第１Ｐ型層２００と接するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度およびフラットバンド電圧がともに良好な界面特性を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、炭化珪素基板１の表面を洗浄する（ステップＳ１）。つぎに、原料ガスをＥＣＲプラズマ化し、原料ガスに含まれる原子を炭化珪素基板１に照射することで、炭化珪素基板１の表面にシリコン窒化膜２を成長させる（ステップＳ２）。つぎに、ＥＣＲプラズマ化学気相成長法により、シリコン窒化膜２の表面にシリコン酸化膜３を堆積する（ステップＳ３）。つぎに、窒素雰囲気中で、シリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成された炭化珪素基板１のアニール処理を行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度を安全且つ高精度に制御する方法、と装置を提供する。
【解決手段】プロセス装置１はオゾン供給装置２１からオゾン濃度８０ｖｏｌ％以上のオゾン含有ガスが一定の流量で高温処理チャンバ２４に供されるオゾン供給ライン１１に前記オゾン含有ガスに対するオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御するオゾン分解装置２２を備える。プロセス装置１においては前記オゾン含有ガスの流量が一定のもとで高温処理チャンバ２４のガス供給ライン１１と排気ライン１２の差圧に基づき当該チャンバ２４における発火が検出される。オゾン分解装置２２は前記オゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される紫外光領域の波長を含む光の照射強度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する。又、前記紫外光領域を含む光の代わりに熱が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に、Ａｌ２Ｏ３層を備えて表面パッシベーション層を形成するに際し、表面パッシベーション層は、パッシベーション層の良好な表面パッシベーション品質が維持されると共に、ブリスター形成が、高温でも回避される方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン基板の表面に表面パッシベーション層を形成する方法であって、この方法が、前記表面上に、１５ｎｍ以下の厚さを有するＡｌ_２Ｏ_３層を堆積するステップと、前記表面上への前記Ａｌ_２Ｏ_３層の堆積の後、５００℃と９００℃の間の範囲の温度でガス発生プロセスを行うステップと、ガス発生プロセスの後、前記Ａｌ_２Ｏ_３層上に、窒化シリコン層及び／又は酸化シリコン層等の少なくとも１個の追加誘電体層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】センサ上での、接続部およびワイヤボンドパッド等のメタライゼーション層の腐食を防止するためのデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスは、メタライゼーション層３００の上に配置される絶縁層４００と、絶縁層４００の上に配置される接着層２００を備え、接着層２００の上に金から構成される耐食性層１００を配置する。これにより、耐食性層１００として金を使用することに対応しながら、従来のシリコン−ガラス接着技術を使用することが可能になる。 （もっと読む）