プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
【課題】 ループインダクタンスを低減できるプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線板１０内にチップコンデンサ２０を配置するため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することができる。また、厚いコア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容するためプリント配線板を厚くすることがない。
【解決手段】 プリント配線板１０内にチップコンデンサ２０を配置するため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することができる。また、厚いコア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容するためプリント配線板を厚くすることがない。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】通常、コンピュータ内部においては、電源とＩＣチップ間の配線距離が長く、この配線部分のループインダクタンスは非常に大きいものとなっている。このため、高速動作時のＩＣ駆動電圧の変動も大きくなり、ＩＣの誤動作の原因となり得る。また、電源電圧を安定化させることも困難である。このため、電源供給の補助として、コンデンサをプリント配線板の表面に実装している。
【０００３】即ち、電圧変動となるループインダクタンスは、図１７（Ａ）に示す電源からプリント配線板３００内の電源線を介してＩＣチップ２７０の電源端子２７２Ｐまでの配線長、及び、ＩＣチップ２７０のアース端子２７２Ｅから電源からプリント配線板３００内のアース線を介して電源までの配線長に依存する。また、逆方向の電流が流れる配線同志、例えば、電源線とアース線との間隔を狭くすることでループインダクタンスを低減できる。このため、図１７（Ｂ）に示すように、プリント配線板３００にチップコンデンサ２９８を表面実装することで、ＩＣチップ２７０と電源供給源となるチップコンデンサ２９２とを結んでいるプリント配線板３００内の電源線とアース線との配線長を短くするとともに、配線間隔を狭くすることで、ループインダクタンスを低減することが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ駆動電圧変動の原因となる電圧降下の大きさは周波数に依存する。このため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、図１７（Ｂ）を参照して上述したようにチップコンデンサを表面に実装させてもなおループインダクタンスを低減できず、ＩＣ駆動電圧の変動を十分に抑えることが難しくなった。
【０００５】このため、本発明者は、プリント配線板内にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００６】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した技術は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とバイアホールとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００８】本発明は上述した課題を解決するためなされたものであり、その目的とするところは、ループインダクタンスを低減できると共に高い信頼性を有するプリント配線板、及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するため、請求項１では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板は、少なくとも１層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層とザグリ部にコンデンサを収納した収容層とからなることを技術的特徴とする。
【００１０】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。
【００１１】請求項１では、プリント配線板内にコンデンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することができる。また、コア基板は、少なくとも１層以上の接続層と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚くならず、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層してもプリント配線板を厚くすることがない。
【００１２】凹部内には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。
【００１３】請求項２では、収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなるため、コア基板に十分な強度を得ることができる。
【００１４】請求項３では、接続層と収容層に収容されたコンデンサとは、導電性接着剤を介して接続される。これにより、コンデンサとの電気接続とコンデンサと接続層との密着性が確保される。導電性接着材には、半田（Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ）、導電性ペースト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。
【００１５】導電接着剤とコンデンサとの空隙には、樹脂を充填させるのが望ましい。コンデンサを起因とする挙動を緩和し、導電接着剤のマイグレーションを防止することができるからである。
【００１６】請求項４では、接続層と収容層の間に、導電性接着剤と接続される回路が設けられているため、当該回路を介してコンデンサと確実に接続を取ることができる。また、接続層と収容層の間に、金属層からなる回路を配設することで、コア基板の反りを防ぐことができる。
【００１７】請求項５では、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドータボード、マザーボード）とコンデンサの端子とは、接続層に設けられたバイアホール及びコア基板に形成されたスルーホールを介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層に通孔を形成してコンデンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。
【００１８】請求項６では、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。また、プリント配線板の信号伝搬のノイズを低減することができる。
【００１９】また、接続用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化をすることが出来る。
【００２０】請求項７では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００２１】請求項８では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２２】請求項９では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２３】チップコンデンサの表面に粗化処理が施すことができる。これにより、セラミックから成るチップコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。
【００２４】請求項１０では、チップコンデンサの周囲に銅が形成されていることにより、内蔵したコンデンサには、マイグレーションの発生することがなくなる。また、コンデンサを充填させる樹脂との剥離やクラックがなくなり、収容性が向上される。そのため、電気特性の低下もない。
【００２５】請求項１１では、コア基板のザグリ部とコンデンサとの間に、樹脂を充填し、樹脂の熱膨張率を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００２６】請求項１２では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
【００２７】請求項１３では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
【００２８】請求項１４では、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩＣチップを動作させることができる。
【００２９】請求項１５のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを技術的特徴とする：（ａ）片面あるいは両面に回路パターンを形成した樹脂板に、接着材料を介して前記回路パターンにコンデンサを接続する工程（ｂ）前記樹脂板に、前記コンデンサを収容するキャビティを形成した樹脂基板を貼り付け、コア基板を形成する工程（ｃ）前記樹脂板に前記コンデンサの電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工程。
【００３０】請求項１５のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント配線板を提供できる。
【００３１】請求項１６のプリント配線板の製造方法では、コンデンサを収容した樹脂基板と樹脂板とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板を形成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。
【００３２】請求項１７のプリント配線板の製造方法では、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板とのスルーホールを配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について図７、図８を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態を示している。
【００３４】図７に示すようにプリント配線板１０は、チップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ層８０Ａ、８０Ｂを構成する層間樹脂絶縁層６０とからなる。コア基板３０は、コンデンサ２０を収容する収容層３１と接続層４０とからなる。接続層４０には、バイアホール４６及び導体回路４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バイアホール６６及び導体回路６８が形成されている。本実施形態では、ビルドアップ層が１層の層間樹脂絶縁層６０からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁層からなることができる。
【００３５】図８に示すように上側のビルドアップ層８０Ａのバイアホール６６には、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１，９２Ｐ２へ接続するためのバンプ７６が形成されている。一方、下側のビルドアップ層８０Ｂのバイアホール６６には、ドータボード９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２へ接続するためのバンプ７６が配設されている。コア基板３０にはスルーホール３６が形成されている。
【００３６】チップコンデンサ２０は、図１２に示すように第１電極２１と第２電極２２と、該第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、該誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面には、銅めっき等の金属被覆を被せることが望ましい。導電性接着剤３４との電気接続性を改善でき、また、マイグレーションの発生を防止できるからである。
【００３７】図８中に示すＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ２は、バンプ７６−導体回路６８−バイアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ２に接続されている。一方、ＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ１に接続されている。
【００３８】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００３９】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
【００４０】本実施形態のプリント配線板１０では、ＩＣチップ９０の直下にチップコンデンサ２０を配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、電力を瞬時的にＩＣチップ側へ供給することが可能になる。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さを短縮することができる。
【００４１】更に、チップコンデンサ２０とチップコンデンサ２０との間にスルーホール３６を設け、チップコンデンサ２０を信号線が通過しない。このため、コンデンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延を防ぐことができる。
【００４２】また、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドータボード）９４とコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２とは、ＩＣチップ側の接続層４０に設けられたバイアホール４６及びコア基板３０に形成されたスルーホール３６を介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層３１に通孔を形成してコンデンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。
【００４３】本実施形態では、図１２に示すようにチップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と樹脂からなる接着層４０との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層４０の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。なお、本実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【００４４】また、本実施形態では、図７に示すようにコア基板３０のキャビティ３１ａの側面とチップコンデンサ２０との間に樹脂充填材３２を介在させてある。ここで、樹脂充填材３２の熱膨張率を、コア基板３０及び接着層４０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接着層４０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板３０及び接着層４０にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００４５】ひき続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。コア基板を形成する樹脂層である接続層を形成し、その片面に金属層からなる回路パターンを形成させる。このため、片面に金属膜４１を積層した樹脂フィルム４０αを用意する（図１（Ａ））。この樹脂フィルム４０αとしては、エポキシ、ＢＴ、ポリイミド、オレフィン等の熱硬化性樹脂、又は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物を用いることができる。ここでは、通孔の形成が容易なように心材を備えないフィルムが望ましい。この金属膜４１をパターンエッチングして所定の回路パターン４２を形成する（図１（Ｂ））。次に、樹脂フィルム４０αの下面の回路パターン４２にチップコンデンサ２０を導電性接着材３４を介して接着する（図１（Ｃ））。これにより、コンデンサ２０との電気接続とコンデンサ２０と回路パターン４２との密着性が確保される。導電性接着材３４は、半田（Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ）、導電性ペースト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。導電性接着剤とコンデンサで生じる空隙は、樹脂によって充填させたほうがよい。
【００４６】一方、チップコンデンサを収容するキャビティ３１ａを穿設した収容層用積層板３１αを用意する（図１（Ｃ））。キャビティ３１ａは、ザグリにより形成させる。ザグリ以外にも通孔を形成したプリプレグと通孔を形成していないプリプレグとの接合、又は、射出成形によりキャビティを有する積層板を形成できる。この収容層用積層板３１αとしては、エポキシ樹脂をガラスクロス等の心材に含浸させたプリプレグを積層してなる積層板を用いることができる。エポキシ以外でも、ＢＴ、フェノール樹脂あるいはガラスクロスなどの強化材を含有しているもの等、一般的にプリント配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスクロスなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもできる。しかし、コア基板をセラミックやＡＩＮなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。樹脂基板は融点が３００℃以下であるため、３５０℃を越える温度を加えると溶解、軟化もくしは炭化してしまう。
【００４７】そして、チップコンデンサ２０を取り付けた樹脂フィルム４０α、コンデンサ収容部を有するコア基板用樹脂積層板３０α、更に、もう１枚の樹脂フィルム４０αを積層して、両面からプレスして表面を平坦にする（図１（Ｄ））。本実施形態では、コンデンサ２０を収容した収容層３１と接続層４０とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板３０を形成するため、表面が平坦化される。これにより、後述する工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層６０及び導体回路６８を積層することができる。なお、この際に、コンデンサ２０と樹脂フィルム４０αとの間の隙間は、樹脂フィルム４０αからしみ出る樹脂により充填される。ここで、この隙間が十分に充填し得ない際には、図２（Ａ）に示すように樹脂フィルム４０α側の回路パターン４２間に、コア基板よりも熱膨張率の小さな充填材３２αを配設し、図２（Ｄ）に示すように充填することも、また、図２（Ｃ）に示すように、コンデンサ２０側に充填材３２αを配置し、図２（Ｄ）に示すように充填することも可能である。
【００４８】その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ２０を収容する収容層３１と接続層４０とからなるコア基板３０を形成する（図３（Ａ））。なお、コア基板のキャビティ３１ａ内に、コア基板よりも熱膨張率の小さな樹脂充填剤３２を充填して、気密性を高めることが好適である。また、ここでは、樹脂フィルム４０αには、金属層のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設した樹脂フィルム（ＲＣＣ）を用いてもよい。即ち、両面板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。
【００４９】本実施形態では、コア基板３０を形成する接続層４０と収容層３１との間に、導電性接着剤３４と接続される回路パターン４２を設けてあるため、当該回路パターン４２を介してコンデンサ２０へ確実に接続を取ることができる。また、接続層４０と収容層３１との間に、金属層からなる回路パターン４２を配設することで、コア基板３０の反りを防ぐことができる。
【００５０】次に、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザあるいはＵＶレーザにより上面側の接続層４０にバイアホールとなる非貫通孔４３を穿設する（図３（Ｂ））。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させて通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエリア加工を行ってもよい。更に、バイアホールの大きさや径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによって形成させてもよい。
【００５１】また、必要に応じて、バイアホール内のスミアを酸素、窒素などの気体プラズマ処理、コロナ処理などのドライ処理によって、あるいは、過マンガン酸などの酸化剤による浸積による処理によって行ってもよい。引き続き、接続層４０、収容層３１及び接続層４０からなるコア基板３０に対して、ドリル、又は、レーザでスルーホール用の通孔３３を５０〜５００μｍで穿設する（図３（Ｃ））。
【００５２】コア基板３０の接続層４０の表層、バイアホール用非貫通孔４３及びスルーホール用貫通孔３３内に金属膜を形成させる。このために、接続層４０の表面にパラジウム触媒を付与してから、無電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、均一に無電解銅めっき膜４４を析出させる（図４（Ａ））。ここでは、無電解めっきを用いているが、スパッタにより、銅、ニッケル等の金属層を形成することも可能である。スパッタはコスト的には不利であるが、樹脂層との密着性を改善できる利点がある。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。樹脂によっては、触媒付与が安定しないものには有効であるし、無電解めっき膜と形成させた方が電解めっきの析出性が安定するからである。金属膜４４は、０．１〜３mmの範囲で形成することが望ましい。
【００５３】その後、金属膜４４の表面に感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５１を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、無電解めっき膜４４を介して電流を流し電解銅めっき膜４５を析出させる（図４（Ｂ））。レジスト５０及びレジスト５１を５％のKOH で剥離した後、レジスト５１下の無電解めっき膜４４を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、接続層４０にバイアホール４６及び導体回路４８を、一方、コア基板３０の通孔３３にスルーホール３６を形成する（図４（Ｃ））。
【００５４】導体回路４８、バイアホール４６及びスルーホール３６の導体層の表面に粗化層を設ける。酸化（黒化）−還元処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金などの無電解めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩からなるエッチング液などのエッチング処理によって粗化層を施す。粗化層はＲａ（平均粗度高さ）＝０．０１〜５μｍである。特に望ましいのは、０．５〜３μｍの範囲である。なお、ここでは粗化層を形成しているが、粗化層を形成せず後述するように直接樹脂を充填、樹脂フィルムを貼り付けることも可能である。
【００５５】引き続き、スルーホール３６内に樹脂層３８を充填させる。樹脂層としては、エポキシ樹脂等の樹脂を主成分として導電性のない樹脂、銅などの金属ペーストを含有させた導電性樹脂のどちらでもよい。この場合は、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカなどの熱膨張率を整合させるために含有させたものを樹脂充填材として充填させる。スルーホール３６への樹脂３８の充填後、樹脂フィルム６０αを貼り付ける（図５（Ａ））。なお、樹脂フィルムを貼り付ける代わりに、樹脂を塗布することも可能である。樹脂フィルム６０αを貼り付けた後、フォト、レーザにより、絶縁層６０αに開口径２０〜２５０μｍであるバイアホール６３を形成してから熱硬化させる（図５（Ｂ））。その後、コア基板に触媒付与し、無電解めっきへ浸積して、層間樹脂絶縁層６０の表面に均一に厚さ０．９μｍの無電解めっき膜６４を析出させ、その後、所定のパターンをレジスト７０で形成させる（図５（Ｃ））。
【００５６】電解めっき液に浸漬し、無電解めっき膜６４を介して電流を流してレジスト７０の非形成部に電解銅めっき膜６５を形成する（図６（Ａ））。レジスト７０を剥離除去した後、めっきレジスト下の無電解めっき膜６４を溶解除去し、無電解めっき膜６４及び電解銅めっき膜６５からなるの導体回路６８及びバイアホール６６を得る（図６（Ｂ））。
【００５７】第２銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液により、導体回路６８及びバイアホール６６の表面に粗化面（図示せず）を形成した。さらにその表面にSn置換を行ってもよい。
【００５８】上述したプリント配線板にはんだバンプを形成する。基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗布し、乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、紫外線で露光し、現像処理する。そしてさらに、加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）の開口部７２ａを有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７２を形成する（図６（Ｃ））。
【００５９】そして、ソルダーレジスト層７２の開口部７２ａに、半田ペーストを充填する（図示せず）。その後、開口部７２ａに充填された半田を 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６を形成する（図７参照）。なお、耐食性を向上させるため、開口部７２ａにＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属層をめっき、スパッタにより形成することも可能である。
【００６０】次に、該プリント配線板へのＩＣチップの載置及び、ドータボードへの取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことで、ＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６にドータボード９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２をリフローすることで、ドータボード９４へプリント配線板１０を取り付ける。
【００６１】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００６２】本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００６３】上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６４】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００６５】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００６６】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００６７】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００６８】上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００６９】上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７０】上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００７１】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７２】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００７３】上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００７４】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００７５】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００７６】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００７７】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００７８】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００７９】上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００８０】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００８１】引き続き、本発明の第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板について、図９を参照して説明する。第１改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この第１改変例のプリント配線板では、導電性ピン８４が配設され、該導電性ピン８４を介してドータボードとの接続を取るように形成されている。また、図１（Ａ）を参照して上述した実施形態では、片面に金属膜４１を積層した樹脂フィルム４０αいたが、この第１改変例では、両面に金属膜を積層した樹脂フィルムを用いてＩＣチップ９０側の層間樹脂絶縁層６０を製造してある。即ち、上面の金属膜をパターンエッチングして回路パターン４２を形成してある。更に、該回路パターン４２の開口４２ａをコンフォマルマスクとして用い、レーザにより非貫通孔４３を穿設しバイアホール４６を形成してある。
【００８２】また、上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、第１改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。
【００８３】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、本実施形態では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１３を参照して説明する。
【００８４】図１３は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図７を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図９を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ８６を実装する第１改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【００８５】引き続き、本発明の第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板について、図１０を参照して説明する。第２改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この第２改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ２０の第１電極２１と第２電極２２とが、ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１、９２Ｐ２とバンプ７６を介して直接接続されている。この第２改変例では、ＩＣチップとチップコンデンサとの距離を更に短縮させることができる。
【００８６】次に、本発明の第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板について、図１１を参照して説明する。第３改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この第３改変例のプリント配線板では、収容層３１と接続層４０との間に設けられた回路パターン４２により、コンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２とスルーホール３６とが直接接続されている。この第３改変例では、コンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２と、ドータボードとの配線長を短縮させることができる。
【００８７】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の構成について図１４を参照して説明する。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１４は、チップコンデンサの平面図を示している。図１４（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図１４（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図１４（Ｃ）は、第２実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第２実施形態のプリント配線板では、図１４（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。
【００８８】この第２実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
【００８９】引き続き、第２実施形態の第１改変例に係るプリント配線板図１５を参照して説明する。図１５は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。
【００９０】この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【００９１】図１６を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図１６（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図１６（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図１６（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。
【００９２】この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【００９３】上述した第２実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【００９４】ここで、第１実施形態のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ２０のインダクタンスと、プリント配線板の裏面（ドータボード側の面）に実装したチップコンデンサのインダクタンスとを測定した値を示す。
コンデンサ単体の場合埋め込み形 １３７pH裏面実装形 ２８７pHコンデンサを８個並列に接続した場合埋め込み形 ６０pH裏面実装形 ７２pH以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでインダクタンスを低減できる。
【００９５】次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第１実施形態のプリント配線板において、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定した。
静電容量変化率 （測定周波数100Hz） （測定周波数1kHz）
Steam 168時間: 0.3% 0.4%HAST 100時間: -0.9% -0.9%TS 1000cycles: 1.1% 1.3%
【００９６】Steam試験は、蒸気に当て湿度１００％に保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置した。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０分放置する試験を１０００回線り返した。
【００９７】上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、セラミックから成るコンデンサ２０と、樹脂からなるコア基板３０及び接着層４０との熱膨張率の違いから、内部応力が発生しても、チップコンデンサ２０と接着層４０との間で剥離、コア基板３０及び接着層４０にクラックが発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。
【００９８】
【発明の効果】本願発明の構造により、インダクタンスを起因とする電気特性の低下することはない。また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図９】第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１０】第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１１】第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１２】チップコンデンサの断面図である。
【図１３】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示すグラフである。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第２実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１５】第２実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１６】第２実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１７】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術に係るプリント配線板のループインダクタンスの説明図である。
【符号の説明】
１０ プリント配線板
２０ チップコンデンサ
２１ 第１電極
２２ 第２電極
２５ 収容層
３０ コア基板
３１ 収容層
３１ａ キャビティ
３４ 導電性接着剤
３６ スルーホール
４０ 接続層
４２ 回路パターン
４３ 非貫通孔
４６ バイアホール
６０ 層間樹脂絶縁層
６６ バイアホール
６８ 導体回路
８４ 導電性ピン
９０ ＩＣチップ
９４ ドータボード
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】通常、コンピュータ内部においては、電源とＩＣチップ間の配線距離が長く、この配線部分のループインダクタンスは非常に大きいものとなっている。このため、高速動作時のＩＣ駆動電圧の変動も大きくなり、ＩＣの誤動作の原因となり得る。また、電源電圧を安定化させることも困難である。このため、電源供給の補助として、コンデンサをプリント配線板の表面に実装している。
【０００３】即ち、電圧変動となるループインダクタンスは、図１７（Ａ）に示す電源からプリント配線板３００内の電源線を介してＩＣチップ２７０の電源端子２７２Ｐまでの配線長、及び、ＩＣチップ２７０のアース端子２７２Ｅから電源からプリント配線板３００内のアース線を介して電源までの配線長に依存する。また、逆方向の電流が流れる配線同志、例えば、電源線とアース線との間隔を狭くすることでループインダクタンスを低減できる。このため、図１７（Ｂ）に示すように、プリント配線板３００にチップコンデンサ２９８を表面実装することで、ＩＣチップ２７０と電源供給源となるチップコンデンサ２９２とを結んでいるプリント配線板３００内の電源線とアース線との配線長を短くするとともに、配線間隔を狭くすることで、ループインダクタンスを低減することが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ駆動電圧変動の原因となる電圧降下の大きさは周波数に依存する。このため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、図１７（Ｂ）を参照して上述したようにチップコンデンサを表面に実装させてもなおループインダクタンスを低減できず、ＩＣ駆動電圧の変動を十分に抑えることが難しくなった。
【０００５】このため、本発明者は、プリント配線板内にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００６】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した技術は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とバイアホールとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００８】本発明は上述した課題を解決するためなされたものであり、その目的とするところは、ループインダクタンスを低減できると共に高い信頼性を有するプリント配線板、及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するため、請求項１では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板は、少なくとも１層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層とザグリ部にコンデンサを収納した収容層とからなることを技術的特徴とする。
【００１０】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。
【００１１】請求項１では、プリント配線板内にコンデンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することができる。また、コア基板は、少なくとも１層以上の接続層と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚くならず、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層してもプリント配線板を厚くすることがない。
【００１２】凹部内には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。
【００１３】請求項２では、収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなるため、コア基板に十分な強度を得ることができる。
【００１４】請求項３では、接続層と収容層に収容されたコンデンサとは、導電性接着剤を介して接続される。これにより、コンデンサとの電気接続とコンデンサと接続層との密着性が確保される。導電性接着材には、半田（Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ）、導電性ペースト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。
【００１５】導電接着剤とコンデンサとの空隙には、樹脂を充填させるのが望ましい。コンデンサを起因とする挙動を緩和し、導電接着剤のマイグレーションを防止することができるからである。
【００１６】請求項４では、接続層と収容層の間に、導電性接着剤と接続される回路が設けられているため、当該回路を介してコンデンサと確実に接続を取ることができる。また、接続層と収容層の間に、金属層からなる回路を配設することで、コア基板の反りを防ぐことができる。
【００１７】請求項５では、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドータボード、マザーボード）とコンデンサの端子とは、接続層に設けられたバイアホール及びコア基板に形成されたスルーホールを介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層に通孔を形成してコンデンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。
【００１８】請求項６では、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。また、プリント配線板の信号伝搬のノイズを低減することができる。
【００１９】また、接続用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化をすることが出来る。
【００２０】請求項７では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００２１】請求項８では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２２】請求項９では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２３】チップコンデンサの表面に粗化処理が施すことができる。これにより、セラミックから成るチップコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。
【００２４】請求項１０では、チップコンデンサの周囲に銅が形成されていることにより、内蔵したコンデンサには、マイグレーションの発生することがなくなる。また、コンデンサを充填させる樹脂との剥離やクラックがなくなり、収容性が向上される。そのため、電気特性の低下もない。
【００２５】請求項１１では、コア基板のザグリ部とコンデンサとの間に、樹脂を充填し、樹脂の熱膨張率を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００２６】請求項１２では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
【００２７】請求項１３では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
【００２８】請求項１４では、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩＣチップを動作させることができる。
【００２９】請求項１５のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを技術的特徴とする：（ａ）片面あるいは両面に回路パターンを形成した樹脂板に、接着材料を介して前記回路パターンにコンデンサを接続する工程（ｂ）前記樹脂板に、前記コンデンサを収容するキャビティを形成した樹脂基板を貼り付け、コア基板を形成する工程（ｃ）前記樹脂板に前記コンデンサの電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工程。
【００３０】請求項１５のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント配線板を提供できる。
【００３１】請求項１６のプリント配線板の製造方法では、コンデンサを収容した樹脂基板と樹脂板とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板を形成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。
【００３２】請求項１７のプリント配線板の製造方法では、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板とのスルーホールを配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について図７、図８を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態を示している。
【００３４】図７に示すようにプリント配線板１０は、チップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ層８０Ａ、８０Ｂを構成する層間樹脂絶縁層６０とからなる。コア基板３０は、コンデンサ２０を収容する収容層３１と接続層４０とからなる。接続層４０には、バイアホール４６及び導体回路４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バイアホール６６及び導体回路６８が形成されている。本実施形態では、ビルドアップ層が１層の層間樹脂絶縁層６０からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁層からなることができる。
【００３５】図８に示すように上側のビルドアップ層８０Ａのバイアホール６６には、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１，９２Ｐ２へ接続するためのバンプ７６が形成されている。一方、下側のビルドアップ層８０Ｂのバイアホール６６には、ドータボード９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２へ接続するためのバンプ７６が配設されている。コア基板３０にはスルーホール３６が形成されている。
【００３６】チップコンデンサ２０は、図１２に示すように第１電極２１と第２電極２２と、該第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、該誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面には、銅めっき等の金属被覆を被せることが望ましい。導電性接着剤３４との電気接続性を改善でき、また、マイグレーションの発生を防止できるからである。
【００３７】図８中に示すＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ２は、バンプ７６−導体回路６８−バイアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ２に接続されている。一方、ＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ１に接続されている。
【００３８】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００３９】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
【００４０】本実施形態のプリント配線板１０では、ＩＣチップ９０の直下にチップコンデンサ２０を配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、電力を瞬時的にＩＣチップ側へ供給することが可能になる。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さを短縮することができる。
【００４１】更に、チップコンデンサ２０とチップコンデンサ２０との間にスルーホール３６を設け、チップコンデンサ２０を信号線が通過しない。このため、コンデンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延を防ぐことができる。
【００４２】また、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドータボード）９４とコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２とは、ＩＣチップ側の接続層４０に設けられたバイアホール４６及びコア基板３０に形成されたスルーホール３６を介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層３１に通孔を形成してコンデンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。
【００４３】本実施形態では、図１２に示すようにチップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と樹脂からなる接着層４０との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層４０の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。なお、本実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【００４４】また、本実施形態では、図７に示すようにコア基板３０のキャビティ３１ａの側面とチップコンデンサ２０との間に樹脂充填材３２を介在させてある。ここで、樹脂充填材３２の熱膨張率を、コア基板３０及び接着層４０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接着層４０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板３０及び接着層４０にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００４５】ひき続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。コア基板を形成する樹脂層である接続層を形成し、その片面に金属層からなる回路パターンを形成させる。このため、片面に金属膜４１を積層した樹脂フィルム４０αを用意する（図１（Ａ））。この樹脂フィルム４０αとしては、エポキシ、ＢＴ、ポリイミド、オレフィン等の熱硬化性樹脂、又は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物を用いることができる。ここでは、通孔の形成が容易なように心材を備えないフィルムが望ましい。この金属膜４１をパターンエッチングして所定の回路パターン４２を形成する（図１（Ｂ））。次に、樹脂フィルム４０αの下面の回路パターン４２にチップコンデンサ２０を導電性接着材３４を介して接着する（図１（Ｃ））。これにより、コンデンサ２０との電気接続とコンデンサ２０と回路パターン４２との密着性が確保される。導電性接着材３４は、半田（Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ）、導電性ペースト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。導電性接着剤とコンデンサで生じる空隙は、樹脂によって充填させたほうがよい。
【００４６】一方、チップコンデンサを収容するキャビティ３１ａを穿設した収容層用積層板３１αを用意する（図１（Ｃ））。キャビティ３１ａは、ザグリにより形成させる。ザグリ以外にも通孔を形成したプリプレグと通孔を形成していないプリプレグとの接合、又は、射出成形によりキャビティを有する積層板を形成できる。この収容層用積層板３１αとしては、エポキシ樹脂をガラスクロス等の心材に含浸させたプリプレグを積層してなる積層板を用いることができる。エポキシ以外でも、ＢＴ、フェノール樹脂あるいはガラスクロスなどの強化材を含有しているもの等、一般的にプリント配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスクロスなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもできる。しかし、コア基板をセラミックやＡＩＮなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。樹脂基板は融点が３００℃以下であるため、３５０℃を越える温度を加えると溶解、軟化もくしは炭化してしまう。
【００４７】そして、チップコンデンサ２０を取り付けた樹脂フィルム４０α、コンデンサ収容部を有するコア基板用樹脂積層板３０α、更に、もう１枚の樹脂フィルム４０αを積層して、両面からプレスして表面を平坦にする（図１（Ｄ））。本実施形態では、コンデンサ２０を収容した収容層３１と接続層４０とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板３０を形成するため、表面が平坦化される。これにより、後述する工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層６０及び導体回路６８を積層することができる。なお、この際に、コンデンサ２０と樹脂フィルム４０αとの間の隙間は、樹脂フィルム４０αからしみ出る樹脂により充填される。ここで、この隙間が十分に充填し得ない際には、図２（Ａ）に示すように樹脂フィルム４０α側の回路パターン４２間に、コア基板よりも熱膨張率の小さな充填材３２αを配設し、図２（Ｄ）に示すように充填することも、また、図２（Ｃ）に示すように、コンデンサ２０側に充填材３２αを配置し、図２（Ｄ）に示すように充填することも可能である。
【００４８】その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ２０を収容する収容層３１と接続層４０とからなるコア基板３０を形成する（図３（Ａ））。なお、コア基板のキャビティ３１ａ内に、コア基板よりも熱膨張率の小さな樹脂充填剤３２を充填して、気密性を高めることが好適である。また、ここでは、樹脂フィルム４０αには、金属層のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設した樹脂フィルム（ＲＣＣ）を用いてもよい。即ち、両面板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。
【００４９】本実施形態では、コア基板３０を形成する接続層４０と収容層３１との間に、導電性接着剤３４と接続される回路パターン４２を設けてあるため、当該回路パターン４２を介してコンデンサ２０へ確実に接続を取ることができる。また、接続層４０と収容層３１との間に、金属層からなる回路パターン４２を配設することで、コア基板３０の反りを防ぐことができる。
【００５０】次に、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザあるいはＵＶレーザにより上面側の接続層４０にバイアホールとなる非貫通孔４３を穿設する（図３（Ｂ））。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させて通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエリア加工を行ってもよい。更に、バイアホールの大きさや径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによって形成させてもよい。
【００５１】また、必要に応じて、バイアホール内のスミアを酸素、窒素などの気体プラズマ処理、コロナ処理などのドライ処理によって、あるいは、過マンガン酸などの酸化剤による浸積による処理によって行ってもよい。引き続き、接続層４０、収容層３１及び接続層４０からなるコア基板３０に対して、ドリル、又は、レーザでスルーホール用の通孔３３を５０〜５００μｍで穿設する（図３（Ｃ））。
【００５２】コア基板３０の接続層４０の表層、バイアホール用非貫通孔４３及びスルーホール用貫通孔３３内に金属膜を形成させる。このために、接続層４０の表面にパラジウム触媒を付与してから、無電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、均一に無電解銅めっき膜４４を析出させる（図４（Ａ））。ここでは、無電解めっきを用いているが、スパッタにより、銅、ニッケル等の金属層を形成することも可能である。スパッタはコスト的には不利であるが、樹脂層との密着性を改善できる利点がある。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。樹脂によっては、触媒付与が安定しないものには有効であるし、無電解めっき膜と形成させた方が電解めっきの析出性が安定するからである。金属膜４４は、０．１〜３mmの範囲で形成することが望ましい。
【００５３】その後、金属膜４４の表面に感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５１を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、無電解めっき膜４４を介して電流を流し電解銅めっき膜４５を析出させる（図４（Ｂ））。レジスト５０及びレジスト５１を５％のKOH で剥離した後、レジスト５１下の無電解めっき膜４４を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、接続層４０にバイアホール４６及び導体回路４８を、一方、コア基板３０の通孔３３にスルーホール３６を形成する（図４（Ｃ））。
【００５４】導体回路４８、バイアホール４６及びスルーホール３６の導体層の表面に粗化層を設ける。酸化（黒化）−還元処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金などの無電解めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩からなるエッチング液などのエッチング処理によって粗化層を施す。粗化層はＲａ（平均粗度高さ）＝０．０１〜５μｍである。特に望ましいのは、０．５〜３μｍの範囲である。なお、ここでは粗化層を形成しているが、粗化層を形成せず後述するように直接樹脂を充填、樹脂フィルムを貼り付けることも可能である。
【００５５】引き続き、スルーホール３６内に樹脂層３８を充填させる。樹脂層としては、エポキシ樹脂等の樹脂を主成分として導電性のない樹脂、銅などの金属ペーストを含有させた導電性樹脂のどちらでもよい。この場合は、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカなどの熱膨張率を整合させるために含有させたものを樹脂充填材として充填させる。スルーホール３６への樹脂３８の充填後、樹脂フィルム６０αを貼り付ける（図５（Ａ））。なお、樹脂フィルムを貼り付ける代わりに、樹脂を塗布することも可能である。樹脂フィルム６０αを貼り付けた後、フォト、レーザにより、絶縁層６０αに開口径２０〜２５０μｍであるバイアホール６３を形成してから熱硬化させる（図５（Ｂ））。その後、コア基板に触媒付与し、無電解めっきへ浸積して、層間樹脂絶縁層６０の表面に均一に厚さ０．９μｍの無電解めっき膜６４を析出させ、その後、所定のパターンをレジスト７０で形成させる（図５（Ｃ））。
【００５６】電解めっき液に浸漬し、無電解めっき膜６４を介して電流を流してレジスト７０の非形成部に電解銅めっき膜６５を形成する（図６（Ａ））。レジスト７０を剥離除去した後、めっきレジスト下の無電解めっき膜６４を溶解除去し、無電解めっき膜６４及び電解銅めっき膜６５からなるの導体回路６８及びバイアホール６６を得る（図６（Ｂ））。
【００５７】第２銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液により、導体回路６８及びバイアホール６６の表面に粗化面（図示せず）を形成した。さらにその表面にSn置換を行ってもよい。
【００５８】上述したプリント配線板にはんだバンプを形成する。基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗布し、乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、紫外線で露光し、現像処理する。そしてさらに、加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）の開口部７２ａを有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７２を形成する（図６（Ｃ））。
【００５９】そして、ソルダーレジスト層７２の開口部７２ａに、半田ペーストを充填する（図示せず）。その後、開口部７２ａに充填された半田を 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６を形成する（図７参照）。なお、耐食性を向上させるため、開口部７２ａにＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属層をめっき、スパッタにより形成することも可能である。
【００６０】次に、該プリント配線板へのＩＣチップの載置及び、ドータボードへの取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことで、ＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６にドータボード９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２をリフローすることで、ドータボード９４へプリント配線板１０を取り付ける。
【００６１】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００６２】本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００６３】上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６４】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００６５】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００６６】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００６７】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００６８】上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００６９】上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７０】上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００７１】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７２】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００７３】上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００７４】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００７５】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００７６】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００７７】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００７８】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００７９】上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００８０】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００８１】引き続き、本発明の第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板について、図９を参照して説明する。第１改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この第１改変例のプリント配線板では、導電性ピン８４が配設され、該導電性ピン８４を介してドータボードとの接続を取るように形成されている。また、図１（Ａ）を参照して上述した実施形態では、片面に金属膜４１を積層した樹脂フィルム４０αいたが、この第１改変例では、両面に金属膜を積層した樹脂フィルムを用いてＩＣチップ９０側の層間樹脂絶縁層６０を製造してある。即ち、上面の金属膜をパターンエッチングして回路パターン４２を形成してある。更に、該回路パターン４２の開口４２ａをコンフォマルマスクとして用い、レーザにより非貫通孔４３を穿設しバイアホール４６を形成してある。
【００８２】また、上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、第１改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。
【００８３】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、本実施形態では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１３を参照して説明する。
【００８４】図１３は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図７を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図９を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ８６を実装する第１改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【００８５】引き続き、本発明の第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板について、図１０を参照して説明する。第２改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この第２改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ２０の第１電極２１と第２電極２２とが、ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１、９２Ｐ２とバンプ７６を介して直接接続されている。この第２改変例では、ＩＣチップとチップコンデンサとの距離を更に短縮させることができる。
【００８６】次に、本発明の第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板について、図１１を参照して説明する。第３改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この第３改変例のプリント配線板では、収容層３１と接続層４０との間に設けられた回路パターン４２により、コンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２とスルーホール３６とが直接接続されている。この第３改変例では、コンデンサ２０の第１電極２１及び第２電極２２と、ドータボードとの配線長を短縮させることができる。
【００８７】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の構成について図１４を参照して説明する。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１４は、チップコンデンサの平面図を示している。図１４（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図１４（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図１４（Ｃ）は、第２実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第２実施形態のプリント配線板では、図１４（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。
【００８８】この第２実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
【００８９】引き続き、第２実施形態の第１改変例に係るプリント配線板図１５を参照して説明する。図１５は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。
【００９０】この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【００９１】図１６を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図１６（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図１６（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図１６（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。
【００９２】この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【００９３】上述した第２実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【００９４】ここで、第１実施形態のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ２０のインダクタンスと、プリント配線板の裏面（ドータボード側の面）に実装したチップコンデンサのインダクタンスとを測定した値を示す。
コンデンサ単体の場合埋め込み形 １３７pH裏面実装形 ２８７pHコンデンサを８個並列に接続した場合埋め込み形 ６０pH裏面実装形 ７２pH以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでインダクタンスを低減できる。
【００９５】次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第１実施形態のプリント配線板において、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定した。
静電容量変化率 （測定周波数100Hz） （測定周波数1kHz）
Steam 168時間: 0.3% 0.4%HAST 100時間: -0.9% -0.9%TS 1000cycles: 1.1% 1.3%
【００９６】Steam試験は、蒸気に当て湿度１００％に保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置した。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０分放置する試験を１０００回線り返した。
【００９７】上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、セラミックから成るコンデンサ２０と、樹脂からなるコア基板３０及び接着層４０との熱膨張率の違いから、内部応力が発生しても、チップコンデンサ２０と接着層４０との間で剥離、コア基板３０及び接着層４０にクラックが発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。
【００９８】
【発明の効果】本願発明の構造により、インダクタンスを起因とする電気特性の低下することはない。また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図９】第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１０】第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１１】第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１２】チップコンデンサの断面図である。
【図１３】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示すグラフである。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第２実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１５】第２実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１６】第２実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１７】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術に係るプリント配線板のループインダクタンスの説明図である。
【符号の説明】
１０ プリント配線板
２０ チップコンデンサ
２１ 第１電極
２２ 第２電極
２５ 収容層
３０ コア基板
３１ 収容層
３１ａ キャビティ
３４ 導電性接着剤
３６ スルーホール
４０ 接続層
４２ 回路パターン
４３ 非貫通孔
４６ バイアホール
６０ 層間樹脂絶縁層
６６ バイアホール
６８ 導体回路
８４ 導電性ピン
９０ ＩＣチップ
９４ ドータボード
【特許請求の範囲】
【請求項１】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板は、少なくとも１層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層とザグリ部にコンデンサを収納した収容層とからなることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】 前記収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなり、前記接続層は心材を有しない樹脂基板からなることを特徴とする請求項１のプリント配線板。
【請求項３】 前記接続層と前記コンデンサとは、導電性接着剤を介して接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板。
【請求項４】 前記コア基板において、接続層と収容層の間に、前記導電性接着剤へ接続される回路が設けられていることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】 プリント配線板の表面側に配設されるＩＣチップと前記コンデンサの端子とは、前記接続層に設けられたバイアホールを介して接続され、プリント配線板の裏面側に配設される外部基板と前記コンデンサの端子とは、前記バイアホール及びコア基板に形成されたスルーホールを介して接続されることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項６】 前記コンデンサを複数個収容し、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板との接続用配線を配設したことを特徴とする請求項１〜５の内１に記載のプリント配線板。
【請求項７】 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項１〜６の内１に記載のプリント配線板。
【請求項８】 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項９】 前記表面のチップコンデンサのインダクタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以上であることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項１０】 前記チップコンデンサの電極に、銅を主とするめっき膜で金属膜を設けたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項１１】 前記コア基板のザグリ部と前記チップコンデンサとの間に、コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項１２】 前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】 前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント配線板
【請求項１４】 前記コンデンサとして、多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１５】 少なくとも以下（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）片面あるいは両面に回路パターンを形成した樹脂板に、接着材料を介して前記回路パターンにコンデンサを接続する工程；
（ｂ）前記樹脂板に、前記コンデンサを収容するキャビティを形成した樹脂基板を貼り付け、コア基板を形成する工程；
（ｃ）前記樹脂板に前記コンデンサの電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工程。
【請求項１６】 前記（ｃ）工程の貼り付けの際、基板の両面から圧力をかけることを特徴とする請求項１５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１７】 前記（ｃ）工程の前後に、前記樹脂板に前記樹脂基板を貼り付けてなる前記コア基板に、通孔を穿設してスルーホールとする工程を経ることを特徴とする請求項１５または１３に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板は、少なくとも１層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層とザグリ部にコンデンサを収納した収容層とからなることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】 前記収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなり、前記接続層は心材を有しない樹脂基板からなることを特徴とする請求項１のプリント配線板。
【請求項３】 前記接続層と前記コンデンサとは、導電性接着剤を介して接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板。
【請求項４】 前記コア基板において、接続層と収容層の間に、前記導電性接着剤へ接続される回路が設けられていることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】 プリント配線板の表面側に配設されるＩＣチップと前記コンデンサの端子とは、前記接続層に設けられたバイアホールを介して接続され、プリント配線板の裏面側に配設される外部基板と前記コンデンサの端子とは、前記バイアホール及びコア基板に形成されたスルーホールを介して接続されることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項６】 前記コンデンサを複数個収容し、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板との接続用配線を配設したことを特徴とする請求項１〜５の内１に記載のプリント配線板。
【請求項７】 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項１〜６の内１に記載のプリント配線板。
【請求項８】 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項９】 前記表面のチップコンデンサのインダクタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以上であることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項１０】 前記チップコンデンサの電極に、銅を主とするめっき膜で金属膜を設けたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項１１】 前記コア基板のザグリ部と前記チップコンデンサとの間に、コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項１２】 前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】 前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント配線板
【請求項１４】 前記コンデンサとして、多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１５】 少なくとも以下（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）片面あるいは両面に回路パターンを形成した樹脂板に、接着材料を介して前記回路パターンにコンデンサを接続する工程；
（ｂ）前記樹脂板に、前記コンデンサを収容するキャビティを形成した樹脂基板を貼り付け、コア基板を形成する工程；
（ｃ）前記樹脂板に前記コンデンサの電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工程。
【請求項１６】 前記（ｃ）工程の貼り付けの際、基板の両面から圧力をかけることを特徴とする請求項１５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１７】 前記（ｃ）工程の前後に、前記樹脂板に前記樹脂基板を貼り付けてなる前記コア基板に、通孔を穿設してスルーホールとする工程を経ることを特徴とする請求項１５または１３に記載のプリント配線板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図７】
【図５】
【図６】
【図１０】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図１４】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図７】
【図５】
【図６】
【図１０】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図１４】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００２−１００８７２（Ｐ２００２−１００８７２Ａ）
【公開日】平成１４年４月５日（２００２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０００−２６６２８４（Ｐ２０００−２６６２８４）
【出願日】平成１２年９月１日（２０００．９．１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１４年４月５日（２００２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１２年９月１日（２０００．９．１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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