基板の分断方法、レーザスクライブ装置及び電気光学装置の製造方法
【課題】レーザスクライブするとき、レーザ光が通過する接着剤の影響を受け難い基板の分断方法、レーザスクライブ装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板９ａと、第２基板９ｂとが接着剤９ｃを介して接合されているときの、第１基板９ａを分断する基板の分断方法に係る。光減衰量測定工程にて、接着剤９ｃに紫外光１５を照射して、紫外光１５が接着剤９ｃを通過するときに、紫外光１５が減衰する光量である光減衰量を測定する。そして、照射工程にて、第２基板９ｂ側から、第１基板９ａにレーザ光７を照射して、第１基板９ａの内部に改質部６０を形成する。さらに、分断工程にて、改質部６０を押圧して第１基板９ａを分断する。そして、照射工程では、レーザ光７が接着剤９ｃを通過するとき、光減衰量の小さい場所に比べて、光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光７を照射する。
【解決手段】第１基板９ａと、第２基板９ｂとが接着剤９ｃを介して接合されているときの、第１基板９ａを分断する基板の分断方法に係る。光減衰量測定工程にて、接着剤９ｃに紫外光１５を照射して、紫外光１５が接着剤９ｃを通過するときに、紫外光１５が減衰する光量である光減衰量を測定する。そして、照射工程にて、第２基板９ｂ側から、第１基板９ａにレーザ光７を照射して、第１基板９ａの内部に改質部６０を形成する。さらに、分断工程にて、改質部６０を押圧して第１基板９ａを分断する。そして、照射工程では、レーザ光７が接着剤９ｃを通過するとき、光減衰量の小さい場所に比べて、光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光７を照射する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いた基板の分断方法、レーザスクライブ装置及び電気光学装置の製造方法に係り、特に、接着剤を用いて接合された基板の分断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光部におけるピークパワー密度を１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
【０００３】
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
２枚の基板が接着剤を介して接合されている基板に、レーザ光を照射してスクライブするとき、接着剤を通過して、レーザ光を照射することがある。レーザ光が、接着剤を通過するとき、レーザ光の光エネルギが接着剤に吸収されることがある。このとき、接着剤を通過したレーザ光は、光エネルギが減衰する。接着剤の厚さは、２枚の基板の反りや歪によって変わることから、基板の場所が変わると、接着剤の厚さも変わっている。接着剤の厚さが厚い場所では、レーザ光の光エネルギが吸収される量が大きくなり、改質部が形成されない場合や、改質部が小さく形成される場合があった。
【０００６】
改質部が形成されない場合や、改質部が小さいとき、基板に応力を加えても、割れにくくなり、改質部に沿って分断されず、凹凸の大きな分断面となることがあった。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、レーザスクライブするとき、レーザ光が通過する接着剤の影響を受け難い基板の分断方法、レーザスクライブ装置及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている第１基板を分断する基板の分断方法であって、第１基板と、第２基板との間に位置する接着剤に測定光を照射して、測定光が接着剤を通過するときに、測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定工程と、第２基板側から、第１基板にレーザ光を照射して、第１基板の内部に改質部を形成する照射工程と、改質部を押圧して第１基板を分断する分断工程とを有し、照射工程では、レーザ光が接着剤を通過するとき、光減衰量の小さい場所に比べて、光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とする。
【０００９】
この基板の分断方法によれば、接着剤による光減衰量を測定し、光減衰量に応じた光量のレーザ光を照射している。第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されているとき、第２基板側から、接着剤を通過してレーザ光を照射することにより、第１基板に改質部を形成することがある。
【００１０】
このとき、接着剤の中には、レーザ光の吸収度の高い接着剤がある。そして、接着剤は、レーザ光を吸収するので、接着剤を通過するレーザ光は、減衰する。接着剤が厚い場所では、接着剤が薄い場所に比べて、レーザ光は大きく減衰する。
【００１１】
第１基板と第２基板とを接合するとき、第１基板と、第２基板との反り及び歪により、接着剤の厚さは、場所により異なる場合がある。従って，接着剤をレーザ光が通過するとき、レーザ光が減衰する光減衰量は、場所により異なる場合がある。
【００１２】
本発明では、複数の場所で光減衰量を測定した後、光減衰量の大きい場所では、大きな光量のレーザ光を照射している。従って、レーザ光が接着剤を通過して、光量が減衰しても、改質部の形成に必要な光量を、第１基板に集光することができる。その結果、品質良く改質部を形成することができる為、品質良く基板を分断することができる。
【００１３】
本発明の基板の分断方法では、光減衰量測定工程は、照射工程で照射するレーザ光と略同じ波長のレーザ光を接着剤に照射して、光減衰量を測定することを特徴とする。
【００１４】
この基板の分断方法によれば、照射工程で照射するレーザ光と略同じ波長のレーザ光を用いて、光減衰量を測定している。接着剤に光を照射するとき、接着剤が光を吸収する割合を示す吸光度は、照射する光の波長により異なる性質がある。本発明では、照射工程で照射するレーザ光の波長と光減衰量を測定するときの波長とが略同じ波長であることから、略同じ波長における光減衰量を測定している。従って、照射工程で照射するレーザ光が接着剤を通過するときの光減衰量を精度良く測定することができる。
【００１５】
本発明の基板の分断方法では、光減衰量測定工程は、照射工程で照射するレーザ光と異なる波長の測定光を接着剤に照射して、接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定工程と、接着剤の、測定光の波長における光減衰量と、照射工程で照射するレーザ光の波長における光減衰量との相関データを用いて、レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
この基板の分断方法によれば、照射工程で照射するレーザ光と異なる波長の測定光における光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、照射工程で照射するレーザ光における光減衰量を演算して推定している。レーザ光を発光する方法には、いくつかの方法があるが、スクライブに用いるレーザ光は、大きなエネルギを照射可能な装置を用いて発光している。光減衰量を測定するときは、スクライブ可能なエネルギに比べて、弱いエネルギで測定が可能である。
【００１７】
弱いエネルギの光を照射する装置が発光するとき、照射工程で照射するレーザ光を発光する原理と異なる原理を用いて、発光することができる。このとき、発光する原理が異なることから、発光する光の波長が異なることが多い。本発明では、照射工程で照射するレーザ光と異なる波長の測定光における光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、照射工程で照射するレーザ光における光減衰量を演算して推定している。従って、スクライブに用いるレーザ光とは異なる、弱いエネルギの光を照射する発光装置を用いて、光減衰量を推定可能としている。その結果、消費するエネルギが少なくできる為、省資源な方法とすることができる。
【００１８】
本発明の基板の分断方法は、光減衰量測定工程の後に、光減衰量と、光減衰量を測定した測定場所とを記憶する記憶工程を有し、照射工程では、記憶工程において、記憶した測定場所と光減衰量とを用いて、照射する場所における光減衰量を演算した後、光減衰量を用いて、改質部を形成可能となるレーザ光の光量を演算して、照射することを特徴とする。
【００１９】
この基板の分断方法によれば、光減衰量を測定した後、測定した場所と光減衰量とを記憶している。その後、測定した場所と光減衰量とを用いて、照射する場所に改質部を形成するために必要な光量を演算して、照射している。従って、光減衰量測定工程の後、続けて照射工程を行う必要がない。光減衰量測定工程と記憶工程とを行った後、別の工程を行い、その後、照射工程を行うことができる。その結果、製造工程の設計を行い易い方法とすることができる。
【００２０】
本発明の基板の分断方法は、光減衰量測定工程と照射工程とを並行して行うことを特徴とする。
【００２１】
この基板の分断方法によれば、光減衰量測定工程と照射工程とが並行して行われている。光減衰量測定工程と照射工程とを別々に行うときは、光減衰量の測定にかかる時間と、照射にかかる時間とを合わせた時間がかかる。本発明では、光減衰量測定工程と照射工程とを並行して行うことにより、別々に行う場合に比べて短い時間で加工することができる。その結果、生産性良く製造可能な方法とすることができる。
【００２２】
上記課題を解決するために、本発明のレーザスクライブ装置は、第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている第１基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、第１基板と、第２基板との間に位置する接着剤に測定光を照射して、測定光が接着剤を通過するときに、測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定部と、第１基板に照射するレーザ光の光量を制御する光量制御部とを有し、レーザ光が接着剤を通過するとき、光減衰量の小さい場所に比べて、光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とする。
【００２３】
このレーザスクライブ装置によれば、光減衰量測定部が、接着剤により減衰した後の光減衰量を測定する。そして、光量制御部が、光減衰量に応じた光量のレーザ光を制御しながら、照射している。第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されているとき、第２基板側から、接着剤を通過してレーザ光を照射することにより、第１基板に改質部を形成することがある。
【００２４】
このとき、接着剤の中には、レーザ光の吸収度の高い接着剤がある。本発明では、複数の場所で光減衰量を測定した後、光減衰量の大きな場所では、大きな光量のレーザ光を照射している。従って、レーザ光が接着剤を通過することにより、光量が減衰しても、改質部の形成に必要な光量を、第１基板に集光することができる。その結果、品質良く改質部を形成することができる為、品質良く基板を分断することができる。
【００２５】
本発明のレーザスクライブ装置では、光減衰量測定部は、レーザ光を接着剤に照射して、光減衰量を測定することを特徴とする。
【００２６】
このレーザスクライブ装置によれば、レーザスクライブするときに用いるレーザ光と略同じ波長のレーザ光を用いて、光減衰量を測定している。接着剤に光を照射するとき、接着剤が光を吸収する割合を示す吸光度は、照射する光の波長により異なる性質がある。本発明では、スクライブするときに、照射するレーザ光の波長と光減衰量を測定するときの波長とが略同じ波長であることから、略同じ波長における光減衰量を測定している。従って、照射工程で照射するレーザ光が接着剤を通過するときの光減衰量を精度良く測定することができる。
【００２７】
本発明のレーザスクライブ装置では、光減衰量測定部は、レーザ光と異なる波長の測定光を接着剤に照射して、接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定部と、測定光の波長における光減衰量と、照射工程で照射するレーザ光が、同じ接着剤の厚さを照射するときに減衰する光減衰量との相関データを用いて、レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算部とを有することを特徴とする。
【００２８】
このレーザスクライブ装置によれば、予め、スクライブするときに照射するレーザ光と異なる波長の測定光を接着剤に照射するときの、光減衰量を測定した後、同じ厚さの接着剤を、スクライブするときに照射するレーザ光が、通過するときの、光減衰量を測定して、相関データを用意している。そして、測定光を照射するときの光減衰量を用いて、スクライブするときに照射するレーザ光における、光減衰量を演算して推定している。レーザ光を発光する方法には、いくつかの方法があるが、スクライブに用いるレーザ光は、大きなエネルギを照射可能な装置を用いて発光している。光減衰量を測定するときは、スクライブ可能なエネルギに比べて、弱いエネルギで測定が可能である。
【００２９】
弱いエネルギの光を照射する装置が発光するとき、照射工程で照射するレーザ光を発光する原理と異なる原理を用いて、発光することがある。このとき、発光する原理が異なることから、発光する光の波長が異なることが多い。本発明では、スクライブするときに照射するレーザ光と異なる波長の測定光における、光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、スクライブするときに照射するレーザ光における、光減衰量を演算して推定している。従って、スクライブに用いるレーザ光とは異なる、弱いエネルギの光を照射する発光装置を用いて、光減衰量を推定可能としている。その結果、消費するエネルギが少なくできる為、省資源な方法とすることができる。
【００３０】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている第１基板を有する電気光学装置の製造方法であって、第１基板を分断するとき、上記に記載の基板の分断方法を用いて分断することを特徴とする。
【００３１】
この電気光学装置の製造方法によれば、接着剤を通過してレーザ光を照射してスクライブするときにおいても、品質良く改質部を形成することにより、品質良く基板を分断することができる。その結果、品質良く分断された基板を備える電気光学装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００３３】
（第１の実施形態）
本実施形態では、接着剤の厚さを検出する装置を有するスクライブ装置を用いて、レーザスクライブ方法によりスクライブして分断する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前にスクライブ装置について図１を用いて説明する。
【００３４】
（スクライブ装置）
図１は、スクライブ装置の構成を示す模式概略図である。
図１に示すように、レーザスクライブ装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源部としてのレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。
【００３５】
レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。
【００３６】
光学経路部３はハーフミラー６を備えている。ハーフミラー６は、レーザ光源２から照射されるレーザ光７の光軸７ａ上に配置されている。ハーフミラー６はレーザ光源２から照射されるレーザ光７を反射して、光軸７ａから光軸７ｂへ進行方向を変更する。ハーフミラー６に反射したレーザ光７が通過する光軸７ｂ上に集光部８が配置されている。集光部８は、その内部に凸レンズである集光レンズ８ａを備え、レーザ光７を集光場所７ｃに集光可能にしている。テーブル部４には基板９が配置され、集光部８を通過したレーザ光７が基板９に照射されるようになっている。
【００３７】
基板９は、第１基板９ａと第２基板９ｂとが接着剤９ｃにより貼り合わされて形成されている。第１基板９ａ、第２基板９ｂは、光透過性の板であればよく、本実施形態においては、石英ガラスを採用している。接着剤９ｃは、固化した後、光透過性のある接着剤であればよく、本実施形態においては、光硬化性のエポキシ樹脂を採用している。
【００３８】
集光部８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光部８を光軸７ｂが進行する方向（図中Ｚ方向）に移動させて、集光部８を通過したレーザ光７が集光する集光場所７ｃを移動可能となっている。
【００３９】
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７ｂ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００４０】
集光部８とハーフミラー６とを通過する光軸７ｂの延長線上にあって、ハーフミラー６に対して集光部８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光部８を透過して基板９を照射する。撮像装置１２は、集光部８とハーフミラー６とを通して基板９を撮像することが可能となっている。
【００４１】
レンズ移動機構１１の右側には、受光装置１３を備え、受光装置１３は、基板９と対向する場所に位置している。そして、受光装置１３と対向する場所で、基板９と反対側には、投光装置１４が配置されている。投光装置１４は、その内部に、紫外発光ダイオードを備えており、測定光としての紫外光１５を発光する。紫外発光ダイオードが発光する光の波長は、レーザ光７の波長に近い方が好ましく、例えば、波長３８６ｎｍを採用している。そして，紫外光１５は、投光装置１４が備える投光レンズ１４ａを通って、基板９を照射する。基板９に照射された紫外光１５は、基板９を通過して、受光装置１３の受光部１３ａに照射される。
【００４２】
受光装置１３の内部には、フォトトランジスタを備え、受光部１３ａに、照射された紫外光１５は、フォトトランジスタに照射される。フォトトランジスタは、受光する紫外光１５を電流値に変換する。受光装置１３は、紫外光１５から変換された電流値を電圧値に変換した受光電圧値を、出力する。
【００４３】
テーブル部４は、基台１６を備えている。基台１６の光学経路部３側には、レール１７が凸設して配置されており、レール１７上にはＸ軸スライド１８が配置されている。Ｘ軸スライド１８は、図示しない直動機構を備え、レール１７上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１８が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００４４】
Ｘ軸スライド１８の光学経路部３側にはレール１９が凸設して配置されており、レール１９上にはＹ軸スライド２０が配置されている。Ｙ軸スライド２０は、Ｘ軸スライド１８と同様な直動機構を備え、レール１９上をＹ方向に移動可能となっている。
【００４５】
Ｙ軸スライド２０の光学経路部３側には、方向切替装置としての回転テーブル２１が配置されている。回転テーブル２１は、図示しない回転機構を有し、基板９を回転させて、Ｘ軸スライド１８及びＹ軸スライド２０が移動するとき、基板９が移動する方向を変更可能としている。
【００４６】
回転機構は、例えば、駆動軸に歯車を備えたステップモータと、同歯車と噛み合う減速ギアとを供えた回転機構である。その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がステップモータに入力されると、ステップモータが正転又は反転して、回転テーブル２１が同ステップ数に相当する分だけ、回転するようになっている。
【００４７】
回転テーブル２１の光学経路部３側には、ステージ２２が配置され、ステージ２２の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、基板９を載置すると、チャック機構によって、基板９がステージ２２の上面における所定の位置に位置決めされ固定されるようになっている。
【００４８】
ステージ２２は、その内部が中空となっており、ステージ２２の内部には、投光装置１４が備えられている。投光装置１４は、基台１６に立設された支持部２３により支持される。ステージ２２は、支持部２３側の面に孔部２２ａが形成され、支持部２３は、その一部が孔部２２ａを通って、ステージ２２の内部に延在して配置されている。従って、支持部２３が、投光装置１４を支持可能となっている。
【００４９】
ステージ２２には、光学経路部３側に孔部２２ｂが形成されている。そして、投光装置１４が照射する紫外光１５は、孔部２２ｂと、基板９とを通過して、受光装置１３を照射可能となっている。
【００５０】
制御装置５は、メインコンピュータ２６、インターフェース２７、メモリ２８を備えている。メインコンピュータ２６は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を備えている。ＣＰＵはメモリ２８内に記憶されたプログラムソフト２９に従って、レーザスクライブ装置１の動作を制御するものである。具体的な機能実現部として、レーザ光照射演算部３０、光減衰量演算部３１などを有する。
【００５１】
レーザ光照射演算部３０は、レーザ光７を照射する場所と、レーザ光７の光量等を演算する機能等を有する。光減衰量演算部３１は、紫外光１５が基板９を通過するときに、減衰する光量を基に、レーザ光源２が照射するレーザ光７が基板９を通過するときに減衰する光量を演算する機能等を有する。
【００５２】
メモリ２８は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等といった半導体メモリや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭといった外部記憶装置を含む概念である。機能的には、レーザスクライブ装置１における動作の制御手順が記述されたプログラムソフト２９を記憶する記憶領域が設定される。さらに、基板９内におけるレーザ光７を照射する位置の座標データである照射位置データ３２を記憶するための記憶領域も設定される。他にも、光減衰量演算部３１が光量の減衰量を演算するときに用いる光減衰量データ３３を記憶するための記憶領域が設定される。その上、メインコンピュータ２６のためのワークエリアやテンポラリファイル等として機能する記憶領域やその他各種の記憶領域が設定される。
【００５３】
インターフェース２７は、入力装置３４、表示装置３５、レーザ光制御装置３６、レンズ制御装置３７、画像演算装置３８、減衰光量測定部としての光減衰量測定装置３９、ステージ制御装置４０等と接続されている。
【００５４】
入力装置３４は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置３５はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。メインコンピュータ２６は、入力される各種加工条件とプログラムソフト２９とに従って、レーザ光７の照射を行い、加工状況を表示装置３５に表示する。操作者が表示装置３５に表示される各種情報を見て、加工状況を確認して操作するようになっている。
【００５５】
レーザ光制御装置３６は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２６の制御信号により制御される。
【００５６】
レンズ制御装置３７は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置３７は、この位置センサの出力を検出することにより、集光部８の光軸７ｂ方向の位置を認識する。レンズ制御装置３７は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。
【００５７】
画像演算装置３８は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２２に基板９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光部８と基板９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光部８を移動して、基板９のステージ２２側の面に焦点が合うときと、基板９の光学経路部３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
【００５８】
集光部８を光軸７ｂの方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になる集光部８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、基板９の厚みを測定することが可能となる。
【００５９】
撮像装置１２が撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光７を照射したときに、集光部８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物を基板９としてステージ２２に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光部８を移動する。次に、レーザ光７を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部の距離を計測することにより、オフセット距離を設定することができる。
【００６０】
集光部８を光軸７ｂ方向（図中Ｚ方向）に移動して、基板９の光学経路部３側の面に撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光７を照射したい位置とオフセット距離とのデータを用いて、集光部８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光部８を移動させる。この方法で基板９における所定の深さにレーザ光７を集光することが可能となる。
【００６１】
光減衰量測定装置３９は、基板９を通過する紫外光１５の減衰量を測定する装置である。投光装置１４が照射する紫外光１５を受光装置１３が受光した後、受光する光量に対応する受光電圧値に変換して、光減衰量測定装置３９に出力する。光減衰量測定装置３９は、受光装置１３が出力する受光電圧値を入力する。そして、光減衰量測定装置３９は、この受光電圧値を、この受光電圧値に対応する光量である光量データに変換した後、光減衰量を演算する。
【００６２】
光減衰量の演算方法を説明する。最初に、紫外光１５が基板９を通過することによる減衰がないときの光量データを測定して、この光量データを基準光量データとする。続いて、紫外光１５が基板９を通過するときの光量データを測定して、この光量データを測定光量データとする。そして、基準光量データに対する、測定光量データの割合を１から減算した値を光減衰量とする。
【００６３】
基板９を通過する紫外光１５は、接着剤９ｃに一部が吸収されるので、測定光量データは基準光量データ以下の値となる。従って、光減衰量は、０から１の間の値となる。紫外光１５が吸収される程、測定光量データが小さくなるので、基準光量データに対する、測定光量データの割合も小さくなる。そして、光減衰量は、１から基準光量データに対する、測定光量データの割合を減算することから、紫外光１５が吸収される程、大きな値となる。そして、光減衰量測定装置３９は、光減衰量を演算して、メインコンピュータ２６に出力する。
【００６４】
基板９を通過する紫外光１５は、接着剤９ｃに一部が吸収されるので、接着剤９ｃが厚い程、紫外光１５は減衰する。そして、光減衰量は大きくなる。
【００６５】
ステージ制御装置４０は、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１の位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１には図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置４０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１の位置を検出する。ステージ制御装置４０は、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１の位置情報を取得し、メインコンピュータ２６から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離及び角度に対応して、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１を駆動して移動させる。ステージ制御装置４０はＸ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１とを駆動して、所望の位置及び角度に基板９を移動することが可能となっている。
【００６６】
画像演算装置３８が集光レンズ８ａの焦点位置を検出した後、レンズ制御装置３７が、集光部８を移動することにより、レーザ光７を集光する光軸７ｂ方向の位置を制御する。ステージ制御装置４０が基板９をＸＹ方向に移動することにより、基板９にレーザ光７が照射される場所を制御する。そして、レーザ光制御装置３６がレーザ光源２を制御することにより、レーザ光７を発光させる。発光するレーザ光７が、光軸７ｂを通過した後、集光部８により集光されて、基板９の内部を照射する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光７を集光して照射することが可能となっている。
【００６７】
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光部８によって集光されたレーザ光７は、基板９に入射する。そして、基板９がレーザ光７を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップよりも光子のエネルギが非常に大きいとき、基板９は光子エネルギを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光７のパルス幅を極めて短くすることでエネルギを高めて、多光子吸収を基板９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
【００６８】
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英などの場合には、クラック部は複数のクラックにならず、空洞が形成される場合もある。
【００６９】
このような改質部を形成するためのレーザ光７の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光７の出力やパルス幅、パルス周期等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光７の出力は、ハーフミラー６や集光部８のような光軸７ｂ上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【００７０】
（基板の分断方法）
次に本発明の基板の分断方法について図２〜図６にて説明する。図２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図３〜図６は基板の分断方法を説明する図である。
【００７１】
図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１は移動工程に相当し、スクライブ装置に設置されている基板を移動して、改質部を形成する予定の場所を受光装置と対向する場所に移動する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、測定光光減衰量測定工程に相当し、基板に紫外線を照射して、透過する光量を測定する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、光減衰量演算工程に相当し、ステップＳ２にて、測定する光量を用いて、レーザ光を照射するときの光減衰量を演算する工程である。ステップＳ２とステップＳ３とを合わせて、ステップＳ２１の光減衰量測定工程とする。次にステップＳ４に移行する。
【００７２】
ステップＳ４は、記憶工程に相当し、ステップＳ３にて、演算した光減衰量を記憶する工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は、予定した場所総てを測定したかを判断する工程に相当し、光減衰量を測定する予定の場所で、まだ光減衰量を測定していない場所を検索する工程である。光減衰量を測定する予定の場所で、まだ光減衰量を測定していない場所があるとき（ＮＯのとき）、ステップＳ１に移行する。改質部を形成する予定の場所で、改質部を形成していない場所がないとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ６に移行する。
【００７３】
ステップＳ６は、移動工程に相当し、レーザ光を照射する予定の場所を、集光部８と対向する場所に移動する工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は、照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して改質部を形成する工程である。次にステップＳ８に移行する。
【００７４】
ステップＳ８は予定した領域総てに照射したかを判断する工程に相当し、改質部を形成する予定の領域と改質部を形成した領域とを比較し、改質部を形成する予定の領域で、まだ改質部を形成していない領域を検索する工程である。改質部を形成する予定の領域で、まだ改質部を形成していない領域があるとき（ＮＯのとき）、ステップＳ６に移行する。改質部を形成する予定の領域で、改質部を形成していない領域がないとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ９に移行する。
【００７５】
ステップＳ９は、直交する２方向に照射したかを判断する工程に相当し、基板を分断する予定の方向である２つの方向に対して、改質部を配列して形成したかを判断する工程である。１方向にのみ、配列を形成して、次に、直交するもう一つの方向に改質部を形成するとき（ＮＯのとき）、ステップＳ１０に移行する。直交する２つの方向に配列して改質部が形成されているとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ１１に移行する。
【００７６】
ステップＳ１０は、回転工程に相当し、回転テーブルを用いて、基板を９０度回転させる工程である。次にステップＳ１に移行する。ステップＳ１１は、分断工程に相当し、基板の改質部が配列して形成された場所を押圧して、基板を分断する工程である。以上の工程により基板を分断する加工が完了する。
【００７７】
次に、図１、図３〜図６を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態で分断する基板の模式平面図である。図３（ａ）に示す様に、基板９は矩形の板で構成されている。基板９は、レーザ光７に透過性のある材質からなり本実施形態では、例えば、石英ガラスを採用している。
【００７８】
基板９の平面方向において、基板９の長尺方向をＸ方向に配置し、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向とする。また、基板９の厚さ方向をＺ方向とする。基板９において、Ｘ方向の中心線を通る厚さ方向（Ｚ方向）の面を第１切断予定面４３とする。同じく基板９において、Ｙ方向の中心線を通る厚さ方向（Ｚ方向）の面を第２切断予定面４４とする。第１切断予定面４３は、ステップＳ１〜ステップＳ９において、スクライブする面であり第２切断予定面４４は、ステップＳ１０において、基板９を回転した後、ステップＳ１からステップＳ９を繰り返して、スクライブする面である。
【００７９】
図３（ｂ）はステップＳ１に対応する図である。図３（ｂ）に示す様に、集光部８及び受光装置１３が配列する方向を第１切断予定面４３の方向と揃え、第１切断予定面４３と対向する場所に配列するようにする。このとき、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０、回転テーブル２１を駆動することにより、基板９の方向と場所を移動する。第１切断予定面４３に測定する予定の場所である測定点４５を設定する。本実施形態においては、測定点４５を９点設定しており、図中の測定点４５ａ〜測定点４５ｉは、測定点４５を示している。そして、基板９を移動して、最初に測定する測定点４５ａが、受光装置１３と対向する場所となる様に、基板９を移動する。
【００８０】
図３（ｃ）はステップＳ２に対応する図である。図３（ｃ）に示す様に、投光装置１４から受光装置１３に向けて紫外光１５を照射する。紫外光１５は、基板９を通過することにより、減衰した後、受光装置１３を照射する。受光装置１３は、受光する光量に相当する電圧値を光減衰量測定装置３９に出力する。光減衰量測定装置３９は、基板９を通過しないときの基準光量データと、今回、測定した測定光量データの割合を示す光減衰量を演算して、メインコンピュータ２６に出力する。
【００８１】
図４（ａ）はステップＳ３に対応する図である。図４（ａ）において、横軸は、接着剤の厚み４６を示し、左側より右側が、厚くなっている。縦軸は、光減衰量４７を示し、上側が下側より光減衰量が大きくなっている。紫外光減衰曲線４８は、投光装置１４が照射する紫外光１５が、基板９を通過するときの、接着剤の厚み４６に対する光減衰量４７の関係を示している。同様に、レーザ光減衰曲線４９は、レーザ光源２が発光する紫外光１５が、基板９を通過するときの、接着剤の厚み４６に対する光減衰量４７の関係を示している。
【００８２】
紫外光減衰曲線４８及びレーザ光減衰曲線４９は、接着剤の厚み４６が厚くなるに従い、吸収される光量が大きくなることから、光減衰量４７が大きくなる。そして、紫外光減衰曲線４８及びレーザ光減衰曲線４９は、指数関数曲線に近い曲線となっている。ステップＳ２において、演算する光減衰量５０と紫外光減衰曲線４８とを用いて、測定点４５ａにおける接着剤の厚み５１を推定する。次に、測定点４５ａにおける接着剤の厚み５１とレーザ光減衰曲線４９とを用いて、レーザ光７が接着剤９ｃを通過するときの光減衰量５２を推定する。
【００８３】
ステップＳ４では、ステップＳ３にて算出する光減衰量５２等からなる光減衰量データ３３と測定点の場所に係るデータをメモリ２８に記憶する。
【００８４】
ステップＳ５では、測定点４５ａ〜測定点４５ｉの総ての測定点における光減衰量の測定が済んだか、否かの判断をする。済んでいないとき、ステップＳ１〜ステップＳ５を繰り返して、測定点４５ａ〜測定点４５ｉにおける光減衰量データ３３をメモリ２８に記憶する。
【００８５】
図４（ｂ）は、測定点４５ａ〜測定点４５ｉにおける光減衰量データ３３の一例を示している。図４（ｂ）において、横軸は、Ｘ方向の位置５３を示している。縦軸は、光減衰量４７を示し、上側が下側より光減衰量が大きくなっている。光減衰量折れ線５４は、測定点４５ａ〜測定点４５ｉにおける光減衰量５２を接続した折れ線である。光減衰量折れ線５４において、Ｘ方向の位置５３が中央にある測定点４５ｅにおける光減衰量４７が、両端の測定点４５ａ及び測定点４５ｉにおける光減衰量４７に比べて、小さくなっている。これは、第１基板９ａ及び第２基板９ｂの反りにより、接着剤９ｃの厚さが、中央より両端の方が厚くなっていることに起因している。
【００８６】
ステップＳ６において、改質部を形成する予定の場所と対向する場所に集光部８を移動する。そして、改質部を形成する予定の場所にレーザ光７を集光するように、レンズ移動機構１１が集光部８を移動する。
【００８７】
図４（ｂ）〜図５（ｃ）を用いて、ステップＳ７を説明する。ステップＳ７において、レーザ光照射演算部３０が照射するレーザ光７の光量を演算する。レーザ光７を照射する予定の位置５５が、測定点４５ａと測定点４５ｂとの間にあるとき、測定点４５ａと位置５５との距離をＬ１とする。そして、測定点４５ａと測定点４５ｂとの距離をＬ２とする。測定点４５ａの光減衰量４７をＧａとし、測定点４５ｂの光減衰量４７をＧｂとする。レーザ光照射演算部３０は、位置５５における光減衰量４７である光減衰量５６を、次の式を用いて演算する。
光減衰量５６＝Ｇａ＋（Ｇｂ−Ｇａ）×Ｌ１／Ｌ２
【００８８】
このとき、位置５５における光減衰量５６は、光減衰量折れ線５４上にプロットされる。つまり、光減衰量５６は、光減衰量折れ線５４を用いて演算されている。この方法を用いて、測定点４５ｂと測定場所としての測定点４５ｃとの間の位置における光減衰量４７を演算することができる。同様に、隣接する測定点４５の間において、光減衰量４７を演算することができるので、測定点４５ａ〜測定点４５ｉの間において、光減衰量４７を演算することができる。
【００８９】
図４（ｃ）は、位置５５における光減衰量４７と、その光減衰量４７に対して、改質部を形成するために、必要な光照射量５７との関係を示す図である。横軸は、光減衰量４７を示し、右側が、左側より光減衰量４７が大きくなっている。縦軸は、光照射量５７を示し、上側が、下側より光照射量５７が大きくなっている。光減衰量４７と光照射量５７との関係を示す光照射量線５８は、直線となっており、一次方程式にて表されている。レーザ光照射演算部３０は、光減衰量５６と光照射量線５８とを用いて、位置５５にて照射する光照射量５９を演算する。
【００９０】
図５（ａ）に示す様に、集光部８がレーザ光７を集光して、第１基板９ａの内部を照射する。レーザ光７が集光して照射される集光場所７ｃには、改質部６０が形成され、改質部６０の中央には、空洞となっているクラック部６１が形成される。そして、照射した場所のデータを照射済の位置として、照射位置データ３２に記憶する。レーザ光７の光量は、レーザ光照射演算部３０が演算した光量となっているので、接着剤９ｃを通過するときに、レーザ光７が減衰しても、改質部６０が形成される。
【００９１】
ステップＳ８において、メインコンピュータ２６は、照射位置データ３２に記憶されている照射予定の位置と照射済の位置とのデータを比較して、照射していない場所を検索する。このとき、改質部６０を形成している段の中から検索する。そして、ステップＳ６とステップＳ７とを繰り返すことにより、まず１段目の改質部６０ａを配列して、形成する。
【００９２】
図５（ｂ）は、レーザ光７を集光して照射する集光場所７ｃを、Ｚ方向に移動して、加工を継続するときの、ステップＳ７に対応する図である。図５（ｂ）に示す様に、１段目に形成されている改質部６０ａと隣接する場所に、改質部６０を配列して、２段目の改質部６０ｂを形成する。３段目以降も同様に形成する。
【００９３】
第１基板９ａの第１切断予定面４３の総てに改質部６０を配列して形成した後、接着剤９ｃの第１切断予定面４３にレーザ光７を照射する。レーザ光７を照射された接着剤９ｃは、変質して、脆くなる。続いて、第２基板９ｂにおいても、第１基板９ａと同様に、第１切断予定面４３に沿って、改質部６０を配列して形成する。
【００９４】
その結果、図５（ｃ）に示す様に、第１基板９ａ及び第２基板９ｂの第１切断予定面４３に沿って、改質部６０が、配列されて形成されている第１スクライブ面６２が形成される。
【００９５】
ステップＳ９において、第１切断予定面４３と、第２切断予定面４４とにレーザ光７を照射して、改質部６０を配列して、形成したかを判断する。第２切断予定面４４には、改質部６０を配列して、形成していないことから、ステップＳ１０に移行する。
【００９６】
図５（ｄ）はステップＳ１０に対応する図である。図５（ｄ）に示す様に、ステージ制御装置４０が、回転テーブル２１を駆動して、基板９を回転することにより、集光部８及び受光装置１３が配列している方向と、第２切断予定面４４の方向とを合わせる。そして、ステージ制御装置４０が、Ｘ軸スライド１８及びＹ軸スライド２０を駆動して、受光装置１３と対向する場所に、第２切断予定面４４が来る様に、基板９を移動する。
【００９７】
そして、ステップＳ１〜ステップＳ８を繰り返す。その結果、図５（ｃ）に示す様に、第２切断予定面４４に沿って、改質部６０が配列されて形成されている第２スクライブ面６３が形成される。ステップＳ９において、第２切断予定面４４に、改質部６０を配列して、形成した判断をした後、ステップＳ１１へ移行する。
【００９８】
図６（ａ）〜図６（ｃ）はステップＳ１１に対応する図である。図６（ａ）に示す様に、基板９を弾性材などから少なくともなる台６４の上に配置する。第１切断予定面４３に形成された第１スクライブ面６２と対向する場所を、加圧部材６５を用いて押圧する。基板９は台６４に沈み込み、クラック部６１に張力が作用する。基板９は、台６４と接する面に近いクラック部６１ａを起点として破断が進行し、分断する。
【００９９】
続いて、図６（ｂ）に示す様に、同様に、第２切断予定面４４に形成された第２スクライブ面６３と対向する場所を、加圧部材６５を用いて押圧する。基板９は台６４に沈み込み、クラック部６１に張力が作用する。基板９は、台６４と接する面に近いクラック部６１ｂを起点として破断が進行し、分断する。
【０１００】
その結果、図６（ｃ）に示すように、基板９が第１スクライブ面６２、及び第２スクライブ面６３で分断され、４分割される。
【０１０１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、接着剤９ｃによる光減衰量を測定し、光減衰量に応じた光量のレーザ光７を照射している。そして、接着剤９ｃは、レーザ光７を吸収するので、接着剤９ｃを通過するレーザ光７は、減衰する。接着剤９ｃが厚い場所では、接着剤９ｃが薄い場所に比べて、レーザ光７は大きく減衰する。
【０１０２】
第１基板９ａと第２基板９ｂとを接合するとき、第１基板９ａと、第２基板９ｂとの反り及び歪により、接着剤９ｃの厚さは、場所により異なる場合がある。従って，接着剤９ｃをレーザ光７が通過するとき、レーザ光７が減衰する光減衰量は、場所により異なる場合がある。
【０１０３】
本実施形態では、複数の測定点４５で光減衰量を測定した後、光減衰量の大きい場所では、大きな光量のレーザ光７を照射している。従って、レーザ光７が接着剤９ｃを通過して、光量が減衰しても、改質部６０の形成に必要な光量を、第１基板９ａに集光することができる。その結果、品質良く改質部６０を形成するここができる為、品質良く基板を分断することができる。
【０１０４】
（２）本実施形態によれば、ステップＳ７の照射工程で照射するレーザ光７と異なる波長の紫外光１５を用いて、光減衰量を測定している。スクライブに用いるレーザ光７は、大きなエネルギを照射可能な装置を用いて発光している。光減衰量を測定するときは、スクライブ可能なエネルギに比べて、弱いエネルギで測定が可能である。
【０１０５】
本発明では、紫外発光ダイオードが発光する紫外光１５における光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、ステップＳ７の照射工程で照射するレーザ光における光減衰量を演算して推定している。従って、スクライブに用いるレーザ光７とは異なる、弱いエネルギの光を照射する発光装置１４を用いて、光減衰量を推定している。その結果、消費するエネルギが少なくできる為、省資源な方法とすることができる。さらに、安定して発光する光を用いて測定することから、品質良く測定することができる。
【０１０６】
（３）本実施形態によれば、光減衰量を測定した後、測定した測定点４５と光減衰量とを記憶している。その後、測定した測定点４５と光減衰量とを用いて、改質部６０を形成するために必要な光量を演算して、照射している。従って、ステップＳ２１の光減衰量測定工程の後、続けて、ステップＳ７の照射工程を行う必要がない。ステップＳ２１の光減衰量測定工程とステップＳ４の記憶工程とを行った後、別の工程を行い、その後、照射工程を行うことができる。その結果、工程の設計を行い易い方法とすることができる。
【０１０７】
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した基板の分断方法の一実施形態について図７の及び図８を用いて説明する。図７は、基板の分断方法のフローチャートであり、図８は、基板の分断方法を説明する図である。
この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、１段目の改質部を形成するときに、光減衰量の測定と、レーザ光の照射とを並行して行う点にある。
【０１０８】
図７のフローチャートにおいて、ステップＳ３１は、移動工程に相当し、図２のステップＳ１と同じ工程であり、説明を省略する。次にステップＳ３２に移行する。ステップＳ３２は、測定光光減衰量測定工程に相当し、ステップＳ２と同じく、減衰後の光量を測定する工程であるが、ステップＳ２と異なる点は、レーザ光７を照射する場所総ての場所において、測定を行う点が異なる。ステップＳ３３は、光減衰量演算工程に相当し、図２のステップＳ３と同じ工程であり、説明を省略する。ステップＳ３２及びステップＳ３３とを合わせてステップＳ５１の光減衰量測定工程とする。次にステップＳ３４に移行する。ステップＳ３４は、記憶工程に相当し、図２のステップＳ４と同じ工程であり、説明を省略する。次にステップＳ３５に移行する。ステップＳ３５は、１段目照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して、１段目の改質部を形成する工程である。
【０１０９】
次にステップＳ３６に移行する。ステップＳ３６は、１段目の予定した領域総てを測定したかを判断する工程に相当し、レーザ光を照射する予定の場所で、まだ、レーザ光を照射していない場所を検索する工程である。レーザ光を照射する予定の場所で、まだ、レーザ光を照射していない場所があるとき（ＮＯのとき）、ステップＳ３１に移行する。レーザ光を照射する予定の場所で、レーザ光の照射をしていない場所がないとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ３７に移行する。ステップＳ３７〜ステップＳ４２は、図２のステップＳ６〜ステップＳ１１と同じであり、説明を省略する。
【０１１０】
図８はステップＳ３２〜ステップＳ３５に対応する図である。図８に示す様に、ステップＳ３２において、投光装置１４から紫外光１５を、受光装置１３へ照射する。このとき、紫外光１５は、基板９を通過するので、紫外光１５の光量が減衰する。そして、光減衰量測定装置３９は、受光装置１３が出力する光量に相当する電圧データを用いて、光減衰量を演算した後、メインコンピュータ２６に出力する。
【０１１１】
ステップＳ３３では、ステップＳ３と同様に、紫外光１５における光減衰量を用いて、レーザ光７における光減衰量を演算する。ステップＳ３４では、演算したレーザ光７における光減衰量を光減衰量データ３３としてメモリ２８に記憶する。ステップＳ３５では、メインコンピュータ２６が、メモリ２８から光減衰量データ３３を入力して、改質部６０を形成可能となるレーザ光７の光量データを演算する。その光量データをレーザ光制御装置３６に出力して、レーザ光制御装置３６は、その光量データと対応する光量のレーザ光７を、レーザ光源２から発光させる。そして、集光部８が、レーザ光７を集光場所７ｃに集光して，照射する。集光場所７ｃには、改質部６０が形成される。
【０１１２】
このとき、ステップＳ３２〜ステップＳ３４と、ステップＳ３５とは並行して行われる。従って、テーブル部４が基板９を移動させて、受光装置１３は、受光装置１３が測定する場所と対向する場所に位置するとき、紫外光１５の光量を測定する。続いて、光減衰量測定装置３９は、受光装置１３が受光する紫外光１５を用いて、光減衰量を演算した後、メモリ２８に記憶する。このステップと並行して、メインコンピュータ２６は、次に照射する場所における、光減衰量データ３３の入力と、照射するレーザ光７の光量の演算とが、行われる。そして、レーザ光７を照射する予定の場所と対向する場所に集光部８が位置するとき、レーザ光７が照射される。
【０１１３】
ステップＳ３６〜ステップＳ４２は、第１の実施形態と同様であり、説明を省略する。そして、基板９が分断されて、加工が終了する。
【０１１４】
上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態の効果（１）及び（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ５１の光減衰量測定工程とステップＳ３５の１段目照射工程とが並行して行われている。ステップＳ５１とステップＳ３５とを別々に行うときは、ステップＳ５１にかかる時間と、ステップＳ３５にかかる時間とを合わせた時間がかかる。本発明では、ステップＳ５１とステップＳ３５とを並行して行うことにより、別々に行う場合に比べて短い時間で加工することができる。その結果、生産性良く製造可能な方法とすることができる。
【０１１５】
（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化したレーザ照射装置の一実施形態について図９を用いて説明する。図９は、スクライブ装置の構成を示す模式概略図である。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、光減衰量を測定する光を紫外線に換えて、レーザ光を用いて、光減衰量の測定を行う点にある。
【０１１６】
すなわち、本実施形態では、図９に示すように、レーザスクライブ装置６７は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部６８と、光学経路部６８に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。レーザ光源２及びテーブル部４は、第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【０１１７】
光学経路部６８はハーフミラー６９を備えている。ハーフミラー６９は、レーザ光源２から照射されるレーザ光７の光軸７ａ上に配置されている。ハーフミラー６９はレーザ光源２から照射されるレーザ光７の一部を反射して、光軸７ａから光軸７ｂへ進行方向を変更すると共に、レーザ光７の一部を、光軸７ｄへ透過する。ハーフミラー６９にて、反射したレーザ光７が通過する光軸７ｂ上に、シャッタ７０及び集光部８が配置されている。シャッタ７０は、レーザ光７の通過と遮断とを制御する装置であり、シャッタ７０を遮蔽するとき、レーザ光７は、遮断されるので、集光部８を照射しない。
【０１１８】
ハーフミラー６９を、透過したレーザ光７が通過する光軸７ｄ上に、シャッタ７１及び反射鏡７２が配置されている。シャッタ７１は、レーザ光７の通過と遮断とを制御する装置である。反射鏡７２は、レーザ光７を反射して、光軸７ｄから光軸７ｅへ進行方向を変更する。光軸７ｅ上には、反射鏡７３が配置され、反射鏡７３は、レーザ光７を反射して、光軸７ｅから光軸７ｆへ進行方向を変更する。光軸７ｆは、ステージ２２の内部を通過する。光軸７ｆ上には、反射鏡７４が配置され、反射鏡７４は、レーザ光７を反射して、光軸７ｆから光軸７ｇへ進行方向を変更する。基台１６は、支持部７５を備え、反射鏡７３及び反射鏡７４は、支持部７５により支持されている。
【０１１９】
光軸７ｇ上には、受光装置１３の受光部１３ａが配置されている。そして、レーザ光源２が発光するレーザ光７は、光軸７ａ、光軸７ｄ、光軸７ｅ、光軸７ｆ、光軸７ｇを通過して、受光部１３ａを照射する。光軸７ｇ上には、基板９が配置され、光軸７ｇを通過するレーザ光７は、基板９を透過して、光量が減衰する。従って、受光装置１３は、レーザ光７が、基板９を透過して、減衰する光量を測定可能となっている。
【０１２０】
レーザスクライブ装置６７は、シャッタ制御装置７６を備えている。シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０及びシャッタ７１の開閉を制御する装置である。シャッタ７０及びシャッタ７１を開くとき、レーザ光７が通過して、シャッタ７０及びシャッタ７１を閉じるとき、レーザ光７が遮断される。
【０１２１】
従って、集光部８からレーザ光７を照射せずに、光減衰量の測定を行うとき、シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０を閉じて、シャッタ７１を開く制御をする。集光部８からレーザ光７を照射して、光減衰量の測定を行わないとき、シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０を開いて、シャッタ７１を閉じる制御をする。集光部８からレーザ光７を照射すると共に、光減衰量の測定を行うとき、シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０を開いて、シャッタ７１も開く制御をする。
【０１２２】
上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態の効果（１）に加えて、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、改質部６０を形成するときに、照射するレーザ光７と同じレーザ光７を用いて、光減衰量を測定している。接着剤９ｃにレーザ光７を照射するとき、接着剤９ｃが光を吸収する割合を示す吸光度は、照射する光の波長により異なる性質がある。本実施形態では、改質部６０を形成するときに、照射するレーザ光７の波長と光減衰量を測定するときの波長とが同じ波長であることから、同じ波長における光減衰量を測定している。従って、改質部６０を形成するときに、照射するレーザ光７が接着剤９ｃを通過するときの光減衰量を精度良く測定することができる。
【０１２３】
（第４の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図１０〜図１６を用いて説明する。
本実施形態では、本発明における基板の分断方法を用いて液晶表示装置を製造する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置について説明する。
【０１２４】
（液晶表示装置）
まず、液晶表示装置について説明する。図１０（ａ）は、液晶表示装置の模式平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の液晶表示装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。
【０１２５】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置８１は、対をなすＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３とが熱硬化性の封止材であるシール８４によって貼り合わされ、このシール８４によって区画される領域内に封入された液晶８５からなる液晶層を備えている。シール８４は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。
【０１２６】
シール８４の内側で対向基板８３の液晶８５側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り８６が形成されている。シール８４の外側の場所には、データ線駆動回路８７及び電極端子８８がＴＦＴアレイ基板８２の辺８２ａ（図１０中下側の辺）に沿って形成されており、この辺８２ａに隣接する辺８２ｂ及び辺８２ｃ（図１０中左右の辺）に沿って走査線駆動回路８９が形成されている。データ線駆動回路８７、電極端子８８及び走査線駆動回路８９は配線９０ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板８２の残る辺８２ｄ（図１０中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路８９の間を接続するための配線９０ｂが設けられている。また、対向基板８３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３との間で電気的導通をとるための基板間導通材９１が配設されている。対向基板８３のＴＦＴアレイ基板８２側には対向電極９２が配置され、基板間導通材９１と電気的に接続されている。さらに、対向電極９２のＴＦＴアレイ基板８２側には配向膜９３が配置されている。
【０１２７】
液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。なお、光が液晶により遮られた画素には当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、映像を表示させることができる。
【０１２８】
このような構造を有する液晶表示装置８１の画像を表示する領域には、複数の画素９４がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素９４の各々には、画素信号をスイッチングするスイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極９６が電気的に接続されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。
【０１２９】
画素電極９６は、ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素９４の画素電極９６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極９６に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、対向基板８３の対向電極９２と画素電極９６との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶８５の光透過量が変化する。
【０１３０】
画素電極９６の対向基板８３側には配向膜９７が配置されている。配向膜９３と配向膜９７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜９３と配向膜９７との間に充填された液晶８５は、配向膜９３と配向膜９７とに形成されている溝状の凹凸に沿って配列して形成される。
【０１３１】
ＴＦＴアレイ基板８２において、液晶８５と反対側の面には、防塵ガラス９８が、接着剤９９を介して配置され、対向基板８３において、液晶８５と反対側の面には、防塵ガラス１００が、接着剤１０１を介して配置されている。防塵ガラス９８，１００は、ＴＦＴアレイ基板８２及び対向基板８３に塵及び埃が付着することを防止している。又、防塵ガラス９８，１００に塵及び埃が付着しても、この塵及び埃と液晶との間の距離が防塵ガラスの厚み分だけ長くなる。外部の配置された投影レンズにより液晶表示装置８１の画素９４により形成される画像を投影するとき、塵及び埃の像がデフォーカスされ、スクリーン上に大きくぼやけて表示されるので目立たなくすることができる。
【０１３２】
防塵ガラス９８において、ＴＦＴアレイ基板８２と反対側の面には、光学薄膜９８ａが形成され、防塵ガラス１００において、対向基板８３と反対側の面には、光学薄膜１００ａが形成されている。光学薄膜９８ａ及び光学薄膜１００ａは可視光を透過し紫外線を遮断する機能を有している。
【０１３３】
液晶表示装置８１を通過する光の光軸上には偏光シートが配置され、この偏光シート及び液晶８５の作用により、液晶表示装置８１を透過する光透過量が変化するようになっている。
【０１３４】
（液晶表示装置の製造方法）
次に、上述した液晶表示装置８１における基板の分断方法について図１１〜図１６にて説明する。図１１は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図１２〜図１６は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【０１３５】
図１１のフローチャートにおいて、ステップＳ６１は、対向マザー基板の光減衰量測定工程に相当し、対向マザー基板を分断する予定の面において、紫外光を透過するときの減衰後の光量を測定する工程である。次にステップＳ６２に移行する。ステップＳ６２は、ＴＦＴアレイマザー基板の光減衰量測定工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板を分断する予定の面において、紫外光を透過するときにおける減衰後の光量を測定する工程である。ステップＳ６１とステップＳ６２とを合わせて、ステップＳ８１の光減衰量測定工程とする。次にステップＳ６３に移行する。ステップＳ６３は、組立工程に相当し、対向マザー基板とＴＦＴアレイマザー基板との間に液晶を挟んで、接着することにより組み立てる工程である。次にステップＳ６４に移行する。
【０１３６】
ステップＳ６４は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６５に移行する。ステップＳ６５は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板において、ステップＳ６４でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６６に移行する。
【０１３７】
ステップＳ６６はＴＦＴアレイマザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６７に移行する。ステップＳ６７はＴＦＴアレイマザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板において、ステップＳ６６でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。ステップＳ６４〜ステップＳ６７とを合わせてステップＳ８２とする。ステップＳ８２は、スクライブ工程に相当する。次にステップＳ６８に移行する。
【０１３８】
ステップＳ６８はＴＦＴアレイマザー基板の第１分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板の一方向を分断する工程である。次にステップＳ６９に移行する。ステップＳ６９はＴＦＴアレイマザー基板の第２分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板において、ステップＳ６８で分断した方向と直交する方向を分断する工程である。次にステップＳ７０に移行する。ステップＳ７０は対向マザー基板の第１分断工程に相当し、対向マザー基板の一方向を分断する工程である。次にステップＳ７１に移行する。ステップＳ７１は対向マザー基板の第２分断工程に相当し、対向マザー基板において、ステップＳ７０で分断した方向と直交する方向を分断する工程である。ステップＳ６８〜ステップＳ７１とを合わせてステップＳ８３とする。ステップＳ８３は、分断工程に相当する。以上の工程により、液晶表示装置８１が形成される。
【０１３９】
次に、図１２〜図１６を用いて、図１１に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）はステップＳ６１に対応する図である。図１２（ａ）は、液晶表示装置が区画形成された対向マザー基板を示す模式平面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った模式断面図である。
【０１４０】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、対向マザー基板１０４は、第１基板としての対向大判基板１０４ａと第２基板としての防塵大判ガラス１０４ｂとが接着剤１０１により接合されている。対向大判基板１０４ａの防塵大判ガラス１０４ｂと反対側の面には、対向電極９２及び配向膜９３等が形成されている。対向マザー基板１０４の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１４１】
図１０に示す液晶表示装置８１を形成する為に、対向マザー基板１０４を分断する予定の面をＨ対向切断面１０５、Ｖ対向切断面１０６と表記する。Ｈ対向切断面１０５は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０４の切断面であり、図１２（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１２（ａ）に示した、１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ，１０５ｅは、それぞれＨ対向切断面１０５である。
【０１４２】
Ｖ対向切断面１０６は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０４の切断面であり、図１２（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１２（ａ）に示した、１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃは、それぞれＶ対向切断面１０６である。
【０１４３】
図１２（ｂ）に示す様に、投光装置１４から紫外光１５を受光装置１３に照射する。そして、紫外光１５をＶ対向切断面１０６に沿って、移動させて、Ｖ対向切断面１０６における光減衰量を測定する。続いて、紫外光１５をＨ対向切断面１０５に沿って、移動させて、Ｈ対向切断面１０５における光減衰量を測定する。そして、レーザ光７を照射するときの光減衰量を演算して、メモリ２８に記憶する。
【０１４４】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）はステップＳ６２に対応する図である。図１３（ａ）は、液晶表示装置が区画形成された対向マザー基板を示す模式図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。
【０１４５】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイマザー基板１０７は、第１基板としてのＴＦＴアレイ大判基板１０７ａと第２基板としての防塵大判ガラス１０７ｂとが接着剤９９により接合されている。ＴＦＴアレイ大判基板１０７ａの防塵大判ガラス１０７ｂと反対側の面には、画素電極９６、配向膜９７、データ線駆動回路８７、走査線駆動回路８９等が形成されている。ＴＦＴアレイマザー基板１０７の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１４６】
図１０に示す液晶表示装置８１を形成する為に、ＴＦＴアレイマザー基板１０７を分断する予定の面をＨ素子切断面１０８、Ｖ素子切断面１０９と表記する。
Ｈ素子切断面１０８は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０７の切断面であり、図１３（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１３（ａ）に示した、１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃは、それぞれＨ素子切断面１０８である。
【０１４７】
Ｖ素子切断面１０９は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０７の切断面であり、図１３（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１３（ａ）に示した、１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃは、それぞれＶ素子切断面１０９である。
【０１４８】
図１３（ｂ）に示す様に、投光装置１４から紫外光１５を受光装置１３に照射する。そして、紫外光１５をＶ素子切断面１０９に沿って、移動させて、Ｖ素子切断面１０９における光減衰量を測定する。続いて、紫外光１５をＨ素子切断面１０８に沿って、移動させて、Ｈ素子切断面１０８における光減衰量を測定する。そして、レーザ光７を照射するときの光減衰量を演算して、メモリ２８に記憶する。
【０１４９】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）はステップＳ６３に対応する図である。図１４（ａ）は、マザー基板を示す模式平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った模式断面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、マザー基板１１０は、ＴＦＴアレイマザー基板１０７と対向マザー基板１０４との間に液晶８５が封入され、シール８４により接合されて、形成されている。ＴＦＴアレイ大判基板１０７ａには、ＴＦＴアレイ基板８２が複数配列して形成され、対向大判基板１０４ａには、対向基板８３が複数配列して形成されている。ＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３とには、防塵ガラス９８と防塵ガラス１００とがそれぞれ接合されていることから、ＴＦＴアレイ大判基板１０７ａと対向大判基板１０４ａとには、防塵大判ガラス１０７ｂと防塵大判ガラス１０４ｂとがそれぞれ接合されて、配置されている。
【０１５０】
ＴＦＴアレイマザー基板１０７と対向マザー基板１０４とを組み立てるとき、Ｈ対向切断面１０５とＨ素子切断面１０８とを対向させると共に、Ｖ対向切断面１０６とＶ素子切断面１０９とを対向させて、組み立てを行う。例えば、Ｈ対向切断面１０５ａは、Ｈ素子切断面１０８ａと対向させて、Ｈ対向切断面１０５ｃは、Ｈ素子切断面１０８ｂと対向させて、Ｈ対向切断面１０５ｅは、Ｈ素子切断面１０８ｃと対向させて、組み立てる。
【０１５１】
同様に、例えば、Ｖ対向切断面１０６ｆは、Ｖ素子切断面１０９ａと対向させて、Ｖ対向切断面１０６ｅは、Ｖ素子切断面１０９ｂと対向させて、Ｖ対向切断面１０６ｄは、Ｖ素子切断面１０９ｃと対向させて、組み立てる。尚、マザー基板１１０の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１５２】
図１５（ａ）〜図１５（ｃ）はステップＳ６４に対応する図である。図１５（ａ）に示す様に、マザー基板１１０をレーザスクライブ装置１のステージ２２に配置する。続いて、Ｖ対向切断面１０６のレーザ光７を照射する場所と対向する場所に、集光部８が位置する様に、マザー基板１１０を移動する。そして、メインコンピュータ２６は、メモリ２８から光減衰量データ３３を入力した後、この光減衰量データ３３を用いて、光照射量を演算する。レーザ光源２が、演算した光照射量の照射を可能にする光量のレーザ光７を発光する。そして、集光部８がレーザ光７を集光して照射する。
【０１５３】
レーザ光７が集光されて照射された集光場所７ｃには、改質部６０が形成され、改質部６０の中央には、クラック部６１が形成される。本実施形態においては、対向大判基板１０４ａ及び防塵大判ガラス１０４ｂに石英ガラスを用いていることから、クラック部６１には、空洞が形成される。レーザ光７の一部が接着剤１０１に吸収されて、レーザ光７の光量が減衰しても、光減衰量に対応して、レーザ光７の光量を上げている為、改質部６０が確実に形成される。
【０１５４】
以上の移動と照射とを繰り返して、スクライブを行い、改質部６０を配列して１段目の改質部６０ａを、対向大判基板１０４ａのＶ対向切断面１０６に沿って形成する。続いて、１段目と隣接する場所に改質部６０を配列して２段目の改質部６０ｂを形成する。３段目以降についても、同様の方法で、改質部６０を配列して形成する。その結果、図１５（ｂ）に示す様に、対向大判基板１０４ａのＶ対向切断面１０６総てに、改質部６０が配列して形成され、改質部６０の中央にはクラック部６１が形成される。この一連の工程は、第１の実施形態に記載の方法を用いて行われる。
【０１５５】
続いて、対向大判基板１０４ａと防塵大判ガラス１０４ｂとの間の接着剤１０１に対して、Ｖ対向切断面１０６に沿って、レーザ光７を照射することにより、接着剤１０１を変質させて、分断し易くする。
【０１５６】
次に、図１５（ｂ）に示す様に、防塵大判ガラス１０４ｂのＶ対向切断面１０６に沿って、マザー基板１１０の移動とレーザ光７を照射することにより、改質部６０を配列して形成する。その結果、図１５（ｃ）に示す様に、対向大判基板１０４ａ及び防塵大判ガラス１０４ｂのＶ対向切断面１０６総てに、改質部６０が配列して形成され、改質部６０の中央にはクラック部６１が形成される。
【０１５７】
ステップＳ６５においては、対向マザー基板１０４のＨ対向切断面１０５に沿ってレーザ光７を照射し、スクライブを行う。続いて、ステップ６６において、マザー基板１１０を反転し、ＴＦＴアレイマザー基板１０７のＶ素子切断面１０９に沿ってレーザ光７を照射して、スクライブを行う。続いて、ステップＳ６７において、ＴＦＴアレイマザー基板１０７のＨ素子切断面１０８に沿ってレーザ光７を照射し、スクライブを行う。スクライブ方法については、ステップＳ６４と同様であり、詳細な説明は省略する。
【０１５８】
図１６（ａ）〜図１６（ｂ）はステップＳ６８に対応する図である。図１６（ａ）に示す様に、マザー基板１１０を弾性材などからなる台１１１の上に配置する。マザー基板１１０の防塵大判ガラス１０７ｂが台１１１と接する様に配置し、対向マザー基板１０４において、Ｈ素子切断面１０８に配列して形成されているクラック部６１と対向する場所を、加圧部材１１２を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板１０７は台１１１に沈み込み、クラック部６１に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板１０７は、台１１１と接する面に近いクラック部６１を起点として破断が進行し、分断する。
図１６（ｂ）に示す様に、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０７は、Ｈ素子切断面１０８で分断される。
【０１５９】
ステップＳ６９においては、ＴＦＴアレイマザー基板１０７のＶ素子切断面１０９に沿って形成されているクラック部６１を分断する。続いて、ステップＳ７０において、マザー基板１１０を反転し、対向マザー基板１０４のＨ対向切断面１０５に沿って形成されているクラック部６１を分断する。続いて、ステップＳ７１において、対向マザー基板１０４のＶ対向切断面１０６に沿って形成されているクラック部６１を分断する。分断方法については、ステップＳ６８と同様であり、詳細な説明は省略する。
【０１６０】
以上の工程により、マザー基板１１０が分割されて、図１０（ａ）に示す液晶表示装置８１の形状に形成され、液晶表示装置８１が完成する。
【０１６１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１の実施形態における方法を用いて、レーザ光７を照射している。従って、接着剤９９，１０１を通過してレーザ光７を照射してスクライブするときにおいても、品質良く改質部６０を形成している為、品質良く対向マザー基板１０４及びＴＦＴアレイマザー基板１０７を分断することができる。その結果、品質良く分断された基板を備える液晶表示装置８１とすることができる。
【０１６２】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態においては、ステップＳ２において、紫外光１５を基板９に対して垂直に照射しているが、基板９に対して斜めに紫外光１５を照射して良い。このとき、接着剤９ｃの層を斜めに通過することから、通過する距離が長くなる。従って、光減衰量が大きくなるので、補正を行う演算をすることにより、紫外光１５を基板９に対して垂直に照射するときの光減衰量を算出しても良い。このとき、受光装置１３及び投光装置１４は、傾けても良いことから、受光装置１３及び投光装置１４の配置を設計し易くすることができる。
【０１６３】
（変形例２）
前記第１の実施形態においては、基板９に紫外光１５を照射して、光減衰量を推定したが、第１基板９ａの厚みと、第２基板９ｂの厚みと、基板９の厚みとを測定することにより、接着剤９ｃの厚みを算出しても良い。広く活用されている厚み測定装置を利用可能となることから、受光装置１３及び投光装置１４を配置する必要がなく、製造し易いレーザスクライブ装置１とすることができる。
【０１６４】
（変形例３）
前記第１の実施形態においては、ステップＳ３において、光減衰量を演算して、ステップＳ４にて光減衰量を記憶している。そして、ステップＳ７において、照射するときに、光減衰量を補正した照射光量を演算して照射している。これに限らず、ステップＳ３において、光減衰量と、光減衰量を補正した照射光量を演算して、ステップＳ４にて光照射量を記憶しても良い。ステップＳ７においては、既に、照射光量が解っていることから、照射光量を演算する時間が短くすることができる。その結果、ステップＳ７で、照射する加工時間を短縮することができる為、生産性良く加工することができる。
【０１６５】
（変形例４）
前記第１の実施形態においては、第１切断予定面４３に沿って測定して、次にレーザ光７を照射している。そして、第２切断予定面４４に沿って測定して、次にレーザ光７を照射している。これに限らず、第１切断予定面４３及び第２切断予定面４４に沿って測定した後、第１切断予定面４３及び第２切断予定面４４に沿って、レーザ光７を照射しても良い。レーザ光７の照射をまとめて行うことにより、レーザ光源２の発光を安定化させる暖気運転を１回にすることができる。
【０１６６】
（変形例５）
前記第１の実施形態において、ステップＳ７で、図４（ｂ）に示す光減衰量折れ線５４を用いて、１次方程式により光減衰量を演算しているが、最小二乗法により２次以上の方程式を求めて、この２次以上の方程式を用いて演算してもよい。測定点間の各場所における光減衰量の推定が、より正確に演算することができる。
【０１６７】
（変形例６）
ステップＳ３では、図４（ａ）に示す様に、光減衰量から接着剤の厚みを推定し、接着剤の厚みからレーザ光７の光減衰量を推定している。これに限らず、紫外光１５の光減衰量と、レーザ光７における光減衰量との関係を示す相関表を作成して、その相関表を用いて，算出してもよい。接着剤の厚みを算出する時間がかからないことから、生産性良く光減衰量を算出することができる。
【０１６８】
（変形例７）
前記第２の実施形態においては、受光装置１３及び投光装置１４を用いて測定した光減衰量を、総て光減衰量データ３３として記憶していたが、集光部８からレーザ光７を照射した後、一部のデータを削除しても良い。図４（ｂ）に示す様に、光減衰量４７の分布が推定可能なデータ数を残してあれば良い。データ数を減らすことにより、メモリ２８に必要とされる容量を減らすことができる為、省資源な装置とすることができる。
【０１６９】
（変形例８）
前記第４の実施形態においては、前記第１の実施形態における基板の分断方法を用いて、対向マザー基板１０４及びＴＦＴアレイマザー基板１０７を分断しているが、前記第２の実施形態、前記第３の実施形態、及び上記変形例を用いて基板を分断しても良い。
【０１７０】
（変形例９）
前記第１〜第４の実施形態では、レーザ光源２にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。
【０１７１】
（変形例１０）前記第１の実施形態では、メインコンピュータ２６は、メモリ２８内に動作手順に沿ったプログラムソフト２９を記憶し、プログラムソフト２９によりレーザレーザスクライブ装置１の制御を行ったが、これに限らず、電気回路にて構成される制御装置にて制御しても良い。周辺機器が手順通りに制御されれば良い。
【０１７２】
（変形例１１）
前記第４の実施形態では、液晶表示装置８１に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置８１以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板を分断する工程で、品質良く分断される基板を備えた電気光学装置を提供することができる。
【０１７３】
（変形例１２）
前記第１の実施形態では、紫外光１５を照射して、光が接着剤９ｃを通過した減衰後の光量を測定したが、紫外光１５以外の波長の光を用いても良い。波長の長いＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、波長の短いＬＥＤに比べて製造し易いことから、製造し易い装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】第１の実施形態に係るスクライブ装置の構成を示す模式概略図。
【図２】基板の分断方法のフローチャート。
【図３】基板の分断方法を説明する図。
【図４】基板の分断方法を説明する図。
【図５】基板の分断方法を説明する図。
【図６】基板の分断方法を説明する図。
【図７】第２の実施形態に係る基板の分断方法のフローチャート。
【図８】基板の分断方法を説明する図。
【図９】第３の実施形態に係るスクライブ装置の構成を示す模式概略図。
【図１０】（ａ）は、第４の実施形態に係る液晶表示装置の模式平面図、（ｂ）は、液晶表示装置の模式断面図。
【図１１】液晶表示装置の製造方法のフローチャート。
【図１２】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１３】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１４】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１５】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１６】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【符号の説明】
【０１７５】
２…レーザ光源部としてのレーザ光源、７…レーザ光、９ａ…第１基板、９ｂ…第２基板、９ｃ…接着剤、１５…測定光としての紫外光、３９…減衰光量測定部としての光減衰量測定装置、４５…測定場所としての測定点、５０…光減衰量、６０…改質部、８１…電気光学装置としての液晶表示装置、１０４ａ…第１基板としての対向大判基板、１０４ｂ，１０７ｂ…第２基板としての防塵大判ガラス、１０７ａ…第１基板としてのＴＦＴアレイ大判基板。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いた基板の分断方法、レーザスクライブ装置及び電気光学装置の製造方法に係り、特に、接着剤を用いて接合された基板の分断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光部におけるピークパワー密度を１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
【０００３】
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
２枚の基板が接着剤を介して接合されている基板に、レーザ光を照射してスクライブするとき、接着剤を通過して、レーザ光を照射することがある。レーザ光が、接着剤を通過するとき、レーザ光の光エネルギが接着剤に吸収されることがある。このとき、接着剤を通過したレーザ光は、光エネルギが減衰する。接着剤の厚さは、２枚の基板の反りや歪によって変わることから、基板の場所が変わると、接着剤の厚さも変わっている。接着剤の厚さが厚い場所では、レーザ光の光エネルギが吸収される量が大きくなり、改質部が形成されない場合や、改質部が小さく形成される場合があった。
【０００６】
改質部が形成されない場合や、改質部が小さいとき、基板に応力を加えても、割れにくくなり、改質部に沿って分断されず、凹凸の大きな分断面となることがあった。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、レーザスクライブするとき、レーザ光が通過する接着剤の影響を受け難い基板の分断方法、レーザスクライブ装置及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている第１基板を分断する基板の分断方法であって、第１基板と、第２基板との間に位置する接着剤に測定光を照射して、測定光が接着剤を通過するときに、測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定工程と、第２基板側から、第１基板にレーザ光を照射して、第１基板の内部に改質部を形成する照射工程と、改質部を押圧して第１基板を分断する分断工程とを有し、照射工程では、レーザ光が接着剤を通過するとき、光減衰量の小さい場所に比べて、光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とする。
【０００９】
この基板の分断方法によれば、接着剤による光減衰量を測定し、光減衰量に応じた光量のレーザ光を照射している。第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されているとき、第２基板側から、接着剤を通過してレーザ光を照射することにより、第１基板に改質部を形成することがある。
【００１０】
このとき、接着剤の中には、レーザ光の吸収度の高い接着剤がある。そして、接着剤は、レーザ光を吸収するので、接着剤を通過するレーザ光は、減衰する。接着剤が厚い場所では、接着剤が薄い場所に比べて、レーザ光は大きく減衰する。
【００１１】
第１基板と第２基板とを接合するとき、第１基板と、第２基板との反り及び歪により、接着剤の厚さは、場所により異なる場合がある。従って，接着剤をレーザ光が通過するとき、レーザ光が減衰する光減衰量は、場所により異なる場合がある。
【００１２】
本発明では、複数の場所で光減衰量を測定した後、光減衰量の大きい場所では、大きな光量のレーザ光を照射している。従って、レーザ光が接着剤を通過して、光量が減衰しても、改質部の形成に必要な光量を、第１基板に集光することができる。その結果、品質良く改質部を形成することができる為、品質良く基板を分断することができる。
【００１３】
本発明の基板の分断方法では、光減衰量測定工程は、照射工程で照射するレーザ光と略同じ波長のレーザ光を接着剤に照射して、光減衰量を測定することを特徴とする。
【００１４】
この基板の分断方法によれば、照射工程で照射するレーザ光と略同じ波長のレーザ光を用いて、光減衰量を測定している。接着剤に光を照射するとき、接着剤が光を吸収する割合を示す吸光度は、照射する光の波長により異なる性質がある。本発明では、照射工程で照射するレーザ光の波長と光減衰量を測定するときの波長とが略同じ波長であることから、略同じ波長における光減衰量を測定している。従って、照射工程で照射するレーザ光が接着剤を通過するときの光減衰量を精度良く測定することができる。
【００１５】
本発明の基板の分断方法では、光減衰量測定工程は、照射工程で照射するレーザ光と異なる波長の測定光を接着剤に照射して、接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定工程と、接着剤の、測定光の波長における光減衰量と、照射工程で照射するレーザ光の波長における光減衰量との相関データを用いて、レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
この基板の分断方法によれば、照射工程で照射するレーザ光と異なる波長の測定光における光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、照射工程で照射するレーザ光における光減衰量を演算して推定している。レーザ光を発光する方法には、いくつかの方法があるが、スクライブに用いるレーザ光は、大きなエネルギを照射可能な装置を用いて発光している。光減衰量を測定するときは、スクライブ可能なエネルギに比べて、弱いエネルギで測定が可能である。
【００１７】
弱いエネルギの光を照射する装置が発光するとき、照射工程で照射するレーザ光を発光する原理と異なる原理を用いて、発光することができる。このとき、発光する原理が異なることから、発光する光の波長が異なることが多い。本発明では、照射工程で照射するレーザ光と異なる波長の測定光における光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、照射工程で照射するレーザ光における光減衰量を演算して推定している。従って、スクライブに用いるレーザ光とは異なる、弱いエネルギの光を照射する発光装置を用いて、光減衰量を推定可能としている。その結果、消費するエネルギが少なくできる為、省資源な方法とすることができる。
【００１８】
本発明の基板の分断方法は、光減衰量測定工程の後に、光減衰量と、光減衰量を測定した測定場所とを記憶する記憶工程を有し、照射工程では、記憶工程において、記憶した測定場所と光減衰量とを用いて、照射する場所における光減衰量を演算した後、光減衰量を用いて、改質部を形成可能となるレーザ光の光量を演算して、照射することを特徴とする。
【００１９】
この基板の分断方法によれば、光減衰量を測定した後、測定した場所と光減衰量とを記憶している。その後、測定した場所と光減衰量とを用いて、照射する場所に改質部を形成するために必要な光量を演算して、照射している。従って、光減衰量測定工程の後、続けて照射工程を行う必要がない。光減衰量測定工程と記憶工程とを行った後、別の工程を行い、その後、照射工程を行うことができる。その結果、製造工程の設計を行い易い方法とすることができる。
【００２０】
本発明の基板の分断方法は、光減衰量測定工程と照射工程とを並行して行うことを特徴とする。
【００２１】
この基板の分断方法によれば、光減衰量測定工程と照射工程とが並行して行われている。光減衰量測定工程と照射工程とを別々に行うときは、光減衰量の測定にかかる時間と、照射にかかる時間とを合わせた時間がかかる。本発明では、光減衰量測定工程と照射工程とを並行して行うことにより、別々に行う場合に比べて短い時間で加工することができる。その結果、生産性良く製造可能な方法とすることができる。
【００２２】
上記課題を解決するために、本発明のレーザスクライブ装置は、第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている第１基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、第１基板と、第２基板との間に位置する接着剤に測定光を照射して、測定光が接着剤を通過するときに、測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定部と、第１基板に照射するレーザ光の光量を制御する光量制御部とを有し、レーザ光が接着剤を通過するとき、光減衰量の小さい場所に比べて、光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とする。
【００２３】
このレーザスクライブ装置によれば、光減衰量測定部が、接着剤により減衰した後の光減衰量を測定する。そして、光量制御部が、光減衰量に応じた光量のレーザ光を制御しながら、照射している。第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されているとき、第２基板側から、接着剤を通過してレーザ光を照射することにより、第１基板に改質部を形成することがある。
【００２４】
このとき、接着剤の中には、レーザ光の吸収度の高い接着剤がある。本発明では、複数の場所で光減衰量を測定した後、光減衰量の大きな場所では、大きな光量のレーザ光を照射している。従って、レーザ光が接着剤を通過することにより、光量が減衰しても、改質部の形成に必要な光量を、第１基板に集光することができる。その結果、品質良く改質部を形成することができる為、品質良く基板を分断することができる。
【００２５】
本発明のレーザスクライブ装置では、光減衰量測定部は、レーザ光を接着剤に照射して、光減衰量を測定することを特徴とする。
【００２６】
このレーザスクライブ装置によれば、レーザスクライブするときに用いるレーザ光と略同じ波長のレーザ光を用いて、光減衰量を測定している。接着剤に光を照射するとき、接着剤が光を吸収する割合を示す吸光度は、照射する光の波長により異なる性質がある。本発明では、スクライブするときに、照射するレーザ光の波長と光減衰量を測定するときの波長とが略同じ波長であることから、略同じ波長における光減衰量を測定している。従って、照射工程で照射するレーザ光が接着剤を通過するときの光減衰量を精度良く測定することができる。
【００２７】
本発明のレーザスクライブ装置では、光減衰量測定部は、レーザ光と異なる波長の測定光を接着剤に照射して、接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定部と、測定光の波長における光減衰量と、照射工程で照射するレーザ光が、同じ接着剤の厚さを照射するときに減衰する光減衰量との相関データを用いて、レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算部とを有することを特徴とする。
【００２８】
このレーザスクライブ装置によれば、予め、スクライブするときに照射するレーザ光と異なる波長の測定光を接着剤に照射するときの、光減衰量を測定した後、同じ厚さの接着剤を、スクライブするときに照射するレーザ光が、通過するときの、光減衰量を測定して、相関データを用意している。そして、測定光を照射するときの光減衰量を用いて、スクライブするときに照射するレーザ光における、光減衰量を演算して推定している。レーザ光を発光する方法には、いくつかの方法があるが、スクライブに用いるレーザ光は、大きなエネルギを照射可能な装置を用いて発光している。光減衰量を測定するときは、スクライブ可能なエネルギに比べて、弱いエネルギで測定が可能である。
【００２９】
弱いエネルギの光を照射する装置が発光するとき、照射工程で照射するレーザ光を発光する原理と異なる原理を用いて、発光することがある。このとき、発光する原理が異なることから、発光する光の波長が異なることが多い。本発明では、スクライブするときに照射するレーザ光と異なる波長の測定光における、光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、スクライブするときに照射するレーザ光における、光減衰量を演算して推定している。従って、スクライブに用いるレーザ光とは異なる、弱いエネルギの光を照射する発光装置を用いて、光減衰量を推定可能としている。その結果、消費するエネルギが少なくできる為、省資源な方法とすることができる。
【００３０】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている第１基板を有する電気光学装置の製造方法であって、第１基板を分断するとき、上記に記載の基板の分断方法を用いて分断することを特徴とする。
【００３１】
この電気光学装置の製造方法によれば、接着剤を通過してレーザ光を照射してスクライブするときにおいても、品質良く改質部を形成することにより、品質良く基板を分断することができる。その結果、品質良く分断された基板を備える電気光学装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００３３】
（第１の実施形態）
本実施形態では、接着剤の厚さを検出する装置を有するスクライブ装置を用いて、レーザスクライブ方法によりスクライブして分断する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前にスクライブ装置について図１を用いて説明する。
【００３４】
（スクライブ装置）
図１は、スクライブ装置の構成を示す模式概略図である。
図１に示すように、レーザスクライブ装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源部としてのレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。
【００３５】
レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。
【００３６】
光学経路部３はハーフミラー６を備えている。ハーフミラー６は、レーザ光源２から照射されるレーザ光７の光軸７ａ上に配置されている。ハーフミラー６はレーザ光源２から照射されるレーザ光７を反射して、光軸７ａから光軸７ｂへ進行方向を変更する。ハーフミラー６に反射したレーザ光７が通過する光軸７ｂ上に集光部８が配置されている。集光部８は、その内部に凸レンズである集光レンズ８ａを備え、レーザ光７を集光場所７ｃに集光可能にしている。テーブル部４には基板９が配置され、集光部８を通過したレーザ光７が基板９に照射されるようになっている。
【００３７】
基板９は、第１基板９ａと第２基板９ｂとが接着剤９ｃにより貼り合わされて形成されている。第１基板９ａ、第２基板９ｂは、光透過性の板であればよく、本実施形態においては、石英ガラスを採用している。接着剤９ｃは、固化した後、光透過性のある接着剤であればよく、本実施形態においては、光硬化性のエポキシ樹脂を採用している。
【００３８】
集光部８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光部８を光軸７ｂが進行する方向（図中Ｚ方向）に移動させて、集光部８を通過したレーザ光７が集光する集光場所７ｃを移動可能となっている。
【００３９】
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７ｂ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００４０】
集光部８とハーフミラー６とを通過する光軸７ｂの延長線上にあって、ハーフミラー６に対して集光部８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光部８を透過して基板９を照射する。撮像装置１２は、集光部８とハーフミラー６とを通して基板９を撮像することが可能となっている。
【００４１】
レンズ移動機構１１の右側には、受光装置１３を備え、受光装置１３は、基板９と対向する場所に位置している。そして、受光装置１３と対向する場所で、基板９と反対側には、投光装置１４が配置されている。投光装置１４は、その内部に、紫外発光ダイオードを備えており、測定光としての紫外光１５を発光する。紫外発光ダイオードが発光する光の波長は、レーザ光７の波長に近い方が好ましく、例えば、波長３８６ｎｍを採用している。そして，紫外光１５は、投光装置１４が備える投光レンズ１４ａを通って、基板９を照射する。基板９に照射された紫外光１５は、基板９を通過して、受光装置１３の受光部１３ａに照射される。
【００４２】
受光装置１３の内部には、フォトトランジスタを備え、受光部１３ａに、照射された紫外光１５は、フォトトランジスタに照射される。フォトトランジスタは、受光する紫外光１５を電流値に変換する。受光装置１３は、紫外光１５から変換された電流値を電圧値に変換した受光電圧値を、出力する。
【００４３】
テーブル部４は、基台１６を備えている。基台１６の光学経路部３側には、レール１７が凸設して配置されており、レール１７上にはＸ軸スライド１８が配置されている。Ｘ軸スライド１８は、図示しない直動機構を備え、レール１７上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１８が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００４４】
Ｘ軸スライド１８の光学経路部３側にはレール１９が凸設して配置されており、レール１９上にはＹ軸スライド２０が配置されている。Ｙ軸スライド２０は、Ｘ軸スライド１８と同様な直動機構を備え、レール１９上をＹ方向に移動可能となっている。
【００４５】
Ｙ軸スライド２０の光学経路部３側には、方向切替装置としての回転テーブル２１が配置されている。回転テーブル２１は、図示しない回転機構を有し、基板９を回転させて、Ｘ軸スライド１８及びＹ軸スライド２０が移動するとき、基板９が移動する方向を変更可能としている。
【００４６】
回転機構は、例えば、駆動軸に歯車を備えたステップモータと、同歯車と噛み合う減速ギアとを供えた回転機構である。その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がステップモータに入力されると、ステップモータが正転又は反転して、回転テーブル２１が同ステップ数に相当する分だけ、回転するようになっている。
【００４７】
回転テーブル２１の光学経路部３側には、ステージ２２が配置され、ステージ２２の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、基板９を載置すると、チャック機構によって、基板９がステージ２２の上面における所定の位置に位置決めされ固定されるようになっている。
【００４８】
ステージ２２は、その内部が中空となっており、ステージ２２の内部には、投光装置１４が備えられている。投光装置１４は、基台１６に立設された支持部２３により支持される。ステージ２２は、支持部２３側の面に孔部２２ａが形成され、支持部２３は、その一部が孔部２２ａを通って、ステージ２２の内部に延在して配置されている。従って、支持部２３が、投光装置１４を支持可能となっている。
【００４９】
ステージ２２には、光学経路部３側に孔部２２ｂが形成されている。そして、投光装置１４が照射する紫外光１５は、孔部２２ｂと、基板９とを通過して、受光装置１３を照射可能となっている。
【００５０】
制御装置５は、メインコンピュータ２６、インターフェース２７、メモリ２８を備えている。メインコンピュータ２６は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を備えている。ＣＰＵはメモリ２８内に記憶されたプログラムソフト２９に従って、レーザスクライブ装置１の動作を制御するものである。具体的な機能実現部として、レーザ光照射演算部３０、光減衰量演算部３１などを有する。
【００５１】
レーザ光照射演算部３０は、レーザ光７を照射する場所と、レーザ光７の光量等を演算する機能等を有する。光減衰量演算部３１は、紫外光１５が基板９を通過するときに、減衰する光量を基に、レーザ光源２が照射するレーザ光７が基板９を通過するときに減衰する光量を演算する機能等を有する。
【００５２】
メモリ２８は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等といった半導体メモリや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭといった外部記憶装置を含む概念である。機能的には、レーザスクライブ装置１における動作の制御手順が記述されたプログラムソフト２９を記憶する記憶領域が設定される。さらに、基板９内におけるレーザ光７を照射する位置の座標データである照射位置データ３２を記憶するための記憶領域も設定される。他にも、光減衰量演算部３１が光量の減衰量を演算するときに用いる光減衰量データ３３を記憶するための記憶領域が設定される。その上、メインコンピュータ２６のためのワークエリアやテンポラリファイル等として機能する記憶領域やその他各種の記憶領域が設定される。
【００５３】
インターフェース２７は、入力装置３４、表示装置３５、レーザ光制御装置３６、レンズ制御装置３７、画像演算装置３８、減衰光量測定部としての光減衰量測定装置３９、ステージ制御装置４０等と接続されている。
【００５４】
入力装置３４は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置３５はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。メインコンピュータ２６は、入力される各種加工条件とプログラムソフト２９とに従って、レーザ光７の照射を行い、加工状況を表示装置３５に表示する。操作者が表示装置３５に表示される各種情報を見て、加工状況を確認して操作するようになっている。
【００５５】
レーザ光制御装置３６は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２６の制御信号により制御される。
【００５６】
レンズ制御装置３７は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置３７は、この位置センサの出力を検出することにより、集光部８の光軸７ｂ方向の位置を認識する。レンズ制御装置３７は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。
【００５７】
画像演算装置３８は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２２に基板９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光部８と基板９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光部８を移動して、基板９のステージ２２側の面に焦点が合うときと、基板９の光学経路部３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
【００５８】
集光部８を光軸７ｂの方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になる集光部８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、基板９の厚みを測定することが可能となる。
【００５９】
撮像装置１２が撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光７を照射したときに、集光部８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物を基板９としてステージ２２に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光部８を移動する。次に、レーザ光７を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部の距離を計測することにより、オフセット距離を設定することができる。
【００６０】
集光部８を光軸７ｂ方向（図中Ｚ方向）に移動して、基板９の光学経路部３側の面に撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光７を照射したい位置とオフセット距離とのデータを用いて、集光部８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光部８を移動させる。この方法で基板９における所定の深さにレーザ光７を集光することが可能となる。
【００６１】
光減衰量測定装置３９は、基板９を通過する紫外光１５の減衰量を測定する装置である。投光装置１４が照射する紫外光１５を受光装置１３が受光した後、受光する光量に対応する受光電圧値に変換して、光減衰量測定装置３９に出力する。光減衰量測定装置３９は、受光装置１３が出力する受光電圧値を入力する。そして、光減衰量測定装置３９は、この受光電圧値を、この受光電圧値に対応する光量である光量データに変換した後、光減衰量を演算する。
【００６２】
光減衰量の演算方法を説明する。最初に、紫外光１５が基板９を通過することによる減衰がないときの光量データを測定して、この光量データを基準光量データとする。続いて、紫外光１５が基板９を通過するときの光量データを測定して、この光量データを測定光量データとする。そして、基準光量データに対する、測定光量データの割合を１から減算した値を光減衰量とする。
【００６３】
基板９を通過する紫外光１５は、接着剤９ｃに一部が吸収されるので、測定光量データは基準光量データ以下の値となる。従って、光減衰量は、０から１の間の値となる。紫外光１５が吸収される程、測定光量データが小さくなるので、基準光量データに対する、測定光量データの割合も小さくなる。そして、光減衰量は、１から基準光量データに対する、測定光量データの割合を減算することから、紫外光１５が吸収される程、大きな値となる。そして、光減衰量測定装置３９は、光減衰量を演算して、メインコンピュータ２６に出力する。
【００６４】
基板９を通過する紫外光１５は、接着剤９ｃに一部が吸収されるので、接着剤９ｃが厚い程、紫外光１５は減衰する。そして、光減衰量は大きくなる。
【００６５】
ステージ制御装置４０は、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１の位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１には図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置４０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１の位置を検出する。ステージ制御装置４０は、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１の位置情報を取得し、メインコンピュータ２６から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離及び角度に対応して、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１を駆動して移動させる。ステージ制御装置４０はＸ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０及び回転テーブル２１とを駆動して、所望の位置及び角度に基板９を移動することが可能となっている。
【００６６】
画像演算装置３８が集光レンズ８ａの焦点位置を検出した後、レンズ制御装置３７が、集光部８を移動することにより、レーザ光７を集光する光軸７ｂ方向の位置を制御する。ステージ制御装置４０が基板９をＸＹ方向に移動することにより、基板９にレーザ光７が照射される場所を制御する。そして、レーザ光制御装置３６がレーザ光源２を制御することにより、レーザ光７を発光させる。発光するレーザ光７が、光軸７ｂを通過した後、集光部８により集光されて、基板９の内部を照射する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光７を集光して照射することが可能となっている。
【００６７】
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光部８によって集光されたレーザ光７は、基板９に入射する。そして、基板９がレーザ光７を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップよりも光子のエネルギが非常に大きいとき、基板９は光子エネルギを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光７のパルス幅を極めて短くすることでエネルギを高めて、多光子吸収を基板９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
【００６８】
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英などの場合には、クラック部は複数のクラックにならず、空洞が形成される場合もある。
【００６９】
このような改質部を形成するためのレーザ光７の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光７の出力やパルス幅、パルス周期等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光７の出力は、ハーフミラー６や集光部８のような光軸７ｂ上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【００７０】
（基板の分断方法）
次に本発明の基板の分断方法について図２〜図６にて説明する。図２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図３〜図６は基板の分断方法を説明する図である。
【００７１】
図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１は移動工程に相当し、スクライブ装置に設置されている基板を移動して、改質部を形成する予定の場所を受光装置と対向する場所に移動する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、測定光光減衰量測定工程に相当し、基板に紫外線を照射して、透過する光量を測定する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、光減衰量演算工程に相当し、ステップＳ２にて、測定する光量を用いて、レーザ光を照射するときの光減衰量を演算する工程である。ステップＳ２とステップＳ３とを合わせて、ステップＳ２１の光減衰量測定工程とする。次にステップＳ４に移行する。
【００７２】
ステップＳ４は、記憶工程に相当し、ステップＳ３にて、演算した光減衰量を記憶する工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は、予定した場所総てを測定したかを判断する工程に相当し、光減衰量を測定する予定の場所で、まだ光減衰量を測定していない場所を検索する工程である。光減衰量を測定する予定の場所で、まだ光減衰量を測定していない場所があるとき（ＮＯのとき）、ステップＳ１に移行する。改質部を形成する予定の場所で、改質部を形成していない場所がないとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ６に移行する。
【００７３】
ステップＳ６は、移動工程に相当し、レーザ光を照射する予定の場所を、集光部８と対向する場所に移動する工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は、照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して改質部を形成する工程である。次にステップＳ８に移行する。
【００７４】
ステップＳ８は予定した領域総てに照射したかを判断する工程に相当し、改質部を形成する予定の領域と改質部を形成した領域とを比較し、改質部を形成する予定の領域で、まだ改質部を形成していない領域を検索する工程である。改質部を形成する予定の領域で、まだ改質部を形成していない領域があるとき（ＮＯのとき）、ステップＳ６に移行する。改質部を形成する予定の領域で、改質部を形成していない領域がないとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ９に移行する。
【００７５】
ステップＳ９は、直交する２方向に照射したかを判断する工程に相当し、基板を分断する予定の方向である２つの方向に対して、改質部を配列して形成したかを判断する工程である。１方向にのみ、配列を形成して、次に、直交するもう一つの方向に改質部を形成するとき（ＮＯのとき）、ステップＳ１０に移行する。直交する２つの方向に配列して改質部が形成されているとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ１１に移行する。
【００７６】
ステップＳ１０は、回転工程に相当し、回転テーブルを用いて、基板を９０度回転させる工程である。次にステップＳ１に移行する。ステップＳ１１は、分断工程に相当し、基板の改質部が配列して形成された場所を押圧して、基板を分断する工程である。以上の工程により基板を分断する加工が完了する。
【００７７】
次に、図１、図３〜図６を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態で分断する基板の模式平面図である。図３（ａ）に示す様に、基板９は矩形の板で構成されている。基板９は、レーザ光７に透過性のある材質からなり本実施形態では、例えば、石英ガラスを採用している。
【００７８】
基板９の平面方向において、基板９の長尺方向をＸ方向に配置し、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向とする。また、基板９の厚さ方向をＺ方向とする。基板９において、Ｘ方向の中心線を通る厚さ方向（Ｚ方向）の面を第１切断予定面４３とする。同じく基板９において、Ｙ方向の中心線を通る厚さ方向（Ｚ方向）の面を第２切断予定面４４とする。第１切断予定面４３は、ステップＳ１〜ステップＳ９において、スクライブする面であり第２切断予定面４４は、ステップＳ１０において、基板９を回転した後、ステップＳ１からステップＳ９を繰り返して、スクライブする面である。
【００７９】
図３（ｂ）はステップＳ１に対応する図である。図３（ｂ）に示す様に、集光部８及び受光装置１３が配列する方向を第１切断予定面４３の方向と揃え、第１切断予定面４３と対向する場所に配列するようにする。このとき、Ｘ軸スライド１８、Ｙ軸スライド２０、回転テーブル２１を駆動することにより、基板９の方向と場所を移動する。第１切断予定面４３に測定する予定の場所である測定点４５を設定する。本実施形態においては、測定点４５を９点設定しており、図中の測定点４５ａ〜測定点４５ｉは、測定点４５を示している。そして、基板９を移動して、最初に測定する測定点４５ａが、受光装置１３と対向する場所となる様に、基板９を移動する。
【００８０】
図３（ｃ）はステップＳ２に対応する図である。図３（ｃ）に示す様に、投光装置１４から受光装置１３に向けて紫外光１５を照射する。紫外光１５は、基板９を通過することにより、減衰した後、受光装置１３を照射する。受光装置１３は、受光する光量に相当する電圧値を光減衰量測定装置３９に出力する。光減衰量測定装置３９は、基板９を通過しないときの基準光量データと、今回、測定した測定光量データの割合を示す光減衰量を演算して、メインコンピュータ２６に出力する。
【００８１】
図４（ａ）はステップＳ３に対応する図である。図４（ａ）において、横軸は、接着剤の厚み４６を示し、左側より右側が、厚くなっている。縦軸は、光減衰量４７を示し、上側が下側より光減衰量が大きくなっている。紫外光減衰曲線４８は、投光装置１４が照射する紫外光１５が、基板９を通過するときの、接着剤の厚み４６に対する光減衰量４７の関係を示している。同様に、レーザ光減衰曲線４９は、レーザ光源２が発光する紫外光１５が、基板９を通過するときの、接着剤の厚み４６に対する光減衰量４７の関係を示している。
【００８２】
紫外光減衰曲線４８及びレーザ光減衰曲線４９は、接着剤の厚み４６が厚くなるに従い、吸収される光量が大きくなることから、光減衰量４７が大きくなる。そして、紫外光減衰曲線４８及びレーザ光減衰曲線４９は、指数関数曲線に近い曲線となっている。ステップＳ２において、演算する光減衰量５０と紫外光減衰曲線４８とを用いて、測定点４５ａにおける接着剤の厚み５１を推定する。次に、測定点４５ａにおける接着剤の厚み５１とレーザ光減衰曲線４９とを用いて、レーザ光７が接着剤９ｃを通過するときの光減衰量５２を推定する。
【００８３】
ステップＳ４では、ステップＳ３にて算出する光減衰量５２等からなる光減衰量データ３３と測定点の場所に係るデータをメモリ２８に記憶する。
【００８４】
ステップＳ５では、測定点４５ａ〜測定点４５ｉの総ての測定点における光減衰量の測定が済んだか、否かの判断をする。済んでいないとき、ステップＳ１〜ステップＳ５を繰り返して、測定点４５ａ〜測定点４５ｉにおける光減衰量データ３３をメモリ２８に記憶する。
【００８５】
図４（ｂ）は、測定点４５ａ〜測定点４５ｉにおける光減衰量データ３３の一例を示している。図４（ｂ）において、横軸は、Ｘ方向の位置５３を示している。縦軸は、光減衰量４７を示し、上側が下側より光減衰量が大きくなっている。光減衰量折れ線５４は、測定点４５ａ〜測定点４５ｉにおける光減衰量５２を接続した折れ線である。光減衰量折れ線５４において、Ｘ方向の位置５３が中央にある測定点４５ｅにおける光減衰量４７が、両端の測定点４５ａ及び測定点４５ｉにおける光減衰量４７に比べて、小さくなっている。これは、第１基板９ａ及び第２基板９ｂの反りにより、接着剤９ｃの厚さが、中央より両端の方が厚くなっていることに起因している。
【００８６】
ステップＳ６において、改質部を形成する予定の場所と対向する場所に集光部８を移動する。そして、改質部を形成する予定の場所にレーザ光７を集光するように、レンズ移動機構１１が集光部８を移動する。
【００８７】
図４（ｂ）〜図５（ｃ）を用いて、ステップＳ７を説明する。ステップＳ７において、レーザ光照射演算部３０が照射するレーザ光７の光量を演算する。レーザ光７を照射する予定の位置５５が、測定点４５ａと測定点４５ｂとの間にあるとき、測定点４５ａと位置５５との距離をＬ１とする。そして、測定点４５ａと測定点４５ｂとの距離をＬ２とする。測定点４５ａの光減衰量４７をＧａとし、測定点４５ｂの光減衰量４７をＧｂとする。レーザ光照射演算部３０は、位置５５における光減衰量４７である光減衰量５６を、次の式を用いて演算する。
光減衰量５６＝Ｇａ＋（Ｇｂ−Ｇａ）×Ｌ１／Ｌ２
【００８８】
このとき、位置５５における光減衰量５６は、光減衰量折れ線５４上にプロットされる。つまり、光減衰量５６は、光減衰量折れ線５４を用いて演算されている。この方法を用いて、測定点４５ｂと測定場所としての測定点４５ｃとの間の位置における光減衰量４７を演算することができる。同様に、隣接する測定点４５の間において、光減衰量４７を演算することができるので、測定点４５ａ〜測定点４５ｉの間において、光減衰量４７を演算することができる。
【００８９】
図４（ｃ）は、位置５５における光減衰量４７と、その光減衰量４７に対して、改質部を形成するために、必要な光照射量５７との関係を示す図である。横軸は、光減衰量４７を示し、右側が、左側より光減衰量４７が大きくなっている。縦軸は、光照射量５７を示し、上側が、下側より光照射量５７が大きくなっている。光減衰量４７と光照射量５７との関係を示す光照射量線５８は、直線となっており、一次方程式にて表されている。レーザ光照射演算部３０は、光減衰量５６と光照射量線５８とを用いて、位置５５にて照射する光照射量５９を演算する。
【００９０】
図５（ａ）に示す様に、集光部８がレーザ光７を集光して、第１基板９ａの内部を照射する。レーザ光７が集光して照射される集光場所７ｃには、改質部６０が形成され、改質部６０の中央には、空洞となっているクラック部６１が形成される。そして、照射した場所のデータを照射済の位置として、照射位置データ３２に記憶する。レーザ光７の光量は、レーザ光照射演算部３０が演算した光量となっているので、接着剤９ｃを通過するときに、レーザ光７が減衰しても、改質部６０が形成される。
【００９１】
ステップＳ８において、メインコンピュータ２６は、照射位置データ３２に記憶されている照射予定の位置と照射済の位置とのデータを比較して、照射していない場所を検索する。このとき、改質部６０を形成している段の中から検索する。そして、ステップＳ６とステップＳ７とを繰り返すことにより、まず１段目の改質部６０ａを配列して、形成する。
【００９２】
図５（ｂ）は、レーザ光７を集光して照射する集光場所７ｃを、Ｚ方向に移動して、加工を継続するときの、ステップＳ７に対応する図である。図５（ｂ）に示す様に、１段目に形成されている改質部６０ａと隣接する場所に、改質部６０を配列して、２段目の改質部６０ｂを形成する。３段目以降も同様に形成する。
【００９３】
第１基板９ａの第１切断予定面４３の総てに改質部６０を配列して形成した後、接着剤９ｃの第１切断予定面４３にレーザ光７を照射する。レーザ光７を照射された接着剤９ｃは、変質して、脆くなる。続いて、第２基板９ｂにおいても、第１基板９ａと同様に、第１切断予定面４３に沿って、改質部６０を配列して形成する。
【００９４】
その結果、図５（ｃ）に示す様に、第１基板９ａ及び第２基板９ｂの第１切断予定面４３に沿って、改質部６０が、配列されて形成されている第１スクライブ面６２が形成される。
【００９５】
ステップＳ９において、第１切断予定面４３と、第２切断予定面４４とにレーザ光７を照射して、改質部６０を配列して、形成したかを判断する。第２切断予定面４４には、改質部６０を配列して、形成していないことから、ステップＳ１０に移行する。
【００９６】
図５（ｄ）はステップＳ１０に対応する図である。図５（ｄ）に示す様に、ステージ制御装置４０が、回転テーブル２１を駆動して、基板９を回転することにより、集光部８及び受光装置１３が配列している方向と、第２切断予定面４４の方向とを合わせる。そして、ステージ制御装置４０が、Ｘ軸スライド１８及びＹ軸スライド２０を駆動して、受光装置１３と対向する場所に、第２切断予定面４４が来る様に、基板９を移動する。
【００９７】
そして、ステップＳ１〜ステップＳ８を繰り返す。その結果、図５（ｃ）に示す様に、第２切断予定面４４に沿って、改質部６０が配列されて形成されている第２スクライブ面６３が形成される。ステップＳ９において、第２切断予定面４４に、改質部６０を配列して、形成した判断をした後、ステップＳ１１へ移行する。
【００９８】
図６（ａ）〜図６（ｃ）はステップＳ１１に対応する図である。図６（ａ）に示す様に、基板９を弾性材などから少なくともなる台６４の上に配置する。第１切断予定面４３に形成された第１スクライブ面６２と対向する場所を、加圧部材６５を用いて押圧する。基板９は台６４に沈み込み、クラック部６１に張力が作用する。基板９は、台６４と接する面に近いクラック部６１ａを起点として破断が進行し、分断する。
【００９９】
続いて、図６（ｂ）に示す様に、同様に、第２切断予定面４４に形成された第２スクライブ面６３と対向する場所を、加圧部材６５を用いて押圧する。基板９は台６４に沈み込み、クラック部６１に張力が作用する。基板９は、台６４と接する面に近いクラック部６１ｂを起点として破断が進行し、分断する。
【０１００】
その結果、図６（ｃ）に示すように、基板９が第１スクライブ面６２、及び第２スクライブ面６３で分断され、４分割される。
【０１０１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、接着剤９ｃによる光減衰量を測定し、光減衰量に応じた光量のレーザ光７を照射している。そして、接着剤９ｃは、レーザ光７を吸収するので、接着剤９ｃを通過するレーザ光７は、減衰する。接着剤９ｃが厚い場所では、接着剤９ｃが薄い場所に比べて、レーザ光７は大きく減衰する。
【０１０２】
第１基板９ａと第２基板９ｂとを接合するとき、第１基板９ａと、第２基板９ｂとの反り及び歪により、接着剤９ｃの厚さは、場所により異なる場合がある。従って，接着剤９ｃをレーザ光７が通過するとき、レーザ光７が減衰する光減衰量は、場所により異なる場合がある。
【０１０３】
本実施形態では、複数の測定点４５で光減衰量を測定した後、光減衰量の大きい場所では、大きな光量のレーザ光７を照射している。従って、レーザ光７が接着剤９ｃを通過して、光量が減衰しても、改質部６０の形成に必要な光量を、第１基板９ａに集光することができる。その結果、品質良く改質部６０を形成するここができる為、品質良く基板を分断することができる。
【０１０４】
（２）本実施形態によれば、ステップＳ７の照射工程で照射するレーザ光７と異なる波長の紫外光１５を用いて、光減衰量を測定している。スクライブに用いるレーザ光７は、大きなエネルギを照射可能な装置を用いて発光している。光減衰量を測定するときは、スクライブ可能なエネルギに比べて、弱いエネルギで測定が可能である。
【０１０５】
本発明では、紫外発光ダイオードが発光する紫外光１５における光減衰量を測定した後、測定した光減衰量を用いて、ステップＳ７の照射工程で照射するレーザ光における光減衰量を演算して推定している。従って、スクライブに用いるレーザ光７とは異なる、弱いエネルギの光を照射する発光装置１４を用いて、光減衰量を推定している。その結果、消費するエネルギが少なくできる為、省資源な方法とすることができる。さらに、安定して発光する光を用いて測定することから、品質良く測定することができる。
【０１０６】
（３）本実施形態によれば、光減衰量を測定した後、測定した測定点４５と光減衰量とを記憶している。その後、測定した測定点４５と光減衰量とを用いて、改質部６０を形成するために必要な光量を演算して、照射している。従って、ステップＳ２１の光減衰量測定工程の後、続けて、ステップＳ７の照射工程を行う必要がない。ステップＳ２１の光減衰量測定工程とステップＳ４の記憶工程とを行った後、別の工程を行い、その後、照射工程を行うことができる。その結果、工程の設計を行い易い方法とすることができる。
【０１０７】
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した基板の分断方法の一実施形態について図７の及び図８を用いて説明する。図７は、基板の分断方法のフローチャートであり、図８は、基板の分断方法を説明する図である。
この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、１段目の改質部を形成するときに、光減衰量の測定と、レーザ光の照射とを並行して行う点にある。
【０１０８】
図７のフローチャートにおいて、ステップＳ３１は、移動工程に相当し、図２のステップＳ１と同じ工程であり、説明を省略する。次にステップＳ３２に移行する。ステップＳ３２は、測定光光減衰量測定工程に相当し、ステップＳ２と同じく、減衰後の光量を測定する工程であるが、ステップＳ２と異なる点は、レーザ光７を照射する場所総ての場所において、測定を行う点が異なる。ステップＳ３３は、光減衰量演算工程に相当し、図２のステップＳ３と同じ工程であり、説明を省略する。ステップＳ３２及びステップＳ３３とを合わせてステップＳ５１の光減衰量測定工程とする。次にステップＳ３４に移行する。ステップＳ３４は、記憶工程に相当し、図２のステップＳ４と同じ工程であり、説明を省略する。次にステップＳ３５に移行する。ステップＳ３５は、１段目照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して、１段目の改質部を形成する工程である。
【０１０９】
次にステップＳ３６に移行する。ステップＳ３６は、１段目の予定した領域総てを測定したかを判断する工程に相当し、レーザ光を照射する予定の場所で、まだ、レーザ光を照射していない場所を検索する工程である。レーザ光を照射する予定の場所で、まだ、レーザ光を照射していない場所があるとき（ＮＯのとき）、ステップＳ３１に移行する。レーザ光を照射する予定の場所で、レーザ光の照射をしていない場所がないとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ３７に移行する。ステップＳ３７〜ステップＳ４２は、図２のステップＳ６〜ステップＳ１１と同じであり、説明を省略する。
【０１１０】
図８はステップＳ３２〜ステップＳ３５に対応する図である。図８に示す様に、ステップＳ３２において、投光装置１４から紫外光１５を、受光装置１３へ照射する。このとき、紫外光１５は、基板９を通過するので、紫外光１５の光量が減衰する。そして、光減衰量測定装置３９は、受光装置１３が出力する光量に相当する電圧データを用いて、光減衰量を演算した後、メインコンピュータ２６に出力する。
【０１１１】
ステップＳ３３では、ステップＳ３と同様に、紫外光１５における光減衰量を用いて、レーザ光７における光減衰量を演算する。ステップＳ３４では、演算したレーザ光７における光減衰量を光減衰量データ３３としてメモリ２８に記憶する。ステップＳ３５では、メインコンピュータ２６が、メモリ２８から光減衰量データ３３を入力して、改質部６０を形成可能となるレーザ光７の光量データを演算する。その光量データをレーザ光制御装置３６に出力して、レーザ光制御装置３６は、その光量データと対応する光量のレーザ光７を、レーザ光源２から発光させる。そして、集光部８が、レーザ光７を集光場所７ｃに集光して，照射する。集光場所７ｃには、改質部６０が形成される。
【０１１２】
このとき、ステップＳ３２〜ステップＳ３４と、ステップＳ３５とは並行して行われる。従って、テーブル部４が基板９を移動させて、受光装置１３は、受光装置１３が測定する場所と対向する場所に位置するとき、紫外光１５の光量を測定する。続いて、光減衰量測定装置３９は、受光装置１３が受光する紫外光１５を用いて、光減衰量を演算した後、メモリ２８に記憶する。このステップと並行して、メインコンピュータ２６は、次に照射する場所における、光減衰量データ３３の入力と、照射するレーザ光７の光量の演算とが、行われる。そして、レーザ光７を照射する予定の場所と対向する場所に集光部８が位置するとき、レーザ光７が照射される。
【０１１３】
ステップＳ３６〜ステップＳ４２は、第１の実施形態と同様であり、説明を省略する。そして、基板９が分断されて、加工が終了する。
【０１１４】
上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態の効果（１）及び（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ステップＳ５１の光減衰量測定工程とステップＳ３５の１段目照射工程とが並行して行われている。ステップＳ５１とステップＳ３５とを別々に行うときは、ステップＳ５１にかかる時間と、ステップＳ３５にかかる時間とを合わせた時間がかかる。本発明では、ステップＳ５１とステップＳ３５とを並行して行うことにより、別々に行う場合に比べて短い時間で加工することができる。その結果、生産性良く製造可能な方法とすることができる。
【０１１５】
（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化したレーザ照射装置の一実施形態について図９を用いて説明する。図９は、スクライブ装置の構成を示す模式概略図である。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、光減衰量を測定する光を紫外線に換えて、レーザ光を用いて、光減衰量の測定を行う点にある。
【０１１６】
すなわち、本実施形態では、図９に示すように、レーザスクライブ装置６７は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部６８と、光学経路部６８に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。レーザ光源２及びテーブル部４は、第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【０１１７】
光学経路部６８はハーフミラー６９を備えている。ハーフミラー６９は、レーザ光源２から照射されるレーザ光７の光軸７ａ上に配置されている。ハーフミラー６９はレーザ光源２から照射されるレーザ光７の一部を反射して、光軸７ａから光軸７ｂへ進行方向を変更すると共に、レーザ光７の一部を、光軸７ｄへ透過する。ハーフミラー６９にて、反射したレーザ光７が通過する光軸７ｂ上に、シャッタ７０及び集光部８が配置されている。シャッタ７０は、レーザ光７の通過と遮断とを制御する装置であり、シャッタ７０を遮蔽するとき、レーザ光７は、遮断されるので、集光部８を照射しない。
【０１１８】
ハーフミラー６９を、透過したレーザ光７が通過する光軸７ｄ上に、シャッタ７１及び反射鏡７２が配置されている。シャッタ７１は、レーザ光７の通過と遮断とを制御する装置である。反射鏡７２は、レーザ光７を反射して、光軸７ｄから光軸７ｅへ進行方向を変更する。光軸７ｅ上には、反射鏡７３が配置され、反射鏡７３は、レーザ光７を反射して、光軸７ｅから光軸７ｆへ進行方向を変更する。光軸７ｆは、ステージ２２の内部を通過する。光軸７ｆ上には、反射鏡７４が配置され、反射鏡７４は、レーザ光７を反射して、光軸７ｆから光軸７ｇへ進行方向を変更する。基台１６は、支持部７５を備え、反射鏡７３及び反射鏡７４は、支持部７５により支持されている。
【０１１９】
光軸７ｇ上には、受光装置１３の受光部１３ａが配置されている。そして、レーザ光源２が発光するレーザ光７は、光軸７ａ、光軸７ｄ、光軸７ｅ、光軸７ｆ、光軸７ｇを通過して、受光部１３ａを照射する。光軸７ｇ上には、基板９が配置され、光軸７ｇを通過するレーザ光７は、基板９を透過して、光量が減衰する。従って、受光装置１３は、レーザ光７が、基板９を透過して、減衰する光量を測定可能となっている。
【０１２０】
レーザスクライブ装置６７は、シャッタ制御装置７６を備えている。シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０及びシャッタ７１の開閉を制御する装置である。シャッタ７０及びシャッタ７１を開くとき、レーザ光７が通過して、シャッタ７０及びシャッタ７１を閉じるとき、レーザ光７が遮断される。
【０１２１】
従って、集光部８からレーザ光７を照射せずに、光減衰量の測定を行うとき、シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０を閉じて、シャッタ７１を開く制御をする。集光部８からレーザ光７を照射して、光減衰量の測定を行わないとき、シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０を開いて、シャッタ７１を閉じる制御をする。集光部８からレーザ光７を照射すると共に、光減衰量の測定を行うとき、シャッタ制御装置７６は、シャッタ７０を開いて、シャッタ７１も開く制御をする。
【０１２２】
上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態の効果（１）に加えて、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、改質部６０を形成するときに、照射するレーザ光７と同じレーザ光７を用いて、光減衰量を測定している。接着剤９ｃにレーザ光７を照射するとき、接着剤９ｃが光を吸収する割合を示す吸光度は、照射する光の波長により異なる性質がある。本実施形態では、改質部６０を形成するときに、照射するレーザ光７の波長と光減衰量を測定するときの波長とが同じ波長であることから、同じ波長における光減衰量を測定している。従って、改質部６０を形成するときに、照射するレーザ光７が接着剤９ｃを通過するときの光減衰量を精度良く測定することができる。
【０１２３】
（第４の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図１０〜図１６を用いて説明する。
本実施形態では、本発明における基板の分断方法を用いて液晶表示装置を製造する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置について説明する。
【０１２４】
（液晶表示装置）
まず、液晶表示装置について説明する。図１０（ａ）は、液晶表示装置の模式平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の液晶表示装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。
【０１２５】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置８１は、対をなすＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３とが熱硬化性の封止材であるシール８４によって貼り合わされ、このシール８４によって区画される領域内に封入された液晶８５からなる液晶層を備えている。シール８４は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。
【０１２６】
シール８４の内側で対向基板８３の液晶８５側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り８６が形成されている。シール８４の外側の場所には、データ線駆動回路８７及び電極端子８８がＴＦＴアレイ基板８２の辺８２ａ（図１０中下側の辺）に沿って形成されており、この辺８２ａに隣接する辺８２ｂ及び辺８２ｃ（図１０中左右の辺）に沿って走査線駆動回路８９が形成されている。データ線駆動回路８７、電極端子８８及び走査線駆動回路８９は配線９０ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板８２の残る辺８２ｄ（図１０中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路８９の間を接続するための配線９０ｂが設けられている。また、対向基板８３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３との間で電気的導通をとるための基板間導通材９１が配設されている。対向基板８３のＴＦＴアレイ基板８２側には対向電極９２が配置され、基板間導通材９１と電気的に接続されている。さらに、対向電極９２のＴＦＴアレイ基板８２側には配向膜９３が配置されている。
【０１２７】
液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。なお、光が液晶により遮られた画素には当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、映像を表示させることができる。
【０１２８】
このような構造を有する液晶表示装置８１の画像を表示する領域には、複数の画素９４がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素９４の各々には、画素信号をスイッチングするスイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極９６が電気的に接続されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。
【０１２９】
画素電極９６は、ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素９４の画素電極９６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極９６に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、対向基板８３の対向電極９２と画素電極９６との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶８５の光透過量が変化する。
【０１３０】
画素電極９６の対向基板８３側には配向膜９７が配置されている。配向膜９３と配向膜９７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜９３と配向膜９７との間に充填された液晶８５は、配向膜９３と配向膜９７とに形成されている溝状の凹凸に沿って配列して形成される。
【０１３１】
ＴＦＴアレイ基板８２において、液晶８５と反対側の面には、防塵ガラス９８が、接着剤９９を介して配置され、対向基板８３において、液晶８５と反対側の面には、防塵ガラス１００が、接着剤１０１を介して配置されている。防塵ガラス９８，１００は、ＴＦＴアレイ基板８２及び対向基板８３に塵及び埃が付着することを防止している。又、防塵ガラス９８，１００に塵及び埃が付着しても、この塵及び埃と液晶との間の距離が防塵ガラスの厚み分だけ長くなる。外部の配置された投影レンズにより液晶表示装置８１の画素９４により形成される画像を投影するとき、塵及び埃の像がデフォーカスされ、スクリーン上に大きくぼやけて表示されるので目立たなくすることができる。
【０１３２】
防塵ガラス９８において、ＴＦＴアレイ基板８２と反対側の面には、光学薄膜９８ａが形成され、防塵ガラス１００において、対向基板８３と反対側の面には、光学薄膜１００ａが形成されている。光学薄膜９８ａ及び光学薄膜１００ａは可視光を透過し紫外線を遮断する機能を有している。
【０１３３】
液晶表示装置８１を通過する光の光軸上には偏光シートが配置され、この偏光シート及び液晶８５の作用により、液晶表示装置８１を透過する光透過量が変化するようになっている。
【０１３４】
（液晶表示装置の製造方法）
次に、上述した液晶表示装置８１における基板の分断方法について図１１〜図１６にて説明する。図１１は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図１２〜図１６は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【０１３５】
図１１のフローチャートにおいて、ステップＳ６１は、対向マザー基板の光減衰量測定工程に相当し、対向マザー基板を分断する予定の面において、紫外光を透過するときの減衰後の光量を測定する工程である。次にステップＳ６２に移行する。ステップＳ６２は、ＴＦＴアレイマザー基板の光減衰量測定工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板を分断する予定の面において、紫外光を透過するときにおける減衰後の光量を測定する工程である。ステップＳ６１とステップＳ６２とを合わせて、ステップＳ８１の光減衰量測定工程とする。次にステップＳ６３に移行する。ステップＳ６３は、組立工程に相当し、対向マザー基板とＴＦＴアレイマザー基板との間に液晶を挟んで、接着することにより組み立てる工程である。次にステップＳ６４に移行する。
【０１３６】
ステップＳ６４は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６５に移行する。ステップＳ６５は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板において、ステップＳ６４でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６６に移行する。
【０１３７】
ステップＳ６６はＴＦＴアレイマザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６７に移行する。ステップＳ６７はＴＦＴアレイマザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板において、ステップＳ６６でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。ステップＳ６４〜ステップＳ６７とを合わせてステップＳ８２とする。ステップＳ８２は、スクライブ工程に相当する。次にステップＳ６８に移行する。
【０１３８】
ステップＳ６８はＴＦＴアレイマザー基板の第１分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板の一方向を分断する工程である。次にステップＳ６９に移行する。ステップＳ６９はＴＦＴアレイマザー基板の第２分断工程に相当し、ＴＦＴアレイマザー基板において、ステップＳ６８で分断した方向と直交する方向を分断する工程である。次にステップＳ７０に移行する。ステップＳ７０は対向マザー基板の第１分断工程に相当し、対向マザー基板の一方向を分断する工程である。次にステップＳ７１に移行する。ステップＳ７１は対向マザー基板の第２分断工程に相当し、対向マザー基板において、ステップＳ７０で分断した方向と直交する方向を分断する工程である。ステップＳ６８〜ステップＳ７１とを合わせてステップＳ８３とする。ステップＳ８３は、分断工程に相当する。以上の工程により、液晶表示装置８１が形成される。
【０１３９】
次に、図１２〜図１６を用いて、図１１に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）はステップＳ６１に対応する図である。図１２（ａ）は、液晶表示装置が区画形成された対向マザー基板を示す模式平面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った模式断面図である。
【０１４０】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、対向マザー基板１０４は、第１基板としての対向大判基板１０４ａと第２基板としての防塵大判ガラス１０４ｂとが接着剤１０１により接合されている。対向大判基板１０４ａの防塵大判ガラス１０４ｂと反対側の面には、対向電極９２及び配向膜９３等が形成されている。対向マザー基板１０４の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１４１】
図１０に示す液晶表示装置８１を形成する為に、対向マザー基板１０４を分断する予定の面をＨ対向切断面１０５、Ｖ対向切断面１０６と表記する。Ｈ対向切断面１０５は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０４の切断面であり、図１２（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１２（ａ）に示した、１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ，１０５ｅは、それぞれＨ対向切断面１０５である。
【０１４２】
Ｖ対向切断面１０６は、一点鎖線で示した対向マザー基板１０４の切断面であり、図１２（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１２（ａ）に示した、１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃは、それぞれＶ対向切断面１０６である。
【０１４３】
図１２（ｂ）に示す様に、投光装置１４から紫外光１５を受光装置１３に照射する。そして、紫外光１５をＶ対向切断面１０６に沿って、移動させて、Ｖ対向切断面１０６における光減衰量を測定する。続いて、紫外光１５をＨ対向切断面１０５に沿って、移動させて、Ｈ対向切断面１０５における光減衰量を測定する。そして、レーザ光７を照射するときの光減衰量を演算して、メモリ２８に記憶する。
【０１４４】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）はステップＳ６２に対応する図である。図１３（ａ）は、液晶表示装置が区画形成された対向マザー基板を示す模式図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。
【０１４５】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイマザー基板１０７は、第１基板としてのＴＦＴアレイ大判基板１０７ａと第２基板としての防塵大判ガラス１０７ｂとが接着剤９９により接合されている。ＴＦＴアレイ大判基板１０７ａの防塵大判ガラス１０７ｂと反対側の面には、画素電極９６、配向膜９７、データ線駆動回路８７、走査線駆動回路８９等が形成されている。ＴＦＴアレイマザー基板１０７の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１４６】
図１０に示す液晶表示装置８１を形成する為に、ＴＦＴアレイマザー基板１０７を分断する予定の面をＨ素子切断面１０８、Ｖ素子切断面１０９と表記する。
Ｈ素子切断面１０８は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０７の切断面であり、図１３（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。図１３（ａ）に示した、１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃは、それぞれＨ素子切断面１０８である。
【０１４７】
Ｖ素子切断面１０９は、一点鎖線で示したＴＦＴアレイマザー基板１０７の切断面であり、図１３（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１３（ａ）に示した、１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃは、それぞれＶ素子切断面１０９である。
【０１４８】
図１３（ｂ）に示す様に、投光装置１４から紫外光１５を受光装置１３に照射する。そして、紫外光１５をＶ素子切断面１０９に沿って、移動させて、Ｖ素子切断面１０９における光減衰量を測定する。続いて、紫外光１５をＨ素子切断面１０８に沿って、移動させて、Ｈ素子切断面１０８における光減衰量を測定する。そして、レーザ光７を照射するときの光減衰量を演算して、メモリ２８に記憶する。
【０１４９】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）はステップＳ６３に対応する図である。図１４（ａ）は、マザー基板を示す模式平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った模式断面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、マザー基板１１０は、ＴＦＴアレイマザー基板１０７と対向マザー基板１０４との間に液晶８５が封入され、シール８４により接合されて、形成されている。ＴＦＴアレイ大判基板１０７ａには、ＴＦＴアレイ基板８２が複数配列して形成され、対向大判基板１０４ａには、対向基板８３が複数配列して形成されている。ＴＦＴアレイ基板８２と対向基板８３とには、防塵ガラス９８と防塵ガラス１００とがそれぞれ接合されていることから、ＴＦＴアレイ大判基板１０７ａと対向大判基板１０４ａとには、防塵大判ガラス１０７ｂと防塵大判ガラス１０４ｂとがそれぞれ接合されて、配置されている。
【０１５０】
ＴＦＴアレイマザー基板１０７と対向マザー基板１０４とを組み立てるとき、Ｈ対向切断面１０５とＨ素子切断面１０８とを対向させると共に、Ｖ対向切断面１０６とＶ素子切断面１０９とを対向させて、組み立てを行う。例えば、Ｈ対向切断面１０５ａは、Ｈ素子切断面１０８ａと対向させて、Ｈ対向切断面１０５ｃは、Ｈ素子切断面１０８ｂと対向させて、Ｈ対向切断面１０５ｅは、Ｈ素子切断面１０８ｃと対向させて、組み立てる。
【０１５１】
同様に、例えば、Ｖ対向切断面１０６ｆは、Ｖ素子切断面１０９ａと対向させて、Ｖ対向切断面１０６ｅは、Ｖ素子切断面１０９ｂと対向させて、Ｖ対向切断面１０６ｄは、Ｖ素子切断面１０９ｃと対向させて、組み立てる。尚、マザー基板１１０の形成方法は公知の方法により製造されており、説明を省略する。
【０１５２】
図１５（ａ）〜図１５（ｃ）はステップＳ６４に対応する図である。図１５（ａ）に示す様に、マザー基板１１０をレーザスクライブ装置１のステージ２２に配置する。続いて、Ｖ対向切断面１０６のレーザ光７を照射する場所と対向する場所に、集光部８が位置する様に、マザー基板１１０を移動する。そして、メインコンピュータ２６は、メモリ２８から光減衰量データ３３を入力した後、この光減衰量データ３３を用いて、光照射量を演算する。レーザ光源２が、演算した光照射量の照射を可能にする光量のレーザ光７を発光する。そして、集光部８がレーザ光７を集光して照射する。
【０１５３】
レーザ光７が集光されて照射された集光場所７ｃには、改質部６０が形成され、改質部６０の中央には、クラック部６１が形成される。本実施形態においては、対向大判基板１０４ａ及び防塵大判ガラス１０４ｂに石英ガラスを用いていることから、クラック部６１には、空洞が形成される。レーザ光７の一部が接着剤１０１に吸収されて、レーザ光７の光量が減衰しても、光減衰量に対応して、レーザ光７の光量を上げている為、改質部６０が確実に形成される。
【０１５４】
以上の移動と照射とを繰り返して、スクライブを行い、改質部６０を配列して１段目の改質部６０ａを、対向大判基板１０４ａのＶ対向切断面１０６に沿って形成する。続いて、１段目と隣接する場所に改質部６０を配列して２段目の改質部６０ｂを形成する。３段目以降についても、同様の方法で、改質部６０を配列して形成する。その結果、図１５（ｂ）に示す様に、対向大判基板１０４ａのＶ対向切断面１０６総てに、改質部６０が配列して形成され、改質部６０の中央にはクラック部６１が形成される。この一連の工程は、第１の実施形態に記載の方法を用いて行われる。
【０１５５】
続いて、対向大判基板１０４ａと防塵大判ガラス１０４ｂとの間の接着剤１０１に対して、Ｖ対向切断面１０６に沿って、レーザ光７を照射することにより、接着剤１０１を変質させて、分断し易くする。
【０１５６】
次に、図１５（ｂ）に示す様に、防塵大判ガラス１０４ｂのＶ対向切断面１０６に沿って、マザー基板１１０の移動とレーザ光７を照射することにより、改質部６０を配列して形成する。その結果、図１５（ｃ）に示す様に、対向大判基板１０４ａ及び防塵大判ガラス１０４ｂのＶ対向切断面１０６総てに、改質部６０が配列して形成され、改質部６０の中央にはクラック部６１が形成される。
【０１５７】
ステップＳ６５においては、対向マザー基板１０４のＨ対向切断面１０５に沿ってレーザ光７を照射し、スクライブを行う。続いて、ステップ６６において、マザー基板１１０を反転し、ＴＦＴアレイマザー基板１０７のＶ素子切断面１０９に沿ってレーザ光７を照射して、スクライブを行う。続いて、ステップＳ６７において、ＴＦＴアレイマザー基板１０７のＨ素子切断面１０８に沿ってレーザ光７を照射し、スクライブを行う。スクライブ方法については、ステップＳ６４と同様であり、詳細な説明は省略する。
【０１５８】
図１６（ａ）〜図１６（ｂ）はステップＳ６８に対応する図である。図１６（ａ）に示す様に、マザー基板１１０を弾性材などからなる台１１１の上に配置する。マザー基板１１０の防塵大判ガラス１０７ｂが台１１１と接する様に配置し、対向マザー基板１０４において、Ｈ素子切断面１０８に配列して形成されているクラック部６１と対向する場所を、加圧部材１１２を用いて押圧する。ＴＦＴアレイマザー基板１０７は台１１１に沈み込み、クラック部６１に張力が作用する。ＴＦＴアレイマザー基板１０７は、台１１１と接する面に近いクラック部６１を起点として破断が進行し、分断する。
図１６（ｂ）に示す様に、その結果、ＴＦＴアレイマザー基板１０７は、Ｈ素子切断面１０８で分断される。
【０１５９】
ステップＳ６９においては、ＴＦＴアレイマザー基板１０７のＶ素子切断面１０９に沿って形成されているクラック部６１を分断する。続いて、ステップＳ７０において、マザー基板１１０を反転し、対向マザー基板１０４のＨ対向切断面１０５に沿って形成されているクラック部６１を分断する。続いて、ステップＳ７１において、対向マザー基板１０４のＶ対向切断面１０６に沿って形成されているクラック部６１を分断する。分断方法については、ステップＳ６８と同様であり、詳細な説明は省略する。
【０１６０】
以上の工程により、マザー基板１１０が分割されて、図１０（ａ）に示す液晶表示装置８１の形状に形成され、液晶表示装置８１が完成する。
【０１６１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１の実施形態における方法を用いて、レーザ光７を照射している。従って、接着剤９９，１０１を通過してレーザ光７を照射してスクライブするときにおいても、品質良く改質部６０を形成している為、品質良く対向マザー基板１０４及びＴＦＴアレイマザー基板１０７を分断することができる。その結果、品質良く分断された基板を備える液晶表示装置８１とすることができる。
【０１６２】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態においては、ステップＳ２において、紫外光１５を基板９に対して垂直に照射しているが、基板９に対して斜めに紫外光１５を照射して良い。このとき、接着剤９ｃの層を斜めに通過することから、通過する距離が長くなる。従って、光減衰量が大きくなるので、補正を行う演算をすることにより、紫外光１５を基板９に対して垂直に照射するときの光減衰量を算出しても良い。このとき、受光装置１３及び投光装置１４は、傾けても良いことから、受光装置１３及び投光装置１４の配置を設計し易くすることができる。
【０１６３】
（変形例２）
前記第１の実施形態においては、基板９に紫外光１５を照射して、光減衰量を推定したが、第１基板９ａの厚みと、第２基板９ｂの厚みと、基板９の厚みとを測定することにより、接着剤９ｃの厚みを算出しても良い。広く活用されている厚み測定装置を利用可能となることから、受光装置１３及び投光装置１４を配置する必要がなく、製造し易いレーザスクライブ装置１とすることができる。
【０１６４】
（変形例３）
前記第１の実施形態においては、ステップＳ３において、光減衰量を演算して、ステップＳ４にて光減衰量を記憶している。そして、ステップＳ７において、照射するときに、光減衰量を補正した照射光量を演算して照射している。これに限らず、ステップＳ３において、光減衰量と、光減衰量を補正した照射光量を演算して、ステップＳ４にて光照射量を記憶しても良い。ステップＳ７においては、既に、照射光量が解っていることから、照射光量を演算する時間が短くすることができる。その結果、ステップＳ７で、照射する加工時間を短縮することができる為、生産性良く加工することができる。
【０１６５】
（変形例４）
前記第１の実施形態においては、第１切断予定面４３に沿って測定して、次にレーザ光７を照射している。そして、第２切断予定面４４に沿って測定して、次にレーザ光７を照射している。これに限らず、第１切断予定面４３及び第２切断予定面４４に沿って測定した後、第１切断予定面４３及び第２切断予定面４４に沿って、レーザ光７を照射しても良い。レーザ光７の照射をまとめて行うことにより、レーザ光源２の発光を安定化させる暖気運転を１回にすることができる。
【０１６６】
（変形例５）
前記第１の実施形態において、ステップＳ７で、図４（ｂ）に示す光減衰量折れ線５４を用いて、１次方程式により光減衰量を演算しているが、最小二乗法により２次以上の方程式を求めて、この２次以上の方程式を用いて演算してもよい。測定点間の各場所における光減衰量の推定が、より正確に演算することができる。
【０１６７】
（変形例６）
ステップＳ３では、図４（ａ）に示す様に、光減衰量から接着剤の厚みを推定し、接着剤の厚みからレーザ光７の光減衰量を推定している。これに限らず、紫外光１５の光減衰量と、レーザ光７における光減衰量との関係を示す相関表を作成して、その相関表を用いて，算出してもよい。接着剤の厚みを算出する時間がかからないことから、生産性良く光減衰量を算出することができる。
【０１６８】
（変形例７）
前記第２の実施形態においては、受光装置１３及び投光装置１４を用いて測定した光減衰量を、総て光減衰量データ３３として記憶していたが、集光部８からレーザ光７を照射した後、一部のデータを削除しても良い。図４（ｂ）に示す様に、光減衰量４７の分布が推定可能なデータ数を残してあれば良い。データ数を減らすことにより、メモリ２８に必要とされる容量を減らすことができる為、省資源な装置とすることができる。
【０１６９】
（変形例８）
前記第４の実施形態においては、前記第１の実施形態における基板の分断方法を用いて、対向マザー基板１０４及びＴＦＴアレイマザー基板１０７を分断しているが、前記第２の実施形態、前記第３の実施形態、及び上記変形例を用いて基板を分断しても良い。
【０１７０】
（変形例９）
前記第１〜第４の実施形態では、レーザ光源２にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。
【０１７１】
（変形例１０）前記第１の実施形態では、メインコンピュータ２６は、メモリ２８内に動作手順に沿ったプログラムソフト２９を記憶し、プログラムソフト２９によりレーザレーザスクライブ装置１の制御を行ったが、これに限らず、電気回路にて構成される制御装置にて制御しても良い。周辺機器が手順通りに制御されれば良い。
【０１７２】
（変形例１１）
前記第４の実施形態では、液晶表示装置８１に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置８１以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板を分断する工程で、品質良く分断される基板を備えた電気光学装置を提供することができる。
【０１７３】
（変形例１２）
前記第１の実施形態では、紫外光１５を照射して、光が接着剤９ｃを通過した減衰後の光量を測定したが、紫外光１５以外の波長の光を用いても良い。波長の長いＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、波長の短いＬＥＤに比べて製造し易いことから、製造し易い装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】第１の実施形態に係るスクライブ装置の構成を示す模式概略図。
【図２】基板の分断方法のフローチャート。
【図３】基板の分断方法を説明する図。
【図４】基板の分断方法を説明する図。
【図５】基板の分断方法を説明する図。
【図６】基板の分断方法を説明する図。
【図７】第２の実施形態に係る基板の分断方法のフローチャート。
【図８】基板の分断方法を説明する図。
【図９】第３の実施形態に係るスクライブ装置の構成を示す模式概略図。
【図１０】（ａ）は、第４の実施形態に係る液晶表示装置の模式平面図、（ｂ）は、液晶表示装置の模式断面図。
【図１１】液晶表示装置の製造方法のフローチャート。
【図１２】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１３】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１４】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１５】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１６】液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【符号の説明】
【０１７５】
２…レーザ光源部としてのレーザ光源、７…レーザ光、９ａ…第１基板、９ｂ…第２基板、９ｃ…接着剤、１５…測定光としての紫外光、３９…減衰光量測定部としての光減衰量測定装置、４５…測定場所としての測定点、５０…光減衰量、６０…改質部、８１…電気光学装置としての液晶表示装置、１０４ａ…第１基板としての対向大判基板、１０４ｂ，１０７ｂ…第２基板としての防塵大判ガラス、１０７ａ…第１基板としてのＴＦＴアレイ大判基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている前記第１基板を分断する基板の分断方法であって、
前記第１基板と、前記第２基板との間に位置する前記接着剤に測定光を照射して、前記測定光が前記接着剤を通過するときに、前記測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定工程と、
前記第２基板側から、前記第１基板にレーザ光を照射して、前記第１基板の内部に改質部を形成する照射工程と、
前記改質部を押圧して前記第１基板を分断する分断工程とを有し、
前記照射工程では、レーザ光が前記接着剤を通過するとき、前記光減衰量の小さい場所に比べて、前記光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程は、前記照射工程で照射する前記レーザ光と略同じ波長のレーザ光を前記接着剤に照射して、光減衰量を測定することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項３】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程は、前記照射工程で照射する前記レーザ光と異なる波長の測定光を前記接着剤に照射して、前記接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定工程と、
前記接着剤の、前記測定光の波長における光減衰量と、前記照射工程で照射する前記レーザ光の波長における光減衰量との相関データを用いて、前記レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算工程とを有することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項４】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程の後に、前記光減衰量と、前記光減衰量を測定した測定場所とを記憶する記憶工程を有し、
前記照射工程では、前記記憶工程において、記憶した前記測定場所と前記光減衰量とを用いて、照射する場所における前記光減衰量を演算した後、前記光減衰量を用いて、改質部を形成可能となるレーザ光の光量を演算して、照射することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項５】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程と前記照射工程とを並行して行うことを特徴とする基板の分断方法。
【請求項６】
第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている前記第１基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、
前記第１基板と、前記第２基板との間に位置する前記接着剤に測定光を照射して、前記測定光が前記接着剤を通過するときに、前記測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定部と、
前記第１基板に照射する前記レーザ光の光量を制御する光量制御部とを有し、
前記レーザ光が前記接着剤を通過するとき、前記光減衰量の小さい場所に比べて、前記光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記光減衰量測定部は、前記レーザ光を前記接着剤に照射して、前記光減衰量を測定することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項８】
請求項６に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記光減衰量測定部は、
前記レーザ光と異なる波長の測定光を前記接着剤に照射して、前記接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定部と、
前記測定光の波長における光減衰量と、前記照射工程で照射する前記レーザ光が、同じ接着剤の厚さを照射するときに減衰する光減衰量との相関データを用いて、前記レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算部とを有することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項９】
第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている前記第１基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板を分断するとき、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板の分断方法を用いて分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている前記第１基板を分断する基板の分断方法であって、
前記第１基板と、前記第２基板との間に位置する前記接着剤に測定光を照射して、前記測定光が前記接着剤を通過するときに、前記測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定工程と、
前記第２基板側から、前記第１基板にレーザ光を照射して、前記第１基板の内部に改質部を形成する照射工程と、
前記改質部を押圧して前記第１基板を分断する分断工程とを有し、
前記照射工程では、レーザ光が前記接着剤を通過するとき、前記光減衰量の小さい場所に比べて、前記光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程は、前記照射工程で照射する前記レーザ光と略同じ波長のレーザ光を前記接着剤に照射して、光減衰量を測定することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項３】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程は、前記照射工程で照射する前記レーザ光と異なる波長の測定光を前記接着剤に照射して、前記接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定工程と、
前記接着剤の、前記測定光の波長における光減衰量と、前記照射工程で照射する前記レーザ光の波長における光減衰量との相関データを用いて、前記レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算工程とを有することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項４】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程の後に、前記光減衰量と、前記光減衰量を測定した測定場所とを記憶する記憶工程を有し、
前記照射工程では、前記記憶工程において、記憶した前記測定場所と前記光減衰量とを用いて、照射する場所における前記光減衰量を演算した後、前記光減衰量を用いて、改質部を形成可能となるレーザ光の光量を演算して、照射することを特徴とする基板の分断方法。
【請求項５】
請求項１に記載の基板の分断方法であって、
前記光減衰量測定工程と前記照射工程とを並行して行うことを特徴とする基板の分断方法。
【請求項６】
第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている前記第１基板にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置であって、
前記第１基板と、前記第２基板との間に位置する前記接着剤に測定光を照射して、前記測定光が前記接着剤を通過するときに、前記測定光の光量が減衰した後の光量に相当する光減衰量を測定する、光減衰量測定部と、
前記第１基板に照射する前記レーザ光の光量を制御する光量制御部とを有し、
前記レーザ光が前記接着剤を通過するとき、前記光減衰量の小さい場所に比べて、前記光減衰量の大きい場所において、大きな光量のレーザ光を照射することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記光減衰量測定部は、前記レーザ光を前記接着剤に照射して、前記光減衰量を測定することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項８】
請求項６に記載のレーザスクライブ装置であって、
前記光減衰量測定部は、
前記レーザ光と異なる波長の測定光を前記接着剤に照射して、前記接着剤による光減衰量を測定する測定光光減衰量測定部と、
前記測定光の波長における光減衰量と、前記照射工程で照射する前記レーザ光が、同じ接着剤の厚さを照射するときに減衰する光減衰量との相関データを用いて、前記レーザ光における光減衰量を演算する光減衰量演算部とを有することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項９】
第１基板と、第２基板とが接着剤を介して接合されている前記第１基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板を分断するとき、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板の分断方法を用いて分断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００８−１５５２６９（Ｐ２００８−１５５２６９Ａ）
【公開日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３４９０３７（Ｐ２００６−３４９０３７）
【出願日】平成１８年１２月２６日（２００６．１２．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月２６日（２００６．１２．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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