化合物及びそれを含有する薄膜
【課題】有機トランジスタの有機半導体層に含有させるのに有用なπ共役構造を有する化合物及びそれを用いた薄膜、及び該π共役構造を含む化合物を得るための前駆体である化合物を提供することである。
【解決手段】式
［式中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ３及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。Ｙは、２価の基を表す。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位と；π共役構造を有する構造単位とを；有する化合物。
【解決手段】式
［式中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ３及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。Ｙは、２価の基を表す。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位と；π共役構造を有する構造単位とを；有する化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物及びそれを含有する薄膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機トランジスタ等の有機半導体素子の製造過程では、シリコン系トランジスタ等の無機半導体素子の製造に必要な高温プロセス及び真空プロセスを省くことができ、製造に要するエネルギーを低減できる。また、有機半導体素子は、柔軟性を有するフィルム状の素子とすることが可能であり、次世代の素子として注目されている。
【０００３】
π共役構造を有する化合物は導電性及び半導体性を示し、有機半導体素子に用いられる有機半導体化合物として注目されている。π共役構造を有する化合物として、具体的には、例えば、ポリ３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）などが知られている。
【０００４】
非特許文献１には、ポリ３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）のクロロホルム溶液をシリコンウエハー上にスピンコートして有機半導体層を形成した有機トランジスタが記載されている。
【０００５】
しかしながら、上記有機トランジスタはトランジスタ特性が不十分であり、有機トランジスタの有機半導体層に含有させるのに有用な新規な有機半導体化合物が求められている。
【０００６】
非特許文献２には、π共役構造を有する化合物として、ポリアントラセン、及びアントラセンとベンゼンとのコポリマーが記載されている。アントラセン部分の多くは発光性であり、π共役構造の一部としてアントラセン部分を有するポリマーは、エレクトロルミネッセンス性を示す可能性が高い材料である。
【０００７】
π共役構造を有する化合物の多くは非溶解性であり、合成方法が複雑になり易い。そのため、非特許文献２では、加熱してポリアントラセン、及びアントラセンとベンゼンとのコポリマーに変化させることができ、溶剤に対して溶解性を示す前駆体が提案されている。上記前駆体は、ポリアントラセン、又はアントラセンとベンゼンとのコポリマーのアントラセン部分に、無水マレイン酸がディールスアルダー付加した構造を持っている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．）、第５３巻、第１８号、第１９５〜１９７頁（１９８８年）
【非特許文献２】ケミカル コミュニケーション（Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．）、第７３〜７４頁（１９９７年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記従来の問題を解決するものであり、その目的とするところは、有機トランジスタの有機半導体層に含有させるのに有用なπ共役構造を有する化合物及びそれを含有する薄膜、及び該π共役構造を含む化合物を得るための前駆体である化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、式（１）
【００１１】
【化１】
【００１２】
［式中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ３及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。Ｙは、２価の基を表す。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位と；式（２）、（３）、又は（４）
【００１３】
【化２】
【００１４】
［式（２）〜（４）中、Ｒ５は、置換基を表す。ｓは、１〜４の整数を表す。ｐは、０〜４の整数を表す。ｑは、０〜４の整数を表す。Ｒ５が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位、式（５）
【００１５】
【化３】
（５）
【００１６】
［式中、Ａｒ1は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（ＲＡ）＝Ｃ（ＲＡ）−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ（ＲＢ）＝Ｎ−、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。但し、Ａｒ1は、前記式（１）で表される基ではない。２個のＲＡは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ＲＢは、水素原子又は置換基を表す。］
で表される構造単位、及び下式
【００１７】
【化４】
（６）
【００１８】
［式中、ｒ及びｒｒは、それぞれ構造単位（-Ａｒ３-ＮＡｒ６-）の数及び構造単位（−Ａｒ５−ＮＡｒ７−）の数を表し、それぞれ独立に、０又は１である。Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。
Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。］
で表される構造単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構造単位とを有する化合物を提供する。
なお、前記式（１）において、左側のベンゼン環には、その右側の２つのＣ原子（これらの内の一つにはＲ３が結合し、他方にはＲ４が結合している）と結合している２つのベンゼン環炭素原子以外のベンゼン環炭素原子の内のいずれかにおいて、水素原子の代わりにｎ個のＲ１基、及び一つの隣接構造単位（図示せず）と結合している。同様に、前記式（２） において、ｓ個のＲ５基はそれぞれ水素原子に代わって、隣接構造単位（図示せず）と結合している２つの環炭素原子以外の環炭素原子の内のいずれかｓ個の環炭素原子と結合している。式（１）や式（２）に類似した他の式も同様に解釈される。
【００１９】
ある一形態においては、前記化合物は、式（１）で表される構造単位を２個以上有する。このとき、式（１）で表される構造単位は互いに同じであってもよく、また異なっていてもよい。
【００２０】
ある一形態においては、前記化合物は、さらに、式（７）
【００２１】
【化５】
（７）
【００２２】
で表される構造単位を１個以上有する。
【００２３】
ある一形態においては、Ｙで表される２価の基が、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）のそれぞれで表される基
【００２４】
【化６】
【００２５】
［式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）中、Ｒ１０〜Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｘ１は、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｘ１が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
からなる群から選択される少なくとも一種の基である。すなわち、前記化合物は、式（１）で表される構造単位を１個だけ有するとき、Ｙで表される２価の基は、上記式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）のいずれか１つで表され、前記化合物が式（１）で表される構造単位を２個以上有するとき、それらの構造単位におけるＹは、互いに同じであってもよく、また異なっていてもよい。
【００２６】
ある一形態においては、前記化合物は、重量平均分子量が３０００以上の高分子化合物である。
【００２７】
ある一形態においては、前記化合物は、さらに、式（８）
【００２８】
【化７】
【００２９】
［式中、ｎ、ｍ、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３及びＲ4は、式（１）におけるこれらと同じ意味を表す。］
で表される構造単位を有する。
【００３０】
また、本発明は、前記いずれかの化合物と溶媒とを含有する溶液を提供する。
【００３１】
また、本発明は、前記いずれかの化合物を含有する薄膜を提供する。
【００３２】
また、本発明は、基体と薄膜とを有する積層体であって、
前記薄膜は、前記溶液を該基体上に塗布して式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成し、次いで、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して得られる膜である積層体を提供する。
【００３３】
また、本発明は、薄膜と基体とを有する積層体の製造方法であって、
前記溶液を基体上に塗布し、式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成する工程と、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して膜を形成する工程とを有する積層体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００３４】
有機トランジスタの有機半導体層に含有させるのに有用なπ共役構造を有する化合物及びそれを含有する薄膜、及び該π共役構造を含む化合物を得るための前駆体である化合物が提供された。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施例３の薄膜の加熱前後の赤外吸収スペクトルである。
【図２】実施例３の薄膜の加熱前後の紫外可視吸収スペクトルである。
【図３】参考例３として製造した有機トランジスタの構造を示す断面図である。
【図４】参考例４〜１１として製造した有機トランジスタの構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３７】
本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位を含む。
【００３８】
【化８】
【００３９】
式（１）中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。置換基の中でも、ハロゲン原子、炭素数１〜３０の基が好ましい。
【００４０】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。
中でも、フッ素原子、塩素原子が好ましい。
【００４１】
炭素数１〜３０の基の例としては、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、チエニル基などのヘテロアリール基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、シアノ基が挙げられる。炭素数１〜３０の基中の水素原子は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。炭素数１〜３０の基中の水素原子がハロゲン原子で置換されている場合、ハロゲン原子の中でもフッ素原子で置換されていることが好ましい。
【００４２】
ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｎ及びｍは、０であることが好ましい。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。
【００４３】
式（１）中、Ｒ３及びＲ4は、水素原子又は置換基を表す。Ｒ３又はＲ4で表される置換基の例としては、Ｒ１で表される置換基の例と同じ基が挙げられる。化合物の合成の容易さの観点からは、Ｒ３及びＲ4は、水素原子が好ましい。
【００４４】
式（１）中、Ｙは、２価の基を表す。２価の基の中でも、熱や光などのエネルギーを与えることで脱離しうる基が好ましい。Ｙで表される２価の基としては、以下の基が例示される。
【００４５】
【化９】
【００４６】
式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−８）中、Ｒ１０〜Ｒ２０は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。中でも、水素原子又は炭素数１〜３０の基が好ましい。
【００４７】
Ｒ１０〜Ｒ１９が置換基である場合、該置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基が挙げられる。アルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基がさらに好ましく、炭素数１〜６のアルキル基が特に好ましい。
【００４８】
Ｒ２０が置換基である場合、該置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、ビニル基、エステル構造を含む基が挙げられる。
【００４９】
Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子の中でも、塩素原子、臭素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００５０】
式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−８）で表される基の中でも、式（Ｙ−３）〜式（Ｙ−７）で表される基が好ましく、式（Ｙ−３）〜式（Ｙ−５）で表される基がより好ましい。例えば、好ましいＹは、式（Ｙ−３）又は（Ｙ−４）中で、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９が、炭素数１〜１０のアルコキシ基、特に、炭素数１〜４のアルコキシ基となる基である。
【００５１】
本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位に加えて、π共役構造を有する構造単位を有する。π共役構造を有する構造単位の具体例には、次の式（２）で表される構造単位、式（３）で表される構造単位、式（４）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位及び式（６）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位が含まれる。
【００５２】
【化１０】
【００５３】
【化１１】
（６）
【００５４】
式（２）〜式（４）中、Ｒ５は、置換基を表す。Ｒ５で表される置換基の例としては、Ｒ１で表される置換基の例と同じ基が挙げられる。
【００５５】
式（２）中、ｓは、１〜４の整数を表す。式（３）中、ｐは、０〜４の整数を表す。ｐは、０が好ましい。式（４）中、ｑは、０〜４の整数を表す。ｑは、０が好ましい。
【００５６】
式（２）〜式（４）中、Ｒ５が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。
【００５７】
式（５）中、Ａｒ1は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（ＲＡ）＝Ｃ（ＲＡ）−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ（ＲＢ）＝Ｎ−、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。但し、Ａｒ1は、前記式（１）で表される基ではない。２個のＲＡは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ＲＢは、水素原子又は置換基を表す。ＲＡ又はＲＢで表される置換基の例としては、Ｒ１で表される置換基の例と同じ基が挙げられる。
【００５８】
アリーレン基としては、単環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基、多環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基、２個以上の芳香族炭化水素が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基が挙げられる。
【００５９】
アリーレン基が、単環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基である場合、該アリーレン基の炭素数は、８〜６０であることが好ましく、８〜４８であることがより好ましく、８〜３０であることがさらに好ましく、８〜１４であることが特に好ましい。該炭素数に置換基の炭素数は含まれない。
【００６０】
アリーレン基が、多環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基である場合、該アリーレン基の炭素数は、１０〜６０であることが好ましく、１０〜４８であることがより好ましく、１０〜３０であることがさらに好ましく、１０〜１４であることが特に好ましい。該炭素数に置換基の炭素数は含まれない。
【００６１】
アリーレン基が、多環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいアリーレン基の例としては、下記の基が挙げられる。
【００６２】
【化１２】
【００６３】
【化１３】
【００６４】
【化１４】
【００６５】
【化１５】
【００６６】
【化１６】
【００６７】
【化１７】
【００６８】
上記式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒが置換基である場合、メチル基、エチル基、ブチル基、２−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル、ナフチル等のアリール基、チエニルなどのヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基が挙げられる。Ｒがアルキル基である場合、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がさらに好ましい。Ｒがアルコキシ基である場合、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ基がより好ましく、炭素数１〜８のアルコキシ基がさらに好ましい。
【００６９】
アリーレン基が、２個以上の芳香族炭化水素が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基である場合、芳香族炭化水素としてはベンゼンが好ましい。アリーレン基が、２個以上のベンゼンが直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいアリーレン基の例としては、下記の基が挙げられる。
【００７０】
【化１８】
【００７１】
【化１９】
【００７２】
【化２０】
【００７３】
上記式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。
【００７４】
ヘテロアリーレン基としては、単環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基、多環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基、少なくとも１個の芳香族複素環式化合物を含む２個以上の芳香族化合物が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基が挙げられる。
【００７５】
ヘテロアリーレン基が単環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基又は多環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基である場合、該ヘテロアリーレン基の炭素数は、３〜６０であることが好ましく、３〜２０であることがより好ましい。該炭素数に置換基の炭素数は含まれない。
【００７６】
ヘテロアリーレン基が単環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基又は多環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基の例としは、下記の基があげられる。
【００７７】
【化２１】
【００７８】
【化２２】
【００７９】
【化２３】
【００８０】
【化２４】
【００８１】
【化２５】
【００８２】
【化２６】
【００８３】
【化２７】
【００８４】
【化２８】
【００８５】
【化２９】
【００８６】
【化３０】
【００８７】
【化３１】
【００８８】
【化３２】
【００８９】
【化３３】
【００９０】
【化３４】
【００９１】
上記式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。
【００９２】
ヘテロアリーレン基が少なくとも１個の芳香族複素環式化合物を含む２個以上の芳香族化合物が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基の例としては、下記の基が挙げられる。
【００９３】
【化３５】
【００９４】
【化３６】
【００９５】
【化３７】
【００９６】
【化３８】
【００９７】
【化３９】
【００９８】
【化４０】
【００９９】
【化４１】
【０１００】
上記式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。Ｘ２は、−ＣＨ＝又は窒素原子を表す。Ｘ２が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１０１】
Ａｒ1としては、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基が好ましい。
【０１０２】
式（６）中、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。アリーレン基、ヘテロアリーレン基の例としては、フェニレン基、Ａｒ１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基の例と同じ基が挙げられる。
【０１０３】
Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、置換基を有していてもよいフェニレン基が好ましい。
【０１０４】
式（６）中、Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
【０１０５】
アリール基の例としては、フェニル、ナフチル、アントリル基が挙げられる。ヘテロアリール基の例としては、チエニル基が挙げられる。
【０１０６】
Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基が好ましく、アルキル基を有していてもよいフェニル基がより好ましい。
【０１０７】
式（６）中、ｒ及びｒｒは、それぞれ構造単位（-Ａｒ３-ＮＡｒ６-）の数及び構造単位（−Ａｒ５−ＮＡｒ７−）の数を表し、それぞれ独立に、０又は１である。
【０１０８】
式（６）中、Ａｒ5、Ａｒ6、Ａｒ7又はＡｒ8で表される基中の炭素原子は、Ａｒ5、Ａｒ6、Ａｒ7又はＡｒ8で表される基が結合している窒素原子と結合しているＡｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ7又はＡｒ8で表される基中の炭素原子と、直接結合し、又は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(＝Ｏ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｏ−、−Ｎ(ＲＣ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｎ(Ｒｃ)−若しくは−Ｃ(Ｒｃ)2−を介して結合し、５〜７員環を形成していてもよい。ＲＣは、ア
ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はアラルキル基を表す。
【０１０９】
式（６）で表される構造単位の例としては、下記の基が挙げられる。
【０１１０】
【化４２】
【０１１１】
上記式中、Ｒは前述と同じ意味を表す。
【０１１２】
本発明の化合物は、式（２）〜式（６）で表される構造単位を、それぞれ、１種のみ含んでいても２種以上含んでいてもよい。
【０１１３】
本発明の化合物は、さらに、式（７）で表される構造単位を１個以上含んでいてもよい。
【０１１４】
【化４３】
（７）
【０１１５】
本発明の化合物は、さらに、式（８）で表される１個以上構造単位を含んでいてもよい。
【０１１６】
【化４４】
【０１１７】
式（８）中、ｎ、ｍ、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３及びＲ4は、式（１）におけるこれらと同じ意味を表す。
【０１１８】
本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位を２個以上含むことが好ましい。式（１）で表される構造単位が含まれるとき、それらは互いに同じであってもよく、また異なっていてもよい。
【０１１９】
本発明の化合物の分子量は特に制限なく、どのような分子量でも使用することができるが、高分子化合物であることが好ましい。本発明における高分子化合物とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が３×１０３以上のものを指す。
【０１２０】
本発明の化合物の中でも、重量平均分子量で３×１０３〜１×１０７の高分子化合物が好ましく用いられる。重量平均分子量が３×１０３以上であるとデバイス作製時の膜形成において、欠陥の発生が抑制され、１×１０７以下であると溶媒への溶解性や素子作成時の塗布性が高くなる。
【０１２１】
重量平均分子量としてさらに好ましくは、８×１０３〜５×１０６であり、特に好ましくは１×１０４〜１×１０６である。デバイス作製時の膜形成において、欠陥の発生が抑制する観点からは、１００００以上が好ましい。
【０１２２】
ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０3〜１×１０8であることが好ましく、より好ましくは２×１０3〜１×１０7である。ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０3以上である場合には、強靭な薄膜が得られやすくなる。一方、１０8以下である場合には、高分子化合物の溶解性が高く、薄膜の作製が容易である。
【０１２３】
なお、本発明における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用い、ポリスチレンスタンダードを用いて算出した重量平均分子量のことを指す。
【０１２４】
本発明の化合物が高分子化合物である場合、溶媒に対する溶解度の観点からは、該高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計量を１００とした場合、繰り返し単位として含む式（１）で表される構造単位の量が、２０〜９９であることが好ましく、３０〜６０であることがより好ましい。
【０１２５】
前記高分子化合物は、分子鎖末端に重合に関与する基が残っていると、得られた高分子化合物を有機素子に用いたときの特性が低下する可能性があるので、末端が重合に関与しない安定な基で保護されていることが好ましい。該安定な基としては、分子鎖主鎖の共役構造と連続した共役結合を有している基が好ましい。具体的には、特開平9-45478号公報の化10に記載の置換基が例示される。
【０１２６】
また、前記高分子化合物は、素子に用いる場合、素子作製の容易性から、溶媒への溶解度が高いことが望ましい。具体的には、０．０１ｗｔ％以上の溶液を作製できる溶解性を有することが好ましく、０．１ｗｔ％以上の溶液を作製できる溶解性を有することがより好ましく、０．４ｗｔ％以上の溶液を作製できる溶解性を有することがさらに好ましい。
【０１２７】
本発明の化合物が高分子化合物である場合、該化合物の製造方法は、特に制限されるものではないが、Ｎｉ触媒を用いた還元的カップリング反応を用いる方法、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法があげられる。化合物の合成の容易さからは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法が好ましい。
【０１２８】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式
Ｑ１−Ｅ1−Ｑ２ （１００）
［式中、Ｅ1は、式（１）で表される構造単位を表す。Ｑ１及びＱ２は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又は、ホウ酸エステル残基を表す。］
で表される１種類以上の化合物と、式
Ｔ1−Ｅ2−Ｔ2 （２００）
［式中、Ｅ2は、式（２）〜式（８）で表される構造単位を表す。Ｔ1及びＴ2は、同一又は相異なり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。］
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。
【０１２９】
反応に用いる式（２００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計が、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計に対して、過剰であることが好ましい。反応に用いる式（２００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計を１モルとすると、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計が０．６〜０．９９モルであることが好ましく、０．７〜０．９５モルであることがさらに好ましい。
【０１３０】
式（２００）における、Ｔ1及びＴ2で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることがさらに好ましい。
【０１３１】
式（２００）における、Ｔ1及びＴ2で表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。
【０１３２】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いられるパラジウム触媒としては、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒等が挙げられる。パラジウム触媒の具体例としては、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられるが、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセテート類が好ましい。
【０１３３】
パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、0.0001モル〜0.5モルであり、好ましくは0.0003モル〜0.1モルである。
【０１３４】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いられる塩基は、無機塩基、有機塩基、無機塩等である。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等が挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウムが挙げられる。
【０１３５】
塩基の添加量は、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、0.5モル〜100モルであり、好ましくは0.9モル〜20モルであり、さらに好ましくは１モル〜１０モルである。
【０１３６】
前記パラジウム触媒としてパラジウムアセテート類を用いる場合は、配位子としてリン化合物を添加してもよい。リン化合物の例としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィンが挙げられる。リン化合物を添加する場合、その添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、0.5モル〜100モルであり、好ましくは0.9モル〜20モルであり、さらに好ましくは１モル〜10モルである。
【０１３７】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応において、反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒の例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランが挙げられる。高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。また、塩基を水溶液として反応系中に加え、水相と有機相の２相の溶媒中でモノマーを反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、通常、水溶液として反応系中に加え、２相の溶媒中でモノマーを反応させる。
【０１３８】
なお、塩基を水溶液として反応系中に加え、２相の溶媒中でモノマーを反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩などの相間移動触媒を反応系中に加えてもよい。
【０１３９】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の温度は、前記溶媒にもよるが、通常、50〜160℃程度である。高分子化合物の高分子量化の観点からは、60〜120℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
【０１４０】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う時間（反応時間）は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、0.1時間〜200時間程度であり、１時間〜３０時間程度が好ましい。
【０１４１】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下であってパラジウム触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、反応容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（１００）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を仕込み、さらに、反応容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、脱気したトルエンを加えた後、この溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基、例えば、脱気した炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。
【０１４２】
式（８）で表される構造単位を含む本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位を含み、かつ、式（８）で表される構造単位を含まない化合物にエネルギーを加え、Ｙで表される２価の基を脱離させて製造することができる。出発化合物がＹで表される２価の基を複数有している場合には、Ｙで表される２価の基の全てを脱離させてもよく、また、かかる基の一部を脱離させてもよい。
【０１４３】
＜本発明の化合物と溶媒を含む溶液＞
本発明の溶液は、本発明の化合物と溶媒とを含む。溶媒の例としては、化合物の溶解性の観点からは、芳香族炭化水素溶媒、ハロゲン置換芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒、ハロゲン置換脂肪族炭化水素溶媒、エーテル溶媒が挙げられる。芳香族炭化水素溶媒の例としては、キシレン、メシチレン、アニソール、シクロヘキシルベンゼンが挙げられる。ハロゲン置換芳香族炭化水素溶媒の例としては、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンが挙げられる。脂肪族炭化水素溶媒の例としては、テトラリンが挙げられる。ハロゲン置換脂肪族炭化水素溶媒の例としては、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンが挙げられる。エーテル溶媒の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランが挙げられる。
【０１４４】
該溶液を用いて本発明の化合物を含む薄膜を成膜する場合、溶液中の溶媒の沸点が低いと、均一な薄膜を形成するための乾燥工程の制御が困難な場合がある。そのため、溶媒の沸点は１５０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましい。
【０１４５】
＜本発明の化合物を含む薄膜＞
本発明の化合物を含む薄膜の製造方法は、特に制限されるものではないが、成膜の容易さからは、本発明の化合物と溶媒を含む溶媒を基板などに塗布することで形成する方法が好ましい。
【０１４６】
塗布方法としては、キャスト方法、スピンコート方法、バーコート法、インクジェット方法、凸版を用いる印刷方法、孔版を用いる印刷方法、第１の版に塗布した後に第２の版に転写し、第２の版を用いて印刷する方法などがあげられる。
【０１４７】
基板としては、特に制限されるものではないが、ガラス、ポリエチレン、ポリスチレンやフッ素樹脂からなるプラスチックやフィルム、ステンレスやアルミなどの金属、シリコンウエハなどが例示される。
【０１４８】
式（８）で表される構造単位を含む本発明の化合物を含む薄膜は、式（１）で表される構造単位を含み、かつ、式（８）で表される構造単位を含まない化合物からなる薄膜にエネルギーを加え、Ｙで表される２価の基の一部を脱離させて製造することができる。
【０１４９】
＜積層体＞
本発明の積層体は、基体と薄膜とを有する積層体であって、前記薄膜は、本発明の化合物と溶媒とを含む溶液を該基体上に塗布して式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成し、次いで、該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して得られる膜である積層体である。
【０１５０】
式（１）で表される構造単位を含む化合物にエネルギーを加えることで、式（１）中のＹで表される２価の基が脱離し、式（８）で表される構造単位を含む化合物が生成する。
該エネルギーの例としては、熱エネルギー、光エネルギーが挙げられる。
【０１５１】
熱エネルギーを用いる場合は、前記化合物からＹで表される２価の基が脱離する温度以上、かつ、該化合物が分解する温度よりも低い温度であれば、任意の温度を設定することができる。通常は１５０℃から４００℃の範囲が好ましく、より好ましくは２００℃から３５０℃である。熱処理を行う時間としては、工業的な範囲で選定できるが、通常は１分から５０時間であり、好ましくは１０分から２４時間である。熱処理の雰囲気としては、不活性雰囲気が好ましく、窒素ガス中、アルゴンガス中、真空中が例示される。不活性雰囲気中に酸素を含む場合、酸素濃度が１００体積ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ以下であることがより好ましい。また、不活性雰囲気が真空である場合、酸素分圧が２００Ｐａ以下であることが好ましく、より好ましくは５０Ｐａである。
【０１５２】
光によりＹで表される２価の基を脱離させる方法としては、４００ｎｍ以下の波長の紫外線を照射する方法が例示される。光強度はＹで表される２価の基が脱離する強さであれば特に制限はない。光を照射する場合の雰囲気も、不活性雰囲気が好ましく、その範囲は上記に例示した範囲を好適に用いることができる。
【０１５３】
本発明の積層体は、有機トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子などに用いることができる。
【０１５４】
基体は、ガラス、フィルムなどの基板であってもよく、基板と電極とを有していてもよく、基板と電極と有機層とを有していてもよい。積層体を有機トランジスタに用いる場合、基体は、基板とゲート電極とゲート絶縁層からなることが好ましい。積層体を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる場合、基体は、基板と陽極と有機層からなることが好ましい。
【０１５５】
本発明の積層体の製造方法は、薄膜と基体とを有する積層体の製造方法であって、本発明の化合物と溶媒とを含む溶液を基体上に塗布し、式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成する工程と、該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して薄膜を形成する工程とを有する積層体の製造方法である。
【０１５６】
＜有機トランジスタ＞
本発明の化合物は、有機トランジスタの有機半導体層に好適に用いられる。有機トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を備えるものであり、電界効果型有機トランジスタ、静電誘導型有機トランジスタなどが例示される。
【０１５７】
電界効果型薄膜有機トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。
特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層（活性層）に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。
【０１５８】
静電誘導型薄膜有機トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層中に設けられたゲート電極が、有機半導体層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。
【実施例】
【０１５９】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６０】
（ＮＭＲ測定）
ＮＭＲ測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ｖａｒｉａｎ社製、ＩＮＯＶＡ３００）を用いて行った。
【０１６１】
（数平均分子量及び重量平均分子量の測定）
数平均分子量及び重量平均分子量については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。GPC装置は、島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ（カラム：ＴｓＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本と、ＴｓＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本との直列接続、移動相：テトラハイドロフラン、流速：０．６ｍｌ／分、サンプル濃度：約０．５ｗｔ％、検出器：示差屈折率検出器またはＵＶ検出器）または、Ｗａｔｅｒｓ製、商品名：Ａｌｌｉａｎｃｅ ＧＰＣ／Ｖ２０００（カラム：ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（Ｖａｒｉａｎ製）３本の直列接続、カラム温度：１４０℃、移動相：オルトジクロロベンゼン、流速：１ｍｌ／分、サンプル濃度：約０．７７ｗｔ％、検出器：示差屈折率検出器またはＵＶ検出器）を用いた。
【０１６２】
高分子化合物の吸収波長の測定には、紫外、可視、近赤外の波長領域で動作する分光光度計（例えば、日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０）を用いた。ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０を用いる場合、測定可能な波長範囲が２００〜１５００ｎｍであるため、該波長範囲で測定を行った。まず、測定に用いる基板の吸収スペクトルを測定した。基板としては、石英基板、ガラス基板等を用いた。次いで、該基板の上に高分子化合物を含む溶液を塗布し、乾燥して高分子化合物を含む薄膜を形成した。その後、薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルを測定した。薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルと基板の吸収スペクトルとの差を、薄膜の吸収スペクトルとして得た。
【０１６３】
参考例１
（化合物（Ｃ−２）の合成）
【０１６４】
【０１６５】
化合物(Ｃ−１)（東京化成工業社製）を２０．１６ｇ（６０．００ｍｍｏｌ）、無水マレイン酸を２０．５９ｇ(２１０．０ｍｍｏｌ)、及び、トルエンを２５０ｍＬ加え、室温(２５℃)で３０分間アルゴンバブリングを行った。この時、化合物（Ｃ−１）はトルエンに対して不溶であり、反応系中は不均一であった。オイルバス温度を１２０℃にして、反応液を３．５時間還流させることにより、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応が進行し、反応系内は均一溶液となった。その後、反応液にメタノール２０ｍＬを３０分おきに５回（計１００ｍＬ）加え、３時間加熱環流させることで、無水物が開環したモノエステル体を得た。その後、反応液に濃硫酸１ｇを３時間おきに２回加え、６時間加熱環流させた。エバポレータを用いて反応液中の溶媒を除去した後、ヘキサン２００ｍＬを加え、室温で１時間撹拌することで、無水マレイン酸を除去した。反応液にメタノール２００ｍＬを加え、濃硫酸１ｇを３時間おきに２回加え、６時間加熱環流させた後、反応液を濾過して不溶物を取り除いた。クロロホルムを展開溶媒に用いたカラムで反応液の分離を行い、分離物をヘキサンで再沈殿を行い、無色粉末のアントラセンの架橋体（化合物（Ｃ−２））を２５．１７ｇ得た。
【０１６６】
実施例１
（高分子化合物１の合成）
【０１６７】
（Ｃ−２） （Ａ）
【０１６８】
グローブボックス内の１００ｍｌ反応管に、化合物（Ｃ−２）を３１１ｍｇ、ビチオフェンのジホウ酸エステル体（化合物（Ａ））を２９２ｍｇ、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を秤量して加え、その後、窒素雰囲気のグローブボックス内で、脱気したトルエンを１２ｇ、脱気した炭酸カリウム水溶液を１２ｇ、及び、触媒であるテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）を１．５ｍｇ反応管に加えた。前記炭酸カリウム水溶液は、炭酸カリウム２８２ｍｇを脱気した純水１２ｇに溶解させて製造した。
【０１６９】
還流条件で１７時間反応させた後、反応液に化合物（Ｃ−２）に対して０．１３モル等量のブロモベンゼンを加え１．５時間還流を続け、さらに、反応液に化合物（Ｃ−２）に対して０．１３モル等量のフェニルホウ酸を加え、１．５時間還流を続けた後、反応を停止した。
【０１７０】
反応液中の水層を除去後、有機層にクロロホルムを添加し、加熱溶解させた後、エバポレーターで濃縮し、減圧乾燥を行い、粗精製物を得た。得られた粗精製物にクロロホルムを加えて加熱溶解させた後、アルミナとシリカとを積層したカラムを用いて精製処理を３回行った。カラム処理後の溶液をエバポレーターで濃縮し、減圧乾燥を行い黄色粉状の高分子化合物１を得た。高分子化合物１の得量は１００ｍｇであった。高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は１７，１００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３１，３００であった。
【０１７１】
参考例２
（化合物（Ｃ−３）の合成）
【０１７２】
【０１７３】
四つ口フラスコに、化合物（Ｃ−２）を４．８０２ｇ、ビスピナコラートジボロンを１０．１６ｇ及びジオキサンを１５０ｍＬ加え、室温（２５℃）でアルゴンガスを用いて四つ口フラスコ中をバブリングした。[１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム(ＩＩ)を４０８．３ｍｇ、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンを２７７．２ｍｇ及び酢酸カリウムを３．９２６ｇ加えた後、反応液を７時間加熱環流させた。反応後。液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。フィルターを用いて反応液に難溶である塩基を分離した。反応液をエバポレータで３０分程乾燥させ、溶媒を取り除いた。参考例１と同様の方法で、反応液をカラムで分離した後、分離物を少量のアセトンに溶解させ、メタノールを加えて撹拌し、少量の水を加えていくことで、化合物（Ｃ−２）のビスピナコールエステル体（化合物（Ｃ−３））を３．５０ｇ得た。化合物（Ｃ−３）の収量は６０．９％であり、液体クロマトグラフィーから求めたHPLC面百値による純度は、９７．５％であっ
た。
【０１７４】
得られた化合物(Ｃ−３)の1H-NMR(CD2Cl2, (ppm)) シフト値は、(s, 24H)、 3.17 (m, 2H) 、 3.48 (d, 6H) 、 4.58 (s, 2H) 、 7.28 (m, 2H) 、 7.50 (m, 2H) 、 7.67 (s, 2H) を示し、目的物の生成を確認した。
【０１７５】
実施例２
（高分子化合物２の合成）
【０１７６】
【０１７７】
５０ｍｌの３つ首フラスコに、化合物（Ｃ−３）を２３０ｍｇ、トリフェニルアミン誘導体（化合物（Ｂ））を１８４ｍｇ、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を８１ｍｇ秤量して加えた後、アルゴン雰囲気下で、脱気したトルエン１２ｍｌを加えた後、９０℃まで昇温した。つづいて、反応液にパラジウムジアセテート（Ｐｄ（ＯＡｃ）２）を０．９２ｍｇとトリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン（Ｐ（ｏ−ＭｅＯＰｈ））を３４．９５ｍｇ加え、１００℃まで昇温した後、脱気した１６．７％の炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）水溶液を２．５４ｇ滴下した。その後、１００℃で５時間２７分半反応を行なった後、トルエン４ｍｌに化合物（Ｃ−３）を４．５９ｍｇ、Ｐｄ（ＯＡｃ）２を０．９５ｍｇ、Ｐ（ｏ−ＭｅＯＰｈ）３を４．９５ｍｇ溶解させ、得られたトルエン溶液を反応液に加えた。その後、１００℃で２時間１０分反応を行なった。室温まで冷却して放置した後、反応液の油層を水で２回洗浄し、３％の酢酸水溶液で１回洗浄し、水で３回洗浄した後、硫酸ナトリウム（Ｎａ２ＳＯ４）を加えて乾燥した。その後、アルミナとシリカとを積層したカラムを用いて精製を行い、カラムで処理した溶液を濃縮し、濃縮液にメタノールに加えて、析出物を回収し、乾燥し、高分子化合物２を得た。高分子化合物２の得量は１３３ｍｇであった。高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は８，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１４，０００であった。
【０１７８】
実施例３
（薄膜の作製）
高分子化合物１はクロロホルムに溶解したので、高分子化合物１を０．５重量（ｗｔ）％含むクロロホルム溶液を調整し、シリコンウエハ及びガラス上にスピンコートで塗布し、薄膜を得た。
【０１７９】
実施例４
（積層体の製造）
【０１８０】
【０１８１】
シリコンウエハ上の薄膜及びガラス上の薄膜を窒素雰囲気下、３００℃で加熱処理を行ない、積層体を製造した。
【０１８２】
シリコンウエハ上に形成した薄膜について、加熱処理前後の薄膜の赤外吸収スペクトルを赤外分光光度計で測定した。加熱処理前の薄膜の赤外吸収スペクトル１１及び加熱処理後の薄膜の赤外吸収スペクトル１２を図１に示す。また、ガラス上に形成した薄膜について、加熱処理前後の薄膜の紫外可視吸収スペクトルを紫外−可視吸光光度計で測定した。
加熱処理前の薄膜の紫外可視吸収スペクトル２１及び加熱処理後の薄膜の紫外可視吸収スペクトル２２を図２に示す。
【０１８３】
薄膜の加熱により、薄膜エステル構造に由来する赤外吸収スペクトルの１７５０ｃｍ−１のピークが消失した。また、薄膜の加熱により、共役系の拡張に由来する紫外可視吸収スペクトルの５４０ｎｍのピークが生成した。結果を表１に示す。
【０１８４】
［表１］
【０１８５】
参考例３
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物１を用い、以下の方法で図３に示す構造を有する有機薄膜トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。
【０１８６】
次に、フォトリソグラフィ工程によりシリコン酸化膜３２上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（シリコン酸化膜側から、クロム、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、ヘキサメチレンジシラザン（ＨＭＤＳ）を用いて、スピンコート法により基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物１をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製し、メンブランフィルターでろ過した。ろ過後の溶液を、上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。
【０１８７】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、５×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０１８８】
参考例４
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物２を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機薄膜トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるオクタデシルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物２をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０１８９】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、２．４×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０１９０】
実施例５
（高分子化合物３の合成）
【０１９１】
【０１９２】
２００ｍｌの四つ口フラスコに、化合物（Ｄ）を３９２．２ｍｇ、化合物（Ｃ−２）を４８０．２ｍｇ、テトラハイドロフランを２０ｍｌ加え、室温(２５℃)で３０分間アルゴンバブリングを行った。次いで、反応液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを１８．３１ｍｇ、トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム テトラフルオロボレートを２３．２１ｍｇ加えた。反応液を室温で撹拌しながら、２７．６ｗｔ％の炭酸カリウム水溶液２ｇを３０分かけて滴下し、５０℃まで昇温した。１０分後、８０℃まで昇温し３時間還流を行った。
【０１９３】
得られた反応液を、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム水溶液で洗浄を行い、高分子化合物を濾過した。得られた高分子化合物の内、加熱クロロホルムに可溶分を、アルミナとシリカを積層したカラムに通液した。カラムで処理した液をメタノールに加え、析出物を回収し、乾燥し、高分子化合物３を得た。高分子化合物３の得量は１００ｍｇであった。高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は１７，５００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４２，４００であった。
【０１９４】
参考例５
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物３を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機薄膜トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるオクタデシルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物３をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を５０℃に加熱し、５０℃に加熱した上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０１９５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、７．０×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０１９６】
実施例６
（高分子化合物４の合成）
【０１９７】
【０１９８】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｅ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物４を合成した。高分子化合物４の得量は３５ｍｇであった。
【０１９９】
参考例６
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物４を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。次に、高分子化合物４をオクタジクロロベンゼンに溶解して０．２質量％の溶液を作製した。この溶液を１４０℃に加熱し、１４０℃に加熱した上記基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２００】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、１．２×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２０１】
実施例７
（高分子化合物５の合成）
【０２０２】
【０２０３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｆ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物５を合成した。高分子化合物５の得量は、１９０ｍｇであった。高分子化合物５のポリスチレン換算の数平均分子量は６０，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は９４，０００であった。
【０２０４】
参考例７
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物５を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるオクタデシルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物５をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２０５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、７．５×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２０６】
実施例８
（高分子化合物６の合成）
【０２０７】
【０２０８】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｇ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物６を合成した。高分子化合物６の得量は１００ｍｇであった。高分子化合物６のポリスチレン換算の数平均分子量は２０，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２８，０００であった。
【０２０９】
参考例８
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物６を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物６をトルエンに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を１００℃に加熱し、１００℃に加熱した上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２１０】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、１．８×１０−２ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２１１】
実施例９
（高分子化合物７の合成）
【０２１２】
【０２１３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｈ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物７を合成した。高分子化合物７の得量は、７４ｍｇであった。高分子化合物７のポリスチレン換算の数平均分子量は５９，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は８９，０００であった。
【０２１４】
参考例９
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物７を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物７をトルエンに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、２７０℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２１５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、３．３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２１６】
実施例１０
（高分子化合物８の合成）
【０２１７】
【０２１８】
化合物（Ｃ−３）にかえて化合物（Ｃ−４）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で高分子化合物８を合成した。高分子化合物８の得量は１００ｍｇであった。
【０２１９】
参考例１０
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物８を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物８をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で３０分間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２２０】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、４．８×１０−２ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２２１】
実施例１１
（高分子化合物９の合成）
【０２２２】
【０２２３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｊ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物９を合成した。高分子化合物９の得量は、１４２ｍｇであった。高分子化合物９のポリスチレン換算の数平均分子量は５２，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は８２，０００であった。
【０２２４】
参考例１１
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物９を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物９をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、２５０℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２２５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、１．３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２２６】
実施例１２
（高分子化合物１０の合成）
【０２２７】
【０２２８】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｋ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物１０を合成した。高分子化合物１０の得量は、１３３ｍｇであった。高分子化合物１０のポリスチレン換算の数平均分子量は５４，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は９０，０００であった。
【０２２９】
参考例１２
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物１０を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物１０をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３３０℃で１時間熱処理を行い、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２３０】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、４．８×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２３１】
実施例１３
（高分子化合物１１の合成）
【０２３２】
【０２３３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｌ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物１１を合成した。高分子化合物１１の得量は、１４５ｍｇであった。高分子化合物１１のポリスチレン換算の数平均分子量は２５，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４１，０００であった。
【０２３４】
参考例１３
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物１１を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物１１をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行い、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２３５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、２．９×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２３６】
［表２］
【符号の説明】
【０２３７】
１１…加熱処理前の薄膜の赤外吸収スペクトル、
１２…加熱処理後の薄膜の赤外吸収スペクトル、
２１…加熱処理前の薄膜の紫外可視吸収スペクトル、
２２…加熱処理後の薄膜の紫外可視吸収スペクトル、
３１…ｎ−型シリコン基板、
３２…シリコン酸化膜、
３３…ソース電極、
３４…ドレイン電極、
３５…有機半導体層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物及びそれを含有する薄膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機トランジスタ等の有機半導体素子の製造過程では、シリコン系トランジスタ等の無機半導体素子の製造に必要な高温プロセス及び真空プロセスを省くことができ、製造に要するエネルギーを低減できる。また、有機半導体素子は、柔軟性を有するフィルム状の素子とすることが可能であり、次世代の素子として注目されている。
【０００３】
π共役構造を有する化合物は導電性及び半導体性を示し、有機半導体素子に用いられる有機半導体化合物として注目されている。π共役構造を有する化合物として、具体的には、例えば、ポリ３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）などが知られている。
【０００４】
非特許文献１には、ポリ３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）のクロロホルム溶液をシリコンウエハー上にスピンコートして有機半導体層を形成した有機トランジスタが記載されている。
【０００５】
しかしながら、上記有機トランジスタはトランジスタ特性が不十分であり、有機トランジスタの有機半導体層に含有させるのに有用な新規な有機半導体化合物が求められている。
【０００６】
非特許文献２には、π共役構造を有する化合物として、ポリアントラセン、及びアントラセンとベンゼンとのコポリマーが記載されている。アントラセン部分の多くは発光性であり、π共役構造の一部としてアントラセン部分を有するポリマーは、エレクトロルミネッセンス性を示す可能性が高い材料である。
【０００７】
π共役構造を有する化合物の多くは非溶解性であり、合成方法が複雑になり易い。そのため、非特許文献２では、加熱してポリアントラセン、及びアントラセンとベンゼンとのコポリマーに変化させることができ、溶剤に対して溶解性を示す前駆体が提案されている。上記前駆体は、ポリアントラセン、又はアントラセンとベンゼンとのコポリマーのアントラセン部分に、無水マレイン酸がディールスアルダー付加した構造を持っている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．）、第５３巻、第１８号、第１９５〜１９７頁（１９８８年）
【非特許文献２】ケミカル コミュニケーション（Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．）、第７３〜７４頁（１９９７年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記従来の問題を解決するものであり、その目的とするところは、有機トランジスタの有機半導体層に含有させるのに有用なπ共役構造を有する化合物及びそれを含有する薄膜、及び該π共役構造を含む化合物を得るための前駆体である化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、式（１）
【００１１】
【化１】
【００１２】
［式中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ３及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。Ｙは、２価の基を表す。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位と；式（２）、（３）、又は（４）
【００１３】
【化２】
【００１４】
［式（２）〜（４）中、Ｒ５は、置換基を表す。ｓは、１〜４の整数を表す。ｐは、０〜４の整数を表す。ｑは、０〜４の整数を表す。Ｒ５が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位、式（５）
【００１５】
【化３】
（５）
【００１６】
［式中、Ａｒ1は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（ＲＡ）＝Ｃ（ＲＡ）−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ（ＲＢ）＝Ｎ−、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。但し、Ａｒ1は、前記式（１）で表される基ではない。２個のＲＡは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ＲＢは、水素原子又は置換基を表す。］
で表される構造単位、及び下式
【００１７】
【化４】
（６）
【００１８】
［式中、ｒ及びｒｒは、それぞれ構造単位（-Ａｒ３-ＮＡｒ６-）の数及び構造単位（−Ａｒ５−ＮＡｒ７−）の数を表し、それぞれ独立に、０又は１である。Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。
Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。］
で表される構造単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構造単位とを有する化合物を提供する。
なお、前記式（１）において、左側のベンゼン環には、その右側の２つのＣ原子（これらの内の一つにはＲ３が結合し、他方にはＲ４が結合している）と結合している２つのベンゼン環炭素原子以外のベンゼン環炭素原子の内のいずれかにおいて、水素原子の代わりにｎ個のＲ１基、及び一つの隣接構造単位（図示せず）と結合している。同様に、前記式（２） において、ｓ個のＲ５基はそれぞれ水素原子に代わって、隣接構造単位（図示せず）と結合している２つの環炭素原子以外の環炭素原子の内のいずれかｓ個の環炭素原子と結合している。式（１）や式（２）に類似した他の式も同様に解釈される。
【００１９】
ある一形態においては、前記化合物は、式（１）で表される構造単位を２個以上有する。このとき、式（１）で表される構造単位は互いに同じであってもよく、また異なっていてもよい。
【００２０】
ある一形態においては、前記化合物は、さらに、式（７）
【００２１】
【化５】
（７）
【００２２】
で表される構造単位を１個以上有する。
【００２３】
ある一形態においては、Ｙで表される２価の基が、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）のそれぞれで表される基
【００２４】
【化６】
【００２５】
［式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）中、Ｒ１０〜Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｘ１は、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｘ１が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
からなる群から選択される少なくとも一種の基である。すなわち、前記化合物は、式（１）で表される構造単位を１個だけ有するとき、Ｙで表される２価の基は、上記式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）のいずれか１つで表され、前記化合物が式（１）で表される構造単位を２個以上有するとき、それらの構造単位におけるＹは、互いに同じであってもよく、また異なっていてもよい。
【００２６】
ある一形態においては、前記化合物は、重量平均分子量が３０００以上の高分子化合物である。
【００２７】
ある一形態においては、前記化合物は、さらに、式（８）
【００２８】
【化７】
【００２９】
［式中、ｎ、ｍ、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３及びＲ4は、式（１）におけるこれらと同じ意味を表す。］
で表される構造単位を有する。
【００３０】
また、本発明は、前記いずれかの化合物と溶媒とを含有する溶液を提供する。
【００３１】
また、本発明は、前記いずれかの化合物を含有する薄膜を提供する。
【００３２】
また、本発明は、基体と薄膜とを有する積層体であって、
前記薄膜は、前記溶液を該基体上に塗布して式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成し、次いで、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して得られる膜である積層体を提供する。
【００３３】
また、本発明は、薄膜と基体とを有する積層体の製造方法であって、
前記溶液を基体上に塗布し、式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成する工程と、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して膜を形成する工程とを有する積層体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００３４】
有機トランジスタの有機半導体層に含有させるのに有用なπ共役構造を有する化合物及びそれを含有する薄膜、及び該π共役構造を含む化合物を得るための前駆体である化合物が提供された。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施例３の薄膜の加熱前後の赤外吸収スペクトルである。
【図２】実施例３の薄膜の加熱前後の紫外可視吸収スペクトルである。
【図３】参考例３として製造した有機トランジスタの構造を示す断面図である。
【図４】参考例４〜１１として製造した有機トランジスタの構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３７】
本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位を含む。
【００３８】
【化８】
【００３９】
式（１）中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。置換基の中でも、ハロゲン原子、炭素数１〜３０の基が好ましい。
【００４０】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。
中でも、フッ素原子、塩素原子が好ましい。
【００４１】
炭素数１〜３０の基の例としては、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、チエニル基などのヘテロアリール基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、シアノ基が挙げられる。炭素数１〜３０の基中の水素原子は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。炭素数１〜３０の基中の水素原子がハロゲン原子で置換されている場合、ハロゲン原子の中でもフッ素原子で置換されていることが好ましい。
【００４２】
ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｎ及びｍは、０であることが好ましい。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。
【００４３】
式（１）中、Ｒ３及びＲ4は、水素原子又は置換基を表す。Ｒ３又はＲ4で表される置換基の例としては、Ｒ１で表される置換基の例と同じ基が挙げられる。化合物の合成の容易さの観点からは、Ｒ３及びＲ4は、水素原子が好ましい。
【００４４】
式（１）中、Ｙは、２価の基を表す。２価の基の中でも、熱や光などのエネルギーを与えることで脱離しうる基が好ましい。Ｙで表される２価の基としては、以下の基が例示される。
【００４５】
【化９】
【００４６】
式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−８）中、Ｒ１０〜Ｒ２０は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。中でも、水素原子又は炭素数１〜３０の基が好ましい。
【００４７】
Ｒ１０〜Ｒ１９が置換基である場合、該置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基が挙げられる。アルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基がさらに好ましく、炭素数１〜６のアルキル基が特に好ましい。
【００４８】
Ｒ２０が置換基である場合、該置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、ビニル基、エステル構造を含む基が挙げられる。
【００４９】
Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子の中でも、塩素原子、臭素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００５０】
式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−８）で表される基の中でも、式（Ｙ−３）〜式（Ｙ−７）で表される基が好ましく、式（Ｙ−３）〜式（Ｙ−５）で表される基がより好ましい。例えば、好ましいＹは、式（Ｙ−３）又は（Ｙ−４）中で、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９が、炭素数１〜１０のアルコキシ基、特に、炭素数１〜４のアルコキシ基となる基である。
【００５１】
本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位に加えて、π共役構造を有する構造単位を有する。π共役構造を有する構造単位の具体例には、次の式（２）で表される構造単位、式（３）で表される構造単位、式（４）で表される構造単位、式（５）で表される構造単位及び式（６）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位が含まれる。
【００５２】
【化１０】
【００５３】
【化１１】
（６）
【００５４】
式（２）〜式（４）中、Ｒ５は、置換基を表す。Ｒ５で表される置換基の例としては、Ｒ１で表される置換基の例と同じ基が挙げられる。
【００５５】
式（２）中、ｓは、１〜４の整数を表す。式（３）中、ｐは、０〜４の整数を表す。ｐは、０が好ましい。式（４）中、ｑは、０〜４の整数を表す。ｑは、０が好ましい。
【００５６】
式（２）〜式（４）中、Ｒ５が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。
【００５７】
式（５）中、Ａｒ1は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（ＲＡ）＝Ｃ（ＲＡ）−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ（ＲＢ）＝Ｎ−、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。但し、Ａｒ1は、前記式（１）で表される基ではない。２個のＲＡは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ＲＢは、水素原子又は置換基を表す。ＲＡ又はＲＢで表される置換基の例としては、Ｒ１で表される置換基の例と同じ基が挙げられる。
【００５８】
アリーレン基としては、単環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基、多環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基、２個以上の芳香族炭化水素が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基が挙げられる。
【００５９】
アリーレン基が、単環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基である場合、該アリーレン基の炭素数は、８〜６０であることが好ましく、８〜４８であることがより好ましく、８〜３０であることがさらに好ましく、８〜１４であることが特に好ましい。該炭素数に置換基の炭素数は含まれない。
【００６０】
アリーレン基が、多環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基である場合、該アリーレン基の炭素数は、１０〜６０であることが好ましく、１０〜４８であることがより好ましく、１０〜３０であることがさらに好ましく、１０〜１４であることが特に好ましい。該炭素数に置換基の炭素数は含まれない。
【００６１】
アリーレン基が、多環の芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいアリーレン基の例としては、下記の基が挙げられる。
【００６２】
【化１２】
【００６３】
【化１３】
【００６４】
【化１４】
【００６５】
【化１５】
【００６６】
【化１６】
【００６７】
【化１７】
【００６８】
上記式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒが置換基である場合、メチル基、エチル基、ブチル基、２−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル、ナフチル等のアリール基、チエニルなどのヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基が挙げられる。Ｒがアルキル基である場合、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がさらに好ましい。Ｒがアルコキシ基である場合、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ基がより好ましく、炭素数１〜８のアルコキシ基がさらに好ましい。
【００６９】
アリーレン基が、２個以上の芳香族炭化水素が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基である場合、芳香族炭化水素としてはベンゼンが好ましい。アリーレン基が、２個以上のベンゼンが直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいアリーレン基の例としては、下記の基が挙げられる。
【００７０】
【化１８】
【００７１】
【化１９】
【００７２】
【化２０】
【００７３】
上記式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。
【００７４】
ヘテロアリーレン基としては、単環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基、多環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基、少なくとも１個の芳香族複素環式化合物を含む２個以上の芳香族化合物が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基が挙げられる。
【００７５】
ヘテロアリーレン基が単環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基又は多環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基である場合、該ヘテロアリーレン基の炭素数は、３〜６０であることが好ましく、３〜２０であることがより好ましい。該炭素数に置換基の炭素数は含まれない。
【００７６】
ヘテロアリーレン基が単環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基又は多環の芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基の例としは、下記の基があげられる。
【００７７】
【化２１】
【００７８】
【化２２】
【００７９】
【化２３】
【００８０】
【化２４】
【００８１】
【化２５】
【００８２】
【化２６】
【００８３】
【化２７】
【００８４】
【化２８】
【００８５】
【化２９】
【００８６】
【化３０】
【００８７】
【化３１】
【００８８】
【化３２】
【００８９】
【化３３】
【００９０】
【化３４】
【００９１】
上記式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。
【００９２】
ヘテロアリーレン基が少なくとも１個の芳香族複素環式化合物を含む２個以上の芳香族化合物が直接結合した又はビニレン基を介して結合した化合物から水素原子２個を除いた基である場合、置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基の例としては、下記の基が挙げられる。
【００９３】
【化３５】
【００９４】
【化３６】
【００９５】
【化３７】
【００９６】
【化３８】
【００９７】
【化３９】
【００９８】
【化４０】
【００９９】
【化４１】
【０１００】
上記式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。Ｘ２は、−ＣＨ＝又は窒素原子を表す。Ｘ２が複数個ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１０１】
Ａｒ1としては、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基が好ましい。
【０１０２】
式（６）中、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。アリーレン基、ヘテロアリーレン基の例としては、フェニレン基、Ａｒ１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基の例と同じ基が挙げられる。
【０１０３】
Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、置換基を有していてもよいフェニレン基が好ましい。
【０１０４】
式（６）中、Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
【０１０５】
アリール基の例としては、フェニル、ナフチル、アントリル基が挙げられる。ヘテロアリール基の例としては、チエニル基が挙げられる。
【０１０６】
Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基が好ましく、アルキル基を有していてもよいフェニル基がより好ましい。
【０１０７】
式（６）中、ｒ及びｒｒは、それぞれ構造単位（-Ａｒ３-ＮＡｒ６-）の数及び構造単位（−Ａｒ５−ＮＡｒ７−）の数を表し、それぞれ独立に、０又は１である。
【０１０８】
式（６）中、Ａｒ5、Ａｒ6、Ａｒ7又はＡｒ8で表される基中の炭素原子は、Ａｒ5、Ａｒ6、Ａｒ7又はＡｒ8で表される基が結合している窒素原子と結合しているＡｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ7又はＡｒ8で表される基中の炭素原子と、直接結合し、又は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(＝Ｏ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｏ−、−Ｎ(ＲＣ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｎ(Ｒｃ)−若しくは−Ｃ(Ｒｃ)2−を介して結合し、５〜７員環を形成していてもよい。ＲＣは、ア
ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はアラルキル基を表す。
【０１０９】
式（６）で表される構造単位の例としては、下記の基が挙げられる。
【０１１０】
【化４２】
【０１１１】
上記式中、Ｒは前述と同じ意味を表す。
【０１１２】
本発明の化合物は、式（２）〜式（６）で表される構造単位を、それぞれ、１種のみ含んでいても２種以上含んでいてもよい。
【０１１３】
本発明の化合物は、さらに、式（７）で表される構造単位を１個以上含んでいてもよい。
【０１１４】
【化４３】
（７）
【０１１５】
本発明の化合物は、さらに、式（８）で表される１個以上構造単位を含んでいてもよい。
【０１１６】
【化４４】
【０１１７】
式（８）中、ｎ、ｍ、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３及びＲ4は、式（１）におけるこれらと同じ意味を表す。
【０１１８】
本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位を２個以上含むことが好ましい。式（１）で表される構造単位が含まれるとき、それらは互いに同じであってもよく、また異なっていてもよい。
【０１１９】
本発明の化合物の分子量は特に制限なく、どのような分子量でも使用することができるが、高分子化合物であることが好ましい。本発明における高分子化合物とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が３×１０３以上のものを指す。
【０１２０】
本発明の化合物の中でも、重量平均分子量で３×１０３〜１×１０７の高分子化合物が好ましく用いられる。重量平均分子量が３×１０３以上であるとデバイス作製時の膜形成において、欠陥の発生が抑制され、１×１０７以下であると溶媒への溶解性や素子作成時の塗布性が高くなる。
【０１２１】
重量平均分子量としてさらに好ましくは、８×１０３〜５×１０６であり、特に好ましくは１×１０４〜１×１０６である。デバイス作製時の膜形成において、欠陥の発生が抑制する観点からは、１００００以上が好ましい。
【０１２２】
ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０3〜１×１０8であることが好ましく、より好ましくは２×１０3〜１×１０7である。ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０3以上である場合には、強靭な薄膜が得られやすくなる。一方、１０8以下である場合には、高分子化合物の溶解性が高く、薄膜の作製が容易である。
【０１２３】
なお、本発明における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用い、ポリスチレンスタンダードを用いて算出した重量平均分子量のことを指す。
【０１２４】
本発明の化合物が高分子化合物である場合、溶媒に対する溶解度の観点からは、該高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計量を１００とした場合、繰り返し単位として含む式（１）で表される構造単位の量が、２０〜９９であることが好ましく、３０〜６０であることがより好ましい。
【０１２５】
前記高分子化合物は、分子鎖末端に重合に関与する基が残っていると、得られた高分子化合物を有機素子に用いたときの特性が低下する可能性があるので、末端が重合に関与しない安定な基で保護されていることが好ましい。該安定な基としては、分子鎖主鎖の共役構造と連続した共役結合を有している基が好ましい。具体的には、特開平9-45478号公報の化10に記載の置換基が例示される。
【０１２６】
また、前記高分子化合物は、素子に用いる場合、素子作製の容易性から、溶媒への溶解度が高いことが望ましい。具体的には、０．０１ｗｔ％以上の溶液を作製できる溶解性を有することが好ましく、０．１ｗｔ％以上の溶液を作製できる溶解性を有することがより好ましく、０．４ｗｔ％以上の溶液を作製できる溶解性を有することがさらに好ましい。
【０１２７】
本発明の化合物が高分子化合物である場合、該化合物の製造方法は、特に制限されるものではないが、Ｎｉ触媒を用いた還元的カップリング反応を用いる方法、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法があげられる。化合物の合成の容易さからは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法が好ましい。
【０１２８】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式
Ｑ１−Ｅ1−Ｑ２ （１００）
［式中、Ｅ1は、式（１）で表される構造単位を表す。Ｑ１及びＱ２は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又は、ホウ酸エステル残基を表す。］
で表される１種類以上の化合物と、式
Ｔ1−Ｅ2−Ｔ2 （２００）
［式中、Ｅ2は、式（２）〜式（８）で表される構造単位を表す。Ｔ1及びＴ2は、同一又は相異なり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。］
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。
【０１２９】
反応に用いる式（２００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計が、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計に対して、過剰であることが好ましい。反応に用いる式（２００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計を１モルとすると、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計が０．６〜０．９９モルであることが好ましく、０．７〜０．９５モルであることがさらに好ましい。
【０１３０】
式（２００）における、Ｔ1及びＴ2で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることがさらに好ましい。
【０１３１】
式（２００）における、Ｔ1及びＴ2で表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。
【０１３２】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いられるパラジウム触媒としては、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒等が挙げられる。パラジウム触媒の具体例としては、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられるが、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセテート類が好ましい。
【０１３３】
パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、0.0001モル〜0.5モルであり、好ましくは0.0003モル〜0.1モルである。
【０１３４】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いられる塩基は、無機塩基、有機塩基、無機塩等である。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等が挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウムが挙げられる。
【０１３５】
塩基の添加量は、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、0.5モル〜100モルであり、好ましくは0.9モル〜20モルであり、さらに好ましくは１モル〜１０モルである。
【０１３６】
前記パラジウム触媒としてパラジウムアセテート類を用いる場合は、配位子としてリン化合物を添加してもよい。リン化合物の例としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィンが挙げられる。リン化合物を添加する場合、その添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、0.5モル〜100モルであり、好ましくは0.9モル〜20モルであり、さらに好ましくは１モル〜10モルである。
【０１３７】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応において、反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒の例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランが挙げられる。高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。また、塩基を水溶液として反応系中に加え、水相と有機相の２相の溶媒中でモノマーを反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、通常、水溶液として反応系中に加え、２相の溶媒中でモノマーを反応させる。
【０１３８】
なお、塩基を水溶液として反応系中に加え、２相の溶媒中でモノマーを反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩などの相間移動触媒を反応系中に加えてもよい。
【０１３９】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の温度は、前記溶媒にもよるが、通常、50〜160℃程度である。高分子化合物の高分子量化の観点からは、60〜120℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
【０１４０】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う時間（反応時間）は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、0.1時間〜200時間程度であり、１時間〜３０時間程度が好ましい。
【０１４１】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下であってパラジウム触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、反応容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（１００）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を仕込み、さらに、反応容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、脱気したトルエンを加えた後、この溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基、例えば、脱気した炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。
【０１４２】
式（８）で表される構造単位を含む本発明の化合物は、式（１）で表される構造単位を含み、かつ、式（８）で表される構造単位を含まない化合物にエネルギーを加え、Ｙで表される２価の基を脱離させて製造することができる。出発化合物がＹで表される２価の基を複数有している場合には、Ｙで表される２価の基の全てを脱離させてもよく、また、かかる基の一部を脱離させてもよい。
【０１４３】
＜本発明の化合物と溶媒を含む溶液＞
本発明の溶液は、本発明の化合物と溶媒とを含む。溶媒の例としては、化合物の溶解性の観点からは、芳香族炭化水素溶媒、ハロゲン置換芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒、ハロゲン置換脂肪族炭化水素溶媒、エーテル溶媒が挙げられる。芳香族炭化水素溶媒の例としては、キシレン、メシチレン、アニソール、シクロヘキシルベンゼンが挙げられる。ハロゲン置換芳香族炭化水素溶媒の例としては、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンが挙げられる。脂肪族炭化水素溶媒の例としては、テトラリンが挙げられる。ハロゲン置換脂肪族炭化水素溶媒の例としては、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンが挙げられる。エーテル溶媒の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランが挙げられる。
【０１４４】
該溶液を用いて本発明の化合物を含む薄膜を成膜する場合、溶液中の溶媒の沸点が低いと、均一な薄膜を形成するための乾燥工程の制御が困難な場合がある。そのため、溶媒の沸点は１５０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましい。
【０１４５】
＜本発明の化合物を含む薄膜＞
本発明の化合物を含む薄膜の製造方法は、特に制限されるものではないが、成膜の容易さからは、本発明の化合物と溶媒を含む溶媒を基板などに塗布することで形成する方法が好ましい。
【０１４６】
塗布方法としては、キャスト方法、スピンコート方法、バーコート法、インクジェット方法、凸版を用いる印刷方法、孔版を用いる印刷方法、第１の版に塗布した後に第２の版に転写し、第２の版を用いて印刷する方法などがあげられる。
【０１４７】
基板としては、特に制限されるものではないが、ガラス、ポリエチレン、ポリスチレンやフッ素樹脂からなるプラスチックやフィルム、ステンレスやアルミなどの金属、シリコンウエハなどが例示される。
【０１４８】
式（８）で表される構造単位を含む本発明の化合物を含む薄膜は、式（１）で表される構造単位を含み、かつ、式（８）で表される構造単位を含まない化合物からなる薄膜にエネルギーを加え、Ｙで表される２価の基の一部を脱離させて製造することができる。
【０１４９】
＜積層体＞
本発明の積層体は、基体と薄膜とを有する積層体であって、前記薄膜は、本発明の化合物と溶媒とを含む溶液を該基体上に塗布して式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成し、次いで、該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して得られる膜である積層体である。
【０１５０】
式（１）で表される構造単位を含む化合物にエネルギーを加えることで、式（１）中のＹで表される２価の基が脱離し、式（８）で表される構造単位を含む化合物が生成する。
該エネルギーの例としては、熱エネルギー、光エネルギーが挙げられる。
【０１５１】
熱エネルギーを用いる場合は、前記化合物からＹで表される２価の基が脱離する温度以上、かつ、該化合物が分解する温度よりも低い温度であれば、任意の温度を設定することができる。通常は１５０℃から４００℃の範囲が好ましく、より好ましくは２００℃から３５０℃である。熱処理を行う時間としては、工業的な範囲で選定できるが、通常は１分から５０時間であり、好ましくは１０分から２４時間である。熱処理の雰囲気としては、不活性雰囲気が好ましく、窒素ガス中、アルゴンガス中、真空中が例示される。不活性雰囲気中に酸素を含む場合、酸素濃度が１００体積ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ以下であることがより好ましい。また、不活性雰囲気が真空である場合、酸素分圧が２００Ｐａ以下であることが好ましく、より好ましくは５０Ｐａである。
【０１５２】
光によりＹで表される２価の基を脱離させる方法としては、４００ｎｍ以下の波長の紫外線を照射する方法が例示される。光強度はＹで表される２価の基が脱離する強さであれば特に制限はない。光を照射する場合の雰囲気も、不活性雰囲気が好ましく、その範囲は上記に例示した範囲を好適に用いることができる。
【０１５３】
本発明の積層体は、有機トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子などに用いることができる。
【０１５４】
基体は、ガラス、フィルムなどの基板であってもよく、基板と電極とを有していてもよく、基板と電極と有機層とを有していてもよい。積層体を有機トランジスタに用いる場合、基体は、基板とゲート電極とゲート絶縁層からなることが好ましい。積層体を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる場合、基体は、基板と陽極と有機層からなることが好ましい。
【０１５５】
本発明の積層体の製造方法は、薄膜と基体とを有する積層体の製造方法であって、本発明の化合物と溶媒とを含む溶液を基体上に塗布し、式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成する工程と、該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して薄膜を形成する工程とを有する積層体の製造方法である。
【０１５６】
＜有機トランジスタ＞
本発明の化合物は、有機トランジスタの有機半導体層に好適に用いられる。有機トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を備えるものであり、電界効果型有機トランジスタ、静電誘導型有機トランジスタなどが例示される。
【０１５７】
電界効果型薄膜有機トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。
特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層（活性層）に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。
【０１５８】
静電誘導型薄膜有機トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層中に設けられたゲート電極が、有機半導体層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。
【実施例】
【０１５９】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６０】
（ＮＭＲ測定）
ＮＭＲ測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ｖａｒｉａｎ社製、ＩＮＯＶＡ３００）を用いて行った。
【０１６１】
（数平均分子量及び重量平均分子量の測定）
数平均分子量及び重量平均分子量については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。GPC装置は、島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ（カラム：ＴｓＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本と、ＴｓＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本との直列接続、移動相：テトラハイドロフラン、流速：０．６ｍｌ／分、サンプル濃度：約０．５ｗｔ％、検出器：示差屈折率検出器またはＵＶ検出器）または、Ｗａｔｅｒｓ製、商品名：Ａｌｌｉａｎｃｅ ＧＰＣ／Ｖ２０００（カラム：ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（Ｖａｒｉａｎ製）３本の直列接続、カラム温度：１４０℃、移動相：オルトジクロロベンゼン、流速：１ｍｌ／分、サンプル濃度：約０．７７ｗｔ％、検出器：示差屈折率検出器またはＵＶ検出器）を用いた。
【０１６２】
高分子化合物の吸収波長の測定には、紫外、可視、近赤外の波長領域で動作する分光光度計（例えば、日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０）を用いた。ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０を用いる場合、測定可能な波長範囲が２００〜１５００ｎｍであるため、該波長範囲で測定を行った。まず、測定に用いる基板の吸収スペクトルを測定した。基板としては、石英基板、ガラス基板等を用いた。次いで、該基板の上に高分子化合物を含む溶液を塗布し、乾燥して高分子化合物を含む薄膜を形成した。その後、薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルを測定した。薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルと基板の吸収スペクトルとの差を、薄膜の吸収スペクトルとして得た。
【０１６３】
参考例１
（化合物（Ｃ−２）の合成）
【０１６４】
【０１６５】
化合物(Ｃ−１)（東京化成工業社製）を２０．１６ｇ（６０．００ｍｍｏｌ）、無水マレイン酸を２０．５９ｇ(２１０．０ｍｍｏｌ)、及び、トルエンを２５０ｍＬ加え、室温(２５℃)で３０分間アルゴンバブリングを行った。この時、化合物（Ｃ−１）はトルエンに対して不溶であり、反応系中は不均一であった。オイルバス温度を１２０℃にして、反応液を３．５時間還流させることにより、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応が進行し、反応系内は均一溶液となった。その後、反応液にメタノール２０ｍＬを３０分おきに５回（計１００ｍＬ）加え、３時間加熱環流させることで、無水物が開環したモノエステル体を得た。その後、反応液に濃硫酸１ｇを３時間おきに２回加え、６時間加熱環流させた。エバポレータを用いて反応液中の溶媒を除去した後、ヘキサン２００ｍＬを加え、室温で１時間撹拌することで、無水マレイン酸を除去した。反応液にメタノール２００ｍＬを加え、濃硫酸１ｇを３時間おきに２回加え、６時間加熱環流させた後、反応液を濾過して不溶物を取り除いた。クロロホルムを展開溶媒に用いたカラムで反応液の分離を行い、分離物をヘキサンで再沈殿を行い、無色粉末のアントラセンの架橋体（化合物（Ｃ−２））を２５．１７ｇ得た。
【０１６６】
実施例１
（高分子化合物１の合成）
【０１６７】
（Ｃ−２） （Ａ）
【０１６８】
グローブボックス内の１００ｍｌ反応管に、化合物（Ｃ−２）を３１１ｍｇ、ビチオフェンのジホウ酸エステル体（化合物（Ａ））を２９２ｍｇ、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を秤量して加え、その後、窒素雰囲気のグローブボックス内で、脱気したトルエンを１２ｇ、脱気した炭酸カリウム水溶液を１２ｇ、及び、触媒であるテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）を１．５ｍｇ反応管に加えた。前記炭酸カリウム水溶液は、炭酸カリウム２８２ｍｇを脱気した純水１２ｇに溶解させて製造した。
【０１６９】
還流条件で１７時間反応させた後、反応液に化合物（Ｃ−２）に対して０．１３モル等量のブロモベンゼンを加え１．５時間還流を続け、さらに、反応液に化合物（Ｃ−２）に対して０．１３モル等量のフェニルホウ酸を加え、１．５時間還流を続けた後、反応を停止した。
【０１７０】
反応液中の水層を除去後、有機層にクロロホルムを添加し、加熱溶解させた後、エバポレーターで濃縮し、減圧乾燥を行い、粗精製物を得た。得られた粗精製物にクロロホルムを加えて加熱溶解させた後、アルミナとシリカとを積層したカラムを用いて精製処理を３回行った。カラム処理後の溶液をエバポレーターで濃縮し、減圧乾燥を行い黄色粉状の高分子化合物１を得た。高分子化合物１の得量は１００ｍｇであった。高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は１７，１００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３１，３００であった。
【０１７１】
参考例２
（化合物（Ｃ−３）の合成）
【０１７２】
【０１７３】
四つ口フラスコに、化合物（Ｃ−２）を４．８０２ｇ、ビスピナコラートジボロンを１０．１６ｇ及びジオキサンを１５０ｍＬ加え、室温（２５℃）でアルゴンガスを用いて四つ口フラスコ中をバブリングした。[１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム(ＩＩ)を４０８．３ｍｇ、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンを２７７．２ｍｇ及び酢酸カリウムを３．９２６ｇ加えた後、反応液を７時間加熱環流させた。反応後。液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。フィルターを用いて反応液に難溶である塩基を分離した。反応液をエバポレータで３０分程乾燥させ、溶媒を取り除いた。参考例１と同様の方法で、反応液をカラムで分離した後、分離物を少量のアセトンに溶解させ、メタノールを加えて撹拌し、少量の水を加えていくことで、化合物（Ｃ−２）のビスピナコールエステル体（化合物（Ｃ−３））を３．５０ｇ得た。化合物（Ｃ−３）の収量は６０．９％であり、液体クロマトグラフィーから求めたHPLC面百値による純度は、９７．５％であっ
た。
【０１７４】
得られた化合物(Ｃ−３)の1H-NMR(CD2Cl2, (ppm)) シフト値は、(s, 24H)、 3.17 (m, 2H) 、 3.48 (d, 6H) 、 4.58 (s, 2H) 、 7.28 (m, 2H) 、 7.50 (m, 2H) 、 7.67 (s, 2H) を示し、目的物の生成を確認した。
【０１７５】
実施例２
（高分子化合物２の合成）
【０１７６】
【０１７７】
５０ｍｌの３つ首フラスコに、化合物（Ｃ−３）を２３０ｍｇ、トリフェニルアミン誘導体（化合物（Ｂ））を１８４ｍｇ、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を８１ｍｇ秤量して加えた後、アルゴン雰囲気下で、脱気したトルエン１２ｍｌを加えた後、９０℃まで昇温した。つづいて、反応液にパラジウムジアセテート（Ｐｄ（ＯＡｃ）２）を０．９２ｍｇとトリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン（Ｐ（ｏ−ＭｅＯＰｈ））を３４．９５ｍｇ加え、１００℃まで昇温した後、脱気した１６．７％の炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）水溶液を２．５４ｇ滴下した。その後、１００℃で５時間２７分半反応を行なった後、トルエン４ｍｌに化合物（Ｃ−３）を４．５９ｍｇ、Ｐｄ（ＯＡｃ）２を０．９５ｍｇ、Ｐ（ｏ−ＭｅＯＰｈ）３を４．９５ｍｇ溶解させ、得られたトルエン溶液を反応液に加えた。その後、１００℃で２時間１０分反応を行なった。室温まで冷却して放置した後、反応液の油層を水で２回洗浄し、３％の酢酸水溶液で１回洗浄し、水で３回洗浄した後、硫酸ナトリウム（Ｎａ２ＳＯ４）を加えて乾燥した。その後、アルミナとシリカとを積層したカラムを用いて精製を行い、カラムで処理した溶液を濃縮し、濃縮液にメタノールに加えて、析出物を回収し、乾燥し、高分子化合物２を得た。高分子化合物２の得量は１３３ｍｇであった。高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は８，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１４，０００であった。
【０１７８】
実施例３
（薄膜の作製）
高分子化合物１はクロロホルムに溶解したので、高分子化合物１を０．５重量（ｗｔ）％含むクロロホルム溶液を調整し、シリコンウエハ及びガラス上にスピンコートで塗布し、薄膜を得た。
【０１７９】
実施例４
（積層体の製造）
【０１８０】
【０１８１】
シリコンウエハ上の薄膜及びガラス上の薄膜を窒素雰囲気下、３００℃で加熱処理を行ない、積層体を製造した。
【０１８２】
シリコンウエハ上に形成した薄膜について、加熱処理前後の薄膜の赤外吸収スペクトルを赤外分光光度計で測定した。加熱処理前の薄膜の赤外吸収スペクトル１１及び加熱処理後の薄膜の赤外吸収スペクトル１２を図１に示す。また、ガラス上に形成した薄膜について、加熱処理前後の薄膜の紫外可視吸収スペクトルを紫外−可視吸光光度計で測定した。
加熱処理前の薄膜の紫外可視吸収スペクトル２１及び加熱処理後の薄膜の紫外可視吸収スペクトル２２を図２に示す。
【０１８３】
薄膜の加熱により、薄膜エステル構造に由来する赤外吸収スペクトルの１７５０ｃｍ−１のピークが消失した。また、薄膜の加熱により、共役系の拡張に由来する紫外可視吸収スペクトルの５４０ｎｍのピークが生成した。結果を表１に示す。
【０１８４】
［表１］
【０１８５】
参考例３
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物１を用い、以下の方法で図３に示す構造を有する有機薄膜トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。
【０１８６】
次に、フォトリソグラフィ工程によりシリコン酸化膜３２上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（シリコン酸化膜側から、クロム、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、ヘキサメチレンジシラザン（ＨＭＤＳ）を用いて、スピンコート法により基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物１をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製し、メンブランフィルターでろ過した。ろ過後の溶液を、上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。
【０１８７】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、５×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０１８８】
参考例４
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物２を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機薄膜トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるオクタデシルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物２をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０１８９】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、２．４×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０１９０】
実施例５
（高分子化合物３の合成）
【０１９１】
【０１９２】
２００ｍｌの四つ口フラスコに、化合物（Ｄ）を３９２．２ｍｇ、化合物（Ｃ−２）を４８０．２ｍｇ、テトラハイドロフランを２０ｍｌ加え、室温(２５℃)で３０分間アルゴンバブリングを行った。次いで、反応液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを１８．３１ｍｇ、トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム テトラフルオロボレートを２３．２１ｍｇ加えた。反応液を室温で撹拌しながら、２７．６ｗｔ％の炭酸カリウム水溶液２ｇを３０分かけて滴下し、５０℃まで昇温した。１０分後、８０℃まで昇温し３時間還流を行った。
【０１９３】
得られた反応液を、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム水溶液で洗浄を行い、高分子化合物を濾過した。得られた高分子化合物の内、加熱クロロホルムに可溶分を、アルミナとシリカを積層したカラムに通液した。カラムで処理した液をメタノールに加え、析出物を回収し、乾燥し、高分子化合物３を得た。高分子化合物３の得量は１００ｍｇであった。高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は１７，５００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４２，４００であった。
【０１９４】
参考例５
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物３を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機薄膜トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるオクタデシルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物３をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を５０℃に加熱し、５０℃に加熱した上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０１９５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、７．０×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０１９６】
実施例６
（高分子化合物４の合成）
【０１９７】
【０１９８】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｅ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物４を合成した。高分子化合物４の得量は３５ｍｇであった。
【０１９９】
参考例６
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物４を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。次に、高分子化合物４をオクタジクロロベンゼンに溶解して０．２質量％の溶液を作製した。この溶液を１４０℃に加熱し、１４０℃に加熱した上記基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２００】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、１．２×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２０１】
実施例７
（高分子化合物５の合成）
【０２０２】
【０２０３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｆ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物５を合成した。高分子化合物５の得量は、１９０ｍｇであった。高分子化合物５のポリスチレン換算の数平均分子量は６０，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は９４，０００であった。
【０２０４】
参考例７
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物５を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるオクタデシルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物５をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２０５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、７．５×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２０６】
実施例８
（高分子化合物６の合成）
【０２０７】
【０２０８】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｇ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物６を合成した。高分子化合物６の得量は１００ｍｇであった。高分子化合物６のポリスチレン換算の数平均分子量は２０，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２８，０００であった。
【０２０９】
参考例８
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物６を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物６をトルエンに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を１００℃に加熱し、１００℃に加熱した上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２１０】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、１．８×１０−２ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２１１】
実施例９
（高分子化合物７の合成）
【０２１２】
【０２１３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｈ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物７を合成した。高分子化合物７の得量は、７４ｍｇであった。高分子化合物７のポリスチレン換算の数平均分子量は５９，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は８９，０００であった。
【０２１４】
参考例９
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物７を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物７をトルエンに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、２７０℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２１５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、３．３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２１６】
実施例１０
（高分子化合物８の合成）
【０２１７】
【０２１８】
化合物（Ｃ−３）にかえて化合物（Ｃ−４）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で高分子化合物８を合成した。高分子化合物８の得量は１００ｍｇであった。
【０２１９】
参考例１０
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物８を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物８をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で３０分間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２２０】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、４．８×１０−２ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２２１】
実施例１１
（高分子化合物９の合成）
【０２２２】
【０２２３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｊ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物９を合成した。高分子化合物９の得量は、１４２ｍｇであった。高分子化合物９のポリスチレン換算の数平均分子量は５２，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は８２，０００であった。
【０２２４】
参考例１１
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物９を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン酸化膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物９をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、２５０℃で１時間熱処理を行ない、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２２５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、１．３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２２６】
実施例１２
（高分子化合物１０の合成）
【０２２７】
【０２２８】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｋ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物１０を合成した。高分子化合物１０の得量は、１３３ｍｇであった。高分子化合物１０のポリスチレン換算の数平均分子量は５４，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は９０，０００であった。
【０２２９】
参考例１２
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物１０を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物１０をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３３０℃で１時間熱処理を行い、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２３０】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、４．８×１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２３１】
実施例１３
（高分子化合物１１の合成）
【０２３２】
【０２３３】
化合物（Ｂ）にかえて化合物（Ｌ）を用いた以外は、実施例２と同様の方法で高分子化合物１１を合成した。高分子化合物１１の得量は、１４５ｍｇであった。高分子化合物１１のポリスチレン換算の数平均分子量は２５，０００であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４１，０００であった。
【０２３４】
参考例１３
（有機トランジスタの作製）
高分子化合物１１を用い、以下の方法で図４に示す構造を有する有機トランジスタを作製した。まず、ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板３１の表面を熱酸化し、１００ｎｍのシリコン膜３２を形成した。こうして得られた基板を十分洗浄した後、シランカップリング剤であるフェネチルトリクロロシランを用いて基板の表面をシラン処理した。次に、高分子化合物１１をクロロホルムに溶解して０．５質量％の溶液を作製した。この溶液を上記表面処理を行った基板上にスピンコート法により塗布した。その後、窒素雰囲気下で、３００℃で１時間熱処理を行い、有機半導体層３５を形成した。次に、抵抗加熱蒸着工程により有機半導体層３５の上にチャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極３３、ドレイン電極３４（有機半導体層側から、ＭｏＯ３、金の順で積層した膜からなる。）を作製した。
【０２３５】
（トランジスタ特性の測定）
作製した有機薄膜トランジスタに、ゲート電圧Ｖｇを１０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを−６０Ｖかけてトランジスタ特性を測定した。測定した特性から得られた電界効果移動度を算出したところ、２．９×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
【０２３６】
［表２］
【符号の説明】
【０２３７】
１１…加熱処理前の薄膜の赤外吸収スペクトル、
１２…加熱処理後の薄膜の赤外吸収スペクトル、
２１…加熱処理前の薄膜の紫外可視吸収スペクトル、
２２…加熱処理後の薄膜の紫外可視吸収スペクトル、
３１…ｎ−型シリコン基板、
３２…シリコン酸化膜、
３３…ソース電極、
３４…ドレイン電極、
３５…有機半導体層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
［式中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ３及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。Ｙは、２価の基を表す。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位と；式（２）、（３）、又は（４）
【化２】
［式（２）〜（４）中、Ｒ５は、置換基を表す。ｓは、１〜４の整数を表す。ｐは、０〜４の整数を表す。ｑは、０〜４の整数を表す。Ｒ５が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位、式（５）
【化３】
（５）
［式中、Ａｒ1は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（ＲＡ）＝Ｃ（ＲＡ）−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ（ＲＢ）＝Ｎ−、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。但し、Ａｒ1は、前記式（１）で表される基ではない。２個のＲＡは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ＲＢは、水素原子又は置換基を表す。］
で表される構造単位、及び下式
【化４】
［式中、ｒ及びｒｒは、それぞれ構造単位（-Ａｒ３-ＮＡｒ６-）の数及び構造単位（−Ａｒ５−ＮＡｒ７−）の数を表し、それぞれ独立に、０又は１である。Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。
Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。］
で表される構造単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構造単位とを有する化合物。
【請求項２】
式（１）で表される構造単位を２個以上有する請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
さらに、式（７）
【化５】
（７）
で表される構造単位を１個以上有する請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｙで表される２価の基が、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）のそれぞれで表される基
【化６】
［式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）中、Ｒ１０〜Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｘ１は、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｘ１が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
からなる群から選択される少なくとも一種の基である請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
重量平均分子量が３０００以上の高分子化合物である請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
さらに、式（８）
【化７】
［式中、ｎ、ｍ、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３及びＲ4は、式（１）におけるこれらと同じ意味を表す。］
で表される構造単位を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物と溶媒とを含有する溶液。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物を含有する薄膜。
【請求項９】
基体と薄膜とを有する積層体であって、
前記薄膜は、請求項７に記載の溶液を該基体上に塗布して式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成し、次いで、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して得られる膜である積層体。
【請求項１０】
薄膜と基体とを有する積層体の製造方法であって、
請求項７に記載の溶液を基体上に塗布し、式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成する工程と、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して膜を形成する工程とを有する積層体の製造方法。
【請求項１】
式（１）
【化１】
［式中、Ｒ1及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ３及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｎ及びｍは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。Ｙは、２価の基を表す。Ｒ１が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Ｒ２が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位と；式（２）、（３）、又は（４）
【化２】
［式（２）〜（４）中、Ｒ５は、置換基を表す。ｓは、１〜４の整数を表す。ｐは、０〜４の整数を表す。ｑは、０〜４の整数を表す。Ｒ５が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
で表される構造単位、式（５）
【化３】
（５）
［式中、Ａｒ1は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（ＲＡ）＝Ｃ（ＲＡ）−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ（ＲＢ）＝Ｎ−、置換基を有していてもよい環炭素数８以上のアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。但し、Ａｒ1は、前記式（１）で表される基ではない。２個のＲＡは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ＲＢは、水素原子又は置換基を表す。］
で表される構造単位、及び下式
【化４】
［式中、ｒ及びｒｒは、それぞれ構造単位（-Ａｒ３-ＮＡｒ６-）の数及び構造単位（−Ａｒ５−ＮＡｒ７−）の数を表し、それぞれ独立に、０又は１である。Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。
Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。］
で表される構造単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構造単位とを有する化合物。
【請求項２】
式（１）で表される構造単位を２個以上有する請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
さらに、式（７）
【化５】
（７）
で表される構造単位を１個以上有する請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｙで表される２価の基が、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）のそれぞれで表される基
【化６】
［式（Ｙ−１）〜（Ｙ−８）中、Ｒ１０〜Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｘ１は、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｘ１が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
からなる群から選択される少なくとも一種の基である請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
重量平均分子量が３０００以上の高分子化合物である請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
さらに、式（８）
【化７】
［式中、ｎ、ｍ、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３及びＲ4は、式（１）におけるこれらと同じ意味を表す。］
で表される構造単位を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物と溶媒とを含有する溶液。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物を含有する薄膜。
【請求項９】
基体と薄膜とを有する積層体であって、
前記薄膜は、請求項７に記載の溶液を該基体上に塗布して式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成し、次いで、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して得られる膜である積層体。
【請求項１０】
薄膜と基体とを有する積層体の製造方法であって、
請求項７に記載の溶液を基体上に塗布し、式（１）で表される構造単位を含む化合物を含有する塗膜を形成する工程と、
該塗膜にエネルギーを加えて、塗膜に含有される式（１）で表される構造単位を含む化合物全体の内の少なくとも一部に含まれる式（１）で表される構造単位を式（８）で表される構造単位に変換して膜を形成する工程とを有する積層体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−１５１４６４（Ｐ２０１２−１５１４６４Ａ）
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２８３１０４（Ｐ２０１１−２８３１０４）
【出願日】平成２３年１２月２６日（２０１１．１２．２６）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月２６日（２０１１．１２．２６）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
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