【課題】 Ｇ級増幅器の製造ばらつき、負荷の大きさに応じて、最適な条件で増幅部の電源電圧を低下させるモードダウンを実行し、無駄な電力損失を低減する。
【解決手段】 モード制御部３０１は、増幅部１の出力電圧ＶＯＵＴに応じて、電源電圧＋ＶＢおよび−ＶＢを現状より高い電源電圧に切り換えるモードアップを行うとともに、出力電圧ＶＯＵＴが所定時間以上に亙って閾値電圧＋Ｖｄｗｎ〜−Ｖｄｗｎの範囲内の電圧値を維持した場合に電源電圧を現状より低い電源電圧に切り換えるモードダウンを行う。逐次比較型Ａ／Ｄ変換部３３０は、モードアップが行われたときの増幅部１の出力電圧ＶＯＵＴに基づいて閾値電圧＋Ｖｄｗｎおよび−Ｖｄｗｎを設定する。 （もっと読む）

【課題】加工コストを増大させず、適応型バイアシング出力段を用いた高スイング演算増幅器を提供する。
【解決手段】出力段１２３は、ＶＤＤＡノードと出力ノードとの間のプルアップ電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ３及びバイアシングトランジスタＴ４）を含み、前記出力ノードと接地ノードとの間のプルダウン電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ１及びバイアシングトランジスタＴ２）も含む。前記バイアシングトランジスタＴ４，Ｔ２を提供することは、前記トランジスタＴ３，Ｔ４において低下される最大電圧を低減させ、それによって前記トランジスタＴ１〜Ｔ４がＶＤＤＡよりも低い破壊電圧を有するのを可能にする。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を大きくすることなく、差動対を高速/高消費電流と、低速/低消費電流の両方で動作させることができるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】差動回路５ａは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２と、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２に流れる電流量が少なくとも２つのレベルで切替わるように、切替可能なテール電流を供給するテール電流源６８とを備える。差動対トランジスタＮ１，Ｎ２は、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２に流れる電流の減少に伴って、σ(ΔI/gm)の値が単調に減少する特性を有する、ただし、σは標準偏差、ΔＩは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２の電流量の差分、ｇｍは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２のトランスコンダクタンスを表わす。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で歪を抑制しつつ消費電流を低減する。
【解決手段】増幅回路１００は、正入力端子Ｔ１と負入力端子Ｔ２とに供給される電圧の差分を増幅し差分電圧Ｖａを出力する差動増幅部１０と、入力信号Ｖｉｎの電圧を検出し検出電圧Ｖｂを出力する入力電圧検出部２０と、正電源電圧＋Ｖｃｃが供給される正電源端子Ｔ６と出力端子Ｔｏｕｔとの間に設けられ、出力端子Ｔｏｕｔから電流を吐き出すＰＭＯＳ３１と、負電源電圧−Ｖｃｃが供給される負電源端子Ｔ７と出力端子Ｔｏｕｔとの間に設けられ、出力端子Ｔｏｕｔから電流を吸い込むＮＭＯＳ３２とを有する出力部３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複雑な制御を必要とせず、集積回路のトランジスタの閾値電圧バラツキに応じて所望の動作速度に適した電源電圧を提供することができる。
【解決手段】被安定電圧が入力される入力端子１と、安定化された電圧が出力される出力端子２と、入力端子１および出力端子２と電位差を有する一定電圧に設定される共通端子３と、正入力端子および負入力端子を有する差動増幅器４と、差動増幅器４の出力に基づいて入力端子１から出力端子２に流れる電流を制御する電流制御素子５と、出力端子２と共通端子３との間の電位差を分圧し、差動増幅器４の正入力端子に帰還させる分圧回路６と、出力端子２から電力を供給されるが出力端子２の電圧に依存せず、共通端子３の電圧を基準とする当該集積回路のトランジスタの閾値電圧に比例した電圧を差動増幅器４の負入力端子に出力する閾値参照電圧源７とを備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスの耐圧を超える電圧が出力でき、要求される装置性能（高速・高電圧）を満足するドライバ集積化回路の構成を提供する。
【解決手段】差動入力回路と、レベルシフト回路と、出力回路が、同一のプロセスで製造され、基板電位（サブ電位）が異なる、３つ以上のチップに分割配置されており、それぞれのチップの基板印加電圧が異なるように設定することにより、プロセス耐圧よりも大きい出力電圧を提供する。 （もっと読む）

【課題】雑音特性を改善したソースフォロア回路を提供すること。
【解決手段】このソースフォロア回路は、電界効果型トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）によって構成されるソースフォロア回路部と、電界効果型トランジスタ（Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）によって構成されるカレントミラー回路部と、を備える。電界効果型トランジスタ（Ｍ４，Ｍ５）のゲートにクロスカップルに容量（Ｃ１，Ｃ２）を接続することにより、カレントミラー回路部をアンプとして機能させる。 （もっと読む）

【課題】 入力電圧の変化による増幅率の変化を抑制した、温度依存性を調整可能な演算増幅器を提供する。
【解決手段】 入力端子及び出力端子と、反転入力端子と非反転入力端子とを有する演算増幅器１０と、入力抵抗回路２０と、帰還抵抗回路３０とを有する演算増幅回路において、入力／帰還抵抗回路は、それぞれ互いに温度係数の異なる抵抗Ｒとトリミング抵抗ＴＲとを直列接続して形成し、トリミング抵抗を形成するMOSトランジスタはそのソース・ドレイン経路が抵抗Ｒと演算増幅器の反転入力端子との間に設けられ、その基板電位は演算増幅器の反転入力端子の電位とする。 （もっと読む）

【課題】 ２つの出力素子の入力が共にハイレベルになり次に電源オン状態に移行する際に動作を開始することができないとい問題を解決する。
【解決手段】 電源制御手段１６は、スイッチングアンプ１０が電源オフ状態に移行する場合に、スイッチＳＷがオフ状態になり、コンデンサＣ１０２を強制的に放電させ、第２電源電圧Ｖ２に対する基準電位Ｖ３を強制的に低下させる。基準電位Ｖ３に対するロジック電源電圧Ｖｄｄは、基準電位Ｖ３と同じだけ低下していくので、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄは固定される。定電流回路は、第２電源電圧Ｖ２に対する基準電位Ｖ３の低下に伴い、定電流Ｉを減少させ、第１の電流Ｉ１および第２の電流Ｉ２を減少させる。従って、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄが低下しないうちに、第１の電流Ｉ１、第２の電流Ｉ２を減少させ、パルス発生手段の動作を正常な状態で終了できる。 （もっと読む）

【課題】差動増幅回路における入力オフセット電圧の上昇を抑制しつつ、同相入力電圧範囲を拡張する。
【解決手段】本発明による差動増幅回路は、ソース及びバックゲートが第１電流源２０５に共通接続された差動対トランジスタ２０１、２０２を備える差動入力段回路１１１と、差動入力段回路１１１の出力端子に接続される出力段回路１２１と、第１電流源２０５と出力段回路１２１の第２電流源２０６のそれぞれの電流Ｉ１、Ｉ２を、差動入力段回路１１１への入力電圧ＶＩＮ１、ＶＩＮ２に応じた大きさに調整する電流制御回路１０１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】差動入力部を有するとともに、出力部を構成するカレントミラー回路のミラー比を調整して入力オフセット電圧をもたせた電圧電流変換回路において、差動入力部および入力オフセット電圧の温度特性を平坦なものにする。
【解決手段】平坦な温度特性を有する第１の定電流Ｉｂ１に正の温度特性を有する第２の定電流Ｉｂ２を加えた電流をバイアス電流として、ＭＰ１０及びＭＰ１１からなる差動入力部に供給することにより、差動入力部の温度特性とバイアス電流の温度特性とを相殺させて差動入力部の温度特性をゼロ（平坦なもの）にすることができる。また、電流吐き出し型の第１のカレントミラー回路の出力と、電流吸い込み型の第２のカレントミラー回路の出力との接続点を電圧電流変換回路の出力端子Ｏｕｔ２とし、この接続点に第１の定電流Ｉｂ１に比例した電流を加える構成により、温度特性のない入力オフセット電圧も実現することができる。 （もっと読む）

【課題】通信信号を増幅する絶縁破壊に耐えるトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】入力無線周波数信号を受信するため接地点と第１のゲートに接続されたソースを有する第１のＮＭＯＳトランジスタ１２は、第１のトランスコンダクタンスと第１の破壊電圧とを有する。また第２のＮＭＯＳトランジスタは、第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続されたソースと、基準ＤＣ電圧に接続されたゲートと、増幅された無線信号の出力を与えるドレインと、基準ＤＣ電圧と第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインとの間に配置された負荷とを有する。第２のＮＭＯＳトランジスタ１４は第２のトランスコンダクタンスと第２の破壊電圧とを有し、第２の絶縁体は第１の絶縁体よりも厚い。この結果、第１のトランスコンダクタンスは第２のトランスコンダクタンスよりも大きく、第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】追加プロセスなしに、コモンモード入力電圧が定格電源電圧の任意倍数の電圧でも耐えることができる高耐圧の入力段とすることが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路の入力段は、入力端子ＩＮ₁，ＩＮ₂が接続された第１の差動対トランジスタ１０と、Ｎ１ＶＤＤに接続された第１の入力段電流バイアス手段２０と、第１の差動対トランジスタ１０と第１の入力段電流バイアス手段２０に接続された第１の入力段カスコードトランジスタ群３０と、第１の差動対トランジスタ１０に接続された第２の入力段カスコードトランジスタ群４０と、０ＶからＮ１ＶＤＤまで変化するコモンモード入力電圧が入力されたときに、第１の差動対トランジスタ１０、第１の入力段カスコードトランジスタ群３０、第２の入力段カスコードトランジスタ群４０のＶ_GSとＶ_GDの絶対値がＶＤＤ以内となるバイアス電圧に調整する入力段バイアス調整回路６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】上限あるいは下限付近のデューティー比でも効率よく容量性負荷を駆動する。
【解決手段】容量性負荷駆動回路は、駆動信号ＣＯＭの基準となる駆動波形信号ＷＣＯＭを発生する駆動波形信号発生回路２１０と、ＷＣＯＭをパルス変調して変調信号ＭＣＯＭを生成する変調回路２３０と、ＭＣＯＭを電力増幅して電力増幅変調信号ＡＣＯＭを生成するデジタル電力増幅器２４０と、複数のインダクター２５１と複数のインダクター２５１の少なくともひとつを選択可能な接続手段２５２で構成され、かつＡＣＯＭを平滑化することによってＣＯＭを生成する平滑フィルター２５０と、デジタル電力増幅器２４０から平滑フィルター２５０に流れる電流の方向がＭＣＯＭの一変調周期内で逆転する逆転条件下では、一変調周期内での電流の最大値及び最小値の絶対値が所定の閾値以上となるように、接続手段２５２における選択を切り替える切替制御部２７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な逆回復特性と良好なＥＭＣとを同時に実現することが出来て、かつ、従来の半導体装置よりも安価である半導体装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ＦＥＴ３のソースとＭＯＳＦＥＴ４のドレインとが接続されるとともに、一端が、ＦＥＴ３のゲートに接続され、他端が、ＭＯＳＦＥＴ４のソースに接続される抵抗Ｒｇｓと、アノードが、ＦＥＴ３のゲートに接続され、カソードが、ＭＯＳＦＥＴ４ソースに接続されるダイオードＤ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】高音の音声信号が所定のレベル以上で所定時間以上入力されたときに、利得を低減させて高音過電流が発生することを防止する。
【解決手段】出力ドライバのパワートランジスタに流れる電流が所定時間以上にわたって所定値を超えた場合に高音過電流検出信号を発生する高音過電流検出手段と、前記高音過電流検出信号が発生されると前記プリアンプの通過周波数帯域を低くさせる通過周波数帯域切替手段とを設けた。 （もっと読む）

【課題】監視対象の素子の破壊を直接的に検知することを可能にする。
【解決手段】監視対象の半導体素子近傍にモニタ用配線を敷設する一方、所定のクロックを出力するクロック出力手段を当該モニタ用配線の一端に接続し、同モニタ用配線の他端に監視手段を接続する。そして、クロック出力手段からモニタ用配線へ出力されるクロックを伝播を監視手段に監視させ、クロックの伝播が途絶えたことを検出した場合に、監視対象の半導体素子の破壊が生じた旨を通知する破壊通知信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】基本波周波数のゲイン変化を生じさせることなく、２次高調波のみを抑圧および低減した回路面積の小さい差動増幅回路の実現。
【解決手段】差動対をなし、差動信号S,ZSが入力される２個のＭＯＳトランジスタTr1,Tr2と、２個のＭＯＳトランジスタTr1,Tr2のドレイン間に直列に接続された２個の容量素子C1,C2と、２個の容量素子C1,C2の接続ノードとバイアス電源端子GND間に接続されたインダクタンス素子L1と、を有する差動増幅回路。 （もっと読む）

【課題】変調信号のオンデューティー比が上限付近の状態が継続しても、Ｄ級増幅器を正
常に動作させて駆動信号を出力が可能とする。
【解決手段】駆動波形信号から生成した変調信号を電力増幅した後、平滑化することによ
って駆動信号を生成する。変調信号を電力増幅するデジタル電力増幅器では、電源とグラ
ンドとの間で２つのＮチャンネル（以下ｃｈ）ＭＯＳＦＥＴをプッシュ・プル接続し、更
に、電源側のＮｃｈＭＯＳＦＥＴに対して並列にＰｃｈＭＯＳＦＥＴを接続する。こうす
れば、電源側のＮｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにするためのブートストラップコンデンサーに
蓄えられた電荷が不足してＮｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにすることができない場合でも、Ｐ
ｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにすることで電力増幅を行うことができ、駆動信号を出力するこ
とが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧に対応する生産プロセスで生産された製品に対して高い電源電圧を供給した場合にも、ホットキャリアに起因するオペアンプ特性の劣化を回避することができるオペアンプを提供する。
【解決手段】バイアス電源回路が、２つのカレントミラー回路の間に挿入された一対の抵抗部を有して定電流バイアス電位の他に付加バイアス電位を生成し、差動増幅器が、差動入力トランジスタ対と能動負荷トランジスタ対との間に挿入され且つ当該付加バイアス電位によってバイアスされる電圧降下用トランジスタ対を含むオペアンプ。 （もっと読む）