【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】 活性状態とされた酸素による処理をした後でも、金よりなる構造体の表面に、ボンディングワイヤーの形成や電着膜の形成が正常に行えるようにする。
【解決手段】 制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に残渣するカーボン系汚染物（有機物）を除去するために、これらの酸素プラズマが照射された状態とする。次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１を、例えば、真空、不活性、もしくは還元性の雰囲気において加熱処理する。この加熱処理により、金からなる制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に、酸素を含むプラズマが照射されたことにより形成された酸化金が、除去されるようになる。 （もっと読む）

【課題】下部電極のセルフバイアス電圧を上げることなく，基板載置台の付着物の除去レートを上げる。
【解決手段】処理室１０２内を所定の処理条件に基づいてクリーニングする際に，Ｏ_２ガスと不活性ガスからなる処理ガスを下部電極１１１のセルフバイアス電圧に応じてその絶対値が小さいほど，Ｏ_２ガスの流量比が減少しＡｒガスの流量比が増大するように設定した流量比で処理室内に供給し，下部電極１１１と上部電極１２０の電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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【課題】真空励起管の洗浄に際し、該真空励起管の真空状態を維持しつつ、該真空励起管を洗浄する方法、及び、この方法を用いる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理装置は、真空チャンバ２０と石英を構成材料とする放電管１０ａを備えるマイクロ波アプリケータ１０とを備えて構成され、該放電管１０ａにてアンモニアガスを励起し、その励起種を真空チャンバ内へ供給して、基板の自然酸化膜を除去するものである。また、放電管１０ａにおける真空チャンバ２０の反対側からこれを排気しつつ、三フッ化窒素ガスと塩素ガスとを放電管１０ａの真空チャン２０バ側からこれに供給して、同放電管１０ａ内にフッ化塩素を生成し、放電管１０ａの内表面に形成された窒化ケイ素とフッ化塩素とを反応させて、窒化ケイ素を放電管１０ａの内表面から排気除去する。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄装置における有機汚染除去力の変動を的確に把握することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】 ドライ洗浄装置の有機物除去力を基板の接触角で評価する洗浄力評価方法であって、予め被膜を形成した基板を用意し、前記被膜を所定の洗浄時間でドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄時間とは異なる洗浄時間で、前記洗浄工程と異なる前記被膜領域をドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程でそれぞれ洗浄された被膜部分の接触角をそれぞれ計測する工程と、前記各洗浄工程に要した時間と前記接触角の計測値とに基づいて、前記基板に対する洗浄力を評価する工程とを備える洗浄力評価方法である。 （もっと読む）

【課題】被処理物の被処理領域が均一に処理されるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００２は、被処理領域１９０８の平面形状と同一の平面形状を有する第１の対向面１０２０を持つ第１の電極１０１２を備える第１の電極構造体１００４に支持されたワーク１９０２を線状の第２の対向面１０５０を持つ第２の電極１０４６を備える第２の電極構造体１０３６で走査する。また、プラズマ処理装置１００２は、第２の電極構造体１０３６でワーク１９０２を走査しながら第１の電極１０１２と第２の電極１０４６との間に電圧を印加し、第１の電極構造体１００４と第２の電極構造体１０３６との間隙１０３８にプラズマを発生させることにより、ワーク１９０２の上面１９０４にプラズマを作用させる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】長尺の放電路を形成し、長尺のプラズマを発生、照射する大気圧プラズマ発生装置を提供。
【解決手段】噴出口２１１からアルゴン流が電極４１及び電極４２間の高周波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部１５内部に左端から右方向へ噴出される。噴出口２２１においては、アルゴン流が電極４３及び電極４４間の高周波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部１５内部に右端から左方向へ噴出される。電極４１と電極４３との間に高周波電力を印加すると、放電領域１５０の両端からなだれ込む２つのアルゴンプラズマ間で放電が生じ放電領域１５０全体が放電状態となる。導入口１３を介してアルゴン及び酸素の混合気体を供給すると、酸素プラズマＰ１５０が生じて、筒状部１５の下側に設けられた１７０個の第２の孔部１５２から下方向に照射される。即ち、長さ５０ｃｍに及ぶ長尺の酸素プラズマＰ１５０が生成し、照射される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、センサで受光される真空紫外線の強度と、被照射物へ照射される真空紫外線の強度とを近似させる紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、被照射物に対して真空紫外光を出射するエキシマランプと、この真空紫外光を受光すると共に光取込部を備えた光センサと、エキシマランプを取り囲む筐体と、からなる紫外線照射装置において、前記光取込部と前記エキシマランプとの間に、不活性ガスと酸素との混合ガスを吹き出すブロー管を有し、前記光取込部と前記エキシマランプとの距離をＹ１、その間の酸素濃度をＰ１とし、前記エキシマランプと前記被照射物との距離をＹ２、その間の酸素濃度をＰ２とするとき、以下の関係を満たすことを特徴とする。
０．８≦Ｙ２×Ｐ２／Ｙ１×Ｐ１≦１．２ （もっと読む）

【課題】 太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。
【解決手段】 アースに接続された筐体２と筐体２内に配置された高周波電圧を印加する平板電極１３と平板電極１３上に配置される複数の基板４を覆蓋するプレート部材５とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材５がアースに接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】配管２２の吹き出し口から外部へ吹き出された水蒸気８０は、電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームが照射されて水分子が分解され、水素ラジカル、ＯＨラジカル、水素イオン、オゾン等の極めて活性な分子を含む活性水蒸気となる。この活性化された水蒸気８０は、モータ３１により回転させられている試料台３２に載置された処理対象物９０の表面に吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】液体原料を加熱して気化させた液体原料ガスを使用する場合において、従来に比べてヒータによる加熱に必要な電力量を低減することができ、省エネルギー化を図ることのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給源から気体の状態で供給される通常ガスと、液体原料供給源から供給される液体原料を気化ユニット付き流量制御機器１４で加熱して気化させた液体原料ガスとを同時に供給する際に、通常ガスより液体原料ガスをガスアウト部５１に近い位置に設けた個別ガス供給ライン１Ａから供給し、かつ、通常ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタ５３の後段に液体原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気と水とを組み合わせて照射する洗浄方法において、水分子の浸透時間に制限されず対象物を傷めることなく確実に洗浄する方法の提供。
【解決手段】水蒸気供給部Ａ、純水供給部Ｂ、水蒸気流体調整部Ｃ、混相流体照射部Ｄ、ウェハ保持・回転・上下機構部Ｅを有する構成であって、混相流体照射部Ｄの混合部１４４は、照射ノズル１４１の上流側に設置されており、該混合部１４４及び照射ノズル１４１は内壁面が略連続的な曲面を形成するとともに、該混合部１４４内壁面の一部に水導入部を有し、該照射ノズル１４１は、ノズル上流側からノズル出口へと向かうに従って縮径し、更に、最小断面積となるのど部を境に、拡径する末広構造を有し、前記混合部１４４内を流動する水蒸気に水を混合して、前記ノズル１４１の出口から混相流体として噴射することにより、対象物に液滴が衝突する際のキャビテーションを制御する。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。これにより、自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去する。 （もっと読む）