【課題】液浸リソグラフィに有用な新規フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】１種以上の塩基反応性基、および（ｉ）前記塩基反応性基とは異なる１種以上の極性基を含み、および／または（ｉｉ）前記塩基反応性基の少なくとも１種は過フッ素化されていない塩基反応性基である。本発明の特に好ましいフォトレジストは液浸リソグラフィーの際にレジスト層に接触する液浸流体へのレジスト材料の漏出の低減を示すことができる。 （もっと読む）

【課題】動画性能を向上させられる層間絶縁膜を形成可能な感光性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（成分Ａ）式（ａ１）〜式（ａ４）で表される構成単位を少なくとも有する共重合体、（成分Ｂ）Ｎの隣のＣに−ＣＮ基を有するオキシムスルホネート化合物、及び、（成分Ｃ）溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
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【課題】優れたパターン倒れ耐性（PCM）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置き換わっていてもよい。Ｔ^１は、２価の炭素数１〜１７の炭化水素基を表し、該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。ｍは０又は１の整数を表す。］
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【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤、（Ｃ）アルカリ可溶性セルロース樹脂、（Ｄ）式量１８０〜８００である芳香族ヒドロキシ化合物を含有し、アルカリ可溶性セルロース樹脂（Ｃ）の含有量がアルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対して３〜３０質量部であることを特徴とするポジ型リフトオフレジスト組成物。
【効果】本発明のポジ型リフトオフレジスト組成物は、良好な保存安定性を有し、高感度で、現像後の残膜率（＝現像後膜厚／ソフトベーク後膜厚）が９５％以上で、切れ込みが大きいリフトオフ形状を得るために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】撥液性、耐熱性、および耐溶剤性に優れ、パターン形成部以外の部位に感光性樹脂組成物が残渣として残らず、かつパターン形成が可能なネガ型の感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ可溶解性樹脂（Ａ）、フッ素系撥液剤（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）、および酸発生剤（Ｄ）を含む感光性樹脂組成物であり、フッ素系撥液剤が、炭素数４〜６のフルオロアルキル基及び炭素−炭素二重結合を有する構造単位を含む付加重合体であり、その添加割合が、全固形分に対して０．０１〜１．０重量％であるネガ型の感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性に優れ、欠陥の発生数の少ないレジスト組成物に有用な樹脂及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】以下の〔１〕及び〔１〕と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト。〔１〕式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂。


［式（ａ）中、Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素化アルキル基を表す。Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表す。Ｒｘは、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】 ブロックコポリマーの自己組織化を利用し、低コストで周期パターンと非周期パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のパターン形成方法では、被加工膜上でブロックコポリマーを自己組織化させて第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを形成する。また、第１の条件で露光と現像を行い第１の領域に存在するブロックコポリマー全体を除去し、第１の領域以外の領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、第２の条件で露光と現像を行い第２の領域に存在する第１のブロック相を選択的に除去し、第１の領域以外の領域と第２の領域以外の領域との重なり領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、重なり領域を除く第２の領域に第２のブロック相のパターンを残存させ、残存したパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性のレジストパターンを製造でき、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａｂ）で表される構造単位とを有する樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】レジスト材料に用いた場合に液浸水への溶出およびパターン依存性（ダーク・ブライト差）が少なく、化学増幅レジスト材料の光酸発生剤として有用である、カチオン部分にフルオロアルコキシ鎖を有するスルホニウム塩の提供。
【解決手段】一般式（２）で示されるアニオン部を有するスルホニウム塩。


（Ｒ¹は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示す。Ｒ²は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ^fは少なくとも１つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜４のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体１上にレジスト膜２を形成する工程、レジスト膜２をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜２上に被加工薄膜４を形成する工程、レジスト膜２の非露光部２ｂとその上の被加工薄膜４とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜４ａと基板１との間に、露光されたレジストパターン２ａが介在していることを特徴とする。 （もっと読む）