【課題】複数の振動領域を有する水晶振動子において、一方の振動領域が他方の振動領域に与える影響を抑えると共に簡素な構成の水晶発振器を構成することができる技術を提供すること。
【解決手段】水晶片に設けられる第１の振動領域と、前記水晶片に設けられ、第１の振動領域とはその厚さ及びＸ軸の正負の向きが異なる第２の振動領域と、第１の振動領域、第２の振動領域に夫々設けられ、各振動領域を独立して振動させるための励振電極と、を備えるように水晶振動子を構成する。一方の振動領域と他方の振動領域とから夫々温度変化に対して互いに異なる大きさで変化する周波数を取り出すことができるので、温度に対して明確に周波数変化が起きる方の振動領域の発振周波数に基づいて、他の振動領域からの発振周波数を制御することができる。これにより、水晶発振器の複雑化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パッケージ内に形成される電極による浮遊容量の発生が抑えられた圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電発振器（１００）は、圧電振動片（１１０）と、励振電極（１１１）と、一端側と他端側とに引き出された一対の引出電極（１１２）と、励振電極を励振させる一対の圧電端子（１２５ａ）、電源を接続される電源端子、励振電極が励振した周波数を出力する出力端子、及び接地用のグランド端子を有する発振回路（１２０）と、一対の圧電端子から一対の引出電極まで配線する一対の配線電極（１３９）を有するパッケージ（１３０）と、を備え、一対の圧電端子が、互いに対向する位置に配置され、一対の圧電端子の両側に、電源端子、出力端子及びグランド端子の少なくとも１つが配置され、一対の配線電極が、圧電端子から互いに逆方向に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及び支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４、第２の支持部１５、第３の支持部１６及び第４の支持部と、を備えている。第２の支持部１５は、第２の傾斜部１５ｂと、第２の支持部本体１５ａと、を備えており、第２の支持部１５には、少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】実装時の振動部への応力を緩和させた圧電振動片、およびこれを用いた圧電モジュールを提供する。
【解決手段】圧電基板に、厚み滑り振動を励振する振動部２２と、前記振動部２２の周縁に前記振動部２２の厚みよりも厚みが薄い周縁部１７と、が設けられた圧電振動片１０であって、前記周縁部１７には、緩衝部１４とマウント部１２が順に連結され、前記緩衝部１４は、前記マウント部１２と前記周縁部１４との間にスリット１６を有し、前記マウント部１２は、前記マウント部１２と前記緩衝部１４と前記周縁部１７との並ぶ方向に対して直交方向の両端部に、切欠き１２ａを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及振動領域１２と一体化された厚肉の支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４と、第１の支持部１４との一端に連設する第２の支持部１５、を備えている。第１の支持部１４は、厚みが変化する第１の傾斜部１４ｂと、四角柱状の第１の支持部本体１４ａと、を備え、第１の支持部１４には少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスが抑圧され、耐衝撃性に強い小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及振動領域１２と一体化された厚肉の支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４と、第１の支持部１４の一端に連設する第２の支持部１５と、第１の支持部１４の他端に連設する第３の支持部１６と、を備えている。第１の支持部１４は、厚みが変化する第１の傾斜部１４ｂと、四角柱状の第１の支持部本体１４ａと、を備え、第１の支持部１４には少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量を小さくし、負性抵抗を減少させない圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器（１００）は、一対の励振電極を有する圧電振動片（１０）と、圧電振動片を発振させる発振回路（２０）を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向にキャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージ（３０）と、キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリング（４１）と、シールリングで溶接される金属製リッド（５）と、キャビティの底面に形成され圧電振動片と発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極（３６ｂ）と、を備える。そして、圧電発振器（１００）は、キャビティ底面の法線方向から見て、一対の配線電極（３６ｂ）とシーリング（４３）とが重なる領域のセラミック壁はその内部に空洞（４３）が形成される。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】歪みによる振動素子の特性の低下を防止しつつ、小型化を図ることのできる振動デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】振動デバイス１は、内側に収納空間４ａを有するパッケージ４と、収納空間４ａに収納されたジャイロ素子２およびＩＣチップ３と、を有している。パッケージ４は、ＩＣチップ３が設置されたＩＣチップ設置面５２２を備えるＩＣチップ設置領域Ｓ２と、ＩＣチップ設置領域Ｓ２に並設され、ジャイロ素子２が設置された振動素子設置面５２１を備える振動素子設置領域Ｓ１と、を有する板状の底板５を有している。ＩＣチップ設置領域Ｓ２は、その厚さが振動素子設置領域Ｓ１よりも薄く、ＩＣチップ設置面５２２は、振動素子設置面５２１よりも底側に位置している。 （もっと読む）

【課題】蓋基板２とベース基板３の位置合わせを容易とし、不良発生率を低下させた電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の電子デバイス１は、蓋基板２と、この蓋基板２と接合し、蓋基板２との間に外気から密閉されるキャビティ４を構成するベース基板３と、このキャビティ４に収納される電子素子５と、蓋基板２又はベース基板３の外表面に設置されるモールド材６とを備えるようにしたので、蓋基板２又はベース基板３の反りが低減した。 （もっと読む）

【課題】周波数精度の高いＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、少なくとも一部が前記第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３４、梁部３４の一端３４ａを支持し基板１０の上方に配置された支持部３２を有する第２電極３０と、を含み、支持部３２の一端３４ａを支持する支持側面３２ａは、基板１０の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端３４ａは、屈曲部を含む支持側面３２ａにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】小型化に対応するとともに接合信頼性が高い貫通電極を有する圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】水晶発振器１は、集積回路基板２の一主面２００に回路パターン５が形成され、他主面２０１に水晶振動素子４が蓋体３で気密封止されている。回路パターン５から他主面２０２までを貫く貫通孔の内壁面には導電膜が被着された中空状の貫通電極６が形成されている。貫通電極６の一端側には金属バンプＢ１が配されており、前記一端側から貫通電極６の内部に金属バンプＢ１の一部が埋没した状態で、樹脂接着材を介して金属バンプＢ１が水晶振動素子４と接合されている。 （もっと読む）

【課題】 省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、パッケージ２の一主面側に水晶振動素子４が搭載され、蓋３によって水晶振動素子４が封止され、パッケージ２の他主面側にはＩＣチップ５を収容する凹部２３が形成された構造となっている。ＩＣチップ５は、凹部２３の内底面２３０に、ＩＣチップ５の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材７を介して接合されており、ＩＣチップ５の他主面は能動面となっている。そして前記他主面の外部接続用電極パッド５１に形成された導電性部材６は水晶発振器１の外部接続端子となっている。 （もっと読む）

【課題】基板を薄くした場合でも基板の反りを最小限に抑え、ベース基板と蓋基板とが金属膜を介して安定的に接合される電子デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】蓋基板３の一方の面にキャビティ５を構成する凹部を形成する工程と、蓋基板における凹部を形成した面とは反対の面に第一の金属膜６を形成する工程と、蓋基板における凹部を形成した面に第二の金属膜７を形成する工程と、ベース基板２と蓋基板３とを第二の金属膜７を介して接合する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】過去の公知水晶発振器回路レイアウトが有する超小型化によりパッケージ及びテスト歩留まり率の不良が生じるという欠点を改善し、更に、フリップチップパッケージを必要とするプラットフォームに対して、プラットフォームの平行度要求も下げられるようにする水晶発振器の提供。
【解決手段】超小型サイズ対応のレイアウト構造を有する水晶発振器２０は、第一凹部２３と第二凹部３３を備えたプラットフォーム２２と、プラットフォーム内部に配置された複数のインナーリード３４と、インナーリードに電気的接続する水晶発振集積回路２８と、第一凹部に配置された複数のパターン回路を少なくとも含み、パターン回路の電気接続端子は外側から第一凹部の中心に向かって対称的に集中している。このため、パターン電気ユニットのもう一端のパターンを最大まで拡張できる。 （もっと読む）

【課題】水晶発振器に入ってくる高周波ノイズを除去する水晶発振器を提供する。
【解決手段】水晶発振器１００は、一対の励振電極１５ａ、１５ｂを有する水晶振動片１０と水晶振動片及び発振回路２０が装着されるベース板３０とを備える。ベース板は、水晶振動片を発振させる一対の水晶端子２１と、電源が供給される電源端子２２と、アースされたグランド端子２２と、発振周波数を出力する出力端子２２とを有する発振回路２０と、実装面に少なくとも電源端子、グランド端子及び出力端子に電気的につながる３つの実装端子５１，５２を有する。ベース板は所定の誘電率を有する誘電体層を有しており、ベース板は電源端子に接続され所定面積を有する第１金属膜４３と、誘電体層を挟んで第１金属膜と対向してグランド端子に接続され所定面積を有する第２金属膜４４とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して電極形成工程の工数の削減および製造装置の簡略化ができ、低コストな圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、この圧電振動子を用いた発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】一対の振動腕部１０，１１に形成された励振電極１３，１４と、外部に電気的に接続されるマウント電極１６，１７と、励振電極１３，１４とマウント電極１６，１７とを接続する引き出し電極１９，２０と、を備えた圧電振動片４であって、振動腕部１０，１１には貫通孔８，９が形成されており、励振電極１３，１４は、貫通孔８，９の内側面８ａ，８ｃ，９ａ，９ｃおよび内側面８ａ，８ｃ，９ａ，９ｃと対向した外側面１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂに形成され、マウント電極１６，１７および引き出し電極１９，２０は、基部１２の一方側の主面Ｆに形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で安価に温度変化に伴う半田クラックの発生を抑制し、耐ヒートサイクル性能を向上させることができる発振器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成される電極のランドパターン４と、電子部品２が搭載される基板１上に形成されるダミーのランドパターン７と、ダミーのランドパターン７を覆うように形成されるソルダーレジスト８ａと、ダミーのランドパターン７とソルダーレジスト８ａにより電子部品２が持ち上げられ、電子部品２の端部に形成された部品電極３と電極のランドパターン４とを半田接続する実装半田５とを有する発振器である。 （もっと読む）

【課題】無線通信エレメントの発振器に於いて、共振器の温度依存性に対する処理の変動を補償する発振器の提供。
【解決手段】発振器２１０は、アクティブ・エレメント３１２と並列に共振器３１０を含み、共振器は、可変静電容量を有する可変コンデンサ３１４に結合し、発振器の出力周波数同調を可能にする。所定の温度補償算出器３２４は温度センサ３２２からの温度信号に基づき、共振器のロットに対して行われる特徴付けデータを参照して、温度ベースの周波数補償信号を出力する。又、周波数推定器３２６からの周波数推定信号に基づき、処理補償算出器３２８は共振器の処理依存性補償を算出して処理ベースの補償信号を出力し、乗算器３３０は前記周波数補償信号及び前記補償信号に基づき乗算器出力信号を出力し、制御モジュール３３２は、乗算器出力信号に基づき、制御信号を可変コンデンサに供給し、共振器における温度、処理ベースの変動を補償する。 （もっと読む）