ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法
【課題】樹脂成形体の機械的特性を損なわずにその難燃性を効果的に高めることができ、しかも樹脂成形体の高温信頼性を損ないにくいホスファゼン化合物の提供。
【解決手段】下記の式で表されるホスファゼン化合物。
ｎは３〜１５の整数を示す。Ａの一例は、下記の式で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基。
【解決手段】下記の式で表されるホスファゼン化合物。
ｎは３〜１５の整数を示す。Ａの一例は、下記の式で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、環状ホスファゼン化合物およびその製造方法、特に、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
産業用および民生用の機器並びに電気製品などの分野において、合成樹脂は、その加工性、耐薬品性、耐候性、電気的特性および機械的強度等の点で他の材料に比べて優位性を有するため多用されており、また、使用量が増加している。しかし、合成樹脂は、燃焼し易い性質を有するため、難燃性の付与が求められており、近年その要求性能が次第に高まっている。このため、ＬＳＩ等の電子部品の封止剤や基板等に使用されている樹脂組成物、例えばエポキシ樹脂組成物は、難燃化するために、ハロゲン含有化合物やハロゲン含有化合物と酸化アンチモンなどのアンチモン化合物との混合物が一般的な難燃剤として添加されている。ところが、このような難燃剤を配合した樹脂組成物は、燃焼時や成形時等において、環境汚染のおそれがあるハロゲン系ガスを発生する可能性がある。また、ハロゲン系ガスは、電子部品の電気的特性や機械的特性を阻害する可能性がある。そこで、最近では、合成樹脂用の難燃剤として、燃焼時や成形時等においてハロゲン系ガスが発生しにくい非ハロゲン系のもの、例えば、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムなどの金属水和物系難燃剤やリン酸エステル系、縮合リン酸エステル系、リン酸アミド系、ポリリン酸アンモニウム系およびホスファゼン系などのリン系難燃剤が多用されるようになっている。
【０００３】
このうち、金属水和物系難燃剤は、脱水熱分解の吸熱反応とそれに伴う水の放出が合成樹脂の熱分解や燃焼開始温度と重複した温度領域で起こることで難燃化効果を発揮するが、その効果を高めるためには樹脂組成物に対して多量に配合する必要がある。このため、この種の難燃剤を含む樹脂組成物の成形品は、機械的強度が損なわれるという欠点がある。一方、リン系難燃剤のうち、リン酸エステル系および縮合リン酸エステル系のものは、可塑効果を有するため、難燃性を高めるために樹脂組成物に対して多量に添加すると、樹脂成形品の機械的強度が低下するなどの欠点が生じる。また、リン酸エステル系、リン酸アミド系およびポリリン酸アンモニウム系のものは、容易に加水分解することから、機械的および電気的な長期信頼性が要求される樹脂成形品の製造用材料においては実質的に使用が困難である。これらに対し、ホスファゼン系の難燃剤は、他のリン系難燃剤に比べて可塑効果および加水分解性が小さく、樹脂組成物に対する添加量を大きくすることができるため、特許文献１〜５に記載のように、合成樹脂用の有効な難燃剤として多用されつつあるが、樹脂組成物に対する添加量を増やすと、高温下における樹脂成形品の信頼性を損なう可能性がある。具体的には、熱可塑性樹脂系の樹脂組成物の場合は、高温下においてその樹脂成形体からホスファゼン系の難燃剤がブリードアウト（溶出）し易く、また、熱硬化性樹脂系の樹脂組成物の場合は、高温下においてその樹脂成形品にフクレ等の変形が発生し、当該樹脂成形品が積層基板等の電気・電子分野において用いられる場合は変形によるショートを引き起こす可能性がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１０３９３９号公報
【特許文献２】特開２００４−８３６７１号公報
【特許文献３】特開２００４−２１０８４９号公報
【特許文献４】特開２００５−８８３５号公報
【特許文献５】特開２００５−２４８１３４号公報
【０００５】
そこで、ホスファゼン系の難燃剤は、高温下での樹脂成形品の信頼性（高温信頼性）を高めるための改良が検討されており、その例として特許文献６〜１０には、ヒドロキシル基を有するホスファゼン系の難燃剤およびそれを用いたエポキシ樹脂組成物が開示されている。この種のホスファゼン系難燃剤は、樹脂組成物に対して多量に添加した場合であっても樹脂成形品の高温信頼性を損ないにくいが、添加量を増しても樹脂成形品の難燃性を効果的に高めるのが困難という、それが要求される本質的効果の点で不十分であり、また、樹脂成形品の機械的特性（特に、高いガラス転移温度）を損なうことにもなる。
【０００６】
【特許文献６】特開平６−２４７９８９号公報
【特許文献７】特開平１０−２５９２９２号公報
【特許文献８】特開２００３−３４２３３９号公報
【特許文献９】特開２００４−１４３４６５号公報
【特許文献１０】特開２００４−１４３４６６号公報
【０００７】
本発明の目的は、樹脂成形体の機械的特性を損なわずにその難燃性を効果的に高めることができ、しかも樹脂成形体の高温信頼性を損ないにくいホスファゼン化合物を実現することにある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上述の課題を解決すべく研究を重ねた結果、ヒドロキシル基を有する新規なホスファゼン化合物を含む樹脂組成物からなる成形体が優れた機械的特性および難燃性を示し、同時に高温下での信頼性が高いことを見出した。
【０００９】
本発明のホスファゼン化合物は、下記の式（１）で表されるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物である。
【００１０】
【化１】
【００１１】
式（１）中、ｎは３〜１５の整数を示す。また、Ａは、下記のＡ１基、Ａ２基およびＡ３基からなる群から選ばれた基を示しかつ少なくとも一つがＡ３基である。
Ａ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ａ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ａ３基：下記の式（２）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および下記の式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００１２】
【化２】
【００１３】
【化３】
【００１４】
式（３）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。
【００１５】
【化４】
【００１６】
【化５】
【００１７】
式（４）および式（５）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。
【００１８】
このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、例えば、式（１）において、２ｎ個のＡのうちの２〜（２ｎ−２）個がＡ３基である。また、このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、例えば、式（１）のｎが３若しくは４である。さらに、このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、例えば、式（１）のｎが異なる二種以上のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を含んでいる。
【００１９】
本発明に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、次の工程Ａと工程Ｂとを含んでいる。
［工程Ａ］
下記の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドの全ハロゲン原子を、少なくとも一つが下記のＥ３基により置換されるよう下記のＥ１基、Ｅ２基およびＥ３基からなる群から選ばれた基により置換し、環状ホスホニトリル置換体を製造する工程。
【００２０】
【化６】
式（６）中、ｎは３〜１５の整数を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。
【００２１】
Ｅ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ｅ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ｅ３基：下記の式（７）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（８）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（９）で示される置換インダンオキシ基および下記の式（１０）で示される置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００２２】
【化７】
【００２３】
【化８】
【００２４】
【化９】
【００２５】
【化１０】
【００２６】
式（７）、式（８）、式（９）および式（１０）中のＺは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示す。式（８）中のＹは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。式（９）および式（１０）中のＲ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。
【００２７】
［工程Ｂ］
工程Ａにおいて得られた環状ホスホニトリル置換体のＥ３基から保護基（Ｚ）を脱離させる工程。
【００２８】
本発明の樹脂組成物は、樹脂成分と、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物とを含んでいる。樹脂成分は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂および変性ポリフェニレンエーテルからなる群から選ばれたものであるである。
【００２９】
本発明の樹脂成形体は、本発明の樹脂組成物からなるものである。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、上述のような特定の構造を有するものであるため、樹脂成形体の機械的特性を損なわずにその難燃性を効果的に高めることができ、しかも樹脂成形体の高温信頼性を損ないにくい。
【００３１】
本発明に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、上述のような工程Ａおよび工程Ｂを含むものであるため、本発明に係る上述のような特定の構造を有するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造することができる。
【００３２】
本発明の樹脂組成物は、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を難燃剤として含むため、実用的な機械的特性および難燃性を示し、しかも高温信頼性の高い樹脂成形体を得ることができる。
【００３３】
本発明の樹脂成形体は、本発明の樹脂組成物からなるため、実用的な機械的特性および難燃性を示し、しかも高温信頼性が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、下記の式（１）で表されるものである。
【００３５】
【化１１】
【００３６】
式（１）において、ｎは、３から１５の整数を示しているが、３から８の整数が好ましく、３若しくは４が特に好ましい。すなわち、このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物として特に好ましいものは、ｎが３のヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン（３量体）およびｎが４のヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン（４量体）である。また、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、ｎが異なる二種以上のものの混合物であってもよい。
【００３７】
また、式（１）において、Ａは、下記のＡ１基、Ａ２基およびＡ３基からなる群から選ばれた基を示している。但し、Ａのうちの少なくとも一つはＡ３基である。
【００３８】
［Ａ１基］
炭素数が１〜８のアルコキシ基。このアルコキシ基は、炭素数が１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、エテニルオキシ基、１−プロペニルオキシ基、２−プロペニルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、３−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−プロペニルオキシ基、４−ペンテニルオキシ基、２−ヘキセニルオキシ基、１−プロピル−２−ブテニルオキシ基、５−オクテニルオキシ基、ベンジルオキシ基および２−フェニルエトキシ基等を挙げることができる。このうち、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロペニルオキシ基およびベンジルオキシ基が好ましく、エトキシ基およびｎ−プロポキシ基が特に好ましい。
【００３９】
［Ａ２基］
炭素数が６〜２０のアリールオキシ基。このアリールオキシ基は、炭素数が１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、エチルメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、ｎ−プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、イソプロピルメチルフェノキシ基、イソプロピルエチルフェノキシ基、ジイソプロピルフェノキシ基、ｎ−ブチルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ｎ−ペンチルフェノキシ基、ｎ−ヘキシルフェノキシ基、エテニルフェノキシ基、１−プロペニルフェノキシ基、２−プロペニルフェノキシ基、イソプロペニルフェノキシ基、１−ブテニルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブテニルフェノキシ基、１−ペンテニルフェノキシ基、１−ヘキセニルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基およびフェナントリルオキシ基等を挙げることができる。このうち、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、２−プロペニルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が好ましく、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が特に好ましい。
【００４０】
［Ａ３基］
下記の式（２）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基（すなわち、４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基）、下記の式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および下記の式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００４１】
【化１２】
【００４２】
【化１３】
【００４３】
式（３）において、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。したがって、式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基は、具体的には、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルチオ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシベンジル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルエチリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニル（１’−メチルプロピリデン）−４−フェニルオキシ基若しくは４’−ヒドロキシベンゾイル−４−フェニルオキシ基である。
【００４４】
【化１４】
【００４５】
【化１５】
【００４６】
式（４）および式（５）において、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示しており、アルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基の場合は、それぞれ、結合している環構造に対して同種若しくは異種のものが複数個結合していてもよい。
【００４７】
式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基としては、例えば、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｉｓｏ−プロピル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｉｓｏ−プロピルフェニル）インダン−６−オールおよび１，３，３―トリメチル―５−フェニル−１−（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）インダン−６−オール等のインダン化合物が有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基を挙げることができる。すなわち、式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基としては、例えば、上述の各種インダン化合物において、インダンの６位に結合しているヒドロキシル基から水素を除いた残基を挙げることができる。式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基としては、例えば、上述の各種インダン化合物において、インダンの１位に結合しているフェノール基のヒドロキシル基から水素を除いた残基を挙げることができる。
【００４８】
上述のＡ３基として好ましいものは、４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルチオ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシベンゾイル−４−フェニルオキシ基並びに１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールおよび１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基である。このうち、４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基および１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基が特に好ましい。
【００４９】
式（１）において、Ａは、２ｎ個含まれており、このうちの少なくとも一つがＡ３基である。したがって、式（１）で表される本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、次の形態に大別することができる。
【００５０】
［形態１］
２ｎ個の全てのＡがＡ３基のものである。この場合、Ａは、全てが同じＡ３基であってもよいし、二種以上のＡ３基であってもよい。
【００５１】
このような形態のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Ａの全てが４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルチオ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシベンゾイル−４−フェニルオキシ基並びに１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールおよび１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基からなるＡ３基群から選ばれた一種のＡ３基であるものおよびＡの全てが当該Ａ３基群から選ばれた二種以上のＡ３基であるもの並びにこれらの任意の混合物を挙げることができる。
【００５２】
［形態２］
２ｎ個のＡのうちの一部（すなわち、少なくとも一つ）がＡ３基であり、他のＡがＡ１基およびＡ２基から選ばれた基のものである。この場合、Ａ３基以外の他のＡは、全てが同じＡ１基若しくはＡ２基であってもよいし、二種以上のＡ１基若しくはＡ２基または一種若しくは二種以上のＡ１基とＡ２基とが混在した状態であってもよい。
【００５３】
この形態のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物として好ましいものは、２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基のものである。特に、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基のもの並びにこれらの任意の混合物である。この種のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、本発明の他のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物に比べ、高温信頼性および機械的強度（特に、ガラス転移温度）がより優れた樹脂成形体を実現可能な点において有利である。
【００５４】
なお、２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基であるか否かは、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物若しくはその製造過程における中間体のＴＯＦ−ＭＳ分析により確認することができる。
【００５５】
このような形態のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物若しくは式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Ａが、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのものおよびこれらの任意の混合物を挙げることができる。
【００５６】
このうち、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Ａが、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのものおよびこれらの任意の混合物が好ましい。特に、また、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物若しくは式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物であって、Ａが、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのものおよびこれらの任意の混合物が好ましい。
【００５７】
上述のような本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、Ａ３基のヒドロキシル基によって互いに架橋されたものではない。すなわち、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物間での架橋構造を全く有していないものである。本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、このような特徴の点において新規であり、従来のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物とは異なる。
【００５８】
ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、次のような方法により製造することができる。
【００５９】
先ず、下記の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドを用意する。
【化１６】
【００６０】
式（６）において、ｎは、３から１５の整数を示している。また、Ｘは、ハロゲン原子を示し、好ましくはフッ素原子若しくは塩素原子である。因みに、ここで用意する環状ホスホニトリルジハライドは、ｎが異なる数種類のものの混合物であってもよい。
【００６１】
このような環状ホスホニトリルジハライドの製造方法その他は、各種の文献、例えば、下記のような非特許文献１、２に記載されている。
【００６２】
【非特許文献１】ＰＨＯＳＰＨＯＲＵＳ−ＮＩＴＲＯＧＥＮ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、Ｈ．Ｒ．ＡＬＬＣＯＣＫ著、１９７２年刊、ＡＣＡＤＥＭＩＣ ＰＲＥＳＳ社
【非特許文献２】ＰＨＯＳＰＨＡＺＥＮＥＳ、Ａ ＷＯＲＬＤＷＩＤＥ ＩＮＳＩＧＨＴ、Ｍ．ＧＬＥＲＩＡ、Ｒ．ＤＥ ＪＡＥＧＥＲ著、２００４年刊、ＮＯＶＡ ＳＣＩＥＮＣＥ ＰＵＢＬＩＳＨＥＲＳ ＩＮＣ．社
【００６３】
これらの文献に記載されているように、式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドは、通常、重合度が３から１５程度の環状ホスホニトリルジハライドと鎖状ホスホニトリルジハライドとの混合物として得られる。このため、式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドは、上記各文献に記載されているように、当該混合物から溶媒への溶解度の差を利用して鎖状ホスホニトリルジハライドを取り除いて入手するか、或いは、当該混合物から環状ホスホニトリルジハライドを蒸留又は再結晶によって分離して入手する必要がある。
【００６４】
この製造方法において用いる環状ホスホニトリルジハライドとして好ましいものは、例えば、ヘキサフルオロシクロトリホスファゼン（ｎが３のもの）、オクタフルオロシクロテトラホスファゼン（ｎが４のもの）、デカフルオロシクロペンタホスファゼン（ｎが５のもの）、ドデカフルオロシクロヘキサホスファゼン（ｎが６のもの）、ヘキサフルオロシクロトリホスファゼンとオクタフルオロシクロテトラホスファゼンとの混合物、nが３から１５の環状ホスホニトリルジフルオリドの混合物、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン（ｎが３のもの）、オクタクロロシクロテトラホスファゼン（ｎが４のもの）、デカクロロシクロペンタホスファゼン（ｎが５のもの）、ドデカクロロシクロヘキサホスファゼン（ｎが６のもの）、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンとオクタクロロシクロテトラホスファゼンとの混合物およびｎが３から１５の環状ホスホニトリルジクロリドの混合物等である。このうち、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン、オクタクロロシクロテトラホスファゼン、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンとオクタクロロシクロテトラホスファゼンとの混合物およびｎが３から１５の環状ホスホニトリルジクロリドの混合物がより好ましく、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンとオクタクロロシクロテトラホスファゼンとの混合物およびｎが３から１５の環状ホスホニトリルジクロリドの混合物が特に好ましい。
【００６５】
また、上述の環状ホスホニトリルジハライドと反応させる化合物として、次の化合物Ｂ１、化合物Ｂ２および化合物Ｂ３を用意する。
【００６６】
［化合物Ｂ１］
炭素数が１〜８のアルコール類。
このアルコール類は、炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなアルコール類としては、例えば、メタノール、エタノ−ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、ビニルアルコール、１−プロペン−１−オール、２−プロペン−１−オール（アリルアルコール）、１−メチル−１−エテン−１−オール、３−ブテン−１−オール、２−メチル−２−プロペン−１−オール、４−ペンテン−１−オール、２−ヘキセン−１−オール、２−ヘプテン−４−オール、５−オクテン−１−オール、ベンジルアルコールおよびフェネチルアルコール等を挙げることができる。このうち、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、アリルアルコールおよびベンジルアルコールが好ましく、エタノールおよびｎ−プロパノールが特に好ましい。
【００６７】
［化合物Ｂ２］
炭素数が６〜２０のフェノール類。
このフェノール類は、炭素数が１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなフェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール、エチルフェノール、エチルメチルフェノール、ジエチルフェノール、ｎ−プロピルフェノール、イソプロピルフェノール、イソプロピルメチルフェノール、イソプロピルエチルフェノール、ジイソプロピルフェノール、ｎ−ブチルフェノール、ｓｅｃ−ブチルフェノール、ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｎ−ペンチルフェノール、ｎ−ヘキシルフェノール、ビニルフェノール、１−プロペニルフェノール、２−プロペニルフェノール、イソプロペニルフェノール、１−ブテニルフェノール、ｓｅｃ−ブテニルフェノール、１−ペンテニルフェノール、１−ヘキセニルフェノール、フェニルフェノール、ナフトール、アントラノールおよびフェナントラノール等を挙げることができる。このうち、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール、ジエチルフェノール、２−プロペニルフェノール、フェニルフェノールおよびナフトールが好ましく、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノールおよびナフトールが特に好ましい。
【００６８】
［化合物Ｂ３］
次の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類。
【００６９】
◎化合物Ｂ３−１
下記の式（１１）で表される、一方のヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化１７】
式（１１）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。
【００７０】
このジフェノール類は、下記の式（１２）で表されるジフェノール化合物、すなわち、４，４’−ジフェノールの一方のヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【化１８】
【００７１】
◎化合物Ｂ３−２
下記の式（１３）で表される、一方のヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化１９】
式（１３）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。また、Ｙは、次に説明する式（１４）中のＹと同じである。
【００７２】
この保護ジフェノール類は、下記の式（１４）で表されるジフェノール化合物の一方のヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【化２０】
式（１４）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。式（１４）で表されるジフェノール類は、具体的には、４，４’−オキシジフェノール、４，４’−チオジフェノール、４，４’−スルホニルジフェノール（ビスフェノール−Ｓ）、４，４’−メチレンジフェノール（ビスフェノール−Ｆ）、４，４’−エチリデンジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（ビスフェノール−Ａ）、４，４’−（１−メチルプロピリデン）ジフェノール（ビスフェノール−Ｂ）および４，４−ジヒドロキシベンゾフェノンである。
【００７３】
◎化合物Ｂ３−３
下記の式（１５）で表される、一方のヒドロキシル基、すなわち、インダンの１位に位置する４−ヒドロキシフェニル基のヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化２１】
式（１５）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ、次に説明する式（１６）中のＲ１およびＲ２と同じである。
【００７４】
この保護ジフェノール類は、下記の式（１６）で表されるジフェノール化合物において、インダンの１位に位置する４−ヒドロキシフェニル基のヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【化２２】
式（１６）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示し、当該アルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基の場合は、結合している環構造に対して同種若しくは異種のものが複数個結合していてもよい。式（１６）で表されるジフェノール類は、ｐ−イソプロペニルフェノールの線状二量体、すなわち、２，４−ジ（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−ペンテン−１および２，４−ジ（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−ペンテン−２の混合物を酸触媒の存在下に環化反応させて得た、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールまたはそのアルキル、シクロアルキル若しくはフェニル誘導体である。具体的には、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｉｓｏ−プロピル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｉｓｏ−プロピルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−フェニル−１−（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）インダン−６−オール等を挙げることができる。
【００７５】
◎化合物Ｂ３−４
下記の式（１７）で表される、一方のヒドロキシル基、すなわち、インダンの６位に位置するヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化２３】
式（１７）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ、上記式（１６）中のＲ１およびＲ２と同じである。
【００７６】
この保護ジフェノール類は、上記式（１６）で表されるジフェノール化合物において、インダンの６位に位置するヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【００７７】
上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類、すなわち、式（１１）、式（１３）、式（１５）および式（１７）で示される保護ジフェノール類において、Ｚで示される保護基の種類は、下記の非特許文献３および非特許文献４等の多数の公知文献に記載されている。また、式（１２）、式（１４）および式（１６）で示されるジフェノール類から式（１１）、式（１３）および式（１５）若しくは式（１７）で示される保護ジフェノール類を選択的に調製する方法も、これらの非特許文献において記載されている。
【００７８】
【非特許文献３】ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ、Ｔ．Ｗ．ＧＲＥＥＮＥ、Ｐ．Ｇ．Ｍ．ＷＵＴＳ著、１９９９年刊、ＷＩＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ社
【非特許文献４】ＰＲＯＴＥＣＴＩＮＧ ＧＲＯＵＰ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ（ＯＸＦＯＲＤ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＰＲＩＭＥＲＳ）、Ｊ．ＲＯＢＥＲＴＳＯＮ著、２０００年刊、ＯＸＦＯＲＤ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＰＲＥＳＳ社
【００７９】
Ｚで示される保護基の具体例としては、メチル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、１−エトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アリル基、ベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、トリフェニルメチル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリベンジルシリル基およびトリイソプロピルシリル基等を挙げることができる。これらの保護基のうち、メチル基、メトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アリル基、ベンジル基およびｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基が好ましく、メチル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アリル基およびベンジル基が特に好ましい。
【００８０】
上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４として好ましいものの具体例は、次の通りである。
［化合物Ｂ３−１］
４’−メトキシフェニル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニル−４−フェノール等。
【００８１】
［化合物Ｂ３−２］
４’−メトキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−メトキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−メトキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−メトキシベンジル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシベンジル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシベンジル−４−フェノール、４’−アリルオキシベンジル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシベンジル−４−フェノール、４’−メトキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−メトキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−メトキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−メトキシベンゾイル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシベンゾイル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシベンゾイル−４−フェノール、４’−アリルオキシベンゾイル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシベンゾイル−４−フェノール等。
【００８２】
［化合物Ｂ３−３］
１，３，３−トリメチル−１−（４−メトキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−メトキシメトキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−アリルオキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−ベンジルオキシフェニル）インダン−６−オール等。
【００８３】
［化合物Ｂ３−４］
１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−メトキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−メトキシメトキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−ｔｅｒｔ−ブチルオキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−アリルオキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−ベンジルオキシインダン等。
【００８４】
化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４は、いずれも、市販のものや、上述の非特許文献３、４に記載の方法などの公知の方法に従って製造したものを使用することができる。
【００８５】
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法では、先ず、上述の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドと上述の化合物Ｂ１〜Ｂ３とを反応させることにより、環状ホスホニトリルジハライドの全ハロゲン原子を、少なくとも一つが下記のＥ３基により置換されるよう下記のＥ１基、Ｅ２基およびＥ３基からなる群から選ばれた基により置換し、環状ホスホニトリル置換体を製造する（工程Ａ）。
【００８６】
［Ｅ１基］
炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも１種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
この基は、化合物Ｂ１によりハロゲン原子と置換されるものであり、既述のＡ１基に該当する。
【００８７】
［Ｅ２基］
炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも１種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
この基は、化合物Ｂ２によりハロゲン原子と置換されるものであり、既述のＡ２基に該当する。
【００８８】
［Ｅ３基］
下記の式（７）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（８）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（９）で示される置換インダンオキシ基および下記の式（１０）で示される置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００８９】
【化２４】
【００９０】
【化２５】
【００９１】
【化２６】
【００９２】
【化２７】
【００９３】
式（７）〜（１０）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示し、具体的には上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類に関して説明したものと同じである。また、式（８）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示している。さらに、式（９）および式（１０）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示している。
【００９４】
この製造工程では、製造するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の種類、すなわち、上述の形態１に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合と、上述の形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合とで、化合物Ｂ１〜Ｂ３を適宜選択して使用する。具体的には次の通りである。
【００９５】
［形態１のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合］
この場合は、環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３とを反応させ、環状ホスホニトリルジハライドのハロゲン原子（以下、活性ハロゲン原子という場合がある）の全てを化合物Ｂ３に由来のＥ３基で置換する。ここで用いられる化合物Ｂ３は、上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類のうちの一種若しくは二種以上である。環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３とを反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの全ての活性ハロゲン原子をＥ３基で置換する方法としては、次のいずれかの方法を採用することができる。
【００９６】
＜方法１−Ａ＞
環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３のアルカリ金属塩とを反応させる。
この方法による場合、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩の使用量は、通常、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【００９７】
＜方法１−Ｂ＞
環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３とを、ハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させる。
この方法による場合、化合物Ｂ３の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。また、塩基の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．１〜２．１当量に設定するのが好ましく、１．１〜１．４当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．１当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．１当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【００９８】
［形態２のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合］
この場合は、環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３のうちの少なくとも一種と、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物とを反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの一部の活性ハロゲン原子を化合物Ｂ３に由来のＥ３基で置換し、残りの他の活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つの基で置換する。このための方法としては、次のいずれかの方法を採用することができる。
【００９９】
＜方法２−Ａ＞
環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩と、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩との混合物を反応させ、活性ハロゲン原子の全てを置換する。当該混合物において、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩の割合は、製造するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１００】
この方法による場合、上述の混合物の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【０１０１】
＜方法２−Ｂ＞
環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３と、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物との混合物を、ハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させ、活性ハロゲン原子の全てを置換する。当該混合物において、化合物Ｂ３の割合は、製造するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１０２】
この方法による場合、上述の混合物の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。また、塩基の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．１〜２．１当量に設定するのが好ましく、１．１〜１．４当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．１当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．１当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【０１０３】
＜方法２−Ｃ＞
先ず、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ３を反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換した部分置換体を得る（第一工程）。次に、得られた部分置換体に対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物を反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換する（第二工程）。
【０１０４】
この方法の第一工程は、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ３のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。また、第二工程は、第一工程で得られた部分置換体に対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、第一工程で得られた部分置換体に対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。
【０１０５】
＜方法２−Ｄ＞
先ず、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物を反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換した部分置換体を得る（第一工程）。次に、得られた部分置換体に対して化合物Ｂ３を反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換する（第二工程）。
【０１０６】
この方法の第一工程は、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。また、第二工程は、第一工程で得られた部分置換体に対して化合物Ｂ３のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、第一工程で得られた部分置換体に対し、化合物Ｂ３をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。
【０１０７】
上述の各方法において用いられるアルカリ金属塩は、通常、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩およびセシウム塩が好ましい。特に、リチウム塩およびナトリウム塩が好ましい。このようなアルカリ金属塩は、化合物Ｂ１〜Ｂ３と、金属リチウム、金属ナトリウム若しくは金属カリウム等との脱水素反応、または、化合物Ｂ１〜Ｂ３と、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物との混合物からの脱水反応によって得ることができる。
【０１０８】
また、上述の各方法において用いられる塩基は、特に限定されるものではないが、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリン、ジイソプロピルアニリン、ピリジン、４，４−ジメチルアミノピリジン、４，４−ジエチルアミノピリジンおよび４−ジイソプロピルアミノピリジン等の脂肪族若しくは芳香族アミン類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムおよび炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物等が好ましい。特に、トリエチルアミン、ピリジンおよび水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましい。
【０１０９】
上述の環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ１〜Ｂ３との反応は、上述のいずれの方法についても、無溶媒で実施することができ、また、溶媒を使用して実施することもできる。溶媒を使用する場合、溶媒の種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定されるものではないが、通常、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジエトキシエタンおよびジフェニルエーテル等のエーテル系、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、キシレン、エチルベンゼンおよびイソプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系、クロロホルムおよび塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、ウンデカンおよびドデカン等の脂肪族炭化水素系、ピリジン等の複素環式芳香族炭化水素系、第三級アミン系並びにシアン化合物系等の有機溶媒を用いるのが好ましい。このうち、分子内にエーテル結合を有し、かつ、化合物Ｂ１〜Ｂ３およびそれらのアルカリ金属塩の溶解度が高いエーテル系の有機溶媒および水との分離が容易である芳香族炭化水素系の有機溶媒を用いるのが特に好ましい。
【０１１０】
上述の環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ１〜Ｂ３とを反応させる際の反応温度は、上述のいずれの方法によるか、或いは、反応生成物の熱安定性等を考慮して適宜設定することができる。但し、溶媒を用いて当該反応を実施する場合は、通常、０℃から溶媒の沸点までの温度範囲に反応温度を設定するのが好ましい。一方、無溶媒で当該反応を実施する場合、反応温度は、通常、４０〜２００℃の範囲に設定するのが好ましい。
【０１１１】
なお、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物として上述の形態２に係るもの、特に、式（１）における２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基のものを製造する場合は、上述の方法２−Ｃ若しくは方法２−Ｄを採用するのが好ましい。
【０１１２】
ここで、方法２−Ｃを採用する場合は、先ず、環状ホスホニトリルジハライドのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を調製する。そして、この溶媒溶液に対し、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ３とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、−２０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、同温度範囲で１〜２４時間反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換した部分置換体を製造する。次に、得られた部分置換体のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液に対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、０℃から溶媒の沸点までの温度で反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換する。
【０１１３】
一方、方法２−Ｄを採用する場合は、先ず、環状ホスホニトリルジハライドのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を調製する。そして、この溶媒溶液に対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、−２０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、同温度範囲で１〜２４時間反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換した部分置換体を製造する。次に、得られた部分置換体のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液に対し、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ３とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、０℃から溶媒の沸点までの温度で反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換する。
【０１１４】
本発明の製造方法では、次に、上述の工程Ａにより得られた環状ホスホニトリル置換体のＥ３基から保護基（Ｚ）を脱離させ、Ｅ３基の−ＯＺ基部分を−ＯＨ基に変換する（工程Ｂ）。保護基を脱離させるための方法は、上述の非特許文献３、４等の多数の公知文献に記載されており、保護基の種類および保護基の安定性等に応じて各種の脱保護反応から選択することができる。例えば、保護基がメチル基の場合、環状ホスホニトリル置換体を三フッ化ホウ素、ヨウ化トリメチルシラン若しくはピリジン塩酸塩と反応させるのが好ましい。また、保護基がｔｅｒｔ−ブチル基の場合、環状ホスホニトリル置換体をトリフルオロ酢酸、臭化水素若しくはヨウ化トリメチルシランと反応させるのが好ましい。さらに、保護基がベンジル基の場合、環状ホスホニトリル置換体を水素／Ｐｄ−Ｃ、金属ナトリウム／アンモニア、ヨウ化トリメチルシラン、水素化リチウムアルミニウム、三臭化ホウ素若しくは三フッ化ホウ素と反応させるのが好ましい。
【０１１５】
このような保護基の脱離により得られる、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、濾過、溶媒抽出、カラムクロマトグラフィーおよび再結晶等の通常の方法によって、反応系から単離精製することができる。
【０１１６】
本発明の製造方法では、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の全て若しくは一部を工程ＡにおいてＥ３基に置換し、当該Ｅ３基の保護基を次の工程Ｂにおいて脱離させているため、得られるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、既述の通り、ヒドロキシル基によるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物間での架橋構造を全く有していない新規なものになる。
【０１１７】
樹脂組成物
本発明の樹脂組成物は、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と樹脂成分とを含むものである。本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、一種類のものが用いられてもよいし、二種以上のものが併用されてもよい。また、樹脂成分としては、各種の熱可塑性樹脂若しくは熱硬化性樹脂を使用することができる。これらの樹脂成分は、天然のものであってもよいし、合成のものであってもよい。
【０１１８】
ここで利用可能な熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリエチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、スチレン樹脂、耐衝撃性ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン樹脂（ＡＳ樹脂）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン樹脂（ＭＢＳ樹脂）、メチルメタクリレート−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＭＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−アクリルゴム−スチレン樹脂（ＡＡＳ樹脂）、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル、脂肪族系ポリアミド、芳香族系ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリチオエーテルスルホン、ポリエーテルスルホン並びに液晶ポリマー等を挙げることができる。変性ポリフェニレンエーテルとしては、ポリフェニレンエーテルの一部または全部に、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、水酸基、無水ジカルボキシル基などの反応性官能基を、グラフト反応や共重合などの何らかの方法により導入したものが用いられる。なお、本発明の樹脂組成物を電子機器用途、特に、ＯＡ機器、ＡＶ機器、通信機器および家電製品用の筐体や部品用の材料として用いる場合は、熱可塑性樹脂としてポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル若しくはポリアミド等を用いるのが好ましい。
【０１１９】
一方、ここで利用可能な熱硬化性樹脂の具体例としては、ポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコン樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール、ポリカルボジイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドおよびポリエステルイミド等のポリイミド系樹脂並びにエポキシ樹脂等を挙げることができる。なお、本発明の樹脂組成物を電子部品用途、特に、各種ＩＣ素子の封止材、配線板の基板材料、層間絶縁材料や絶縁性接着材料等の絶縁材料、導電材料および表面保護材料として用いる場合は、熱硬化性樹脂として、ポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド系樹脂若しくはエポキシ樹脂等を用いるのが好ましい。
【０１２０】
上述の各種樹脂成分は、それぞれ単独で用いられてもよいし、必要に応じて二種以上のものが併用されてもよい。
【０１２１】
本発明の樹脂組成物において、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の使用量は、樹脂成分の種類、樹脂組成物の用途等の各種条件に応じて適宜設定することができるが、通常、固形分換算での樹脂成分１００重量部に対して０．１〜５０重量部に設定するのが好ましく、０．５〜４０重量部に設定するのがより好ましく、１〜３０重量部に設定するのがさらに好ましい。ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の使用量が０．１重量部未満の場合は、当該樹脂組成物からなる樹脂成形体が十分な難燃性を示さないおそれがある。逆に、５０重量部を超えると、樹脂成分本来の特性を損ない、当該特性による樹脂成形体が得られなくなるおそれがある。
【０１２２】
また、本発明の樹脂組成物は、樹脂成分の種類や樹脂組成物の用途等に応じ、その目的とする物性を損なわない範囲で、各種の添加剤を配合することができる。利用可能な添加剤としては、例えば、シリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、モリブデン酸亜鉛、マイカ、タルク、ガラス繊維およびチタン酸カリウム繊維等の無機充填剤、シランカップリング剤などの充填材の表面処理剤、ワックス類、脂肪酸およびその金属塩、酸アミド類およびパラフィン等の離型剤、リン酸エステル、縮合リン酸エステル、リン酸アミド、リン酸アミドエステル、リン酸アンモニウム、赤リン、塩素化パラフィン、メラミン、メラミンシアヌレート、メラム、メレム、メロンおよびサクシノグアナミン等の窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤並びに臭素系難燃剤等の難燃剤、三酸化アンチモン等の難燃助剤、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のドリッピング防止剤、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化剤、顔料、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、滑剤、可塑剤並びに帯電防止剤等を挙げることができる。
【０１２３】
本発明の樹脂組成物を電気・電子分野用の材料、具体的には、ＬＳＩ等の電子部品の封止剤や基板等に用いる場合、樹脂成分は、エポキシ樹脂が好ましい。利用可能なエポキシ樹脂の具体例としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂およびナフトールノボラック型エポキシ樹脂等の、フェノール類とアルデヒド類との反応により得られるノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ａ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノール−Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノール−ＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ｓ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、アルキル置換ビフェノール型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン等のフェノール類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるフェノール型エポキシ樹脂、トリメチロールプロパン、オリゴプロピレングリコールおよび水添ビスフェノール−Ａ等のアルコール類とエピクロルヒドリンとの反応により得られる脂肪族エポキシ樹脂、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸若しくはフタル酸とエピクロルヒドリン若しくは２−メチルエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル系エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタンやアミノフェノール等のアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン系エポキシ樹脂、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られる複素環式エポキシ樹脂、グリシジル基を有するホスファゼン化合物、エポキシ変性ホスファゼン樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂並びにウレタン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ａ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂およびトリス（ヒドロキシフェニル）メタンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂は、それぞれ単独で使用してもよいし、二種以上のものが併用されてもよい。
【０１２４】
樹脂成分として上述のエポキシ樹脂を用いる場合（以下、「エポキシ樹脂組成物」という場合がある）、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、エポキシ樹脂の硬化剤として機能し得る。また、エポキシ樹脂組成物は、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と共に、他の硬化剤を併せて含んでいてもよい。エポキシ樹脂組成物が、硬化剤として本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と他の硬化剤とを併用している場合、硬化剤の合計量（すなわち、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と他の硬化剤との合計量）に占める本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の割合は、０．１〜８０重量％が好ましく、０．５〜７０重量％がより好ましい。ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の割合が０．１重量％未満の場合は、当該樹脂組成物からなる樹脂成形体が十分な難燃性を示さないおそれがある。逆に、８０重量％を超えると、樹脂成分本来の特性を損ない、当該特性による樹脂成形体が得られなくなるおそれがある。
【０１２５】
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と併用され得る他の硬化剤は、特に限定されるものではないが、例えば、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミンおよびポリアミドポリアミン等のポリアミン系硬化剤、無水ヘキサヒドロフタル酸および無水メチルテトラヒドロフタル酸等の酸無水物系硬化剤、フェノールノボラックおよびクレゾールノボラック等のフェノール系硬化剤、他の水酸基を有するホスファゼン化合物（本発明以外の、ヒドロキシル基含有ホスファゼン化合物）、三フッ化ホウ素等のルイス酸およびそれらの塩類並びにジシアンジアミド類等を挙げることができる。これらは、それぞれ単独で用いてもよく、二種以上併用してもよい。
【０１２６】
エポキシ樹脂組成物において、硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対して０．５〜１．５当量になるよう設定するのが好ましく、０．６〜１．２当量になるよう設定するのがより好ましい。
【０１２７】
エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤を含んでいてもよい。利用可能な硬化促進剤は、公知の種々のものであり、特に限定されるものではないが、例えば、２−メチルイミダゾールおよび２−エチルイミダゾール等のイミダゾール系化合物、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３アミン系化合物、トリフェニルホスフィン化合物等を挙げることができる。硬化促進剤を用いる場合、その使用量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０１〜１５重量部に設定するのが好ましく、０．１〜１０重量部に設定するのがより好ましい。
【０１２８】
エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて公知の反応性希釈剤や添加剤が配合されていてもよい。利用可能な反応性希釈剤は、特に限定されるものではないが、例えば、ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテルおよびアリルグリシジルエーテル等の脂肪族アルキルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレートおよび３級カルボン酸グリシジルエステル等のアルキルグリシジルエステル、スチレンオキサイドおよびフェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテルおよびノニルフェニルグリシジルエーテル等の芳香族アルキルグリシジルエーテル等を挙げることができる。これらの反応性希釈剤は、それぞれ単独で用いられてもよいし、二種以上が併用されてもよい。一方、添加剤としては、既述のようなものを用いることができる。
【０１２９】
上述のエポキシ樹脂組成物等の本発明の樹脂組成物は、各成分を均一に混合することにより得られる。この樹脂組成物は、樹脂成分に応じて１００〜２５０℃程度の温度範囲で１〜３６時間放置すると、充分な硬化反応が進行し、硬化物を形成する。例えば、エポキシ樹脂組成物は、通常、１５０〜２５０℃の温度で２〜１５時間放置すると、充分な硬化反応が進行し、硬化物を形成する。このような硬化過程において、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、そのヒドロキシル基が樹脂成分と反応し、硬化物中において安定に保持されることになるため、当該硬化物の高温信頼性を損ないにくい。また、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、そのような硬化物の機械的特性（特に、ガラス転移温度）を損なわずに、その難燃性を高めることができ、また、硬化物に対して低発煙性を付与することができる。このため、本発明の樹脂組成物は、各種の樹脂成形体の製造用材料、塗料用、接着剤用およびその他の用途用として、広く用いることができる。特に、本発明の樹脂組成物は、半導体封止用や回路基板（特に、金属張り積層板、プリント配線板用基板、プリント配線板用接着剤、プリント配線板用接着剤シート、プリント配線板用絶縁性回路保護膜、プリント配線板用導電ペースト、多層プリント配線板用封止剤、回路保護剤、カバーレイフィルム、カバーインク）形成用等の電気・電子部品の製造用材料として好適である。
【実施例】
【０１３０】
以下に実施例等を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
なお、以下において、「ｕｎｉｔ ｍｏｌ」の「ｕｎｉｔ」は、環状ホスファゼン化合物の最小構成単位、例えば、一般式（１）については（ＰＮＡ２）を意味し、一般式（６）については（ＰＮＸ２）を意味する。一般式（６）において、Ｘが塩素の場合、その１ｕｎｉｔ ｍｏｌは１１５．８７ｇである。
また、以下においては、特に断りがない限り、「％」および「部」とあるのは、それぞれ「重量％」および「重量部」を意味する。
【０１３１】
実施例等で得られたホスファゼン化合物は、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよび３１Ｐ−ＮＭＲスペクトルの測定、ＣＨＮ元素分析、アルカリ溶融後の硝酸銀を用いた電位差滴定法による塩素元素（残留塩素）の分析、マイクロウエーブ湿式分解後のＩＣＰ−ＡＥＳによるリン元素の分析並びにＴＯＦ−ＭＳ分析の結果に基づいて同定した。また、水酸基当量は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２「化学製品の酸価、けん化価、エステル価、よう素価、水酸基価及び不けん化物の試験方法」において規定された水酸基価測定方法の中和滴定法に従い測定し、水酸基価ｍｇＫＯＨ／ｇの値を水酸基当量ｇ／ｅｑ．に変換した。エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−１９９５「エポキシ樹脂のエポキシ当量試験方法」の電位差滴定法に従い測定した。
【０１３２】
実施例１（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｃによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液４１．７ｇ（０．５０ｍｏｌ）、トルエン１，０００ｍｌおよび４’−メトキシフェニル−４−フェノール１００．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３０ｍｌ）、４’−メトキシフェニル−４−フェノールのナトリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１３３】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ５００ｍｌ〕を仕込み、上記４’−メトキシフェニル−４−フェノールのナトリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下した後、還流下（８５℃）で撹拌反応を１２時間行った。反応終了後、反応液を約７００ｍｌまで濃縮し、トルエン３００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて反応物を溶解し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後、水−トルエンを共沸脱水し、無水状態の４’−メトキシフェニル−４−フェノキシ部分置換体のトルエン溶液を得た。
【０１３４】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に上記無水状態の４’−メトキシフェニル−４−フェノキシ部分置換体のトルエン溶液、ｎ−プロパノール３９．１ｇ（０．６５ｍｏｌ）、トリエチルアミン１１１．３ｍｌ（０．８０ｍｏｌ）およびジメチルアミノピリジン０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）を仕込み、還流温度（１０３℃）で１０時間撹拌反応を行った。反応終了後、反応液を約７００ｍｌまで濃縮し、トルエン３００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を２％塩酸で２回洗浄し、次に水での洗浄を３回行った後、トルエンを留去したところ、淡褐色粘稠液体の生成物１２２．７ｇ（収率：８４％）が得られた。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１３５】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ ０．９（３Ｈ），−ＣＨ２− １．６（２Ｈ），−ＣＨ２− ３．６（２Ｈ），―ＣＨ３ ３．７（３Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．５〜７．８（８Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ １２．３
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６２．５％，Ｈ：６．１％，Ｎ：４．８％，Ｐ：１０．６％
実測値 Ｃ：６２．３％，Ｈ：６．２％，Ｎ：４．９％，Ｐ：１０．４％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
７７１，９１１，１０５１
【０１３６】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）３（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）４（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）０．９２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）１．０８］３であることを確認した。
【０１３７】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物８７．６ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）とトルエン６５０ｍｌを仕込んだ。これに窒素雰囲気下で４７％三フッ化ホウ素エチルエーテル７５．５ｍｌ（０．２８ｍｏｌ）を５〜１０℃で１時間かけて滴下し、同温度で２時間撹拌熟成した。反応後、反応液を水４００ｍｌに添加し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にトルエンを留去したところ、淡褐色粘稠液体の生成物７６．２ｇ（収率：９１％）が得られた。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１３８】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ ０．９（３Ｈ），−ＣＨ２− １．６（２Ｈ），−ＣＨ２− ３．３（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．５〜７．９（８Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．８
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６１．６％，Ｈ：５．４％，Ｎ：５．０％，Ｐ：１１．１％
実測値 Ｃ：６１．４％，Ｈ：５．７％，Ｎ：４．９％，Ｐ：１０．９％
◎水酸基当量：
２７６ｇ／ｅｑ．（理論値２７９ｇ／ｅｑ．）
【０１３９】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）１．０８］３であることを確認した。
【０１４０】
実施例２（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｃによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた５００ミリリットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液５８．４ｇ（０．５０ｍｏｌ）、クロルベンゼン２００ｍｌおよび４’−イソプロピルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール１４６．２ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３９ｍｌ）、４’−イソプロピルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１４１】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液８７．７ｇ（０．７５ｍｏｌ）、クロルベンゼン５００ｍｌおよびフェノール７０．６ｇ（０．７５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５９ｍｌ）、フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ３００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１４２】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ２５０ｍｌ〕を仕込み、上記４’−イソプロピルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下し、同温度で撹拌反応を４時間行った。続いて、この反応液に上記フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下、４５℃以下で０．５時間かけて滴下し、還流下（８５℃）で撹拌反応を５時間行った。反応終了後、反応液を約７００ｍｌまで濃縮し、クロルベンゼン３００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて内容物を溶解させ、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、クロルベンゼンを留去したところ、淡黄色固体の生成物１８４．３ｇ（収率：９０％）が得られた。この生成物の融点（融解ピーク温度）は６８℃であった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１４３】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
―ＣＨ３ １．４（６Ｈ），−ＣＨ＜ ４．８（１Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．７〜７．３（９Ｈ），７．８〜８．０（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．６
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５８．９％，Ｈ：４．７％，Ｎ：３．４％，Ｐ：７．６％
実測値 Ｃ：５８．８％，Ｈ：４．９％，Ｎ：３．４％，Ｐ：７．３％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１０９１，１２８９，１４８８
【０１４４】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）０．９０（ＯＣ６Ｈ５）１．１０］３であることを確認した。
【０１４５】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１２２．９ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸４５０ｍｌを仕込んだ。これに対し、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液２１８．５ｇ（０．８１ｍｏｌ）を５〜１０℃で１時間かけて滴下した後、５０℃で１６時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３００ｍｌと水２００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、薄茶色固体の生成物１０２．６ｇ（収率：９２％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１４６】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．３（９Ｈ），７．７〜７．９（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．６
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５６．２％，Ｈ：３．７％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．３％
実測値 Ｃ：５６．０％，Ｈ：３．９％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．１％
◎水酸基当量：
３７５ｇ／ｅｑ．（理論値３７２ｇ／ｅｑ．）
【０１４７】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９０（ＯＣ６Ｈ５）１．１０］３であることを確認した。
【０１４８】
実施例３（形態１に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法１−Ａによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液５０．０ｇ（０．６０ｍｏｌ）、４８％ＫＯＨ水溶液７０．１ｇ（０．６０ｍｏｌ）、トルエン３，０００ｍｌおよび４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール３４８．４ｇ（１．２０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約８４ｍｌ）、４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのナトリウム／カリウム塩を調製した。これに、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのトルエン溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、トルエン３００ｍｌ〕を撹拌下２０〜２５℃で１時間かけて滴下した後、還流下（１０８℃）で８時間撹拌して反応を行った。反応終了後、反応液に水１，０００ｍｌを加えて内容物を溶解させ、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硝酸で中和し、更に水で３回洗浄した後、トルエンを留去したところ、白色固体の生成物２８６．１ｇ（収率：９２％）が得られた。この生成物の融点（融解ピーク温度）は１６４℃であった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１４９】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ４．６（４Ｈ），＝ＣＨ２ ５．３〜５．４（４Ｈ），−ＣＨ＝ ６．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．１（８Ｈ），７．８〜８．０（８Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３８．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５７．８％，Ｈ：４．２％，Ｎ：２．２％，Ｐ：５．０％
実測値 Ｃ：５７．９％，Ｈ：４．４％，Ｎ：２．１％，Ｐ：４．９％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
【０１５０】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２］３であることを確認した。
【０１５１】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１８７．１ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸１，０００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液３２３．６g（１．２０ｍｏｌ）を５〜１０℃で２時間かけて滴下した後、５０℃で８時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にＭＩＢＫ５００ｍｌと水５００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、白色固体の生成物１４１．９ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１５２】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ７．０〜７．２（８Ｈ），７．８〜８．０（８Ｈ），−ＯＨ ９．５（２Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ８．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５３．０％，Ｈ：３．３％，Ｎ：２．６％，Ｐ：５．７％
実測値 Ｃ：５２．８％，Ｈ：３．６％，Ｎ：２．５％，Ｐ：５．６％
◎水酸基当量：
２７０ｇ／ｅｑ．（理論値２７２ｇ／ｅｑ．）
【０１５３】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）２］３であることを確認した。
【０１５４】
実施例４（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｄによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液５８．４ｇ（０．５０ｍｏｌ）、クロルベンゼン４５０ｍｌおよびフェノール４７．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３９ｍｌ）、フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１５５】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液７６．０ｇ（０．６５ｍｏｌ）、クロルベンゼン８００ｍｌおよび４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール１８８．８ｇ（０．６５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５１ｍｌ）、４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ３００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１５６】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ２００ｍｌ〕を仕込み、上記フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下５℃で１０時間かけて滴下し、２５℃で撹拌反応を５時間行った。続いて、この反応液に上記４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（８６℃）で撹拌反応を１０時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、クロルベンゼン６００ｍｌと水６００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、クロルベンゼンを留去したところ、淡黄色固体の生成物２０７．１ｇ（収率：９６％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１５７】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ４．６（２Ｈ），＝ＣＨ２ ５．３〜５．４（２Ｈ）,−ＣＨ＝ ６．０（１Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．２（９Ｈ），７．８〜８．０（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ８．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５８．９％，Ｈ：４．２％，Ｎ：３．２％，Ｐ：７．２％
実測値 Ｃ：５８．７％，Ｈ：４．４％，Ｎ：３．１％，Ｐ：７．０％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１０８７，１２８３，１４８０
【０１５８】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）１．０２（ＯＣ６Ｈ５）０．９８］３であることを確認した。
【０１５９】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１２９．４ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸５００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液１６１．８ｇ（０．６０ｍｏｌ）を５〜１０℃で２時間かけて滴下した後、５０℃で８時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にＭＩＢＫ４００ｍｌと水４００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、黄褐色固体の生成物９９．６ｇ（収率：８５％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１６０】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．２（９Ｈ），７．２〜７．８（４Ｈ）， −ＯＨ ９．５（１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５５．７％，Ｈ：３．６％，Ｎ：３．６％，Ｐ：７．９％
実測値 Ｃ：５５．５％，Ｈ：３．７％，Ｎ：３．５％，Ｐ：７．７％
◎水酸基当量：
３９４ｇ／ｅｑ．（理論値３９１ｇ／ｅｑ．）
【０１６１】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）１．０２（ＯＣ６Ｈ５）０．９８］３であることを確認した。
【０１６２】
実施例５（形態１に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法１−Ａによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液１５２．０ｇ（１．３０ｍｏｌ）、トルエン２，０００ｍｌおよび４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール４４２．５ｇ（１．３０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約１０２ｍｌ）、４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ４００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１６３】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中にクロロホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５２．２ｇ（０．４５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、オクタクロロシクロテトラホスファゼン５．８ｇ（０．０５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ３００ｍｌ〕を仕込み、上記４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下した後、還流下（８６℃）で８時間撹拌して反応を行った。反応終了後、反応液を約１，５００ｍｌまで濃縮し、トルエン５００ｍｌと水１，０００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水で３回洗浄した後、トルエンを留去したところ、白色固体の生成物３１４．８ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物の融点（融解ピーク温度）は１４９℃であった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１６４】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ５．０（４Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（２６Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６３．１％，Ｈ：４．２％，Ｎ：１．９％，Ｐ：４．３％
実測値 Ｃ：６２．８％，Ｈ：４．４％，Ｎ：２．１％，Ｐ：４．２％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
【０１６５】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２］３および［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２］４であることを確認した。
【０１６６】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物２１７．１ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸８００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液３２３．６ｇ（１．２０ｍｏｌ）を５〜１０℃で２時間かけて滴下した後、５０℃で８時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にＭＩＢＫ７００ｍｌと水６００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、白色固体の生成物１４５．１ｇ（収率：８９％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１６７】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（１６Ｈ）， −ＯＨ ９．５（２Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５３．０％，Ｈ：３．３％，Ｎ：２．６％，Ｐ：５．７％
実測値 Ｃ：５２．８％，Ｈ：３．６％，Ｎ：２．５％，Ｐ：５．６％
◎水酸基当量：
２７４ｇ／ｅｑ．（理論値２７２ｇ／ｅｑ．）
【０１６８】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）２］３および［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）２］４であることを確認した。
【０１６９】
実施例６（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｃによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液４１．７ｇ（０．５０ｍｏｌ）、トルエン１，２００ｍｌおよび４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール１７０．２ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３０ｍｌ）、４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのナトリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ６００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７０】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液８７．７ｇ（０．７５ｍｏｌ）、トルエン５５０ｍｌおよびフェノール７０．６ｇ（０．７５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５８ｍｌ）、フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７１】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ３００ｍｌ〕を仕込み、上記４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのナトリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下し、２５℃で撹拌反応を４時間行った。続いて、この反応液に上記フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下、２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（１０３℃）で撹拌反応を２時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、トルエン２００ｍｌと水４００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、トルエンを留去したところ、淡黄色固体の生成物２０１．１ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１７２】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ５．１（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．７〜７．０（４Ｈ），７．０〜７．２（５Ｈ），７．３〜７．４（５Ｈ），７．６〜７．９（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．３
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６２．９％，Ｈ：４．２％，Ｎ：３．０％，Ｐ：６．７％
実測値 Ｃ：６２．９％，Ｈ：４．２％，Ｎ：３．１％，Ｐ：６．９％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１１８７，１４３４，１６８０
【０１７３】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）０．９５（ＯＣ６Ｈ５）１．０５］３であることを確認した。
【０１７４】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１３９．５ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）とトルエン８００ｍｌとを仕込み、窒素雰囲気下で三臭化ホウ素２６．９ｍｌ（０．２９ｍｏｌ）を５〜１０℃で４時間かけて滴下した後、２５〜３０℃で１２時間撹拌熟成した。反応後、反応液を水８００ｍｌに添加し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にトルエンを留去したところ、茶色固体の生成物１０５．９ｇ（収率：９３％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１７５】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．３（９Ｈ），７．７〜７．９（４Ｈ），−ＯＨ ９．５（１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．６
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５６．０％，Ｈ：３．４％，Ｎ：３．７％，Ｐ：８．２％
実測値 Ｃ：５５．７％，Ｈ：３．７％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．４％
◎水酸基当量：
３７８ｇ／ｅｑ．（理論値３８０ｇ／ｅｑ．）
【０１７６】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９５（ＯＣ６Ｈ５）１．０５］３であることを確認した。
【０１７７】
実施例７（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｄによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液４１．７ｇ（０．５０ｍｏｌ）、トルエン２５０ｍｌおよびフェノール４７．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約２９ｍｌ）、フェノールのナトリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７８】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液８７．７ｇ（０．７５ｍｏｌ）、トルエン１，５００ｍｌおよび４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール２３８．８ｇ（０．７５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５９ｍｌ）、４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ５００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７９】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ５００ｍｌ〕を仕込み、上記フェノールのナトリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下し、２５℃で撹拌反応を２時間行った。続いて、この反応液に上記の４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（８５℃）で撹拌反応を１４時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、トルエン５００ｍｌと水１，０００ｍｌを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、トルエンを留去したところ、茶色固体の生成物２２１．９ｇ（収率：９６％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１８０】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．６（６Ｈ），−ＣＨ２− ５．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜６．９（５Ｈ），７．０〜７．１（８Ｈ），７．２〜７．４（５Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．９
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：７４．０％，Ｈ：５．８％，Ｎ：３．０％，Ｐ：６．７％
実測値 Ｃ：７４．２％，Ｈ：５．８％，Ｎ：２．９％，Ｐ：６．６％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１１４３，１３６８，１５９２
【０１８１】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）１．０３（ＯＣ６Ｈ５）０．９７］３であることを確認した。
【０１８２】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１３８．７ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、Ｐｄ／Ｃ（Ｄｅｇｕｓｓａ社製、“Ｅ １０１ ＮＥ／Ｗ”：１０％Ｐｄ）３．８ｇおよびメタノール２，５００ｍｌを仕込み、水素雰囲気下５０℃で５時間撹拌反応した。反応終了後、反応液を濾過してＰｄ／Ｃを除去し、この濾液を濃縮してメタノールを留去した。そして、残留物にＭＩＢＫ１，０００ｍｌと水７００ｍｌとを添加して溶解し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄し、ＭＩＢＫを留去したところ、茶色固体の生成物９６．４ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１８３】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．７（６Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜６．９（４Ｈ），６．９〜７．２（５Ｈ），７．２〜７．３（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ １０．０
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６９．２％，Ｈ：５．５％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．４％
実測値 Ｃ：６９．３％，Ｈ：５．３％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．３％
◎水酸基当量：
３７１ｇ／ｅｑ．（理論値３６９ｇ／ｅｑ．）
【０１８４】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）１．０３（ＯＣ６Ｈ５）０．９７］３であることを確認した。
【０１８５】
実施例８（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ａによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に窒素雰囲気下で１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）５００ｍｌおよび６０％ＮａＨ／油性４４．０ｇ（１．１０ｍｏｌ）を仕込んだ。これに撹拌下でｐ−クレゾールおよび１，３，３−トリメチル−１−（４−ベンジルオキシフェニル）インダン−６−オール（４５％）と１，３，３−トリメチル−１−（４−ビドロキシフェニル）−６−ベンジルオキシインダン（５５％）との混合物のＤＭＥ溶液〔ｐ−クレゾール５４．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）、１，３，３−トリメチル−１−（４−ベンジルオキシフェニル）インダン−６−オール９６．７ｇ（０．２７ｍｏｌ）、１，３，３−トリメチル−１−（４−ビドロキシフェニル）−６−ベンジルオキシインダン１１８．８ｇ（０．３３ｍｏｌ）、ＤＭＥ１，０００ｍｌ〕を５℃以下で２時間かけて滴下した後、５０℃で２時間撹拌し、上記ｐ−クレゾールとインダン誘導体とのナトリウム塩を調製した。
【０１８６】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中にシクロホスファゼンのＤＭＥ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン４６．４ｇ（０．４０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、オクタクロロシクロテトラホスファゼン５．８ｇ（０．０５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、デカクロロシクロペンタホスファゼン２．９ｇ（０．０２５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ドデカクロロシクロヘキサホスファゼン１．７ｇ（０．０１５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、テトラデカクロロシクロヘプタホスファゼン以上の大環状物１．２ｇ（０．０１ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＤＭＥ５００ｍｌ〕を仕込み、上記のｐ−クレゾールとインダン誘導体とのナトリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（７５℃）で撹拌反応を８時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、トルエン５００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて内容物を溶解させ、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、ＤＭＥおよびトルエンを留去したところ、黄色固体の生成物２２８．４ｇ（収率：８９％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１８７】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．０〜１．６（１２Ｈ），−ＣＨ２− ２．１〜２．４（２Ｈ），−ＣＨ２− ５．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（１１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４，五、六量体（Ｐ＝Ｎ）５，６ −１７．０，七量体以上（Ｐ＝Ｎ）≧７ −１８．０〜−２３．０
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：７５．５％，Ｈ：６．４％，Ｎ：２．７％，Ｐ：６．０％
実測値 Ｃ：７５．２％，Ｈ：６．６％，Ｎ：２．７％，Ｐ：５．８％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
【０１８８】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｉｎｄａｎｅ−ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）１．０５（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）０．９５］ｎおよび［Ｎ＝Ｐ（Ｏ−Ｉｎｄａｎｅ−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）０．９８（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）１．０２］ｎの混合物であることを確認した。
【０１８９】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１５４．０ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）およびトルエン１，０００ｍｌを仕込んだ。これに窒素雰囲気下でヨウ化トリメチルシラン１２０．１ｇ（０．６０ｍｏｌ）を５〜１０℃で１０時間かけて滴下した後、２５〜３０℃で１２時間撹拌反応した。反応終了後、反応液を水１，０００ｍｌに投入し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄し、トルエンを留去したところ、黄色固体の生成物１１３．９ｇ（収率：９０％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１９０】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．０〜１．６（１２Ｈ），−ＣＨ２− ２．１〜２．４（２Ｈ），−ＣＨ２− ５．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（１１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４，五、六量体（Ｐ＝Ｎ）５，６ −１７．０，七量体以上（Ｐ＝Ｎ）≧７ −１８．０〜−２３．０
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：７１．６％，Ｈ：６．３％，Ｎ：３．３％，Ｐ：７．３％
実測値 Ｃ：７０．２％，Ｈ：６．２％，Ｎ：３．３％，Ｐ：７．１％
◎水酸基当量：
４１８ｇ／ｅｑ．（理論値４２２ｇ／ｅｑ．）
【０１９１】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｉｎｄａｎｅ−ＯＨ）１．０５（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）０．９５］ｎおよび［Ｎ＝Ｐ（Ｏ−Ｉｎｄａｎｅ−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９８（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）１．０２］ｎの混合物であることを確認した。
【０１９２】
比較例１（環状ホスファゼン化合物の製造）
ＰＨＯＳＰＨＯＲＵＳ−ＮＩＴＲＯＧＥＮ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、Ｈ．Ｒ．ＡＬＬＣＯＣＫ著、１９７２年刊、１５１頁、ＡＣＡＤＥＭＩＣ ＰＲＥＳＳ社に記載されている方法に従い、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン８１％とオクタクロロシクロテトラホスファゼン１９％とのシクロホスファゼン混合物を用いて［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ５）２］３と［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ５）２］４との混合物（白色固体／融点：６５〜１１２℃）を得た。
【０１９３】
実施例９〜１７および比較例２、３（樹脂組成物の調製）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であるエピコート１００１（ジャパン・エポキシ・レジン社製：エポキシ当量４５６ｇ／ｅｑ．、樹脂固形分７０％）６５１部、クレゾールノボラックエポキシ樹脂であるＹＤＣＮ−７０４Ｐ（東都化成株式会社製：エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ．、樹脂固形分７０％）３００部、水酸化アルミニウム３６１部および２−エチル−４−メチルイミダゾール０．９部に対し、実施例１〜３、５、７、８で製造したヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物若しくは比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物並びにノボラック型フェノール樹脂であるＢＲＧ−５５８（昭和高分子株式会社製：水酸基当量１０６ｇ／ｅｑ．、樹脂固形分７０％）を表１に示す割合で添加し、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ）を加えて樹脂固形分６５％のエポキシ樹脂ワニスを調製した。
【０１９４】
次に、調製したエポキシ樹脂ワニスを１８０μｍガラス織布に塗布して含浸させ、１６０℃の温度で乾燥してプリプレグを製造した。こうして得られた１８０μｍガラス織布プリプレグを８枚積層し、これを１７０℃の温度、４ＭＰａの圧力で１００分間加熱・加圧して厚さ１／１６インチのガラスエポキシ積層板を得た。
【０１９５】
このガラスエポキシ積層板から長さ５インチ、幅０．５インチ、厚さ１／１６インチの試験片を切り出し、この試験片について燃焼性、ガラス転移温度および耐熱性を調べた。各項目の評価方法は次の通りである。結果を表１に示す。
【０１９６】
（燃焼性）
アンダーライターズラボラトリーズ（Ｕｎｄｅｒｗｒｉｔｅｒ’ｓ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ Ｉｎｃ．）のＵＬ−９４規格垂直燃焼試験に基づき、１０回接炎時の合計燃焼時間と燃焼時の滴下物による綿着火の有無により、Ｖ−０、Ｖ−１、Ｖ−２および規格外の四段階に分類した。評価基準を以下に示す。難燃性レベルはＶ−０＞Ｖ−１＞Ｖ−２＞規格外の順に低下する。
【０１９７】
Ｖ−０：下記の条件を全て満たす。
（Ａ）試験片５本を１本につき二回ずつ、合計１０回の接炎後からの消炎時間の合計が５０秒以内。
（Ｂ）試験片５本を１本につき二回ずつ接炎を行い、それぞれの接炎後からの消炎時間が５秒以内。
（Ｃ）すべての試験片で滴下物による、３００ｍｍ下の脱脂綿への着火がない。
（Ｄ）すべての試験片で、二回目の接炎後のグローイングは３０秒以内。
（Ｅ）すべての試験片で、クランプまでフレーミングしない。
【０１９８】
Ｖ−１：下記の条件を全て満たす。
（Ａ）試験片５本を１本につき二回ずつ、合計１０回の接炎後からの消炎時間の合計が２５０秒以内。
（Ｂ）試験片５本を１本につき二回ずつ接炎を行い、それぞれの接炎後からの消炎時間が３０秒以内。
（Ｃ）すべての試験片で滴下物による、３００ｍｍ下の脱脂綿への着火がない。
（Ｄ）すべての試験片で、二回目の接炎後のグローイングは６０秒以内。
（Ｅ）すべての試験片で、クランプまでフレーミングしない。
【０１９９】
Ｖ−２：下記の条件を全て満たす。
（Ａ）試験片５本を１本につき二回ずつ、合計１０回の接炎後からの消炎時間の合計が２５０秒以内。
（Ｂ）試験片５本を１本につき二回ずつ接炎を行い、それぞれの接炎後からの消炎時間が３０秒以内。
（Ｃ）試験片５本のうち、少なくとも１本は、滴下物による、３００ｍｍ下の脱脂綿への着火がある。
（Ｄ）すべての試験片で、二回目の接炎後のグローイングは６０秒以内。
（Ｅ）すべての試験片で、クランプまでフレーミングしない。
【０２００】
（ガラス転移温度）
ＪＩＳ Ｋ ７１２１−１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」に準じ、ＤＳＣによって測定した。
【０２０１】
（耐熱性）
試験片を２９０℃で２０分間処理し、外観の変化を観察した。表１において、「有」は、環状ホスファゼン化合物のブリードアウトによる外観変化がないことを示す。また、「無」は、環状ホスファゼン化合物のブリードアウトによる外観変化があることを示している。
【０２０２】
【表１】
【０２０３】
表１から明らかなように、実施例９〜１７の樹脂組成物からなるガラスエポキシ積層板（樹脂成形体）は、比較例２、３のものに比べ、難燃性に優れ、また、ガラス転移温度が高いことから機械的物性が優れており、しかも、耐熱性で評価した環状ホスファゼン化合物のブリードアウトが実質的に見られない。
【０２０４】
実施例１８〜２４および比較例４、５（樹脂組成物の調製）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂であるＥＳＣＮ−１９５ＸＬ（住友化学株式会社製：エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．）１０部、球状溶融シリカ（龍森株式会社製：平均粒径２０μｍ）１００部、カルナバワックス（東亜化成株式会社製）０．５部およびＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７）０．５部の混合物に対し、実施例１〜３、５、７若しくは８で製造したヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物または比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物並びにフェノールノボラック樹脂であるＤＬ−９２（明和化成株式会社製：フェノール性水酸基当量１１０）を表２に示す割合で配合して常温で混合した。そして、これを９０〜９５℃で混練した後に冷却粉砕し、成形材料を製造した。この成形材料からなる成形品について、燃焼性および高温放置信頼性を評価した。評価方法は下記の通りである。結果を表２に示す。
【０２０５】
（燃焼性）
成形材料を１７５℃に加熱した金型内にトランスファー注入して８時間の後硬化処理をし、長さ５インチ、幅０．５インチ、厚さ１／３２インチの成形品（封止品）を得た。この成形品について、実施例９〜１７および比較例２、３の場合と同じく、ＵＬ−９４規格垂直燃焼試験に準拠して燃焼性を評価した。
【０２０６】
（高温放置信頼性）
上述の混合物に対して添加したヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物等の安定性評価のため、次のような試験を行った。成形材料を用いて２本のアルミ配線を有するシリコン製チップ（テスト素子）を通常の４２アロイフレームに接着し、これを１７０℃で４分間トランスファー成形した後、１７０℃において４時間後硬化処理した。このようにして得られた２０個の成形品を、３０℃，６０％，１００時間の吸湿処理した後、２５０℃の半田浴に１０秒間浸漬した。その後、２００℃における高温放置試験を２，０００時間実施し、アルミニウム配線のオープン・ショートをしたものを不良成形品として評価した。
【０２０７】
【表２】
【０２０８】
表２より明らかなように、実施例１８〜２４の成形材料は、比較例４、５のものに比べ、難燃性および高温放置信頼性に優れた樹脂成形品を形成することができる。
【０２０９】
合成例１（可溶性ポリイミド樹脂の合成）
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのガラス製フラスコ中に、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン２７７．７ｇ（０．９５ｍｏｌ）および３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル１０．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）７００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で撹拌溶解した。次に、フラスコ内の溶液を窒素雰囲気下で撹拌し、４、４’−（４、４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物（ＩＰＢＰ）のＤＭＦ溶液［ＩＰＢＰ５２０．５ｇ（１．００ｍｏｌ）、ＤＭＦ１，１００ｍｌ］を５〜１０℃で２時間かけて滴下し、さらに室温で３時間撹拌してポリアミド酸溶液を得た。得られたポリアミド酸溶液２，５００ｇをフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）でコートしたトレイに移し、真空オーブンで減圧加熱（条件：２００℃、５．７ｈＰａ以下、６時間）することによって、可溶性ポリイミド樹脂７５０ｇを得た。
【０２１０】
合成例２（２官能ＰＰＥオリゴマーの合成）
撹拌機、温度計、還流冷却管および空気導入管を備えた２リットルのガラス製フラスコ中にＣｕＣｌ１．３ｇ（０．０１２ｍｏｌ）、ジ−ｎ−ブチルアミン７０．７ｇ（０．５５ｍｏｌ）およびメチルエチルケトン５００ｍｌを仕込み、反応温度４０℃にて撹拌を行い、予めメチルエチルケトン１，０００ｍｌに溶解させた４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）４５．４ｇ（０．１６ｍｏｌ）と２，６−ジメチルフェノール５８．６ｇ（０．４８ｍｏｌ）とを２リットル／分の空気のバブリングを行いながら２時間かけて滴下し、その後、１時間、２リットル／分の空気のバブリングを続けながら撹拌を行った。そして、これにエチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウム水溶液を加え、反応を停止した。その後、３％塩酸水溶液で３回洗浄を行った後、イオン交換水でさらに洗浄を行った。得られた溶液を濃縮し、さらに減圧乾燥を行い、両末端にヒドロキシル基を有する２官能ＰＰＥオリゴマーを１０１．３ｇ得た。このオリゴマーは、数平均分子量が８６０、重量平均分子量が１，１５０、水酸基当量が４５５ｇ／ｅｑ．であった。
【０２１１】
実施例２５（樹脂組成物の調製）
合成例１で得られた可溶性ポリイミド樹脂５０．０ｇ、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社の商品名“ＨＰ７２００”：エポキシ当量２７７ｇ／ｅｑ．）２５．０ｇ、実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物（水酸基当量３７５ｇ／ｅｑ．）３３．８ｇおよび硬化促進剤である２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル（四国化成株式会社の商品名“２Ｅ４ＭＺ”）０．３ｇをジオキソランに溶解し、樹脂溶液（樹脂組成物）を得た。
【０２１２】
得られた樹脂溶液を、１２５μｍ厚ＰＥＴフィルム（東洋メタライジング株式会社の商品名“セラピールＨＰ”）の表面上にキャストした。その後、熱風オーブンにて６０℃、８０℃、１００℃、１２０℃および１４０℃の各温度でそれぞれ３分間加熱乾燥させ、ＰＥＴフィルムを支持体とする２層の樹脂シートを得た。この２層の樹脂シートから、ＰＥＴフィルムを剥離除去し、単層の樹脂シート（加熱硬化前の厚み５０μｍ）を得た。得られた樹脂シートを、１８μｍの圧延銅箔（ジャパンエナジー株式会社の商品名“ＢＨＹ−２２Ｂ−Ｔ”）で樹脂表面と銅箔粗化面とが接するように挟み込み、温度１８０℃、圧力３ＭＰａの条件で１時間加熱加圧した後、銅箔積層体（単層の樹脂シートを圧延銅箔で挟持したもの）を得た。このようにして得られた、両面に銅箔層を有する銅箔積層体について、半田耐熱性を評価した。また、得られた銅箔積層体の銅箔をエッチングにより除去し、硬化シートを得た。得られた硬化シートについて、実施例９〜１７および比較例２、３と同様にして燃焼性およびガラス転移温度を測定した。結果を表３に示す。なお、半田耐熱性の評価方法は次の通りである。
【０２１３】
銅箔積層体から長さ３０ｍｍ、幅１５ｍｍの試験片を切り出し、この試験片を温度２２．５〜２３．５℃、湿度３９．５〜４０．５％の環境下で２４時間放置した。そして、２７０℃の溶融半田に試験片を１分間ディップし、片側の銅箔のみをエッチングした。その後、目視にて樹脂部分を観察し、発泡や膨れ等の異常がなければ合格とし、２０検体中の不合格数を調べた。
【０２１４】
実施例２６〜２８（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、表３に示した環状ホスファゼン化合物を同表に表示の配合量で使用した点を除いて実施例２５と同様に操作し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例２５と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表３に示す。
【０２１５】
比較例６（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物３０．０ｇおよびフェノールノボラック型フェノール樹脂（群栄化学株式会社の商品名“ＰＳＭ−４３２４”：水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ．）９．４ｇを使用した点を除き、実施例２５と同様にして樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例２５と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および難燃性を評価した。結果を表３に示す。
【０２１６】
【表３】
【０２１７】
実施例２９（樹脂組成物の調製）
合成例１で得られた可溶性ポリイミド樹脂５０ｇ、ビスフェノールＡ系シアン酸エステル化合物である２，２’−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン（Ｌｏｎｚａ社の商品名“ＢＡＤＣｙ”）２８．０ｇおよび実施例２で得られた環状ホスファゼン化合物（水酸基当量＝３７５ｇ／ｅｑ．）３３．８ｇをジオキソランに溶解し、樹脂溶液（樹脂組成物）を得た。
【０２１８】
この樹脂溶液を、１２５μｍ厚のＰＥＴフィルム（東洋メタライジング株式会社の商品名“セラピールＨＰ”）の表面上にキャストした。その後、熱風オーブンにて６０℃、８０℃、１００℃、１２０℃および１４０℃の各温度でそれぞれ３分加熱乾燥させ、ＰＥＴフィルムを支持体とする２層の樹脂シートを得た。この２層の樹脂シートから、ＰＥＴフィルムを剥離除去し、単層の樹脂シート（加熱硬化前の厚み５０μｍ）を得た。得られた樹脂シートを、１８μｍの圧延銅箔（ジャパンエナジー株式会社の商品名“ＢＨＹ−２２Ｂ−Ｔ”）で樹脂表面と銅箔粗化面とが接するように挟み込み、温度２００℃、圧力３ＭＰａの条件で１時間加熱加圧して銅箔積層体（単層の樹脂シートを圧延銅箔で挟持したもの）を得た。そして、この銅箔積層体について、実施例２５と同様の方法で半田耐熱性を評価した。また、銅箔積層体の銅箔をエッチングにより除去して得られた硬化シートについて、実施例２５と同様の方法により燃焼性およびガラス転移温度を測定した。結果を表４に示す。
【０２１９】
実施例３０〜３２（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、表４に示した環状ホスファゼン化合物を同表に表示の配合量で使用した点を除いて実施例２９と同様に操作し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例２９と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表４に示す。
【０２２０】
比較例７（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物３０．０ｇとフェノールノボラック型フェノール樹脂（群栄化学株式会社の商品名“ＰＳＭ−４３２４”：水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ．）９．４ｇとを使用した点を除き、実施例２９と同様にして樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて、実施例２９と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表４に示す。
【０２２１】
【表４】
【０２２２】
実施例３３（樹脂組成物の調製）
合成例２で得られた２官能ＰＰＥオリゴマー（水酸基当量：４５５ｇ／ｅｑ）２２．８ｇ、実施例１で得られた環状ホスファゼン化合物（水酸基当量２７６ｇ／ｅｑ．）１３．８ｇおよび ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン株式会社の商品名“Ｅｐｉｋｏｔｅ８２８”：エポキシ当量１８８ｇ／ｅｑ．）１８．８ｇをジオキソランに溶解し、樹脂溶液（樹脂組成物）を得た。
【０２２３】
この樹脂溶液を、１２５μｍ厚のＰＥＴフィルム（東洋メタライジング株式会社の商品名“セラピールＨＰ”）の表面上にキャストした。その後、熱風オーブンにて６０℃、８０℃、１００℃、１２０℃および１４０℃の各温度でそれぞれ３分間加熱乾燥させ、ＰＥＴフィルムを支持体とする２層の樹脂シートを得た。この２層の樹脂シートから、ＰＥＴフィルムを剥離除去し、単層の樹脂シート（加熱硬化前の厚みは５０μｍ）を得た。得られた樹脂シートを、１８μｍの圧延銅箔（ジャパンエナジー株式会社の商品名“ＢＨＹ−２２Ｂ−Ｔ”）で樹脂表面と銅箔粗化面とが接するように挟み込み、温度１８０℃、圧力３ＭＰａの条件で１時間加熱加圧して銅箔積層体（単層樹脂シートを圧延銅箔で挟持したもの）を得た。そして、この銅箔積層体について、実施例２５と同様の方法で半田耐熱性を評価した。また、銅箔積層体の銅箔をエッチングにより除去して得られた硬化シートについて、実施例２５と同様の方法により燃焼性およびガラス転移温度を測定した。結果を表５に示す。
【０２２４】
実施例３４〜３６（樹脂組成物の調製）
実施例１で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、表５に示した環状ホスファゼン化合物を同表に表示の配合量で使用した点を除いて実施例３３と同様に操作し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて、実施例３３と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表５に示す。
【０２２５】
比較例８（樹脂組成物の調製）
実施例１で製造した環状ホスファゼン化合物とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に代えて、比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物１５．０ｇとビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン株式会社の商品名“Ｅｐｉｋｏｔｅ８２８”：エポキシ当量１８８ｇ／ｅｑ．）９．４ｇを使用した点を除き、実施例３３と同様にして樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて、実施例３３と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表５に示す。
【０２２６】
【表５】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、環状ホスファゼン化合物およびその製造方法、特に、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
産業用および民生用の機器並びに電気製品などの分野において、合成樹脂は、その加工性、耐薬品性、耐候性、電気的特性および機械的強度等の点で他の材料に比べて優位性を有するため多用されており、また、使用量が増加している。しかし、合成樹脂は、燃焼し易い性質を有するため、難燃性の付与が求められており、近年その要求性能が次第に高まっている。このため、ＬＳＩ等の電子部品の封止剤や基板等に使用されている樹脂組成物、例えばエポキシ樹脂組成物は、難燃化するために、ハロゲン含有化合物やハロゲン含有化合物と酸化アンチモンなどのアンチモン化合物との混合物が一般的な難燃剤として添加されている。ところが、このような難燃剤を配合した樹脂組成物は、燃焼時や成形時等において、環境汚染のおそれがあるハロゲン系ガスを発生する可能性がある。また、ハロゲン系ガスは、電子部品の電気的特性や機械的特性を阻害する可能性がある。そこで、最近では、合成樹脂用の難燃剤として、燃焼時や成形時等においてハロゲン系ガスが発生しにくい非ハロゲン系のもの、例えば、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムなどの金属水和物系難燃剤やリン酸エステル系、縮合リン酸エステル系、リン酸アミド系、ポリリン酸アンモニウム系およびホスファゼン系などのリン系難燃剤が多用されるようになっている。
【０００３】
このうち、金属水和物系難燃剤は、脱水熱分解の吸熱反応とそれに伴う水の放出が合成樹脂の熱分解や燃焼開始温度と重複した温度領域で起こることで難燃化効果を発揮するが、その効果を高めるためには樹脂組成物に対して多量に配合する必要がある。このため、この種の難燃剤を含む樹脂組成物の成形品は、機械的強度が損なわれるという欠点がある。一方、リン系難燃剤のうち、リン酸エステル系および縮合リン酸エステル系のものは、可塑効果を有するため、難燃性を高めるために樹脂組成物に対して多量に添加すると、樹脂成形品の機械的強度が低下するなどの欠点が生じる。また、リン酸エステル系、リン酸アミド系およびポリリン酸アンモニウム系のものは、容易に加水分解することから、機械的および電気的な長期信頼性が要求される樹脂成形品の製造用材料においては実質的に使用が困難である。これらに対し、ホスファゼン系の難燃剤は、他のリン系難燃剤に比べて可塑効果および加水分解性が小さく、樹脂組成物に対する添加量を大きくすることができるため、特許文献１〜５に記載のように、合成樹脂用の有効な難燃剤として多用されつつあるが、樹脂組成物に対する添加量を増やすと、高温下における樹脂成形品の信頼性を損なう可能性がある。具体的には、熱可塑性樹脂系の樹脂組成物の場合は、高温下においてその樹脂成形体からホスファゼン系の難燃剤がブリードアウト（溶出）し易く、また、熱硬化性樹脂系の樹脂組成物の場合は、高温下においてその樹脂成形品にフクレ等の変形が発生し、当該樹脂成形品が積層基板等の電気・電子分野において用いられる場合は変形によるショートを引き起こす可能性がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１０３９３９号公報
【特許文献２】特開２００４−８３６７１号公報
【特許文献３】特開２００４−２１０８４９号公報
【特許文献４】特開２００５−８８３５号公報
【特許文献５】特開２００５−２４８１３４号公報
【０００５】
そこで、ホスファゼン系の難燃剤は、高温下での樹脂成形品の信頼性（高温信頼性）を高めるための改良が検討されており、その例として特許文献６〜１０には、ヒドロキシル基を有するホスファゼン系の難燃剤およびそれを用いたエポキシ樹脂組成物が開示されている。この種のホスファゼン系難燃剤は、樹脂組成物に対して多量に添加した場合であっても樹脂成形品の高温信頼性を損ないにくいが、添加量を増しても樹脂成形品の難燃性を効果的に高めるのが困難という、それが要求される本質的効果の点で不十分であり、また、樹脂成形品の機械的特性（特に、高いガラス転移温度）を損なうことにもなる。
【０００６】
【特許文献６】特開平６−２４７９８９号公報
【特許文献７】特開平１０−２５９２９２号公報
【特許文献８】特開２００３−３４２３３９号公報
【特許文献９】特開２００４−１４３４６５号公報
【特許文献１０】特開２００４−１４３４６６号公報
【０００７】
本発明の目的は、樹脂成形体の機械的特性を損なわずにその難燃性を効果的に高めることができ、しかも樹脂成形体の高温信頼性を損ないにくいホスファゼン化合物を実現することにある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上述の課題を解決すべく研究を重ねた結果、ヒドロキシル基を有する新規なホスファゼン化合物を含む樹脂組成物からなる成形体が優れた機械的特性および難燃性を示し、同時に高温下での信頼性が高いことを見出した。
【０００９】
本発明のホスファゼン化合物は、下記の式（１）で表されるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物である。
【００１０】
【化１】
【００１１】
式（１）中、ｎは３〜１５の整数を示す。また、Ａは、下記のＡ１基、Ａ２基およびＡ３基からなる群から選ばれた基を示しかつ少なくとも一つがＡ３基である。
Ａ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ａ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ａ３基：下記の式（２）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および下記の式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００１２】
【化２】
【００１３】
【化３】
【００１４】
式（３）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。
【００１５】
【化４】
【００１６】
【化５】
【００１７】
式（４）および式（５）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。
【００１８】
このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、例えば、式（１）において、２ｎ個のＡのうちの２〜（２ｎ−２）個がＡ３基である。また、このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、例えば、式（１）のｎが３若しくは４である。さらに、このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、例えば、式（１）のｎが異なる二種以上のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を含んでいる。
【００１９】
本発明に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、次の工程Ａと工程Ｂとを含んでいる。
［工程Ａ］
下記の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドの全ハロゲン原子を、少なくとも一つが下記のＥ３基により置換されるよう下記のＥ１基、Ｅ２基およびＥ３基からなる群から選ばれた基により置換し、環状ホスホニトリル置換体を製造する工程。
【００２０】
【化６】
式（６）中、ｎは３〜１５の整数を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。
【００２１】
Ｅ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ｅ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ｅ３基：下記の式（７）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（８）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（９）で示される置換インダンオキシ基および下記の式（１０）で示される置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００２２】
【化７】
【００２３】
【化８】
【００２４】
【化９】
【００２５】
【化１０】
【００２６】
式（７）、式（８）、式（９）および式（１０）中のＺは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示す。式（８）中のＹは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。式（９）および式（１０）中のＲ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。
【００２７】
［工程Ｂ］
工程Ａにおいて得られた環状ホスホニトリル置換体のＥ３基から保護基（Ｚ）を脱離させる工程。
【００２８】
本発明の樹脂組成物は、樹脂成分と、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物とを含んでいる。樹脂成分は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂および変性ポリフェニレンエーテルからなる群から選ばれたものであるである。
【００２９】
本発明の樹脂成形体は、本発明の樹脂組成物からなるものである。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、上述のような特定の構造を有するものであるため、樹脂成形体の機械的特性を損なわずにその難燃性を効果的に高めることができ、しかも樹脂成形体の高温信頼性を損ないにくい。
【００３１】
本発明に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、上述のような工程Ａおよび工程Ｂを含むものであるため、本発明に係る上述のような特定の構造を有するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造することができる。
【００３２】
本発明の樹脂組成物は、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を難燃剤として含むため、実用的な機械的特性および難燃性を示し、しかも高温信頼性の高い樹脂成形体を得ることができる。
【００３３】
本発明の樹脂成形体は、本発明の樹脂組成物からなるため、実用的な機械的特性および難燃性を示し、しかも高温信頼性が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、下記の式（１）で表されるものである。
【００３５】
【化１１】
【００３６】
式（１）において、ｎは、３から１５の整数を示しているが、３から８の整数が好ましく、３若しくは４が特に好ましい。すなわち、このヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物として特に好ましいものは、ｎが３のヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン（３量体）およびｎが４のヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン（４量体）である。また、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、ｎが異なる二種以上のものの混合物であってもよい。
【００３７】
また、式（１）において、Ａは、下記のＡ１基、Ａ２基およびＡ３基からなる群から選ばれた基を示している。但し、Ａのうちの少なくとも一つはＡ３基である。
【００３８】
［Ａ１基］
炭素数が１〜８のアルコキシ基。このアルコキシ基は、炭素数が１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、エテニルオキシ基、１−プロペニルオキシ基、２−プロペニルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、３−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−プロペニルオキシ基、４−ペンテニルオキシ基、２−ヘキセニルオキシ基、１−プロピル−２−ブテニルオキシ基、５−オクテニルオキシ基、ベンジルオキシ基および２−フェニルエトキシ基等を挙げることができる。このうち、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロペニルオキシ基およびベンジルオキシ基が好ましく、エトキシ基およびｎ−プロポキシ基が特に好ましい。
【００３９】
［Ａ２基］
炭素数が６〜２０のアリールオキシ基。このアリールオキシ基は、炭素数が１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、エチルメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、ｎ−プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、イソプロピルメチルフェノキシ基、イソプロピルエチルフェノキシ基、ジイソプロピルフェノキシ基、ｎ−ブチルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ｎ−ペンチルフェノキシ基、ｎ−ヘキシルフェノキシ基、エテニルフェノキシ基、１−プロペニルフェノキシ基、２−プロペニルフェノキシ基、イソプロペニルフェノキシ基、１−ブテニルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブテニルフェノキシ基、１−ペンテニルフェノキシ基、１−ヘキセニルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基およびフェナントリルオキシ基等を挙げることができる。このうち、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、２−プロペニルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が好ましく、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が特に好ましい。
【００４０】
［Ａ３基］
下記の式（２）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基（すなわち、４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基）、下記の式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および下記の式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００４１】
【化１２】
【００４２】
【化１３】
【００４３】
式（３）において、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。したがって、式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基は、具体的には、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルチオ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシベンジル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルエチリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニル（１’−メチルプロピリデン）−４−フェニルオキシ基若しくは４’−ヒドロキシベンゾイル−４−フェニルオキシ基である。
【００４４】
【化１４】
【００４５】
【化１５】
【００４６】
式（４）および式（５）において、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示しており、アルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基の場合は、それぞれ、結合している環構造に対して同種若しくは異種のものが複数個結合していてもよい。
【００４７】
式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基としては、例えば、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｉｓｏ−プロピル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｉｓｏ−プロピルフェニル）インダン−６−オールおよび１，３，３―トリメチル―５−フェニル−１−（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）インダン−６−オール等のインダン化合物が有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基を挙げることができる。すなわち、式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基としては、例えば、上述の各種インダン化合物において、インダンの６位に結合しているヒドロキシル基から水素を除いた残基を挙げることができる。式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基としては、例えば、上述の各種インダン化合物において、インダンの１位に結合しているフェノール基のヒドロキシル基から水素を除いた残基を挙げることができる。
【００４８】
上述のＡ３基として好ましいものは、４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルチオ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシベンゾイル−４−フェニルオキシ基並びに１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールおよび１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基である。このうち、４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基および１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基が特に好ましい。
【００４９】
式（１）において、Ａは、２ｎ個含まれており、このうちの少なくとも一つがＡ３基である。したがって、式（１）で表される本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、次の形態に大別することができる。
【００５０】
［形態１］
２ｎ個の全てのＡがＡ３基のものである。この場合、Ａは、全てが同じＡ３基であってもよいし、二種以上のＡ３基であってもよい。
【００５１】
このような形態のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Ａの全てが４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルオキシ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルチオ−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基、４’−ヒドロキシベンゾイル−４−フェニルオキシ基並びに１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールおよび１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基からなるＡ３基群から選ばれた一種のＡ３基であるものおよびＡの全てが当該Ａ３基群から選ばれた二種以上のＡ３基であるもの並びにこれらの任意の混合物を挙げることができる。
【００５２】
［形態２］
２ｎ個のＡのうちの一部（すなわち、少なくとも一つ）がＡ３基であり、他のＡがＡ１基およびＡ２基から選ばれた基のものである。この場合、Ａ３基以外の他のＡは、全てが同じＡ１基若しくはＡ２基であってもよいし、二種以上のＡ１基若しくはＡ２基または一種若しくは二種以上のＡ１基とＡ２基とが混在した状態であってもよい。
【００５３】
この形態のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物として好ましいものは、２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基のものである。特に、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基のもの並びにこれらの任意の混合物である。この種のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、本発明の他のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物に比べ、高温信頼性および機械的強度（特に、ガラス転移温度）がより優れた樹脂成形体を実現可能な点において有利である。
【００５４】
なお、２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基であるか否かは、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物若しくはその製造過程における中間体のＴＯＦ−ＭＳ分析により確認することができる。
【００５５】
このような形態のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物若しくは式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Ａが、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ１基であるｎ−プロポキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのものおよびこれらの任意の混合物を挙げることができる。
【００５６】
このうち、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物、式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式（１）のｎが５であるヒドロキシル基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式（１）のｎが６であるヒドロキシル基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Ａが、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのものおよびこれらの任意の混合物が好ましい。特に、また、式（１）のｎが３であるヒドロキシル基含有シクロトリホスファゼン化合物若しくは式（１）のｎが４であるヒドロキシル基含有シクロテトラホスファゼン化合物であって、Ａが、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルスルホニル−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるメチルフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン−４−フェニルオキシ基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのもの、Ａ３基である１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールが有する二つのヒドロキシル基のうちの一つのヒドロキシル基から水素を除いた残基とＡ２基であるフェノキシ基との組合せのものおよびこれらの任意の混合物が好ましい。
【００５７】
上述のような本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、Ａ３基のヒドロキシル基によって互いに架橋されたものではない。すなわち、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物間での架橋構造を全く有していないものである。本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、このような特徴の点において新規であり、従来のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物とは異なる。
【００５８】
ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、次のような方法により製造することができる。
【００５９】
先ず、下記の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドを用意する。
【化１６】
【００６０】
式（６）において、ｎは、３から１５の整数を示している。また、Ｘは、ハロゲン原子を示し、好ましくはフッ素原子若しくは塩素原子である。因みに、ここで用意する環状ホスホニトリルジハライドは、ｎが異なる数種類のものの混合物であってもよい。
【００６１】
このような環状ホスホニトリルジハライドの製造方法その他は、各種の文献、例えば、下記のような非特許文献１、２に記載されている。
【００６２】
【非特許文献１】ＰＨＯＳＰＨＯＲＵＳ−ＮＩＴＲＯＧＥＮ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、Ｈ．Ｒ．ＡＬＬＣＯＣＫ著、１９７２年刊、ＡＣＡＤＥＭＩＣ ＰＲＥＳＳ社
【非特許文献２】ＰＨＯＳＰＨＡＺＥＮＥＳ、Ａ ＷＯＲＬＤＷＩＤＥ ＩＮＳＩＧＨＴ、Ｍ．ＧＬＥＲＩＡ、Ｒ．ＤＥ ＪＡＥＧＥＲ著、２００４年刊、ＮＯＶＡ ＳＣＩＥＮＣＥ ＰＵＢＬＩＳＨＥＲＳ ＩＮＣ．社
【００６３】
これらの文献に記載されているように、式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドは、通常、重合度が３から１５程度の環状ホスホニトリルジハライドと鎖状ホスホニトリルジハライドとの混合物として得られる。このため、式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドは、上記各文献に記載されているように、当該混合物から溶媒への溶解度の差を利用して鎖状ホスホニトリルジハライドを取り除いて入手するか、或いは、当該混合物から環状ホスホニトリルジハライドを蒸留又は再結晶によって分離して入手する必要がある。
【００６４】
この製造方法において用いる環状ホスホニトリルジハライドとして好ましいものは、例えば、ヘキサフルオロシクロトリホスファゼン（ｎが３のもの）、オクタフルオロシクロテトラホスファゼン（ｎが４のもの）、デカフルオロシクロペンタホスファゼン（ｎが５のもの）、ドデカフルオロシクロヘキサホスファゼン（ｎが６のもの）、ヘキサフルオロシクロトリホスファゼンとオクタフルオロシクロテトラホスファゼンとの混合物、nが３から１５の環状ホスホニトリルジフルオリドの混合物、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン（ｎが３のもの）、オクタクロロシクロテトラホスファゼン（ｎが４のもの）、デカクロロシクロペンタホスファゼン（ｎが５のもの）、ドデカクロロシクロヘキサホスファゼン（ｎが６のもの）、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンとオクタクロロシクロテトラホスファゼンとの混合物およびｎが３から１５の環状ホスホニトリルジクロリドの混合物等である。このうち、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン、オクタクロロシクロテトラホスファゼン、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンとオクタクロロシクロテトラホスファゼンとの混合物およびｎが３から１５の環状ホスホニトリルジクロリドの混合物がより好ましく、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンとオクタクロロシクロテトラホスファゼンとの混合物およびｎが３から１５の環状ホスホニトリルジクロリドの混合物が特に好ましい。
【００６５】
また、上述の環状ホスホニトリルジハライドと反応させる化合物として、次の化合物Ｂ１、化合物Ｂ２および化合物Ｂ３を用意する。
【００６６】
［化合物Ｂ１］
炭素数が１〜８のアルコール類。
このアルコール類は、炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなアルコール類としては、例えば、メタノール、エタノ−ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、ビニルアルコール、１−プロペン−１−オール、２−プロペン−１−オール（アリルアルコール）、１−メチル−１−エテン−１−オール、３−ブテン−１−オール、２−メチル−２−プロペン−１−オール、４−ペンテン−１−オール、２−ヘキセン−１−オール、２−ヘプテン−４−オール、５−オクテン−１−オール、ベンジルアルコールおよびフェネチルアルコール等を挙げることができる。このうち、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、アリルアルコールおよびベンジルアルコールが好ましく、エタノールおよびｎ−プロパノールが特に好ましい。
【００６７】
［化合物Ｂ２］
炭素数が６〜２０のフェノール類。
このフェノール類は、炭素数が１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。
このようなフェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール、エチルフェノール、エチルメチルフェノール、ジエチルフェノール、ｎ−プロピルフェノール、イソプロピルフェノール、イソプロピルメチルフェノール、イソプロピルエチルフェノール、ジイソプロピルフェノール、ｎ−ブチルフェノール、ｓｅｃ−ブチルフェノール、ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｎ−ペンチルフェノール、ｎ−ヘキシルフェノール、ビニルフェノール、１−プロペニルフェノール、２−プロペニルフェノール、イソプロペニルフェノール、１−ブテニルフェノール、ｓｅｃ−ブテニルフェノール、１−ペンテニルフェノール、１−ヘキセニルフェノール、フェニルフェノール、ナフトール、アントラノールおよびフェナントラノール等を挙げることができる。このうち、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール、ジエチルフェノール、２−プロペニルフェノール、フェニルフェノールおよびナフトールが好ましく、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノールおよびナフトールが特に好ましい。
【００６８】
［化合物Ｂ３］
次の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類。
【００６９】
◎化合物Ｂ３−１
下記の式（１１）で表される、一方のヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化１７】
式（１１）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。
【００７０】
このジフェノール類は、下記の式（１２）で表されるジフェノール化合物、すなわち、４，４’−ジフェノールの一方のヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【化１８】
【００７１】
◎化合物Ｂ３−２
下記の式（１３）で表される、一方のヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化１９】
式（１３）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。また、Ｙは、次に説明する式（１４）中のＹと同じである。
【００７２】
この保護ジフェノール類は、下記の式（１４）で表されるジフェノール化合物の一方のヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【化２０】
式（１４）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。式（１４）で表されるジフェノール類は、具体的には、４，４’−オキシジフェノール、４，４’−チオジフェノール、４，４’−スルホニルジフェノール（ビスフェノール−Ｓ）、４，４’−メチレンジフェノール（ビスフェノール−Ｆ）、４，４’−エチリデンジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（ビスフェノール−Ａ）、４，４’−（１−メチルプロピリデン）ジフェノール（ビスフェノール−Ｂ）および４，４−ジヒドロキシベンゾフェノンである。
【００７３】
◎化合物Ｂ３−３
下記の式（１５）で表される、一方のヒドロキシル基、すなわち、インダンの１位に位置する４−ヒドロキシフェニル基のヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化２１】
式（１５）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ、次に説明する式（１６）中のＲ１およびＲ２と同じである。
【００７４】
この保護ジフェノール類は、下記の式（１６）で表されるジフェノール化合物において、インダンの１位に位置する４−ヒドロキシフェニル基のヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【化２２】
式（１６）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示し、当該アルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基の場合は、結合している環構造に対して同種若しくは異種のものが複数個結合していてもよい。式（１６）で表されるジフェノール類は、ｐ−イソプロペニルフェノールの線状二量体、すなわち、２，４−ジ（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−ペンテン−１および２，４−ジ（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−ペンテン−２の混合物を酸触媒の存在下に環化反応させて得た、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オールまたはそのアルキル、シクロアルキル若しくはフェニル誘導体である。具体的には、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｔｅｒｔ−ブチル−１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−ｉｓｏ−プロピル−１−（４−ヒドロキシ−３−ｉｓｏ−プロピルフェニル）インダン−６−オール、１，３，３―トリメチル―５−フェニル−１−（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）インダン−６−オール等を挙げることができる。
【００７５】
◎化合物Ｂ３−４
下記の式（１７）で表される、一方のヒドロキシル基、すなわち、インダンの６位に位置するヒドロキシル基が保護基により保護された保護ジフェノール類。
【化２３】
式（１７）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示している。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ、上記式（１６）中のＲ１およびＲ２と同じである。
【００７６】
この保護ジフェノール類は、上記式（１６）で表されるジフェノール化合物において、インダンの６位に位置するヒドロキシル基を上記保護基により保護することで得ることができる。
【００７７】
上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類、すなわち、式（１１）、式（１３）、式（１５）および式（１７）で示される保護ジフェノール類において、Ｚで示される保護基の種類は、下記の非特許文献３および非特許文献４等の多数の公知文献に記載されている。また、式（１２）、式（１４）および式（１６）で示されるジフェノール類から式（１１）、式（１３）および式（１５）若しくは式（１７）で示される保護ジフェノール類を選択的に調製する方法も、これらの非特許文献において記載されている。
【００７８】
【非特許文献３】ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ、Ｔ．Ｗ．ＧＲＥＥＮＥ、Ｐ．Ｇ．Ｍ．ＷＵＴＳ著、１９９９年刊、ＷＩＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ社
【非特許文献４】ＰＲＯＴＥＣＴＩＮＧ ＧＲＯＵＰ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ（ＯＸＦＯＲＤ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＰＲＩＭＥＲＳ）、Ｊ．ＲＯＢＥＲＴＳＯＮ著、２０００年刊、ＯＸＦＯＲＤ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＰＲＥＳＳ社
【００７９】
Ｚで示される保護基の具体例としては、メチル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、１−エトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アリル基、ベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、トリフェニルメチル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリベンジルシリル基およびトリイソプロピルシリル基等を挙げることができる。これらの保護基のうち、メチル基、メトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アリル基、ベンジル基およびｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基が好ましく、メチル基、メトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アリル基およびベンジル基が特に好ましい。
【００８０】
上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４として好ましいものの具体例は、次の通りである。
［化合物Ｂ３−１］
４’−メトキシフェニル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニル−４−フェノール等。
【００８１】
［化合物Ｂ３−２］
４’−メトキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルオキシ−４−フェノール、４’−メトキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルチオ−４−フェノール、４’−メトキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール、４’−メトキシベンジル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシベンジル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシベンジル−４−フェノール、４’−アリルオキシベンジル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシベンジル−４−フェノール、４’−メトキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルエチル−４−フェノール、４’−メトキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール、４’−メトキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−メトキシメトキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−アリルオキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−ベンジルオキシフェニル（１−メチルプロピリデン）−４−フェノール、４’−メトキシベンゾイル−４−フェノール、４’−メトキシメトキシベンゾイル−４−フェノール、４’−ｔｅｒｔ−ブチルオキシベンゾイル−４−フェノール、４’−アリルオキシベンゾイル−４−フェノール、４’−ベンジルオキシベンゾイル−４−フェノール等。
【００８２】
［化合物Ｂ３−３］
１，３，３−トリメチル−１−（４−メトキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−メトキシメトキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−アリルオキシフェニル）インダン−６−オール、１，３，３−トリメチル−１−（４−ベンジルオキシフェニル）インダン−６−オール等。
【００８３】
［化合物Ｂ３−４］
１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−メトキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−メトキシメトキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−ｔｅｒｔ−ブチルオキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−アリルオキシインダン、１，３，３−トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−６−ベンジルオキシインダン等。
【００８４】
化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４は、いずれも、市販のものや、上述の非特許文献３、４に記載の方法などの公知の方法に従って製造したものを使用することができる。
【００８５】
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法では、先ず、上述の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドと上述の化合物Ｂ１〜Ｂ３とを反応させることにより、環状ホスホニトリルジハライドの全ハロゲン原子を、少なくとも一つが下記のＥ３基により置換されるよう下記のＥ１基、Ｅ２基およびＥ３基からなる群から選ばれた基により置換し、環状ホスホニトリル置換体を製造する（工程Ａ）。
【００８６】
［Ｅ１基］
炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも１種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
この基は、化合物Ｂ１によりハロゲン原子と置換されるものであり、既述のＡ１基に該当する。
【００８７】
［Ｅ２基］
炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも１種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
この基は、化合物Ｂ２によりハロゲン原子と置換されるものであり、既述のＡ２基に該当する。
【００８８】
［Ｅ３基］
下記の式（７）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（８）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（９）で示される置換インダンオキシ基および下記の式（１０）で示される置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【００８９】
【化２４】
【００９０】
【化２５】
【００９１】
【化２６】
【００９２】
【化２７】
【００９３】
式（７）〜（１０）中、Ｚは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示し、具体的には上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類に関して説明したものと同じである。また、式（８）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示している。さらに、式（９）および式（１０）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示している。
【００９４】
この製造工程では、製造するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の種類、すなわち、上述の形態１に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合と、上述の形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合とで、化合物Ｂ１〜Ｂ３を適宜選択して使用する。具体的には次の通りである。
【００９５】
［形態１のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合］
この場合は、環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３とを反応させ、環状ホスホニトリルジハライドのハロゲン原子（以下、活性ハロゲン原子という場合がある）の全てを化合物Ｂ３に由来のＥ３基で置換する。ここで用いられる化合物Ｂ３は、上述の化合物Ｂ３−１、化合物Ｂ３−２、化合物Ｂ３−３および化合物Ｂ３−４の四種類の保護ジフェノール類のうちの一種若しくは二種以上である。環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３とを反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの全ての活性ハロゲン原子をＥ３基で置換する方法としては、次のいずれかの方法を採用することができる。
【００９６】
＜方法１−Ａ＞
環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３のアルカリ金属塩とを反応させる。
この方法による場合、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩の使用量は、通常、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【００９７】
＜方法１−Ｂ＞
環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ３とを、ハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させる。
この方法による場合、化合物Ｂ３の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。また、塩基の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．１〜２．１当量に設定するのが好ましく、１．１〜１．４当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．１当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．１当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【００９８】
［形態２のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を製造する場合］
この場合は、環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３のうちの少なくとも一種と、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物とを反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの一部の活性ハロゲン原子を化合物Ｂ３に由来のＥ３基で置換し、残りの他の活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つの基で置換する。このための方法としては、次のいずれかの方法を採用することができる。
【００９９】
＜方法２−Ａ＞
環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩と、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩との混合物を反応させ、活性ハロゲン原子の全てを置換する。当該混合物において、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩の割合は、製造するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１００】
この方法による場合、上述の混合物の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【０１０１】
＜方法２−Ｂ＞
環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３と、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物との混合物を、ハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させ、活性ハロゲン原子の全てを置換する。当該混合物において、化合物Ｂ３の割合は、製造するヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１０２】
この方法による場合、上述の混合物の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．０〜２．０当量に設定するのが好ましく、１．０５〜１．３当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．０当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．０当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。また、塩基の使用量は、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の量の１．１〜２．１当量に設定するのが好ましく、１．１〜１．４当量に設定するのがより好ましい。当該使用量が１．１当量未満の場合は、活性ハロゲン原子の一部が残留し、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物が所要の効果を示さない可能性がある。一方、当該使用量が２．１当量を超える場合は、反応生成物の分離・精製が困難になるおそれがあり、また、不経済である。
【０１０３】
＜方法２−Ｃ＞
先ず、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ３を反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換した部分置換体を得る（第一工程）。次に、得られた部分置換体に対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物を反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換する（第二工程）。
【０１０４】
この方法の第一工程は、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ３のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ３をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。また、第二工程は、第一工程で得られた部分置換体に対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、第一工程で得られた部分置換体に対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。
【０１０５】
＜方法２−Ｄ＞
先ず、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物を反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換した部分置換体を得る（第一工程）。次に、得られた部分置換体に対して化合物Ｂ３を反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換する（第二工程）。
【０１０６】
この方法の第一工程は、環状ホスホニトリルジハライドに対して化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、環状ホスホニトリルジハライドに対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２のうちの少なくとも一つの化合物をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。また、第二工程は、第一工程で得られた部分置換体に対して化合物Ｂ３のアルカリ金属塩を反応させて実施してもよいし、第一工程で得られた部分置換体に対し、化合物Ｂ３をハロゲン化水素を捕捉する塩基の存在下で反応させてもよい。
【０１０７】
上述の各方法において用いられるアルカリ金属塩は、通常、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩およびセシウム塩が好ましい。特に、リチウム塩およびナトリウム塩が好ましい。このようなアルカリ金属塩は、化合物Ｂ１〜Ｂ３と、金属リチウム、金属ナトリウム若しくは金属カリウム等との脱水素反応、または、化合物Ｂ１〜Ｂ３と、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物との混合物からの脱水反応によって得ることができる。
【０１０８】
また、上述の各方法において用いられる塩基は、特に限定されるものではないが、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリン、ジイソプロピルアニリン、ピリジン、４，４−ジメチルアミノピリジン、４，４−ジエチルアミノピリジンおよび４−ジイソプロピルアミノピリジン等の脂肪族若しくは芳香族アミン類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムおよび炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物等が好ましい。特に、トリエチルアミン、ピリジンおよび水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましい。
【０１０９】
上述の環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ１〜Ｂ３との反応は、上述のいずれの方法についても、無溶媒で実施することができ、また、溶媒を使用して実施することもできる。溶媒を使用する場合、溶媒の種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定されるものではないが、通常、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジエトキシエタンおよびジフェニルエーテル等のエーテル系、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、キシレン、エチルベンゼンおよびイソプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系、クロロホルムおよび塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、ウンデカンおよびドデカン等の脂肪族炭化水素系、ピリジン等の複素環式芳香族炭化水素系、第三級アミン系並びにシアン化合物系等の有機溶媒を用いるのが好ましい。このうち、分子内にエーテル結合を有し、かつ、化合物Ｂ１〜Ｂ３およびそれらのアルカリ金属塩の溶解度が高いエーテル系の有機溶媒および水との分離が容易である芳香族炭化水素系の有機溶媒を用いるのが特に好ましい。
【０１１０】
上述の環状ホスホニトリルジハライドと化合物Ｂ１〜Ｂ３とを反応させる際の反応温度は、上述のいずれの方法によるか、或いは、反応生成物の熱安定性等を考慮して適宜設定することができる。但し、溶媒を用いて当該反応を実施する場合は、通常、０℃から溶媒の沸点までの温度範囲に反応温度を設定するのが好ましい。一方、無溶媒で当該反応を実施する場合、反応温度は、通常、４０〜２００℃の範囲に設定するのが好ましい。
【０１１１】
なお、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物として上述の形態２に係るもの、特に、式（１）における２ｎ個のＡのうちの２個〜（２ｎ−２）個がＡ３基のものを製造する場合は、上述の方法２−Ｃ若しくは方法２−Ｄを採用するのが好ましい。
【０１１２】
ここで、方法２−Ｃを採用する場合は、先ず、環状ホスホニトリルジハライドのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を調製する。そして、この溶媒溶液に対し、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ３とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、−２０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、同温度範囲で１〜２４時間反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換した部分置換体を製造する。次に、得られた部分置換体のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液に対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、０℃から溶媒の沸点までの温度で反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換する。
【０１１３】
一方、方法２−Ｄを採用する場合は、先ず、環状ホスホニトリルジハライドのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を調製する。そして、この溶媒溶液に対し、化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ１および化合物Ｂ２から選ばれた少なくとも一つの化合物とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、−２０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、同温度範囲で１〜２４時間反応させ、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の一部を化合物Ｂ１に由来のＥ１基および化合物Ｂ２に由来のＥ２基のうちの少なくとも一つにより置換した部分置換体を製造する。次に、得られた部分置換体のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液に対し、化合物Ｂ３のアルカリ金属塩のエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液または化合物Ｂ３とハロゲン化水素を捕捉する塩基とのエーテル系溶媒溶液若しくは芳香族炭化水素系溶媒溶液を、通常、０〜５０℃の温度で３〜２４時間かけて添加し、また、０℃から溶媒の沸点までの温度で反応させ、残りの活性ハロゲン原子の全てを化合物Ｂ３に由来のＥ３基により置換する。
【０１１４】
本発明の製造方法では、次に、上述の工程Ａにより得られた環状ホスホニトリル置換体のＥ３基から保護基（Ｚ）を脱離させ、Ｅ３基の−ＯＺ基部分を−ＯＨ基に変換する（工程Ｂ）。保護基を脱離させるための方法は、上述の非特許文献３、４等の多数の公知文献に記載されており、保護基の種類および保護基の安定性等に応じて各種の脱保護反応から選択することができる。例えば、保護基がメチル基の場合、環状ホスホニトリル置換体を三フッ化ホウ素、ヨウ化トリメチルシラン若しくはピリジン塩酸塩と反応させるのが好ましい。また、保護基がｔｅｒｔ−ブチル基の場合、環状ホスホニトリル置換体をトリフルオロ酢酸、臭化水素若しくはヨウ化トリメチルシランと反応させるのが好ましい。さらに、保護基がベンジル基の場合、環状ホスホニトリル置換体を水素／Ｐｄ−Ｃ、金属ナトリウム／アンモニア、ヨウ化トリメチルシラン、水素化リチウムアルミニウム、三臭化ホウ素若しくは三フッ化ホウ素と反応させるのが好ましい。
【０１１５】
このような保護基の脱離により得られる、目的とするヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、濾過、溶媒抽出、カラムクロマトグラフィーおよび再結晶等の通常の方法によって、反応系から単離精製することができる。
【０１１６】
本発明の製造方法では、環状ホスホニトリルジハライドの活性ハロゲン原子の全て若しくは一部を工程ＡにおいてＥ３基に置換し、当該Ｅ３基の保護基を次の工程Ｂにおいて脱離させているため、得られるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、既述の通り、ヒドロキシル基によるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物間での架橋構造を全く有していない新規なものになる。
【０１１７】
樹脂組成物
本発明の樹脂組成物は、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と樹脂成分とを含むものである。本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、一種類のものが用いられてもよいし、二種以上のものが併用されてもよい。また、樹脂成分としては、各種の熱可塑性樹脂若しくは熱硬化性樹脂を使用することができる。これらの樹脂成分は、天然のものであってもよいし、合成のものであってもよい。
【０１１８】
ここで利用可能な熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリエチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、スチレン樹脂、耐衝撃性ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン樹脂（ＡＳ樹脂）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン樹脂（ＭＢＳ樹脂）、メチルメタクリレート−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＭＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−アクリルゴム−スチレン樹脂（ＡＡＳ樹脂）、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル、脂肪族系ポリアミド、芳香族系ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリチオエーテルスルホン、ポリエーテルスルホン並びに液晶ポリマー等を挙げることができる。変性ポリフェニレンエーテルとしては、ポリフェニレンエーテルの一部または全部に、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、水酸基、無水ジカルボキシル基などの反応性官能基を、グラフト反応や共重合などの何らかの方法により導入したものが用いられる。なお、本発明の樹脂組成物を電子機器用途、特に、ＯＡ機器、ＡＶ機器、通信機器および家電製品用の筐体や部品用の材料として用いる場合は、熱可塑性樹脂としてポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル若しくはポリアミド等を用いるのが好ましい。
【０１１９】
一方、ここで利用可能な熱硬化性樹脂の具体例としては、ポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコン樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール、ポリカルボジイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドおよびポリエステルイミド等のポリイミド系樹脂並びにエポキシ樹脂等を挙げることができる。なお、本発明の樹脂組成物を電子部品用途、特に、各種ＩＣ素子の封止材、配線板の基板材料、層間絶縁材料や絶縁性接着材料等の絶縁材料、導電材料および表面保護材料として用いる場合は、熱硬化性樹脂として、ポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド系樹脂若しくはエポキシ樹脂等を用いるのが好ましい。
【０１２０】
上述の各種樹脂成分は、それぞれ単独で用いられてもよいし、必要に応じて二種以上のものが併用されてもよい。
【０１２１】
本発明の樹脂組成物において、ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の使用量は、樹脂成分の種類、樹脂組成物の用途等の各種条件に応じて適宜設定することができるが、通常、固形分換算での樹脂成分１００重量部に対して０．１〜５０重量部に設定するのが好ましく、０．５〜４０重量部に設定するのがより好ましく、１〜３０重量部に設定するのがさらに好ましい。ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の使用量が０．１重量部未満の場合は、当該樹脂組成物からなる樹脂成形体が十分な難燃性を示さないおそれがある。逆に、５０重量部を超えると、樹脂成分本来の特性を損ない、当該特性による樹脂成形体が得られなくなるおそれがある。
【０１２２】
また、本発明の樹脂組成物は、樹脂成分の種類や樹脂組成物の用途等に応じ、その目的とする物性を損なわない範囲で、各種の添加剤を配合することができる。利用可能な添加剤としては、例えば、シリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、モリブデン酸亜鉛、マイカ、タルク、ガラス繊維およびチタン酸カリウム繊維等の無機充填剤、シランカップリング剤などの充填材の表面処理剤、ワックス類、脂肪酸およびその金属塩、酸アミド類およびパラフィン等の離型剤、リン酸エステル、縮合リン酸エステル、リン酸アミド、リン酸アミドエステル、リン酸アンモニウム、赤リン、塩素化パラフィン、メラミン、メラミンシアヌレート、メラム、メレム、メロンおよびサクシノグアナミン等の窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤並びに臭素系難燃剤等の難燃剤、三酸化アンチモン等の難燃助剤、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のドリッピング防止剤、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化剤、顔料、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、滑剤、可塑剤並びに帯電防止剤等を挙げることができる。
【０１２３】
本発明の樹脂組成物を電気・電子分野用の材料、具体的には、ＬＳＩ等の電子部品の封止剤や基板等に用いる場合、樹脂成分は、エポキシ樹脂が好ましい。利用可能なエポキシ樹脂の具体例としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂およびナフトールノボラック型エポキシ樹脂等の、フェノール類とアルデヒド類との反応により得られるノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ａ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノール−Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノール−ＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ｓ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、アルキル置換ビフェノール型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン等のフェノール類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるフェノール型エポキシ樹脂、トリメチロールプロパン、オリゴプロピレングリコールおよび水添ビスフェノール−Ａ等のアルコール類とエピクロルヒドリンとの反応により得られる脂肪族エポキシ樹脂、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸若しくはフタル酸とエピクロルヒドリン若しくは２−メチルエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル系エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタンやアミノフェノール等のアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン系エポキシ樹脂、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られる複素環式エポキシ樹脂、グリシジル基を有するホスファゼン化合物、エポキシ変性ホスファゼン樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂並びにウレタン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール−Ａ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂およびトリス（ヒドロキシフェニル）メタンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂は、それぞれ単独で使用してもよいし、二種以上のものが併用されてもよい。
【０１２４】
樹脂成分として上述のエポキシ樹脂を用いる場合（以下、「エポキシ樹脂組成物」という場合がある）、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、エポキシ樹脂の硬化剤として機能し得る。また、エポキシ樹脂組成物は、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と共に、他の硬化剤を併せて含んでいてもよい。エポキシ樹脂組成物が、硬化剤として本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と他の硬化剤とを併用している場合、硬化剤の合計量（すなわち、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と他の硬化剤との合計量）に占める本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の割合は、０．１〜８０重量％が好ましく、０．５〜７０重量％がより好ましい。ヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の割合が０．１重量％未満の場合は、当該樹脂組成物からなる樹脂成形体が十分な難燃性を示さないおそれがある。逆に、８０重量％を超えると、樹脂成分本来の特性を損ない、当該特性による樹脂成形体が得られなくなるおそれがある。
【０１２５】
本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と併用され得る他の硬化剤は、特に限定されるものではないが、例えば、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミンおよびポリアミドポリアミン等のポリアミン系硬化剤、無水ヘキサヒドロフタル酸および無水メチルテトラヒドロフタル酸等の酸無水物系硬化剤、フェノールノボラックおよびクレゾールノボラック等のフェノール系硬化剤、他の水酸基を有するホスファゼン化合物（本発明以外の、ヒドロキシル基含有ホスファゼン化合物）、三フッ化ホウ素等のルイス酸およびそれらの塩類並びにジシアンジアミド類等を挙げることができる。これらは、それぞれ単独で用いてもよく、二種以上併用してもよい。
【０１２６】
エポキシ樹脂組成物において、硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対して０．５〜１．５当量になるよう設定するのが好ましく、０．６〜１．２当量になるよう設定するのがより好ましい。
【０１２７】
エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤を含んでいてもよい。利用可能な硬化促進剤は、公知の種々のものであり、特に限定されるものではないが、例えば、２−メチルイミダゾールおよび２−エチルイミダゾール等のイミダゾール系化合物、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３アミン系化合物、トリフェニルホスフィン化合物等を挙げることができる。硬化促進剤を用いる場合、その使用量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０１〜１５重量部に設定するのが好ましく、０．１〜１０重量部に設定するのがより好ましい。
【０１２８】
エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて公知の反応性希釈剤や添加剤が配合されていてもよい。利用可能な反応性希釈剤は、特に限定されるものではないが、例えば、ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテルおよびアリルグリシジルエーテル等の脂肪族アルキルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレートおよび３級カルボン酸グリシジルエステル等のアルキルグリシジルエステル、スチレンオキサイドおよびフェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテルおよびノニルフェニルグリシジルエーテル等の芳香族アルキルグリシジルエーテル等を挙げることができる。これらの反応性希釈剤は、それぞれ単独で用いられてもよいし、二種以上が併用されてもよい。一方、添加剤としては、既述のようなものを用いることができる。
【０１２９】
上述のエポキシ樹脂組成物等の本発明の樹脂組成物は、各成分を均一に混合することにより得られる。この樹脂組成物は、樹脂成分に応じて１００〜２５０℃程度の温度範囲で１〜３６時間放置すると、充分な硬化反応が進行し、硬化物を形成する。例えば、エポキシ樹脂組成物は、通常、１５０〜２５０℃の温度で２〜１５時間放置すると、充分な硬化反応が進行し、硬化物を形成する。このような硬化過程において、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、そのヒドロキシル基が樹脂成分と反応し、硬化物中において安定に保持されることになるため、当該硬化物の高温信頼性を損ないにくい。また、本発明のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物は、そのような硬化物の機械的特性（特に、ガラス転移温度）を損なわずに、その難燃性を高めることができ、また、硬化物に対して低発煙性を付与することができる。このため、本発明の樹脂組成物は、各種の樹脂成形体の製造用材料、塗料用、接着剤用およびその他の用途用として、広く用いることができる。特に、本発明の樹脂組成物は、半導体封止用や回路基板（特に、金属張り積層板、プリント配線板用基板、プリント配線板用接着剤、プリント配線板用接着剤シート、プリント配線板用絶縁性回路保護膜、プリント配線板用導電ペースト、多層プリント配線板用封止剤、回路保護剤、カバーレイフィルム、カバーインク）形成用等の電気・電子部品の製造用材料として好適である。
【実施例】
【０１３０】
以下に実施例等を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
なお、以下において、「ｕｎｉｔ ｍｏｌ」の「ｕｎｉｔ」は、環状ホスファゼン化合物の最小構成単位、例えば、一般式（１）については（ＰＮＡ２）を意味し、一般式（６）については（ＰＮＸ２）を意味する。一般式（６）において、Ｘが塩素の場合、その１ｕｎｉｔ ｍｏｌは１１５．８７ｇである。
また、以下においては、特に断りがない限り、「％」および「部」とあるのは、それぞれ「重量％」および「重量部」を意味する。
【０１３１】
実施例等で得られたホスファゼン化合物は、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよび３１Ｐ−ＮＭＲスペクトルの測定、ＣＨＮ元素分析、アルカリ溶融後の硝酸銀を用いた電位差滴定法による塩素元素（残留塩素）の分析、マイクロウエーブ湿式分解後のＩＣＰ−ＡＥＳによるリン元素の分析並びにＴＯＦ−ＭＳ分析の結果に基づいて同定した。また、水酸基当量は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２「化学製品の酸価、けん化価、エステル価、よう素価、水酸基価及び不けん化物の試験方法」において規定された水酸基価測定方法の中和滴定法に従い測定し、水酸基価ｍｇＫＯＨ／ｇの値を水酸基当量ｇ／ｅｑ．に変換した。エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−１９９５「エポキシ樹脂のエポキシ当量試験方法」の電位差滴定法に従い測定した。
【０１３２】
実施例１（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｃによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液４１．７ｇ（０．５０ｍｏｌ）、トルエン１，０００ｍｌおよび４’−メトキシフェニル−４−フェノール１００．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３０ｍｌ）、４’−メトキシフェニル−４−フェノールのナトリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１３３】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ５００ｍｌ〕を仕込み、上記４’−メトキシフェニル−４−フェノールのナトリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下した後、還流下（８５℃）で撹拌反応を１２時間行った。反応終了後、反応液を約７００ｍｌまで濃縮し、トルエン３００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて反応物を溶解し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後、水−トルエンを共沸脱水し、無水状態の４’−メトキシフェニル−４−フェノキシ部分置換体のトルエン溶液を得た。
【０１３４】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に上記無水状態の４’−メトキシフェニル−４−フェノキシ部分置換体のトルエン溶液、ｎ−プロパノール３９．１ｇ（０．６５ｍｏｌ）、トリエチルアミン１１１．３ｍｌ（０．８０ｍｏｌ）およびジメチルアミノピリジン０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）を仕込み、還流温度（１０３℃）で１０時間撹拌反応を行った。反応終了後、反応液を約７００ｍｌまで濃縮し、トルエン３００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を２％塩酸で２回洗浄し、次に水での洗浄を３回行った後、トルエンを留去したところ、淡褐色粘稠液体の生成物１２２．７ｇ（収率：８４％）が得られた。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１３５】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ ０．９（３Ｈ），−ＣＨ２− １．６（２Ｈ），−ＣＨ２− ３．６（２Ｈ），―ＣＨ３ ３．７（３Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．５〜７．８（８Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ １２．３
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６２．５％，Ｈ：６．１％，Ｎ：４．８％，Ｐ：１０．６％
実測値 Ｃ：６２．３％，Ｈ：６．２％，Ｎ：４．９％，Ｐ：１０．４％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
７７１，９１１，１０５１
【０１３６】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）３（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）４（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）０．９２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）１．０８］３であることを確認した。
【０１３７】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物８７．６ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）とトルエン６５０ｍｌを仕込んだ。これに窒素雰囲気下で４７％三フッ化ホウ素エチルエーテル７５．５ｍｌ（０．２８ｍｏｌ）を５〜１０℃で１時間かけて滴下し、同温度で２時間撹拌熟成した。反応後、反応液を水４００ｍｌに添加し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にトルエンを留去したところ、淡褐色粘稠液体の生成物７６．２ｇ（収率：９１％）が得られた。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１３８】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ ０．９（３Ｈ），−ＣＨ２− １．６（２Ｈ），−ＣＨ２− ３．３（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．５〜７．９（８Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．８
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６１．６％，Ｈ：５．４％，Ｎ：５．０％，Ｐ：１１．１％
実測値 Ｃ：６１．４％，Ｈ：５．７％，Ｎ：４．９％，Ｐ：１０．９％
◎水酸基当量：
２７６ｇ／ｅｑ．（理論値２７９ｇ／ｅｑ．）
【０１３９】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９２（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）１．０８］３であることを確認した。
【０１４０】
実施例２（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｃによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた５００ミリリットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液５８．４ｇ（０．５０ｍｏｌ）、クロルベンゼン２００ｍｌおよび４’−イソプロピルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール１４６．２ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３９ｍｌ）、４’−イソプロピルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１４１】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液８７．７ｇ（０．７５ｍｏｌ）、クロルベンゼン５００ｍｌおよびフェノール７０．６ｇ（０．７５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５９ｍｌ）、フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ３００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１４２】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ２５０ｍｌ〕を仕込み、上記４’−イソプロピルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下し、同温度で撹拌反応を４時間行った。続いて、この反応液に上記フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下、４５℃以下で０．５時間かけて滴下し、還流下（８５℃）で撹拌反応を５時間行った。反応終了後、反応液を約７００ｍｌまで濃縮し、クロルベンゼン３００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて内容物を溶解させ、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、クロルベンゼンを留去したところ、淡黄色固体の生成物１８４．３ｇ（収率：９０％）が得られた。この生成物の融点（融解ピーク温度）は６８℃であった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１４３】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
―ＣＨ３ １．４（６Ｈ），−ＣＨ＜ ４．８（１Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．７〜７．３（９Ｈ），７．８〜８．０（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．６
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５８．９％，Ｈ：４．７％，Ｎ：３．４％，Ｐ：７．６％
実測値 Ｃ：５８．８％，Ｈ：４．９％，Ｎ：３．４％，Ｐ：７．３％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１０９１，１２８９，１４８８
【０１４４】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ（ＣＨ３）２）０．９０（ＯＣ６Ｈ５）１．１０］３であることを確認した。
【０１４５】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１２２．９ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸４５０ｍｌを仕込んだ。これに対し、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液２１８．５ｇ（０．８１ｍｏｌ）を５〜１０℃で１時間かけて滴下した後、５０℃で１６時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３００ｍｌと水２００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、薄茶色固体の生成物１０２．６ｇ（収率：９２％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１４６】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．３（９Ｈ），７．７〜７．９（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．６
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５６．２％，Ｈ：３．７％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．３％
実測値 Ｃ：５６．０％，Ｈ：３．９％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．１％
◎水酸基当量：
３７５ｇ／ｅｑ．（理論値３７２ｇ／ｅｑ．）
【０１４７】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９０（ＯＣ６Ｈ５）１．１０］３であることを確認した。
【０１４８】
実施例３（形態１に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法１−Ａによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液５０．０ｇ（０．６０ｍｏｌ）、４８％ＫＯＨ水溶液７０．１ｇ（０．６０ｍｏｌ）、トルエン３，０００ｍｌおよび４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール３４８．４ｇ（１．２０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約８４ｍｌ）、４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのナトリウム／カリウム塩を調製した。これに、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのトルエン溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、トルエン３００ｍｌ〕を撹拌下２０〜２５℃で１時間かけて滴下した後、還流下（１０８℃）で８時間撹拌して反応を行った。反応終了後、反応液に水１，０００ｍｌを加えて内容物を溶解させ、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硝酸で中和し、更に水で３回洗浄した後、トルエンを留去したところ、白色固体の生成物２８６．１ｇ（収率：９２％）が得られた。この生成物の融点（融解ピーク温度）は１６４℃であった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１４９】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ４．６（４Ｈ），＝ＣＨ２ ５．３〜５．４（４Ｈ），−ＣＨ＝ ６．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．１（８Ｈ），７．８〜８．０（８Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３８．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５７．８％，Ｈ：４．２％，Ｎ：２．２％，Ｐ：５．０％
実測値 Ｃ：５７．９％，Ｈ：４．４％，Ｎ：２．１％，Ｐ：４．９％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
【０１５０】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２］３であることを確認した。
【０１５１】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１８７．１ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸１，０００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液３２３．６g（１．２０ｍｏｌ）を５〜１０℃で２時間かけて滴下した後、５０℃で８時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にＭＩＢＫ５００ｍｌと水５００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、白色固体の生成物１４１．９ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１５２】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ７．０〜７．２（８Ｈ），７．８〜８．０（８Ｈ），−ＯＨ ９．５（２Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ８．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５３．０％，Ｈ：３．３％，Ｎ：２．６％，Ｐ：５．７％
実測値 Ｃ：５２．８％，Ｈ：３．６％，Ｎ：２．５％，Ｐ：５．６％
◎水酸基当量：
２７０ｇ／ｅｑ．（理論値２７２ｇ／ｅｑ．）
【０１５３】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）２］３であることを確認した。
【０１５４】
実施例４（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｄによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液５８．４ｇ（０．５０ｍｏｌ）、クロルベンゼン４５０ｍｌおよびフェノール４７．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３９ｍｌ）、フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１５５】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液７６．０ｇ（０．６５ｍｏｌ）、クロルベンゼン８００ｍｌおよび４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール１８８．８ｇ（０．６５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５１ｍｌ）、４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ３００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１５６】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ２００ｍｌ〕を仕込み、上記フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下５℃で１０時間かけて滴下し、２５℃で撹拌反応を５時間行った。続いて、この反応液に上記４’−アリルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（８６℃）で撹拌反応を１０時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、クロルベンゼン６００ｍｌと水６００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、クロルベンゼンを留去したところ、淡黄色固体の生成物２０７．１ｇ（収率：９６％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１５７】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ４．６（２Ｈ），＝ＣＨ２ ５．３〜５．４（２Ｈ）,−ＣＨ＝ ６．０（１Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．２（９Ｈ），７．８〜８．０（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ８．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５８．９％，Ｈ：４．２％，Ｎ：３．２％，Ｐ：７．２％
実測値 Ｃ：５８．７％，Ｈ：４．４％，Ｎ：３．１％，Ｐ：７．０％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１０８７，１２８３，１４８０
【０１５８】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）１．０２（ＯＣ６Ｈ５）０．９８］３であることを確認した。
【０１５９】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１２９．４ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸５００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液１６１．８ｇ（０．６０ｍｏｌ）を５〜１０℃で２時間かけて滴下した後、５０℃で８時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にＭＩＢＫ４００ｍｌと水４００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、黄褐色固体の生成物９９．６ｇ（収率：８５％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１６０】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．２（９Ｈ），７．２〜７．８（４Ｈ）， −ＯＨ ９．５（１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５５．７％，Ｈ：３．６％，Ｎ：３．６％，Ｐ：７．９％
実測値 Ｃ：５５．５％，Ｈ：３．７％，Ｎ：３．５％，Ｐ：７．７％
◎水酸基当量：
３９４ｇ／ｅｑ．（理論値３９１ｇ／ｅｑ．）
【０１６１】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）１．０２（ＯＣ６Ｈ５）０．９８］３であることを確認した。
【０１６２】
実施例５（形態１に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法１−Ａによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液１５２．０ｇ（１．３０ｍｏｌ）、トルエン２，０００ｍｌおよび４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール４４２．５ｇ（１．３０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約１０２ｍｌ）、４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ４００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１６３】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中にクロロホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５２．２ｇ（０．４５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、オクタクロロシクロテトラホスファゼン５．８ｇ（０．０５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ３００ｍｌ〕を仕込み、上記４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下した後、還流下（８６℃）で８時間撹拌して反応を行った。反応終了後、反応液を約１，５００ｍｌまで濃縮し、トルエン５００ｍｌと水１，０００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水で３回洗浄した後、トルエンを留去したところ、白色固体の生成物３１４．８ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物の融点（融解ピーク温度）は１４９℃であった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１６４】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ５．０（４Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（２６Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６３．１％，Ｈ：４．２％，Ｎ：１．９％，Ｐ：４．３％
実測値 Ｃ：６２．８％，Ｈ：４．４％，Ｎ：２．１％，Ｐ：４．２％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
【０１６５】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２］３および［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２］４であることを確認した。
【０１６６】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物２１７．１ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）および酢酸８００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で３０％臭化水素酸／酢酸溶液３２３．６ｇ（１．２０ｍｏｌ）を５〜１０℃で２時間かけて滴下した後、５０℃で８時間撹拌熟成した。反応終了後、反応液を濃縮して過剰の臭化水素酸と酢酸とを留去し、残留物にＭＩＢＫ７００ｍｌと水６００ｍｌとを添加して溶解した後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にＭＩＢＫを留去したところ、白色固体の生成物１４５．１ｇ（収率：８９％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１６７】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（１６Ｈ）， −ＯＨ ９．５（２Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５３．０％，Ｈ：３．３％，Ｎ：２．６％，Ｐ：５．７％
実測値 Ｃ：５２．８％，Ｈ：３．６％，Ｎ：２．５％，Ｐ：５．６％
◎水酸基当量：
２７４ｇ／ｅｑ．（理論値２７２ｇ／ｅｑ．）
【０１６８】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）２］３および［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）２］４であることを確認した。
【０１６９】
実施例６（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｃによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液４１．７ｇ（０．５０ｍｏｌ）、トルエン１，２００ｍｌおよび４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノール１７０．２ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約３０ｍｌ）、４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのナトリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ６００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７０】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液８７．７ｇ（０．７５ｍｏｌ）、トルエン５５０ｍｌおよびフェノール７０．６ｇ（０．７５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５８ｍｌ）、フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７１】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ３００ｍｌ〕を仕込み、上記４’−ベンジルオキシフェニルスルホニル−４−フェノールのナトリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下し、２５℃で撹拌反応を４時間行った。続いて、この反応液に上記フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下、２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（１０３℃）で撹拌反応を２時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、トルエン２００ｍｌと水４００ｍｌとを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、トルエンを留去したところ、淡黄色固体の生成物２０１．１ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１７２】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ２− ５．１（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．７〜７．０（４Ｈ），７．０〜７．２（５Ｈ），７．３〜７．４（５Ｈ），７．６〜７．９（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．３
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６２．９％，Ｈ：４．２％，Ｎ：３．０％，Ｐ：６．７％
実測値 Ｃ：６２．９％，Ｈ：４．２％，Ｎ：３．１％，Ｐ：６．９％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１１８７，１４３４，１６８０
【０１７３】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）０．９５（ＯＣ６Ｈ５）１．０５］３であることを確認した。
【０１７４】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた２リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１３９．５ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）とトルエン８００ｍｌとを仕込み、窒素雰囲気下で三臭化ホウ素２６．９ｍｌ（０．２９ｍｏｌ）を５〜１０℃で４時間かけて滴下した後、２５〜３０℃で１２時間撹拌熟成した。反応後、反応液を水８００ｍｌに添加し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄した後にトルエンを留去したところ、茶色固体の生成物１０５．９ｇ（収率：９３％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１７５】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．３（９Ｈ），７．７〜７．９（４Ｈ），−ＯＨ ９．５（１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．６
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：５６．０％，Ｈ：３．４％，Ｎ：３．７％，Ｐ：８．２％
実測値 Ｃ：５５．７％，Ｈ：３．７％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．４％
◎水酸基当量：
３７８ｇ／ｅｑ．（理論値３８０ｇ／ｅｑ．）
【０１７６】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９５（ＯＣ６Ｈ５）１．０５］３であることを確認した。
【０１７７】
実施例７（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ｄによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた１リットルのフラスコ中に４８％ＮａＯＨ水溶液４１．７ｇ（０．５０ｍｏｌ）、トルエン２５０ｍｌおよびフェノール４７．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約２９ｍｌ）、フェノールのナトリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ２００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７８】
一方、撹拌機、温度計、還流冷却管、水分離用受器および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に４８％ＫＯＨ水溶液８７．７ｇ（０．７５ｍｏｌ）、トルエン１，５００ｍｌおよび４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノール２３８．８ｇ（０．７５ｍｏｌ）を仕込んだ。これを窒素雰囲気下で撹拌加熱して共沸脱水によりフラスコ内の水分を除去し（回収水：約５９ｍｌ）、４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノールのカリウム塩を調製した。このスラリー溶液を２０℃に冷却し、ＴＨＦ５００ｍｌを仕込んで均一溶液とした。
【０１７９】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた５リットルのフラスコ中にヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＴＨＦ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン５８．０ｇ（０．５０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＴＨＦ５００ｍｌ〕を仕込み、上記フェノールのナトリウム塩溶液を撹拌下５℃で６時間かけて滴下し、２５℃で撹拌反応を２時間行った。続いて、この反応液に上記の４’−ベンジルオキシフェニルイソプロピリデン−４−フェノールのカリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（８５℃）で撹拌反応を１４時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、トルエン５００ｍｌと水１，０００ｍｌを加えて内容物を溶解させた後、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、トルエンを留去したところ、茶色固体の生成物２２１．９ｇ（収率：９６％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１８０】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．６（６Ｈ），−ＣＨ２− ５．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜６．９（５Ｈ），７．０〜７．１（８Ｈ），７．２〜７．４（５Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．９
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：７４．０％，Ｈ：５．８％，Ｎ：３．０％，Ｐ：６．７％
実測値 Ｃ：７４．２％，Ｈ：５．８％，Ｎ：２．９％，Ｐ：６．６％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
◎ＴＯＦ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：
１１４３，１３６８，１５９２
【０１８１】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）２（ＯＣ６Ｈ５）４］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）３（ＯＣ６Ｈ５）３］、［Ｎ３＝Ｐ３（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）４（ＯＣ６Ｈ５）２］の混合物であり、その平均組成が［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）１．０３（ＯＣ６Ｈ５）０．９７］３であることを確認した。
【０１８２】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１３８．７ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、Ｐｄ／Ｃ（Ｄｅｇｕｓｓａ社製、“Ｅ １０１ ＮＥ／Ｗ”：１０％Ｐｄ）３．８ｇおよびメタノール２，５００ｍｌを仕込み、水素雰囲気下５０℃で５時間撹拌反応した。反応終了後、反応液を濾過してＰｄ／Ｃを除去し、この濾液を濃縮してメタノールを留去した。そして、残留物にＭＩＢＫ１，０００ｍｌと水７００ｍｌとを添加して溶解し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄し、ＭＩＢＫを留去したところ、茶色固体の生成物９６．４ｇ（収率：８７％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１８３】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．７（６Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜６．９（４Ｈ），６．９〜７．２（５Ｈ），７．２〜７．３（４Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ １０．０
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：６９．２％，Ｈ：５．５％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．４％
実測値 Ｃ：６９．３％，Ｈ：５．３％，Ｎ：３．８％，Ｐ：８．３％
◎水酸基当量：
３７１ｇ／ｅｑ．（理論値３６９ｇ／ｅｑ．）
【０１８４】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）１．０３（ＯＣ６Ｈ５）０．９７］３であることを確認した。
【０１８５】
実施例８（形態２に係るヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造）
［工程１：上記方法２−Ａによる環状ホスホニトリル置換体の製造］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に窒素雰囲気下で１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）５００ｍｌおよび６０％ＮａＨ／油性４４．０ｇ（１．１０ｍｏｌ）を仕込んだ。これに撹拌下でｐ−クレゾールおよび１，３，３−トリメチル−１−（４−ベンジルオキシフェニル）インダン−６−オール（４５％）と１，３，３−トリメチル−１−（４−ビドロキシフェニル）−６−ベンジルオキシインダン（５５％）との混合物のＤＭＥ溶液〔ｐ−クレゾール５４．１ｇ（０．５０ｍｏｌ）、１，３，３−トリメチル−１−（４−ベンジルオキシフェニル）インダン−６−オール９６．７ｇ（０．２７ｍｏｌ）、１，３，３−トリメチル−１−（４−ビドロキシフェニル）−６−ベンジルオキシインダン１１８．８ｇ（０．３３ｍｏｌ）、ＤＭＥ１，０００ｍｌ〕を５℃以下で２時間かけて滴下した後、５０℃で２時間撹拌し、上記ｐ−クレゾールとインダン誘導体とのナトリウム塩を調製した。
【０１８６】
次に、撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中にシクロホスファゼンのＤＭＥ溶液〔ヘキサクロロシクロトリホスファゼン４６．４ｇ（０．４０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、オクタクロロシクロテトラホスファゼン５．８ｇ（０．０５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、デカクロロシクロペンタホスファゼン２．９ｇ（０．０２５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ドデカクロロシクロヘキサホスファゼン１．７ｇ（０．０１５ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、テトラデカクロロシクロヘプタホスファゼン以上の大環状物１．２ｇ（０．０１ｕｎｉｔ ｍｏｌ）、ＤＭＥ５００ｍｌ〕を仕込み、上記のｐ−クレゾールとインダン誘導体とのナトリウム塩溶液を撹拌下２５℃で１時間かけて滴下し、還流下（７５℃）で撹拌反応を８時間行った。反応終了後、反応液を約１，０００ｍｌまで濃縮し、トルエン５００ｍｌと水５００ｍｌとを加えて内容物を溶解させ、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を５％ＮａＯＨ水溶液で２回洗浄し、次に２％硫酸で中和し、更に水での洗浄を３回行った後、ＤＭＥおよびトルエンを留去したところ、黄色固体の生成物２２８．４ｇ（収率：８９％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１８７】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．０〜１．６（１２Ｈ），−ＣＨ２− ２．１〜２．４（２Ｈ），−ＣＨ２− ５．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（１１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４，五、六量体（Ｐ＝Ｎ）５，６ −１７．０，七量体以上（Ｐ＝Ｎ）≧７ −１８．０〜−２３．０
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：７５．５％，Ｈ：６．４％，Ｎ：２．７％，Ｐ：６．０％
実測値 Ｃ：７５．２％，Ｈ：６．６％，Ｎ：２．７％，Ｐ：５．８％
◎残存塩素分析：
＜０．０１％
【０１８８】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｉｎｄａｎｅ−ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）１．０５（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）０．９５］ｎおよび［Ｎ＝Ｐ（Ｏ−Ｉｎｄａｎｅ−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）０．９８（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）１．０２］ｎの混合物であることを確認した。
【０１８９】
［工程２：脱保護基工程］
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのフラスコ中に工程１で得られた生成物１５４．０ｇ（０．３０ｕｎｉｔ ｍｏｌ）およびトルエン１，０００ｍｌを仕込んだ。これに窒素雰囲気下でヨウ化トリメチルシラン１２０．１ｇ（０．６０ｍｏｌ）を５〜１０℃で１０時間かけて滴下した後、２５〜３０℃で１２時間撹拌反応した。反応終了後、反応液を水１，０００ｍｌに投入し、分液ロートにて有機層を分液した。この有機層を水で３回洗浄し、トルエンを留去したところ、黄色固体の生成物１１３．９ｇ（収率：９０％）が得られた。この生成物はガラス状固体のため明確な融点を示さなかった。この生成物の分析結果は以下の通りであった。
【０１９０】
◎１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
−ＣＨ３ １．０〜１．６（１２Ｈ），−ＣＨ２− ２．１〜２．４（２Ｈ），−ＣＨ２− ５．０（２Ｈ），フェニルＣ−Ｈ ６．８〜７．９（１１Ｈ）
◎３１Ｐ−ＮＭＲスペクトル（重アセトン中、δ、ｐｐｍ）：
三量体（Ｐ＝Ｎ）３ ９．５，四量体（Ｐ＝Ｎ）４ −１２．４，五、六量体（Ｐ＝Ｎ）５，６ −１７．０，七量体以上（Ｐ＝Ｎ）≧７ −１８．０〜−２３．０
◎ＣＨＮＰ元素分析：
理論値 Ｃ：７１．６％，Ｈ：６．３％，Ｎ：３．３％，Ｐ：７．３％
実測値 Ｃ：７０．２％，Ｈ：６．２％，Ｎ：３．３％，Ｐ：７．１％
◎水酸基当量：
４１８ｇ／ｅｑ．（理論値４２２ｇ／ｅｑ．）
【０１９１】
以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ４−Ｉｎｄａｎｅ−ＯＨ）１．０５（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）０．９５］ｎおよび［Ｎ＝Ｐ（Ｏ−Ｉｎｄａｎｅ−Ｃ６Ｈ４ＯＨ）０．９８（ＯＣ６Ｈ４ＣＨ３）１．０２］ｎの混合物であることを確認した。
【０１９２】
比較例１（環状ホスファゼン化合物の製造）
ＰＨＯＳＰＨＯＲＵＳ−ＮＩＴＲＯＧＥＮ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、Ｈ．Ｒ．ＡＬＬＣＯＣＫ著、１９７２年刊、１５１頁、ＡＣＡＤＥＭＩＣ ＰＲＥＳＳ社に記載されている方法に従い、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン８１％とオクタクロロシクロテトラホスファゼン１９％とのシクロホスファゼン混合物を用いて［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ５）２］３と［Ｎ＝Ｐ（ＯＣ６Ｈ５）２］４との混合物（白色固体／融点：６５〜１１２℃）を得た。
【０１９３】
実施例９〜１７および比較例２、３（樹脂組成物の調製）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であるエピコート１００１（ジャパン・エポキシ・レジン社製：エポキシ当量４５６ｇ／ｅｑ．、樹脂固形分７０％）６５１部、クレゾールノボラックエポキシ樹脂であるＹＤＣＮ−７０４Ｐ（東都化成株式会社製：エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ．、樹脂固形分７０％）３００部、水酸化アルミニウム３６１部および２−エチル−４−メチルイミダゾール０．９部に対し、実施例１〜３、５、７、８で製造したヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物若しくは比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物並びにノボラック型フェノール樹脂であるＢＲＧ−５５８（昭和高分子株式会社製：水酸基当量１０６ｇ／ｅｑ．、樹脂固形分７０％）を表１に示す割合で添加し、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ）を加えて樹脂固形分６５％のエポキシ樹脂ワニスを調製した。
【０１９４】
次に、調製したエポキシ樹脂ワニスを１８０μｍガラス織布に塗布して含浸させ、１６０℃の温度で乾燥してプリプレグを製造した。こうして得られた１８０μｍガラス織布プリプレグを８枚積層し、これを１７０℃の温度、４ＭＰａの圧力で１００分間加熱・加圧して厚さ１／１６インチのガラスエポキシ積層板を得た。
【０１９５】
このガラスエポキシ積層板から長さ５インチ、幅０．５インチ、厚さ１／１６インチの試験片を切り出し、この試験片について燃焼性、ガラス転移温度および耐熱性を調べた。各項目の評価方法は次の通りである。結果を表１に示す。
【０１９６】
（燃焼性）
アンダーライターズラボラトリーズ（Ｕｎｄｅｒｗｒｉｔｅｒ’ｓ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ Ｉｎｃ．）のＵＬ−９４規格垂直燃焼試験に基づき、１０回接炎時の合計燃焼時間と燃焼時の滴下物による綿着火の有無により、Ｖ−０、Ｖ−１、Ｖ−２および規格外の四段階に分類した。評価基準を以下に示す。難燃性レベルはＶ−０＞Ｖ−１＞Ｖ−２＞規格外の順に低下する。
【０１９７】
Ｖ−０：下記の条件を全て満たす。
（Ａ）試験片５本を１本につき二回ずつ、合計１０回の接炎後からの消炎時間の合計が５０秒以内。
（Ｂ）試験片５本を１本につき二回ずつ接炎を行い、それぞれの接炎後からの消炎時間が５秒以内。
（Ｃ）すべての試験片で滴下物による、３００ｍｍ下の脱脂綿への着火がない。
（Ｄ）すべての試験片で、二回目の接炎後のグローイングは３０秒以内。
（Ｅ）すべての試験片で、クランプまでフレーミングしない。
【０１９８】
Ｖ−１：下記の条件を全て満たす。
（Ａ）試験片５本を１本につき二回ずつ、合計１０回の接炎後からの消炎時間の合計が２５０秒以内。
（Ｂ）試験片５本を１本につき二回ずつ接炎を行い、それぞれの接炎後からの消炎時間が３０秒以内。
（Ｃ）すべての試験片で滴下物による、３００ｍｍ下の脱脂綿への着火がない。
（Ｄ）すべての試験片で、二回目の接炎後のグローイングは６０秒以内。
（Ｅ）すべての試験片で、クランプまでフレーミングしない。
【０１９９】
Ｖ−２：下記の条件を全て満たす。
（Ａ）試験片５本を１本につき二回ずつ、合計１０回の接炎後からの消炎時間の合計が２５０秒以内。
（Ｂ）試験片５本を１本につき二回ずつ接炎を行い、それぞれの接炎後からの消炎時間が３０秒以内。
（Ｃ）試験片５本のうち、少なくとも１本は、滴下物による、３００ｍｍ下の脱脂綿への着火がある。
（Ｄ）すべての試験片で、二回目の接炎後のグローイングは６０秒以内。
（Ｅ）すべての試験片で、クランプまでフレーミングしない。
【０２００】
（ガラス転移温度）
ＪＩＳ Ｋ ７１２１−１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」に準じ、ＤＳＣによって測定した。
【０２０１】
（耐熱性）
試験片を２９０℃で２０分間処理し、外観の変化を観察した。表１において、「有」は、環状ホスファゼン化合物のブリードアウトによる外観変化がないことを示す。また、「無」は、環状ホスファゼン化合物のブリードアウトによる外観変化があることを示している。
【０２０２】
【表１】
【０２０３】
表１から明らかなように、実施例９〜１７の樹脂組成物からなるガラスエポキシ積層板（樹脂成形体）は、比較例２、３のものに比べ、難燃性に優れ、また、ガラス転移温度が高いことから機械的物性が優れており、しかも、耐熱性で評価した環状ホスファゼン化合物のブリードアウトが実質的に見られない。
【０２０４】
実施例１８〜２４および比較例４、５（樹脂組成物の調製）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂であるＥＳＣＮ−１９５ＸＬ（住友化学株式会社製：エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．）１０部、球状溶融シリカ（龍森株式会社製：平均粒径２０μｍ）１００部、カルナバワックス（東亜化成株式会社製）０．５部およびＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７）０．５部の混合物に対し、実施例１〜３、５、７若しくは８で製造したヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物または比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物並びにフェノールノボラック樹脂であるＤＬ−９２（明和化成株式会社製：フェノール性水酸基当量１１０）を表２に示す割合で配合して常温で混合した。そして、これを９０〜９５℃で混練した後に冷却粉砕し、成形材料を製造した。この成形材料からなる成形品について、燃焼性および高温放置信頼性を評価した。評価方法は下記の通りである。結果を表２に示す。
【０２０５】
（燃焼性）
成形材料を１７５℃に加熱した金型内にトランスファー注入して８時間の後硬化処理をし、長さ５インチ、幅０．５インチ、厚さ１／３２インチの成形品（封止品）を得た。この成形品について、実施例９〜１７および比較例２、３の場合と同じく、ＵＬ−９４規格垂直燃焼試験に準拠して燃焼性を評価した。
【０２０６】
（高温放置信頼性）
上述の混合物に対して添加したヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物等の安定性評価のため、次のような試験を行った。成形材料を用いて２本のアルミ配線を有するシリコン製チップ（テスト素子）を通常の４２アロイフレームに接着し、これを１７０℃で４分間トランスファー成形した後、１７０℃において４時間後硬化処理した。このようにして得られた２０個の成形品を、３０℃，６０％，１００時間の吸湿処理した後、２５０℃の半田浴に１０秒間浸漬した。その後、２００℃における高温放置試験を２，０００時間実施し、アルミニウム配線のオープン・ショートをしたものを不良成形品として評価した。
【０２０７】
【表２】
【０２０８】
表２より明らかなように、実施例１８〜２４の成形材料は、比較例４、５のものに比べ、難燃性および高温放置信頼性に優れた樹脂成形品を形成することができる。
【０２０９】
合成例１（可溶性ポリイミド樹脂の合成）
撹拌機、温度計、還流冷却管および窒素導入管を備えた３リットルのガラス製フラスコ中に、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン２７７．７ｇ（０．９５ｍｏｌ）および３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル１０．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）７００ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下で撹拌溶解した。次に、フラスコ内の溶液を窒素雰囲気下で撹拌し、４、４’−（４、４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物（ＩＰＢＰ）のＤＭＦ溶液［ＩＰＢＰ５２０．５ｇ（１．００ｍｏｌ）、ＤＭＦ１，１００ｍｌ］を５〜１０℃で２時間かけて滴下し、さらに室温で３時間撹拌してポリアミド酸溶液を得た。得られたポリアミド酸溶液２，５００ｇをフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）でコートしたトレイに移し、真空オーブンで減圧加熱（条件：２００℃、５．７ｈＰａ以下、６時間）することによって、可溶性ポリイミド樹脂７５０ｇを得た。
【０２１０】
合成例２（２官能ＰＰＥオリゴマーの合成）
撹拌機、温度計、還流冷却管および空気導入管を備えた２リットルのガラス製フラスコ中にＣｕＣｌ１．３ｇ（０．０１２ｍｏｌ）、ジ−ｎ−ブチルアミン７０．７ｇ（０．５５ｍｏｌ）およびメチルエチルケトン５００ｍｌを仕込み、反応温度４０℃にて撹拌を行い、予めメチルエチルケトン１，０００ｍｌに溶解させた４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）４５．４ｇ（０．１６ｍｏｌ）と２，６−ジメチルフェノール５８．６ｇ（０．４８ｍｏｌ）とを２リットル／分の空気のバブリングを行いながら２時間かけて滴下し、その後、１時間、２リットル／分の空気のバブリングを続けながら撹拌を行った。そして、これにエチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウム水溶液を加え、反応を停止した。その後、３％塩酸水溶液で３回洗浄を行った後、イオン交換水でさらに洗浄を行った。得られた溶液を濃縮し、さらに減圧乾燥を行い、両末端にヒドロキシル基を有する２官能ＰＰＥオリゴマーを１０１．３ｇ得た。このオリゴマーは、数平均分子量が８６０、重量平均分子量が１，１５０、水酸基当量が４５５ｇ／ｅｑ．であった。
【０２１１】
実施例２５（樹脂組成物の調製）
合成例１で得られた可溶性ポリイミド樹脂５０．０ｇ、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社の商品名“ＨＰ７２００”：エポキシ当量２７７ｇ／ｅｑ．）２５．０ｇ、実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物（水酸基当量３７５ｇ／ｅｑ．）３３．８ｇおよび硬化促進剤である２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル（四国化成株式会社の商品名“２Ｅ４ＭＺ”）０．３ｇをジオキソランに溶解し、樹脂溶液（樹脂組成物）を得た。
【０２１２】
得られた樹脂溶液を、１２５μｍ厚ＰＥＴフィルム（東洋メタライジング株式会社の商品名“セラピールＨＰ”）の表面上にキャストした。その後、熱風オーブンにて６０℃、８０℃、１００℃、１２０℃および１４０℃の各温度でそれぞれ３分間加熱乾燥させ、ＰＥＴフィルムを支持体とする２層の樹脂シートを得た。この２層の樹脂シートから、ＰＥＴフィルムを剥離除去し、単層の樹脂シート（加熱硬化前の厚み５０μｍ）を得た。得られた樹脂シートを、１８μｍの圧延銅箔（ジャパンエナジー株式会社の商品名“ＢＨＹ−２２Ｂ−Ｔ”）で樹脂表面と銅箔粗化面とが接するように挟み込み、温度１８０℃、圧力３ＭＰａの条件で１時間加熱加圧した後、銅箔積層体（単層の樹脂シートを圧延銅箔で挟持したもの）を得た。このようにして得られた、両面に銅箔層を有する銅箔積層体について、半田耐熱性を評価した。また、得られた銅箔積層体の銅箔をエッチングにより除去し、硬化シートを得た。得られた硬化シートについて、実施例９〜１７および比較例２、３と同様にして燃焼性およびガラス転移温度を測定した。結果を表３に示す。なお、半田耐熱性の評価方法は次の通りである。
【０２１３】
銅箔積層体から長さ３０ｍｍ、幅１５ｍｍの試験片を切り出し、この試験片を温度２２．５〜２３．５℃、湿度３９．５〜４０．５％の環境下で２４時間放置した。そして、２７０℃の溶融半田に試験片を１分間ディップし、片側の銅箔のみをエッチングした。その後、目視にて樹脂部分を観察し、発泡や膨れ等の異常がなければ合格とし、２０検体中の不合格数を調べた。
【０２１４】
実施例２６〜２８（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、表３に示した環状ホスファゼン化合物を同表に表示の配合量で使用した点を除いて実施例２５と同様に操作し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例２５と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表３に示す。
【０２１５】
比較例６（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物３０．０ｇおよびフェノールノボラック型フェノール樹脂（群栄化学株式会社の商品名“ＰＳＭ−４３２４”：水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ．）９．４ｇを使用した点を除き、実施例２５と同様にして樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例２５と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および難燃性を評価した。結果を表３に示す。
【０２１６】
【表３】
【０２１７】
実施例２９（樹脂組成物の調製）
合成例１で得られた可溶性ポリイミド樹脂５０ｇ、ビスフェノールＡ系シアン酸エステル化合物である２，２’−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン（Ｌｏｎｚａ社の商品名“ＢＡＤＣｙ”）２８．０ｇおよび実施例２で得られた環状ホスファゼン化合物（水酸基当量＝３７５ｇ／ｅｑ．）３３．８ｇをジオキソランに溶解し、樹脂溶液（樹脂組成物）を得た。
【０２１８】
この樹脂溶液を、１２５μｍ厚のＰＥＴフィルム（東洋メタライジング株式会社の商品名“セラピールＨＰ”）の表面上にキャストした。その後、熱風オーブンにて６０℃、８０℃、１００℃、１２０℃および１４０℃の各温度でそれぞれ３分加熱乾燥させ、ＰＥＴフィルムを支持体とする２層の樹脂シートを得た。この２層の樹脂シートから、ＰＥＴフィルムを剥離除去し、単層の樹脂シート（加熱硬化前の厚み５０μｍ）を得た。得られた樹脂シートを、１８μｍの圧延銅箔（ジャパンエナジー株式会社の商品名“ＢＨＹ−２２Ｂ−Ｔ”）で樹脂表面と銅箔粗化面とが接するように挟み込み、温度２００℃、圧力３ＭＰａの条件で１時間加熱加圧して銅箔積層体（単層の樹脂シートを圧延銅箔で挟持したもの）を得た。そして、この銅箔積層体について、実施例２５と同様の方法で半田耐熱性を評価した。また、銅箔積層体の銅箔をエッチングにより除去して得られた硬化シートについて、実施例２５と同様の方法により燃焼性およびガラス転移温度を測定した。結果を表４に示す。
【０２１９】
実施例３０〜３２（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、表４に示した環状ホスファゼン化合物を同表に表示の配合量で使用した点を除いて実施例２９と同様に操作し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例２９と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表４に示す。
【０２２０】
比較例７（樹脂組成物の調製）
実施例２で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物３０．０ｇとフェノールノボラック型フェノール樹脂（群栄化学株式会社の商品名“ＰＳＭ−４３２４”：水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ．）９．４ｇとを使用した点を除き、実施例２９と同様にして樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて、実施例２９と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表４に示す。
【０２２１】
【表４】
【０２２２】
実施例３３（樹脂組成物の調製）
合成例２で得られた２官能ＰＰＥオリゴマー（水酸基当量：４５５ｇ／ｅｑ）２２．８ｇ、実施例１で得られた環状ホスファゼン化合物（水酸基当量２７６ｇ／ｅｑ．）１３．８ｇおよび ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン株式会社の商品名“Ｅｐｉｋｏｔｅ８２８”：エポキシ当量１８８ｇ／ｅｑ．）１８．８ｇをジオキソランに溶解し、樹脂溶液（樹脂組成物）を得た。
【０２２３】
この樹脂溶液を、１２５μｍ厚のＰＥＴフィルム（東洋メタライジング株式会社の商品名“セラピールＨＰ”）の表面上にキャストした。その後、熱風オーブンにて６０℃、８０℃、１００℃、１２０℃および１４０℃の各温度でそれぞれ３分間加熱乾燥させ、ＰＥＴフィルムを支持体とする２層の樹脂シートを得た。この２層の樹脂シートから、ＰＥＴフィルムを剥離除去し、単層の樹脂シート（加熱硬化前の厚みは５０μｍ）を得た。得られた樹脂シートを、１８μｍの圧延銅箔（ジャパンエナジー株式会社の商品名“ＢＨＹ−２２Ｂ−Ｔ”）で樹脂表面と銅箔粗化面とが接するように挟み込み、温度１８０℃、圧力３ＭＰａの条件で１時間加熱加圧して銅箔積層体（単層樹脂シートを圧延銅箔で挟持したもの）を得た。そして、この銅箔積層体について、実施例２５と同様の方法で半田耐熱性を評価した。また、銅箔積層体の銅箔をエッチングにより除去して得られた硬化シートについて、実施例２５と同様の方法により燃焼性およびガラス転移温度を測定した。結果を表５に示す。
【０２２４】
実施例３４〜３６（樹脂組成物の調製）
実施例１で製造した環状ホスファゼン化合物に代えて、表５に示した環状ホスファゼン化合物を同表に表示の配合量で使用した点を除いて実施例３３と同様に操作し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて、実施例３３と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表５に示す。
【０２２５】
比較例８（樹脂組成物の調製）
実施例１で製造した環状ホスファゼン化合物とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に代えて、比較例１で製造した環状ホスファゼン化合物１５．０ｇとビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン株式会社の商品名“Ｅｐｉｋｏｔｅ８２８”：エポキシ当量１８８ｇ／ｅｑ．）９．４ｇを使用した点を除き、実施例３３と同様にして樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて、実施例３３と同様の方法および条件により銅箔積層体および硬化シートを得、半田耐熱性、ガラス転移温度および燃焼性を評価した。結果を表５に示す。
【０２２６】
【表５】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式（１）で表されるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【化１】
（式（１）中、ｎは３〜１５の整数を示し、Ａは下記のＡ１基、Ａ２基およびＡ３基からなる群から選ばれた基を示しかつ少なくとも一つがＡ３基である。
Ａ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ａ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ａ３基：下記の式（２）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および下記の式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【化２】
【化３】
式（３）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。
【化４】
【化５】
式（４）および式（５）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。）
【請求項２】
式（１）において、２ｎ個のＡのうちの２〜（２ｎ−２）個がＡ３基である、請求項１に記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【請求項３】
式（１）のｎが３若しくは４である、請求項１または２に記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【請求項４】
式（１）のｎが異なる二種以上のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を含む、請求項１から３のいずれかに記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【請求項５】
下記の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドの全ハロゲン原子を、少なくとも一つが下記のＥ３基により置換されるよう下記のＥ１基、Ｅ２基およびＥ３基からなる群から選ばれた基により置換し、環状ホスホニトリル置換体を製造する工程と、
【化６】
（式（６）中、ｎは３〜１５の整数を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｅ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ｅ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ｅ３基：下記の式（７）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（８）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（９）で示される置換インダンオキシ基および下記の式（１０）で示される置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
（式（７）、式（８）、式（９）および式（１０）中のＺは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示し、式（８）中のＹは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示し、式（９）および式（１０）中のＲ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。）
前記環状ホスホニトリル置換体のＥ３基から前記保護基を脱離させる工程と、
を含むヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。
【請求項６】
樹脂成分と、
請求項１から４のいずれかに記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と、
を含む樹脂組成物。
【請求項７】
前記樹脂成分がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂および変性ポリフェニレンエーテルからなる群から選ばれたものである、請求項６に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
請求項６または７に記載の樹脂組成物からなる樹脂成形体。
【請求項１】
下記の式（１）で表されるヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【化１】
（式（１）中、ｎは３〜１５の整数を示し、Ａは下記のＡ１基、Ａ２基およびＡ３基からなる群から選ばれた基を示しかつ少なくとも一つがＡ３基である。
Ａ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ａ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ａ３基：下記の式（２）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（３）で示されるヒドロキシフェニル置換フェニルオキシ基、下記の式（４）で示されるヒドロキシフェニル置換インダンオキシ基および下記の式（５）で示されるヒドロキシインダン置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【化２】
【化３】
式（３）中、Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示す。
【化４】
【化５】
式（４）および式（５）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。）
【請求項２】
式（１）において、２ｎ個のＡのうちの２〜（２ｎ−２）個がＡ３基である、請求項１に記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【請求項３】
式（１）のｎが３若しくは４である、請求項１または２に記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【請求項４】
式（１）のｎが異なる二種以上のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物を含む、請求項１から３のいずれかに記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物。
【請求項５】
下記の式（６）で表される環状ホスホニトリルジハライドの全ハロゲン原子を、少なくとも一つが下記のＥ３基により置換されるよう下記のＥ１基、Ｅ２基およびＥ３基からなる群から選ばれた基により置換し、環状ホスホニトリル置換体を製造する工程と、
【化６】
（式（６）中、ｎは３〜１５の整数を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｅ１基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数が１〜８のアルコキシ基。
Ｅ２基：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリールオキシ基。
Ｅ３基：下記の式（７）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（８）で示される置換フェニルオキシ基、下記の式（９）で示される置換インダンオキシ基および下記の式（１０）で示される置換フェニルオキシ基からなる群から選ばれる基。
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
（式（７）、式（８）、式（９）および式（１０）中のＺは、脱離したときにＯＨ基を形成可能な保護基を示し、式（８）中のＹは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、ＣＨＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３若しくはＣＯを示し、式（９）および式（１０）中のＲ１およびＲ２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シクロアルキル基若しくはフェニル基を示す。）
前記環状ホスホニトリル置換体のＥ３基から前記保護基を脱離させる工程と、
を含むヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。
【請求項６】
樹脂成分と、
請求項１から４のいずれかに記載のヒドロキシル基含有環状ホスファゼン化合物と、
を含む樹脂組成物。
【請求項７】
前記樹脂成分がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂および変性ポリフェニレンエーテルからなる群から選ばれたものである、請求項６に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
請求項６または７に記載の樹脂組成物からなる樹脂成形体。
【公開番号】特開２００７−１５３７４７（Ｐ２００７−１５３７４７Ａ）
【公開日】平成１９年６月２１日（２００７．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４７３６０（Ｐ２００５−３４７３６０）
【出願日】平成１７年１１月３０日（２００５．１１．３０）
【出願人】（５９１２８６２７０）株式会社伏見製薬所 (50)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月２１日（２００７．６．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月３０日（２００５．１１．３０）
【出願人】（５９１２８６２７０）株式会社伏見製薬所 (50)
【Ｆターム（参考）】
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