【課題】超伝導特性に優れた、母相にマグネシウム又はマグネシウム合金を用いたＭｇＢ_２粒子との複合材料の提供する。
【解決手段】鋳型のキャビティ内にＭｇＢ_２粒子を充填し、一方から溶融又は半溶融状態のマグネシウム又はマグネシウム合金を加圧浸透させると同時に他方から冷却して製造する。４ＭｇＢ_２粒子は、平均粒子径が５０μｍ以下であるのが好ましい。また、ＭｇＢ_２粒子は、鋳型のキャビティ内に直接０．０５〜１０ＭＰａの圧力で加圧充填してもよいが、予め０．０５〜１０ＭＰａの圧力で加圧成形したプリフォーム体を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】超電導特性の高い超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導コア部と、超電導コア部を覆う良導体である安定化層と、超電導コア部、安定化層の間に設けられ、反応を防止するバリア層を有する超電導線材の製造方法であって、前記超電導コア部は、二ホウ化マグネシウムよりなり、ホウ素の粉末と、マグネシウム材とを管に挿入し、管ごと伸線加工を施し、その後熱処理を施すことにより製造することを特徴とする。マグネシウム材の形状は、板材，テープ，シート，箔などのいずれの形を採用してもよい。 （もっと読む）

常伝導金属で取り囲まれた超電導芯線を含んでなる２つの超伝導体、特に二ホウ化マグネシウム超伝導体、の間の接続構造を製作する方法であって、マグネシウムとホウ素とからなる物質混合物にマグネシウムの溶融温度を低下させる物質を添加し、前記芯線の露出端部を前記物質混合物と接触させて、該物質混合物を前記低下させられた溶融温度に相当する反応温度においてその場で反応させて二ホウ化マグネシウムを生成させる方法である。 （もっと読む）

ＥＬＲ材料からなる極めて低い抵抗（「ＥＬＲ」）フィルムの動作特性は、ＥＬＲフィルムの適切な表面上に変性材料を堆積して、変性ＥＬＲフィルムを生成することによって改善することができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲフィルムは、「ｃ−フィルム」の形をとることができる。そのような動作特性は、高温でのＥＬＲ状態での動作、追加の電荷の保持、改善された磁気的性質による動作、改善された機械的性質による動作、またはその他の改善された動作特性を含むことができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲ材料は、ＹＢＣＯなどであるがこれに限定されない混合原子価酸化銅ペロブスカイトである。本発明のいくつかの実施態様では、変性材料は、クロムなどであるがこれに限定することのない、酸素に容易に結合する伝導性材料である。
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【課題】連続的で長さの長い超伝導体リボンまたはテープまたはワイアを形成する方法および装置を提供する。
【解決手段】超伝導層を成長させるために用いる材料を移動するテープ上に連続的に堆積させる。繰り出しリール４０１および取り込みリール４０６を使用してそれぞれテープ基板を一定の速度で繰り出し巻き取る。一連のステージを用いてこのテープ上に超伝導層を形成し、超伝導層形成に用いられるテープ基板上に１つまたは複数の材料を堆積させる少なくとも１つの反応炉すなわち反応チャンバ６０１ｃと、超伝導体と金属テープ基板の間、または超伝導体層間にバッファ層を堆積させるため、ならびにコーティング層を堆積させる１つまたは複数のチャンバ６０１ａ、６０１ｂとが備えられる。また、各ステージ間で移行チャンバ７０１を使用してエッチング・ステージを他の諸ステージと分離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体層および金属保護層のような、層構造の導電性層と金属基板との間の改良された電気的接続を備えた被覆導体を提供する。特に、電気的接続の位置を自由に選択することができるような電気的接続を提供する。
【解決手段】金属基板１と、少なくとも一つのバッファ層、最上部のバッファ層２上に堆積された高温超伝導体層、及びオプションとして該高温超伝導体層上に堆積された金属保護層からなる層構造と、を含む被覆導体であって、該層構造内に、該層構造の高温超伝導体層を該金属基板に電気的に接続する少なくとも一つの導電性経路が備わる被覆導体。 （もっと読む）

【課題】ＭｇとＢとの反応における不均一を抑制し、線材の長尺化が可能で、超電導性能が高いＭｇＢ_２超電導線材を提供する。
【解決手段】二ホウ化マグネシウムを含む超電導コア部と、この超電導コア部を覆う安定化層とを含む超電導線材であって、前記超電導コア部が、二ホウ化マグネシウム粉末の焼結領域である外周部と、マグネシウム粉末及びホウ素粉末を混合して反応させた反応領域である中心部とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の欠点を克服した超電導素子及び超電導素子を作成するプロセスを提供する。
【解決手段】理論密度の値の少なくとも８５％に等しい密度を有する超電導材料を含む溝によって形成された少なくとも１つの超電導軌道を含む、非超電導材料で作られた剛体の支持材を含む超電導素子、及び該素子を作成するプロセスについて説明する。本発明はまた、超電導素子の考えられる用途にも関し、上記超電導素子を含む超電導デバイスにも関する。 （もっと読む）

各層が酸素アニオンによって取り囲まれたカチオンのネットワークを含む積層された第１の層および第２の層を含む材料を含む超伝導体。本発明によれば、この材料は、イルメナイト結晶構造およびＡＢＸ_３型の基本組成を有し、式中、ＡおよびＢは、この第１の層および第２の層のカチオン部位を主に占める元素であり、これに対応して、元素ＡおよびＢのうちの少なくとも１つは遷移金属であり、Ｘは、アニオン部位を主に占めるアニオン元素である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

超電導接続（１０）はそれぞれ常電導材料からなるマトリックス内に埋め込まれた少なくとも１つの超電導材料からなる導体心線（１３，２３）を有する２つの超電導体（１２、２２）の端部片（１２ａ、２２ａ）の接触に用いられる。接続範囲ではスリーブ（６）またはブッシュ（９）内で端部片（１２ａ、２２ａ）の導体心線（１３，２３）は少なくとも部分的にマトリックス材料から剥離されて配置され、付加的に超電導接触材料（７）として二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ₂）材料が少なくとも導体心線（１３，２３）間の部分範囲に設けられる。接続（１０）の製造のためこのように充填されたスリーブまたはブッシュ（６）の断面が縮小される。 （もっと読む）

本発明は、充填ワイヤにおいて超伝導材料として使用することができる、特定の品質の二ホウ化マグネシウムの製造および使用に関する。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊ_ｃを実質的に増加させる超伝導線材を作製する方法を提供する。
【解決手段】超伝導線材を作製する方法であって、延伸中間要素が、変形ステップで初期要素から形成され、最終反応熱処理により、超伝導フィラメントが形成される方法は、最後の反応熱処理に先立って、変形ステップに続く１つ以上の高圧高密度化ステップにおいて中間要素中のフィラメントの密度が高められ、前記高密度化ステップでは、軸長Ｌを有する中間要素の一部分上に高圧Ｐ≧１００ＭＰａがつくり出され、延伸中間要素の軸に対して垂直な少なくとも４つの硬表面へ同時に作用されることを特徴とする。このことが、臨界電流密度Ｊ_ｃを実質的に増加させ、これによって、異方性因子Γはほとんど影響を受けることなく、ほぼ等方性の線材またはテープの生産が可能になる。 （もっと読む）

【課題】従来の超伝導体と比して、安価で、且つ供給量が安定している構成元素のみで構成される超伝導体を実現する。
【解決手段】超伝導体は、８族の元素、１５族の元素、及び１６族の元素のみを含む。１５族の元素及び１６族の元素の合計モル数が、８族の元素のモル数と等しくなる組成比となるように混合を行うことが好ましい。更には、上記混合工程では、８族の元素：１５族の元素：１６族の元素のモル比が３：２：１〜５：４：１の範囲内となるように混合を行うことがより好ましく、更に好ましくは１０：６：４〜１０：７：３の範囲内であり、最も好ましくは４：３：１である。 （もっと読む）

【課題】 多層カーボンナノチューブと少なくとも同程度の高温で超伝導状態となることができる超伝導膜構造及びその作製方法の提供。
【解決手段】超伝導膜構造は、基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜が形成されてなる超伝導膜構造であって、前記単層カーボンナノチューブが、前記単層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブである。 （もっと読む）

超伝導体構造物は、基板の表面に沿って、基板内にチャネルを形成することと、基板のチャネル内に材料を堆積させることであって、材料は、超伝導体材料および超伝導体材料の前駆体のうちの１つを含む、ことと、単一の凝集構造物として形成される細長い超伝導体ワイヤを形成するように基板のチャネル内で物質を熱処理することとによって製造される。基板は、チャネル内に形成された超伝導体ワイヤを有する複数のチャネルをさらに含み得る。さらに、互いに対して異なる空間位置に配列された個別の超伝導体ワイヤの束を含むケーブルが形成される。
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【課題】ペロブスカイト型銅酸化物に代わる新しい化合物組成からなる超伝導体を見出す
こと。
【解決手段】化学式Ａ（ＴＭ）_２Ｐｎ_２［ただし、Ａは、１族元素、２族元素又は３族元
素（Ｓｃ，Ｙ及び希土類金属元素）から選ばれる少なくとも１種、ＴＭは、Ｆｅ，Ｒｕ，
Ｏｓ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの遷移金属元素から選ばれる少なくとも１種、Ｐｎは、１５族元
素（プニコゲン元素）から選ばれる少なくとも１種である。］で表され、（ＴＭ）Ｐｎ層
とＡ元素からなる金属層とが交互に重なる無限層結晶構造を有する化合物からなることを
特徴とする超伝導体。 （もっと読む）

【課題】
in−situ法を用いたＣｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材の長尺化と高いＪｃを両立させる中間熱処理条件を提供する。
【解決手段】
Ｃｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材におけるＣｕとＦｅのシース厚み比を、Ｃｕが１に対してＦｅを１.５以上にした複合シース材を用い、その複合材にＭｇとＢを充填して構成される線材を、加工工程の途中で５００〜５４０℃の中間熱処理を行いつつ伸線加工する。これにより、高Ｊｃ化と長尺化を両立したin−situ法Ｃｕ／Ｆｅ複合シースＭｇＢ₂線材を作製できる。 （もっと読む）

【課題】Ｔｃが高く、ピンニング力の大きい超伝導体を提供する。
【解決手段】ＭｇＢ₂からなる超伝導物質層と、ＭｇＢ₂及びＮｉからなるメッシュ状の混合層とを交互に積層し、磁場を印加した場合に、内部に侵入する量子化磁束の間隔と混合層とが一致するように膜厚を調製することにより、量子化磁束によって生じるローレンツ力を効率良くピンニングし、なおかつ、ピンニングセンター層を含まない超伝導体と同等の超伝導転移温度を保持する。 （もっと読む）