説明

国際特許分類[H01J37/04]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 細部 (4,344) | 電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置 (2,068)

国際特許分類[H01J37/04]の下位に属する分類

国際特許分類[H01J37/04]に分類される特許

71 - 80 / 226


【課題】エミッタンス測定およびリボンビームの強度分布均一化を簡易な手段で実施できるようにする。
【解決手段】イオンビームIBの軌道上に設けられて、そのビーム強度分布を測定するビームプロファイルモニタと、イオンビームIBを挟んでx方向に対向配置され、互いの間でイオンビームIBを通過させる開口を形成する一対のビーム遮蔽部材6とを利用する。そして、ビーム遮蔽部材6の少なくとも一方を、y方向には隙間なく、かつ、x方向には独立して進退可能に設けられた複数の可動遮蔽板61からなるものとしたうえで、可動遮蔽板61の位置を調整して、対向するビーム遮蔽部材6との間に微小開口Pを形成し、微小開口Pを通過したイオンビームIBについての強度分布測定結果から、イオンビームIBのエミッタンスを算出するように構成した。 (もっと読む)


【課題】ビーム入射角を高精度で検出することができる小形軽量のビーム入射角検出センサユニット、ビーム入射角測定ユニット、ビーム入射角検出装置および移動装置を提供する。
【解決手段】ビームを遮蔽する第1のビーム遮蔽層本体に、ビームが入射可能の第1のスリット11Cbを形成した第1のビーム遮蔽層11Cと、この第1のビーム遮蔽層11Cに所定間隔を置いて対向配置される第2のビーム遮蔽層本体に、その平面方向に沿う横方向へ前記第1のスリット11Cbに対して相対的にずれた位置にて第2のスリット12Cbを形成した第2のビーム遮蔽層12と、前記第1,第2のスリット11Cb,12Cbから入射されたビームを検出するセンサ素子を有するセンサ層13Cと、を具備している。 (もっと読む)


【課題】電子ビーム装置の保守が容易で、連続排気用の真空ポンプを作動させないで真空チャンバ内の真空度を上げる電子加速方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム放射窓24を清浄な空気環境に制御された場所内で真空チャンバ46に気密にろう付け、溶接または接着結合して密封して連続排気用の真空ポンプを作動させないで持続的に真空を維持する真空チャンバ46を設け、真空チャンバ内に配置した電子発生器31で電子を発生し、電子発生器をハウジング30により囲み、このハウジングは、電子発生器と電子ビーム放射窓間に開口が形成され、ハウジングと電子ビーム放射窓24間に電圧が供給されたときに、電子を電子発生器31から電子ビームにして電子ビーム放射窓24の外に加速し、真空チャンバ内の分子をイオン化し、真空チャンバ内にイオン化された分子を捕獲して真空チャンバ内の真空度を上げる電子加速方法。 (もっと読む)


【課題】イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。
【解決手段】イオン注入装置は、イオンビームの電流密度分布を調整するために、帯状イオンビームのビーム幅方向に沿って複数の単位レンズ要素を並べ、各単位レンズ要素が作る磁場又は電場を調整するレンズ要素40と、計測した電流密度分布に応じてレンズ要素40にて調整する単位レンズ要素の作る磁場又は電場の強度を設定する制御部80と、を有する。レンズ要素40の複数の単位レンズ要素のうち、調整しようとする位置に対応する単位レンズ要素が作る磁場又は電場の調整強度を、計測された電流密度分布から求めるとともに、前記単位レンズ要素に隣接する単位レンズ要素が作る磁場又は電場に対して、求められた調整強度に一定の比率を乗算して得られる値を磁場又は電場の調整強度として求める。 (もっと読む)


【課題】 イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を、複雑な算出工程を用いずに測定する。
【解決手段】 上孔33を有する上板32および下孔35を有する下板34を備えていて少なくとも下孔35がスリット状をしている治具30と、治具30の上孔および下孔の両方を通過したイオンビーム12を受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器60とを用いて、治具30およびビーム電流測定器60を、上孔33にイオン源10から引き出されたイオンビーム12が入射する場所に位置させた状態で、少なくとも下板34を軸38を中心に回転させて、イオン源10から引き出されたイオンビーム12を上孔33および下孔35の両方を通過させて、ビーム電流測定器60で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向51を測定する。 (もっと読む)


【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極に印加する電圧について、イオンビームの偏差角度および発散角度の両方を小さくするのに適した電圧を、短時間でかつ容易に決定することができる方法を提供する。
【解決手段】 第1〜第3電極11〜13に印加する電圧をV1 〜V3 、V1 −V2 を差電圧V12、V2 −V3 を差電圧V23とすると、電圧V1 を所要の電圧に設定する。差電圧V12を変化させて、イオン源2から引き出されるイオンビーム20のビーム電流を測定して、そのピーク値およびその時の差電圧V12を求める動作を、差電圧V23を所定の範囲内で所定の電圧刻みで変えて行う。上記ピーク値の比較を行って、ピーク値が最大となる時の差電圧V12を求めてそれをV12P とする。0<V12≦V12P を満たす範囲内で、電圧V1 は変えずに、電圧V2 と電圧V3 の組み合わせを変化させて、イオンビーム20の偏差角度を測定する。そして、偏差角度が最小となる電圧V2 と電圧V3 の組み合わせを決定する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、帯電や試料傾斜等の存在によらず、装置の状態をモニタするのに好適な走査電子顕微鏡を提供することにある。
【解決手段】
上記課題を解決するために、電子ビームを試料に到達させない状態で、得られた情報に基づいて、装置コンディションをモニタする機能を備えた走査電子顕微鏡を提案する。より具体的な一例として、試料に負の電圧を印加することで、電子ビームを試料に到達させないで反射させる状態とすると共に、アライメント用の偏向器に所定の信号を供給したときに得られる上記反射した電子の検出位置の変化をモニタする。上記所定の信号が、アライメントが適正に行われている状態のものであるとすると、上記電子の検出位置の変化は、軸ずれを反映したものとなる。 (もっと読む)


【課題】イオン照射対象物品のイオン照射対象部分に全体的に均一に、効率よくイオン照射処理を施すことができる寿命の長いイオン照射装置を提供する。
【解決手段】電子源20A を物品Wのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源20A におけるフィラメント2a、2a’、2a”は、電子源20A の全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。フィラメントは、互いに逆向きの電流が流れるように平行又は略平行に接近する対部分をフィラメントの各端部寄りに含むように屈曲配置し、或いは、少なくとも一組の互いに隣り合うフィラメントについて、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する部分からなる対部分をフィラメントの両端部寄りに含ませる。かかる電子源から放出させた電子をチャンバ1内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Wに照射する。 (もっと読む)


【課題】
アノードの位置を変化しても光軸のずれを効果的に抑制できる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】
荷電粒子を放出する荷電粒子源を備えたカソードと、放出された荷電粒子に電界を加えるアノードと、アノードを通過した荷電粒子線の軌道を偏向させる荷電粒子線偏向器と、荷電粒子が照射された試料からの荷電粒子線を検出する荷電粒子線検出器と、を備え、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子量に対応して前記カソードと前記アノードとの間の距離が変更される距離変更機構と、前記変更された距離において荷電粒子線を偏向させて走査された前記試料から検出される荷電粒子線量が所望の大きさになる前記偏向器の条件を検出し、前記条件に基づいて試料測定時の前記偏向器の偏向を制御する偏向量制御機構とを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置である。 (もっと読む)


【課題】 電界放射型電子源での電力損失をなくし、電界放射型電子源を用いる装置の省電力化及び小型化を可能にする電子流制御方法を提供する。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する電界放射型電子源において、ターゲット3に対し電子流を放出するエミッタ11の周囲に導電性材料12を配置し、該導電性材料12にエミッタ11に対して負の電圧を印加することにより、ターゲットに供給する電子流を制御する。 (もっと読む)


71 - 80 / 226